一種升降式單晶硅爐的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種升降式單晶硅爐，包括外殼、加熱裝置、氬氣冷卻裝置及氣動升降裝置，所述外殼內(nèi)中部設(shè)置有支承腔；所述的加熱裝置是設(shè)置在支承腔內(nèi)的石墨加熱器；所述的石墨加熱器上設(shè)有石英坩堝，石英坩堝上設(shè)有均熱圓盤發(fā)熱裝置；所述石英坩堝兩側(cè)設(shè)有通氣孔；所述氬氣冷卻裝置是設(shè)置在支承腔上端，包括密封容腔及設(shè)置在密封容腔兩邊的氬氣導(dǎo)管及排氣管；所述包括密封容腔下端設(shè)置有環(huán)形密封圈。本實用新型所述的一種升降式單晶硅爐，其集加熱與冷卻于一體，運用氣動升降裝置轉(zhuǎn)換位置，結(jié)構(gòu)合理，適于推廣使用。
【專利說明】一種升降式單晶硅爐

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及單晶硅爐，尤其是一種升降式單晶硅爐。

【背景技術(shù)】
[0002] 單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料 發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能 具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、 市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅爐加熱 系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)是分開的，操作不便，生產(chǎn)效率低，而單晶硅爐內(nèi)加熱的溫度不均勻?qū)е律?產(chǎn)良率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實用新型要解決的技術(shù)問題是：為了克服上述中存在的問題，提供了一種升降 式單晶硅爐，其集加熱與冷卻于一體，運用氣動升降裝置轉(zhuǎn)換位置，結(jié)構(gòu)合理，適于推廣使 用。
[0004] 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種升降式單晶硅爐，包括外 殼、加熱裝置、氬氣冷卻裝置及氣動升降裝置，所述外殼內(nèi)中部設(shè)置有支承腔；所述的加熱 裝置是設(shè)置在支承腔內(nèi)的石墨加熱器；所述的石墨加熱器上設(shè)有石英坩堝，石英坩堝上設(shè) 有均熱圓盤發(fā)熱裝置；所述石英坩堝兩側(cè)設(shè)有通氣孔；
[0005] 所述氣動升降裝置是設(shè)置在石英坩堝的底部，包括支承盤、升降桿、固定桿及底 座；所述支承盤是與石英坩堝相抵接；所述固定桿內(nèi)設(shè)有容氣倉，所述升降桿是設(shè)置在容 氣倉內(nèi)與固定桿內(nèi)壁密封滑動連接；所述固定桿底部設(shè)有通氣管及開關(guān)閥；所述通氣管是 與外部氣壓裝置相互連接。
[0006] 所述氬氣冷卻裝置是設(shè)置在支承腔上端，包括密封容腔及設(shè)置在密封容腔兩邊的 氬氣導(dǎo)管及排氣管；所述包括密封容腔下端設(shè)置有環(huán)形密封圈。
[0007] 作為優(yōu)選的方案，所述的氬氣冷卻裝置上端設(shè)置有溫度傳感器。
[0008] 作為優(yōu)選的方案，所述外殼與支承腔之間是真空隔熱層。
[0009] 作為優(yōu)選的方案，所述石英坩堝頂部設(shè)置有蓋子。
[0010] 本實用新型的有益效果是：一種升降式單晶硅爐，其集加熱與冷卻于一體，大幅 度地提高生產(chǎn)效率，通過運用氣動升降裝置轉(zhuǎn)換位置，控制加熱生晶或是氬氣冷卻，結(jié)構(gòu)合 理，均熱圓盤發(fā)熱裝置，使石英坩堝內(nèi)熱量均勻，提高正品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0012] 圖1是本實用新型所述的一種升降式單晶硅爐整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖2是本實用新型所述的一種升降式單晶硅爐氣動升降裝置升起結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖3是本實用新型所述的一種升降式單晶硅爐氣動升降裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015] 附圖中標(biāo)記分述如下：1、外殼，11、支承腔，12、密封容腔，13、真空隔熱層，14、溫度 傳感器，2、加熱裝置，21、石墨加熱器，3、氬氣冷卻裝置，31、氬氣導(dǎo)管，32、排氣管，33、環(huán)形 密封圈，4、氣動升降裝置，41、支承盤，42、升降桿，43、固定桿，431、容氣倉，44、底座，45、通 氣管，451、開關(guān)閥，5、石英坩堝，51、通氣孔，52、蓋子，6、均熱圓盤發(fā)熱裝置。

【具體實施方式】
[0016] 現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖， 僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0017] 如圖1、2、3所示的一種升降式單晶硅爐，包括外殼1、加熱裝置2、氬氣冷卻裝置3 及氣動升降裝置4,所述外殼1內(nèi)中部設(shè)置有支承腔11 ;所述的加熱裝置2是設(shè)置在支承腔 11內(nèi)的石墨加熱器21 ;所述的石墨加熱器21上設(shè)有石英坩堝5,石英坩堝5上設(shè)有均熱圓 盤發(fā)熱裝置6 ;所述石英坩堝5兩側(cè)設(shè)有通氣孔51 ;
[0018] 所述氣動升降裝置4是設(shè)置在石英坩堝5的底部，包括支承盤41、升降桿42、固定 桿43及底座44 ;所述支承盤41是與石英坩堝5相抵接；所述固定桿43內(nèi)設(shè)有容氣倉431， 所述升降桿42是設(shè)置在容氣倉431內(nèi)與固定桿43內(nèi)壁密封滑動連接；所述固定桿43底部 設(shè)有通氣管45及開關(guān)閥451 ;所述通氣管45是與外部氣壓裝置相互連接。
[0019] 所述氬氣冷卻裝置3是設(shè)置在支承腔11上端，包括密封容腔12及設(shè)置在密封容 腔12兩邊的氬氣導(dǎo)管31及排氣管32 ;所述包括密封容腔12下端設(shè)置有環(huán)形密封圈33。
[0020] 所述的氬氣冷卻裝置3上端設(shè)置有溫度傳感器14。所述外殼1與支承腔11之間 是真空隔熱層13。所述石英坩堝5頂部設(shè)置有蓋子52。
[0021] 本實用新型所述的一種升降式單晶硅爐，其集加熱與冷卻于一體，大幅度地提高 生產(chǎn)效率，通過運用氣動升降裝置轉(zhuǎn)換位置，控制加熱生晶或是氬氣冷卻，結(jié)構(gòu)合理，均熱 圓盤發(fā)熱裝置，使石英坩堝內(nèi)熱量均勻，提高正品率。
[0022] 以上述依據(jù)本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人 員完全可以在不偏離本項實用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項實 用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù) 性范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種升降式單晶硅爐，其特征是：包括外殼（1)、加熱裝置（2)、氬氣冷卻裝置（3)及 氣動升降裝置（4)，所述外殼（1)內(nèi)中部設(shè)置有支承腔（11);所述的加熱裝置（2)是設(shè)置在 支承腔（11)內(nèi)的石墨加熱器（21);所述的石墨加熱器（21)上設(shè)有石英坩堝（5)，石英坩堝 (5)上設(shè)有均熱圓盤發(fā)熱裝置（6);所述石英坩堝（5)兩側(cè)設(shè)有通氣孔（51); 所述氣動升降裝置（4)是設(shè)置在石英坩堝（5)的底部，包括支承盤（41)、升降桿（42)、 固定桿（43)及底座（44);所述支承盤（41)是與石英坩堝（5)相抵接；所述固定桿（43)內(nèi) 設(shè)有容氣倉（431)，所述升降桿（42)是設(shè)置在容氣倉（431)內(nèi)與固定桿（43)內(nèi)壁密封滑動 連接；所述固定桿（43)底部設(shè)有通氣管（45)及開關(guān)閥（451);所述通氣管（45)是與外部氣 壓裝置相互連接； 所述氬氣冷卻裝置（3 )是設(shè)置在支承腔（11)上端，包括密封容腔（12 )及設(shè)置在密封容 腔（12)兩邊的氬氣導(dǎo)管（31)及排氣管（32);所述包括密封容腔（12)下端設(shè)置有環(huán)形密封 圈（33)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種升降式單晶硅爐，其特征是：所述的氬氣冷卻裝置（3)上 端設(shè)置有溫度傳感器（14)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種升降式單晶硅爐，其特征是：所述外殼（1)與支承腔 (11)之間是真空隔熱層（13)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種升降式單晶硅爐，其特征是：所述石英坩堝（5)頂部設(shè)置 有蓋子（52)。
【文檔編號】C30B29/06GK203846135SQ201420149828
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】王平 申請人:江蘇華盛天龍光電設(shè)備股份有限公司