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一種單晶爐排氣管的制作方法

文檔序號(hào):11006839閱讀:723來(lái)源:國(guó)知局
一種單晶爐排氣管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶爐排氣管,屬于單晶爐技術(shù)領(lǐng)域,包括管體,所述管體采用碳/碳復(fù)合材料制備。本實(shí)用新型能夠減少內(nèi)壁揮發(fā)物附著,強(qiáng)度高,不易損壞,不對(duì)成晶產(chǎn)生負(fù)面影響,使用壽命長(zhǎng)。
【專利說(shuō)明】
一種單晶爐排氣管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及單晶爐技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的單晶爐排氣口處安裝的排氣管均采用石墨材質(zhì),然而在實(shí)際的生產(chǎn)實(shí)踐中,石墨材質(zhì)的排氣口易碎、強(qiáng)度低,且反復(fù)急熱、急冷使用時(shí)容易開(kāi)裂,導(dǎo)致使用壽命比較短。爐內(nèi)化料和等經(jīng)狀態(tài)下時(shí)刻在產(chǎn)生硅蒸氣和氧化物,極易沾附到排氣口內(nèi)壁上造成堵塞,而且在取下排氣口進(jìn)行清理時(shí)很難清理干凈,用力過(guò)大就會(huì)將石墨材質(zhì)的排氣口損壞,因此,很大程度降低了排氣口的使用壽命。在實(shí)際的生產(chǎn)中,石墨材質(zhì)的排氣口的使用壽命一般在一個(gè)月之內(nèi),非常短。另外,石墨材質(zhì)的排氣口經(jīng)常出現(xiàn)由于廢氣孔碎片卡到管道內(nèi)影響抽空造成成晶困難的問(wèn)題。
[0003]因此,如何提供一種減少內(nèi)壁揮發(fā)物附著,高強(qiáng)度,不易損壞,不影響成晶,提高使用壽命的單晶爐排氣管,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題,是提供一種單晶爐排氣管,其能夠減少內(nèi)壁揮發(fā)物附著,強(qiáng)度高,不易損壞,不對(duì)成晶產(chǎn)生負(fù)面影響,使用壽命長(zhǎng)。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:
[0006]—種單晶爐排氣管,包括管體,所述管體采用碳/碳復(fù)合材料制備。
[0007]作為優(yōu)選,在所述管體的內(nèi)表面上噴涂有氮化硅。
[0008]作為優(yōu)選,還包括上蓋,所述管體呈L形,L形的管體的豎直管位于爐體內(nèi),水平管穿過(guò)爐體的側(cè)壁,所述上蓋位于豎直管的上端,所述上蓋下方的豎直管的側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣
□ O
[0009]作為優(yōu)選,所述豎直管和水平管均為圓形管。
[0010]作為優(yōu)選,所述進(jìn)氣口的數(shù)量為3,沿豎直管的周向均勻分布。
[0011]作為優(yōu)選,所述上蓋為圓形。
[0012]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:現(xiàn)有技術(shù)的單晶爐排氣口處安裝的排氣管均采用石墨材質(zhì),然而在實(shí)際的生產(chǎn)實(shí)踐中,石墨材質(zhì)的排氣口易碎、強(qiáng)度低,且反復(fù)急熱、急冷使用時(shí)容易開(kāi)裂,導(dǎo)致使用壽命比較短。爐內(nèi)化料和等經(jīng)狀態(tài)下時(shí)刻在產(chǎn)生硅蒸氣和氧化物,極易沾附到排氣口內(nèi)壁上造成堵塞,而且在取下排氣口進(jìn)行清理時(shí)很難清理干凈,用力過(guò)大就會(huì)將石墨材質(zhì)的排氣口損壞,因此,很大程度降低了排氣口的使用壽命;在實(shí)際的生產(chǎn)中,石墨材質(zhì)的排氣口的使用壽命一般在一個(gè)月之內(nèi),非常短;另外,石墨材質(zhì)的排氣口經(jīng)常出現(xiàn)由于廢氣孔碎片卡到管道內(nèi)影響抽空造成成晶困難的問(wèn)題。本實(shí)用新型的管體采用碳碳(C/C)復(fù)合材料制備,C/C復(fù)合材料具有強(qiáng)度高、整體性強(qiáng)、不易損壞、夕卜壁不易吸硅等特點(diǎn)。更換新型C/C復(fù)合材料的排氣管后不會(huì)再出現(xiàn)由于清爐工具將排氣管損壞的問(wèn)題,有效避免將損壞的排氣管抽到管道內(nèi)造成成晶困難、爐內(nèi)反氣等現(xiàn)象,減少內(nèi)壁揮發(fā)物附著,使用壽命也大大增加,僅需一次性投入,節(jié)約成本。
【附圖說(shuō)明】

[0013]圖1為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0014]各圖號(hào)名稱為:I一管體,1-1 一豎直管,1-2—水平管,2—上蓋,3—進(jìn)氣口,4一氮化娃。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖及一個(gè)實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0016]本實(shí)用新型包括管體I,所述管體I采用碳/碳(C/C)復(fù)合材料制備。
[0017]原因是,C/C復(fù)合材料是新材料領(lǐng)域中重點(diǎn)研究和開(kāi)發(fā)的一種新型超高溫材料,它具有以下顯著特點(diǎn):(I)密度小(〈2.0 g/cm ),僅為鎳基高溫合金的1/4,陶瓷材料的1/2,這一點(diǎn)對(duì)許多結(jié)構(gòu)或裝備要求輕型化至關(guān)重要;(2)高溫力學(xué)性能極佳,溫度升高至2200°C,其強(qiáng)度不僅不降低,甚至比在室溫時(shí)還高,這是其他結(jié)構(gòu)材料所無(wú)法比擬的;(3)抗燒蝕性能良好,燒蝕均勻,可以用于3000°C以上高溫短時(shí)間燒蝕的環(huán)境中,如火箭發(fā)動(dòng)機(jī)噴管、喉襯等;(4)摩擦、磨損性能優(yōu)異,其摩擦系數(shù)小,性能穩(wěn)定,是各種耐磨和摩擦部件的最佳候選材料;(5)具有其他復(fù)合材料的特征,如高強(qiáng)度、高模量、高疲勞度和蠕變性能等。
[0018]使用C/C復(fù)合材料的排氣管有以下優(yōu)點(diǎn):(I)降低了由于排氣管壞堵管道影響成晶現(xiàn)象;(2)提高排氣管的使用壽命;(3)減少排氣管內(nèi)壁揮發(fā)物的附著現(xiàn)象。
[0019]進(jìn)一步的,在所述管體I的內(nèi)表面上噴涂有氮化硅4。
[0020]氮化硅的強(qiáng)度很高,尤其是熱壓氮化硅,是世界上最堅(jiān)硬的物質(zhì)之一,它極耐高溫,強(qiáng)度一直可以維持到1200°C的高溫而不下降,受熱后不會(huì)熔成融體,一直到1900°C才會(huì)分解,并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能,能耐幾乎所有的無(wú)機(jī)酸和30%以下的燒堿溶液,也能耐很多有機(jī)酸的腐蝕;同時(shí)又是一種高性能電絕緣材料。
[0021]進(jìn)一步的,本排氣管還包括上蓋2,所述管體I呈L形,L形的管體I的豎直管1-1位于爐體內(nèi),水平管1-2穿過(guò)爐體的側(cè)壁,所述上蓋2位于豎直管1-1的上端,所述上蓋2下方的豎直管1-1的側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口 3。
[0022]采用整體為L(zhǎng)形的異型管做排氣管,排氣管的豎直管(集氣端)1_1開(kāi)口在爐體內(nèi)豎直向上設(shè)置,可以減少排氣管堵塞的幾率,阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道,有效保護(hù)不銹鋼爐底。在對(duì)豎直管1-1的內(nèi)部進(jìn)行清理時(shí),可以直接將上蓋2拿下進(jìn)行清理,清理方便、簡(jiǎn)單、快捷。
[0023]進(jìn)一步的,所述豎直管1-1和水平管1-2均為圓形管;所述上蓋2為圓形;所述進(jìn)氣口 3的數(shù)量為3,沿豎直管1-1的周向均勻分布。
[0024]本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述,以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾,這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種單晶爐排氣管,其特征在于:包括管體(I),所述管體(I)采用碳/碳復(fù)合材料制備。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐排氣管,其特征在于:在所述管體(I)的內(nèi)表面上噴涂有氮化硅(4)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐排氣管,其特征在于:還包括上蓋(2),所述管體(I)呈L形,L形的管體(I)的豎直管(1-1)位于爐體內(nèi),水平管(1-2)穿過(guò)爐體的側(cè)壁,所述上蓋(2)位于豎直管(1-1)的上端,所述上蓋(2)下方的豎直管(1-1)的側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口(3)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單晶爐排氣管,其特征在于:所述豎直管(1-1)和水平管(1-2)均為圓形管。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種單晶爐排氣管,其特征在于:所述進(jìn)氣口(3)的數(shù)量為3,沿豎直管(1-1)的周向均勻分布。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種單晶爐排氣管,其特征在于:所述上蓋(2)為圓形。
【文檔編號(hào)】C30B35/00GK205711048SQ201620462627
【公開(kāi)日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年5月20日
【發(fā)明人】王會(huì)敏, 何京輝, 曹祥瑞, 顏超, 周子江, 趙貝, 陳二星
【申請(qǐng)人】邢臺(tái)晶龍電子材料有限公司
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