一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于單晶硅生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)。
【背景技術(shù)】
[0002]區(qū)熔法生長單晶硅是目前生產(chǎn)單晶硅最先進的應(yīng)用技術(shù)，利用反射環(huán)合理的控制單晶軸向和徑向電阻率的均勻性是單晶硅生長過程中的一個重要環(huán)節(jié)，常規(guī)反射環(huán)的不足之處是，區(qū)熔氣摻雜雜質(zhì)在爐內(nèi)與主氬氣混合后，由于溫度差導(dǎo)致的密度差而在爐內(nèi)流動，形成氣體對流，在單晶生長過程中，晶轉(zhuǎn)作用使得單晶邊緣雜質(zhì)濃度較小，且受氣流的影響而波動較大，影響摻雜雜質(zhì)在軸向與徑向的分布，因此，軸向與徑向電阻率均勻性波動大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本實用新型旨在提出一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，以解決區(qū)熔硅單晶軸向和徑向電阻率均勻性波動大的問題。
[0004]為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]—種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，包括保溫筒、冷卻水管道和摻雜管道，所述保溫筒為一圓柱形筒體，所述筒體的外壁上套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道，所述冷卻水管道位于所述筒體上部，所述冷卻水管道上設(shè)置有進水口和出水口，所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道下端處，套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道，所述摻雜管道上設(shè)有若干個管道進氣口，所述筒體的筒壁上設(shè)有若干個與所述摻雜管道相連通的筒體進氣口。
[0006]進一步的，所述冷卻水管道和摻雜管道均以焊接的方式固定在所述筒體的外壁上。
[0007]進一步的，所述冷卻水管道可為圓管或方管，所述摻雜管道可為圓管或方管。
[0008]進一步的，所述冷卻水管道和摻雜管道的材質(zhì)為銅。
[0009]進一步的，所述保溫筒的材質(zhì)為銅或銀。
[0010]進一步的，所述管道進氣口的個數(shù)為2個。
[0011]進一步的，所述筒體進氣口的個數(shù)為2-6個。
[0012]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)具有以下優(yōu)勢:通過采用以上技術(shù)方案，可以減小爐內(nèi)氬氣對流對摻雜濃度的影響，提高熔體表面雜質(zhì)濃度的一致性，提高了軸向電阻率均勻性；可以減小自由熔體表面中心與邊緣的摻雜濃度差，提高了徑向電阻率均勻性；而且局部摻雜濃度升高，提高摻雜效率，降低成本。
【附圖說明】
[0013]構(gòu)成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0014]圖1為本實用新型的主視圖；
[0015]圖2為本實用新型的俯視圖。
[0016]附圖標(biāo)記說明:
[0017]1-保溫筒，11-筒體進氣口，2-冷卻水管道，21-進水口，22-出水口，3-摻雜管道，31-管道進氣口。
【具體實施方式】
[0018]需要說明的是，在不沖突的情況下，本實用新型中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0019]下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本實用新型。
[0020]如圖1和2所示，一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，包括保溫筒1、冷卻水管道2和摻雜管道3 ；
[0021]所述保溫筒1為一圓柱形筒體，所述筒體的外壁上以焊接的形式套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道2，所述冷卻水管道2可為圓管或方管，所述冷卻水管道2位于所述筒體上部，所述冷卻水管道2上設(shè)置有進水口 21和出水口 22，所述冷卻水管道2的材質(zhì)為銅，冷卻水管道2的設(shè)置可減小因溫度差引起的氣體對流對摻雜濃度的影響，減小熔體表面中心與邊緣的摻雜濃度差；
[0022]所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道2下端處，以焊接的形式套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道3，所述摻雜管道3可為圓管或方管，所述摻雜管道3的材質(zhì)為銅，所述摻雜管道3上設(shè)有2個管道進氣口 31，所述筒體的筒壁上設(shè)有2-6個與所述摻雜管道3相連通的筒體進氣口11，摻雜管道3的設(shè)置可使局部摻雜濃度升高，提高摻雜效率。
[0023]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:包括保溫筒(1)、冷卻水管道(2)和摻雜管道(3)，所述保溫筒(1)為一圓柱形筒體，所述筒體的外壁上套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道(2)，所述冷卻水管道(2)位于所述筒體上部，所述冷卻水管道(2)上設(shè)置有進水口(21)和出水口(22)，所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道(2)下端處，套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道(3)，所述摻雜管道(3)上設(shè)有若干個管道進氣口(31)，所述筒體的筒壁上設(shè)有若干個與所述摻雜管道(3)相連通的筒體進氣口(11)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述冷卻水管道(2)和摻雜管道(3)均以焊接的方式固定在所述筒體的外壁上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述冷卻水管道(2)可為圓管或方管，所述摻雜管道(3)可為圓管或方管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述冷卻水管道(2)和摻雜管道(3)的材質(zhì)為銅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述保溫筒(1)的材質(zhì)為銅或銀。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述管道進氣口(31)的個數(shù)為2個。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，其特征在于:所述筒體進氣口(11)的個數(shù)為2-6個。
【專利摘要】本實用新型提供了一種提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)，包括保溫筒、冷卻水管道和摻雜管道，所述保溫筒筒體外壁上套設(shè)有環(huán)形的冷卻水管道，所述冷卻水管道上設(shè)置有進水口和出水口，所述筒體外壁上緊挨冷卻水管道下端處，套設(shè)有環(huán)形的摻雜管道，所述摻雜管道上設(shè)有若干個管道進氣口，所述筒體的筒壁上設(shè)有若干個與所述摻雜管道相連通的筒體進氣口。本實用新型所述的提高區(qū)熔硅單晶軸向與徑向電阻率均勻性的反射環(huán)可以減小爐內(nèi)氬氣對流對摻雜濃度的影響，提高了軸向電阻率均勻性；可以減小自由熔體表面中心與邊緣的摻雜濃度差，提高了徑向電阻率均勻性；而且局部摻雜濃度升高，提高摻雜效率，降低成本。
【IPC分類】C30B13/16, C30B29/06
【公開號】CN205035488
【申請?zhí)枴緾N201520811845
【發(fā)明人】劉錚, 王遵義, 婁中士, 韓暐, 涂頌昊, 孫昊, 王彥君, 張雪囡, 由佰玲
【申請人】天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年10月19日