多層電路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種多層電路板的制作方法，其包括下列步驟。首先，壓合兩核心層以形成基材。基材具有相對兩表面。接著形成第一通孔，其連通兩表面。再以通孔為對位標靶分別形成圖案化線路層于兩表面上。圖案化線路層包括環(huán)繞通孔的同心圓圖案。接著，分別形成第一堆疊層于兩表面上。接著形成第一貫孔，其貫穿同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至第一堆疊層以及基材的區(qū)域。接著，分別形成第二堆疊層于第一堆疊層上。之后，形成第二貫孔，其貫穿同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至第一至第二堆疊層及基材的區(qū)域。
【專利說明】多層電路板的制作方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電路板的制作方法，且特別是涉及一種多層電路板的制作方法。

【背景技術】
[0002]由于電子產(chǎn)品的集成度(integrat1n)越來越高,應用于高集成度的電子產(chǎn)品的電路板，其線路層也由單層、2層而變?yōu)?層、8層，甚至到10層以上，以使電子元件能夠更密集的裝設于印刷電路板上。一般而言，最常見的電路板制作工藝為疊層法(laminat1nprocess)，當利用疊層法來制作電路板時，各個線路層及絕緣層之間的對位精度必須獲得良好的控制。因此，在電路板制作工藝中，通常是在前一疊層通過光刻制作工藝形成多個對位標靶，并再增層之后，通過X光找到前一疊層的對位標靶并進行銑靶制作工藝以形成后續(xù)制作工藝的另一對位標靶。
[0003]然而，由于前一疊層的對位標靶是通過光刻制作工藝所形成，其本身已存在有制作工藝誤差，而使用X光進行銑靶時，也會產(chǎn)生銑靶制作工藝上的誤差。如此，各層的對位標靶所產(chǎn)生的對位誤差將不斷地累積。若電路板的線路層數(shù)目增加，則這些對位標靶所累積的誤差也會增加，造成層間對準度偏移過大且導通孔與底層接墊的設計無法微型化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種多層電路板的制作方法，其可提升多層電路板的層間對位精準度，提升線路層的布線密度與能力，且導通孔與底層接墊的設計因?qū)ξ痪珳识鹊奶岣叨勺呦蛭⑿突?，還可制作單邊對準度小于50 μ m的圖案設計。
[0005]為達上述目的，本發(fā)明的一種多層電路板的制作方法包括下列步驟:首先，壓合兩核心層以形成基材?；木哂邢鄬杀砻?。接著，形成第一通孔，其連通兩表面。接著，以第一通孔為對位標靶各形成第一圖案化線路層于兩表面上。各第一圖案化線路層包括環(huán)繞第一通孔的第一同心圓圖案。接著，各形成第一堆疊層于兩表面上，其包括第一介電層以及覆蓋第一介電層的第一線路層。接著，形成第一貫孔，其貫穿第一同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至第一堆疊層以及基材的區(qū)域。接著，各形成第二堆疊層于第一堆疊層上。各第二堆疊層包括第二介電層以及覆蓋第二介電層的第二線路層。之后，形成第二貫孔，其貫穿第一同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至第二堆疊層、第一堆疊層及基材的區(qū)域。
[0006]基于上述，本發(fā)明的多層電路板制作方法是先以兩個核心層壓合成基材，在于基材的表面形成同心圓圖案，而之后的各層堆疊層皆是以此最內(nèi)層基材上的同心圓圖案做對位標靶來形成對應的對位貫孔，再以各層的對位貫孔分別進行對應的堆疊層的后續(xù)制作工藝。并且，在基板上重復增層至其具有一定的結構強度后，即可使基材的兩核心層彼此分離，以形成兩個獨立的多層電路板，之后再分別對兩獨立的多層電路板進行后續(xù)的增層制作工藝。因此，本發(fā)明的制作方法可一次形成兩個獨立的多層電路板，且可減少現(xiàn)有中多層電路板的各層間對位誤差的累積，還可減少現(xiàn)有的多層電路板有層偏的問題產(chǎn)生。因此，本發(fā)明確實能提升線路層的布線密度與能力，且導通孔與底層接墊的設計因?qū)ξ痪珳识鹊奶岣叨勺呦蛭⑿突?，更可制作單邊對準度小?0 μ m的圖案設計。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A至圖1N是依照本發(fā)明的一實施例的一種多層電路板的制作方法的流程示意圖；
[0009]圖2是圖1D的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖及其區(qū)域A的局部放大圖；
[0010]圖3是圖1G的第一同心圓圖案的俯視示意圖；
[0011]圖4是圖1I的第一同心圓圖案的俯視示意圖；
[0012]圖5是圖1D的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖及其區(qū)域B的局部放大圖；
[0013]圖6是依照本發(fā)明的一實施例的多層電路板的剖面示意圖及其局部放大示意圖。
[0014]符號說明
[0015]100a、10b:多層電路板
[0016]110:基材
[0017]110a、I 1b:核心層
[0018]111:周邊區(qū)
[0019]112、114:表面
[0020]113:核心區(qū)
[0021]113a:核心區(qū)基板
[0022]116:第一通孔
[0023]118:第二通孔
[0024]119:結合材
[0025]120:第一圖案化線路層
[0026]122:第一同心圓圖案
[0027]122a、124a:第一個同心圓
[0028]122b、124b:第二個同心圓
[0029]124:第二同心圓圖案
[0030]130:第一堆疊層
[0031]132:第一介電層
[0032]134:第一線路層
[0033]134a:第一開口
[0034]140:第一貫孔
[0035]150:第二堆疊層
[0036]152:第二介電層
[0037]154:第二線路層
[0038]154a:第二開口
[0039]160:第二貫孔
[0040]170:第六堆疊層
[0041]172:第六介電層
[0042]174:第六線路層
[0043]174a、194a:開口
[0044]180:第六貫孔
[0045]182:盲孔
[0046]190:第七堆疊層
[0047]192:第七介電層
[0048]194:第七線路層
[0049]195:第七貫孔
[0050]Dl:通孔外徑
[0051]D2:同心圓圖案外徑
[0052]Gl:間距

【具體實施方式】
[0053]圖1A至圖1N是依照本發(fā)明的一實施例的一種多層電路板的制作方法的流程示意圖。圖2是圖1D的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖及其區(qū)域A的局部放大圖。在此需說明的是，圖1A至圖1J所繪示的制作流程為圖2中區(qū)域A的制作流程的剖面圖。本實施例的多層電路板的制作方法包括下列步驟:首先，請同時參照圖1A及圖1B，將兩核心層IlOaUlOb壓合而形成基材110?；?10如圖1B所示包括相對兩表面112、114。在本實施例中，核心層IlOaUlOb的厚度各約小于50微米(μπι)。接著，再如圖1C所示，形成第一通孔116，且第一通孔116貫穿基材110。
[0054]在本實施例中，壓合兩核心層IlOaUlOb的方法例如為將一結合材119壓合于兩核心層IlOaUlOb之間，以結合兩核心層IlOaUlOb而形成基材110。結合材119的材料例如為樹脂，而第一通孔116分別貫穿基材110以及結合材119。在此需說明的是，本實施例的第一通孔116是形成于核心層IlOaUlOb通過結合材119結合的結合處，以防止第一通孔116破壞兩核心層IlOaUlOb間的氣密狀態(tài),或是導致濕式制作工藝(wet process)的藥液經(jīng)由第一通孔116滲流至兩核心層IlOaUlOb之間。在本實施例中，第一通孔116的外徑實質(zhì)上介于0.5毫米至0.8毫米之間。
[0055]請同時參照圖1D以及圖2，接著，以第一通孔116為對位標靶分別圖案化兩表面112、114上的金屬層，以分別形成第一圖案化線路層120于表面112、114上。在本實施例中，如圖2所示，第一通孔116的外徑Dl實質(zhì)上介于0.5毫米(mm)至0.8毫米之間。第一圖案化線路層120如圖2所示具有環(huán)繞第一通孔116的第一同心圓圖案122。第一同心圓圖案122包括多個同心圓，而同心圓彼此間的間距Gl實質(zhì)上介于50微米(μ m)至100微米之間，當然，本發(fā)明并不以此為限，本領域具通常知識者當可依實際產(chǎn)品的設計及布局需求自行做調(diào)整。
[0056]接著，如圖1E所示，分別形成第一堆疊層130于兩表面112、114上，其中，第一堆疊層130包括第一介電層132以及第一線路層134，且第一線路層134覆蓋第一介電層132。之后，請同時參照圖1F及圖1G，利用例如二氧化碳激光(CO2 laser)鉆孔的方式形成第一貫孔140。第一貫孔140如圖1G所不貫穿第一同心圓圖案122由中心向外第一個同心圓122a的內(nèi)徑正投影至第一堆疊層130以及基材110的區(qū)域。圖3即繪示了被第一貫孔140貫穿后的第一同心圓圖案122的俯視圖。
[0057]在本實施例中，第一圖案化線路層120及第一線路層134的材料為銅，由于銅只對紫外光區(qū)(< 0.3ym)以下的短波長區(qū)吸收率較高，而二氧化碳激光的光波長較長(約為10微米以上)，屬于紅外光區(qū)，因此較不會被銅所吸收而將銅燒蝕成孔。因此，銅材質(zhì)的同心圓圖案122可視為二氧化碳激光的一個銅掩模，用以限制二氧化碳激光對第一堆疊層130以及基材110切割的范圍。也就是說，利用二氧化碳激光由中心向外鉆孔，則會以第一個同心圓122a的內(nèi)徑為邊界來鉆孔形成的第一貫孔140。需注意的是，若是使用二氧化碳激光來形成第一貫孔140,需先形成如圖1F所不的第一開口 134a于第一線路層134上,使第一開口 134a暴露出第一同心圓圖案122正投影至第一介電層132的區(qū)域，再進行后續(xù)的鉆孔程序。
[0058]當然，本發(fā)明并不局限于此。在本發(fā)明的其他實施例中，也可利用直接激光鉆孔(Direct Laser Drill, DLD)的方式形成第一貫孔140。若是使用直接激光鉆孔的方式形成第一貫孔140，則無須形成如圖1F所示的第一開口 134a，而可直接進行激光鉆孔制作工藝以形成第一貫孔140。在本實施例中，第一貫孔140的形成可例如分別由位于基材110兩側的第一堆疊層130的外表面同時往基材110的方向鉆孔。
[0059]之后，即可以第一貫孔140為對位標靶對第一堆疊層130進行后續(xù)制作工藝，例如以第一貫孔140做為光刻制作工藝的對位標靶，對第一線路層134進行圖案化，以形成多層電路板的第二圖案化線路層，或是以第一貫孔140為對位標靶形成第一導通孔于第一堆疊層130上。
[0060]之后，再如圖1H所示，分別形成第二堆疊層150于對應的第一堆疊層130上。各第二堆疊層150包括第二介電層152以及第二線路層154，且第二線路層154覆蓋第二介電層152。之后，再如圖1I所示形成第二貫孔160，且第二貫孔160貫穿第一同心圓圖案120由中心向外第二個同心圓122b的內(nèi)徑正投影至第二堆疊層150、第一堆疊層130及基材110的區(qū)域。圖4即繪示了被第二貫孔160貫穿后的第一同心圓圖案122的俯視圖。
[0061]如同第一貫孔的形成方法所述，第二貫孔160也可利用二氧化碳激光鉆孔的方式而形成。也就是說，利用二氧化碳激光由中心向外鉆孔，燒蝕掉如圖3所示的第一個同心圓122a以及第二個同心圓122b間的基材110后，第一個同心圓122a即可自同心圓圖案120剝離，而形成如圖4所示的第二貫孔160。同樣的，若使用二氧化碳激光來形成第二貫孔160，需先形成如圖1H所示的第二開口 154a，使第二開口 154a暴露出第一同心圓圖案122正投影至第二介電層152的區(qū)域，再進行后續(xù)的激光鉆孔程序。
[0062]當然，在本發(fā)明的其他實施例中，也可利用直接激光鉆孔(Direct LaserDrill1DLD)的方式形成第二貫孔160，如此則無須形成如圖1H所示的第二開口 154a，而可立即進行直接激光鉆孔以形成第二貫孔160。在本實施例中，形成第二貫孔160的方法可分別由位于基材I1兩側的第二堆疊層150的外表面同時往基材110的方向鉆孔。
[0063]之后，即可以第二貫孔160為對位標靶對第二堆疊層150進行后續(xù)制作工藝，例如以第二貫孔160做為光刻制作工藝的對位標靶，對第二線路層154進行圖案化，以形成多層電路板的第三圖案化線路層，或是以第二貫孔160為對位標靶形成第二導通孔于第二堆疊層150上，其中，第二導通孔連接第一堆疊層130上的第一導通孔。
[0064]當然，本發(fā)明并不限制堆疊層、線路層的層數(shù)以及同心圓圖案的同心圓個數(shù)。本領域具通常知識者可自行依前述的制作方法于第二堆疊層上繼續(xù)堆疊其他堆疊層，并以同心圓圖案122為對位標靶形成各層的對位貫孔，再以各層的對位貫孔分別進行后續(xù)的對位制作工藝，以形成各層的圖案化線路層及/或?qū)住?br> [0065]在多層電路板的增層次數(shù)大于一個預定值(例如等于或大于5次)，使其具有一定的結構強度后，即可進行拆板的動作，也就是在基板110上重復增層至具有一定的結構強度后，使基材110的兩核心層IlOaUlOb如圖1J所示地彼此分離，以形成兩個獨立的多層電路板100a、100b，再分別對多層電路板10aUOOb進行后續(xù)的增層制作工藝。在本實施例中，基于生產(chǎn)設備的影像感應器(Charge-Coupled Device, CCD)的影像擷取視窗可讀取的最大尺寸限制，第一同心圓圖案122的最大外徑D2實質(zhì)上應小于或等于3.175毫米(mm)。在此之后所形成的堆疊層可例如利用另一同心圓圖案做對位標靶來進行對位制作工藝。
[0066]如此，第一圖案化線路層120則需如圖2及圖5所示包括兩個同心圓圖案122、124，而基材210除了具有前述的第一通孔116外，還可具有貫穿基材110的第二通孔118。接著，再以第一通孔116與第二通孔118為對位標靶分別形成如圖2及圖5所示的第一圖案化線路層120于表面112、114上。各第一圖案化線路層120除了包括如圖2所示的環(huán)繞第一通孔116的第一同心圓圖案122外，還包括如圖5所示的環(huán)繞第二通孔118的第二同心圓圖案124。在本實施例中，基板110可如圖2及圖5所示包括一周邊區(qū)111以及一核心區(qū)113，其中，周邊區(qū)111環(huán)繞并連接核心區(qū)113，第一通孔116與第二通孔118則分別設置于周邊區(qū)111以及核心區(qū)113內(nèi)。如此，在以第一同心圓圖案122做對位標靶進行增層制作工藝至具有一定的結構強度后，即可進行拆板的動作，并將基板110的周邊區(qū)111移除，以形成如圖5所示的核心區(qū)基板113a，再以第二同心圓圖案124做對位標靶對核心區(qū)基板113a進行后續(xù)的增層制作工藝。
[0067]由于第一同心圓圖案122及第二同心圓圖案124是通過同一圖案化制作工藝所形成的，因此可避免多道圖案化制作工藝的對位誤差累積。如此，從拆板后分別于多層電路板10aUOOb上形成的堆疊層皆可以第二同心圓圖案124做對位標靶來進行后續(xù)的對位制作工藝，其制作流程可參照圖1K至圖1N。在此需注意的是，圖1K至圖1N所繪示的制作流程為拆板后的多層電路板10a為例，且為圖5中區(qū)域B的制作流程的剖面圖。
[0068]請參照圖1K，在多層電路板的增層次數(shù)大于預定值(例如大于M次，M為大于2的正整數(shù))，使其具有一定的結構強度后，可如圖1K所示接續(xù)形成第M堆疊層于第二堆疊層150的上方。在本實施例中，M例如為6，也就是說，多層電路板在拆板前已利用第一同心圓圖案122做對位標靶依序形成了第一至第五堆疊層，而第六堆疊層170 (也就是第M堆疊層)對應包括第六介電層172以及覆蓋第六介電層172的第六線路層174。接著，如圖5及圖1L所示，形成第六貫孔180，其貫穿第二同心圓圖案124由中心向外第一個同心圓124a的內(nèi)徑正投影至多層電路板10a的第一至第六堆疊層以及基材110的區(qū)域。
[0069]需說明的是，在以第一同心圓圖案122做對位標靶形成各層介電層(例如第一至第五堆疊層)的貫孔的同時，可分別于第二同心圓圖案124的第二通孔118正投影至對應介電層的位置上形成盲孔182，也就是在各層介電層(例如第一至第五堆疊層)對應于第二通孔118的位置上分別形成盲孔182，其中，盲孔182的外徑小于第一個同心圓124a的內(nèi)徑。如此，由于各堆疊層已預先形成盲孔，降低介電層的總厚度，因此，在后續(xù)的制作工藝中，激光即可無需一次燒穿總厚度較厚的介電層而形成第六貫孔180。
[0070]之后，即可以第六貫孔180為對位標靶對第六堆疊層170進行后續(xù)制作工藝，例如以第六貫孔180做為光刻制作工藝的對位標靶，對第六線路層174進行圖案化，以形成多層電路板的圖案化線路層，或是以第六貫孔180為對位標靶形成第六導通孔于第六堆疊層170 上。
[0071]請接續(xù)參照圖1M，形成第七堆疊層190 (也就是第M+1堆疊層)于第六堆疊層170上。第七堆疊層190包括第七介電層192以及覆蓋第七介電層192的第七線路層194。之后，再如圖5及圖1N所不，形成第七貫孔195,其貫穿第二同心圓圖案124由中心向外第二個同心圓124b的內(nèi)徑正投影至第一至第七堆疊層及基材110的區(qū)域。
[0072]之后，即可以第七貫孔195為對位標靶對第七堆疊層190進行后續(xù)制作工藝，例如以第七貫孔195做為光刻制作工藝的對位標靶，對第七線路層194進行圖案化，以形成多層電路板的圖案化線路層，或是以第七貫孔195為對位標靶形成第七導通孔于第七堆疊層190上，其中，第七導通孔連接第六堆疊層170上的第六導通孔，且各層的導通孔皆彼此連接，以導通多層電路板的各層堆疊層。
[0073]如前所述，第六貫孔180及第七貫孔195也可利用二氧化碳激光鉆孔或是直接激光鉆孔的方式而形成。同樣的，若使用二氧化碳激光來形成第六貫孔180及第七貫孔195，需先形成如圖6A及圖6C所示的開口 174a、194a，以分別暴露出第二同心圓圖案124正投影至第六介電層172及第二介電層192的區(qū)域，再進行鉆孔程序。若是利用直接激光鉆孔的方式，則無須形成開口 174a、194a，而可立即進行直接激光鉆孔。
[0074]圖6是依照本發(fā)明的一實施例的多層電路板的剖面示意圖及其局部放大示意圖。請參照圖6，在此須說明的是，本實施例的多層電路板的結合材119設置于兩核心層110a、110b的周緣區(qū)域，以接合兩核心層110a、110b,并于兩核心層110a、110b的周緣形成一密合區(qū)，使兩核心層110a、110b暫時地接合在一起，以避免后續(xù)制作工藝中所使用的藥劑滲入于兩核心層110a、110b之間。而第一同心圓圖案122以及第二同心圓圖案(如圖2所示的第二同心圓圖案124)則可對應結合材119設置，使第一通孔116可如圖6所示地形成于密合區(qū)內(nèi)或是形成于密合區(qū)至多層電路板的外緣之間的區(qū)域，以防止第一通孔116破壞兩核心層110a、110b間的氣密狀態(tài)，甚而導致制作工藝藥液經(jīng)由第一通孔116滲流至兩核心層110a、110b 之間。
[0075]綜上所述，本發(fā)明的多層電路板制作方法是先以兩個核心層壓合成基材，在于基材的表面形成同心圓圖案，而之后的各層堆疊層皆是以此最內(nèi)層基材上的同心圓圖案做對位標靶來形成對應的對位貫孔，再以各層的對位貫孔分別進行對應的堆疊層的后續(xù)制作工藝，例如以對位貫孔為對位基準形成各層的圖案化線路層及導通孔等。并且，在基板上重復增層至其具有一定的結構強度后，即可使基材的兩核心層彼此分離，以形成兩個獨立的多層電路板，之后再分別對兩獨立的多層電路板進行后續(xù)的增層制作工藝。因此，本發(fā)明的制作方法可一次形成兩個獨立的多層電路板，且可減少現(xiàn)有中多層電路板的各層間對位誤差的累積，還可減少現(xiàn)有的多層電路板有層偏的問題產(chǎn)生。此外，由于各層的導通孔皆是以同一光刻制作工藝所形成的同心圓圖案來當作對位標靶而形成，可減少導通孔因各層間的對位誤差累積而造成導通孔偏移甚至彼此無法銜接的情形。因此，本發(fā)明確實能提升線路層的布線密度與能力，且導通孔與底層接墊的設計因?qū)ξ痪珳识鹊奶岣叨勺呦蛭⑿突?，還可制作單邊對準度小于50 μ m的圖案設計。
[0076]雖然已結合以上實施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術領域】中熟悉此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應以附上的權利要求所界定的為準。
【權利要求】
1.一種多層電路板的制作方法，其特征在于包括: 壓合兩核心層，以形成基材，該基材具有相對兩表面； 形成第一通孔，該第一通孔連通該兩表面； 以該第一通孔為對位標靶各形成第一圖案化線路層于該兩表面上，各該第一圖案化線路層包括環(huán)繞該第一通孔的第一同心圓圖案； 各形成第一堆疊層于該兩表面上，其包括第一介電層以及覆蓋該第一介電層的第一線路層； 形成第一貫孔，該第一貫孔貫穿該第一同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至該些第一堆疊層以及該基材的區(qū)域； 各形成第二堆疊層于該些第一堆疊層上，各該第二堆疊層包括第二介電層以及覆蓋該第二介電層的第二線路層；以及 形成第二貫孔，該第二貫孔貫穿該第一同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至該些第二堆疊層、該些第一堆疊層及該基材的區(qū)域。
2.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中壓合該兩核心層的步驟還包括: 將一結合材壓合于該兩核心層之間。
3.如權利要求2所述的多層電路板的制作方法，其中該第一通孔分別貫穿該基材以及該結合材。
4.如權利要求2所述的多層電路板的制作方法，其中該結合材的材料包括樹脂。
5.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第一貫孔后，以該第一貫孔為對位標靶分別圖案化該些第一線路層；以及 形成該第二貫孔后，以該第二貫孔為對位標靶分別圖案化該些第二線路層。
6.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第一貫孔后，以該第一貫孔為對位標靶各形成第一導通孔于對應的第一堆疊層上；以及 形成該第二貫孔后，以該第二貫孔為對位標靶各形成第二導通孔于對應的第二堆疊層上，且各該第二導通孔連接對應的第一導通孔。
7.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔以及該第二貫孔的方法包括二氧化碳激光鉆孔。
8.如權利要求7所述的多層電路板的制作方法，還包括: 在形成該第一貫孔之前，各形成第一開口于對應的第一線路層上，該第一開口暴露出該第一同心圓圖案正投影至該第一介電層的區(qū)域；以及 在形成該第二貫孔之前，各形成第二開口于對應的第二線路層上，該第一開口暴露出該第一同心圓圖案正投影至該第二介電層的區(qū)域。
9.如權利要求7所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔的方法包括由該些第一堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔，且形成該第二貫孔的方法包括由該些第二堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔。
10.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔以及該第二貫孔的方法包括直接激光鉆孔。
11.如權利要求10所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔的方法包括由該些第一堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔，形成該第二貫孔的方法包括由該些第二堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔。
12.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括: 在形成該第二貫孔之后，令該基材的該兩核心層彼此分離，以形成兩個獨立的多層電路板。
13.如權利要求12所述的多層電路板的制作方法，其中該基材還包括貫穿該基材的第二通孔，該第一圖案化線路層還包括環(huán)繞該第二通孔的第二同心圓圖案，所述的多層電路板的制作方法還包括: 形成第Μ堆疊層于各該多層電路板的其中之一，并位于該多層電路板的該第二堆疊層上方，該第Μ堆疊層包括第Μ介電層以及覆蓋該第Μ介電層的第Μ線路層，其中Μ為大于2的正整數(shù)； 形成第Μ貫孔，該第Μ貫孔貫穿該第二同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至該多層電路板的該第一至該第Μ堆疊層以及該核心層的區(qū)域； 形成第Μ+1堆疊層于該第Μ堆疊層上，該第Μ+1堆疊層包括第Μ+1介電層以及覆蓋該第Μ+1介電層的第Μ+1線路層；以及 形成第Μ+1貫孔，該第Μ+1貫孔貫穿該第二同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至至該多層電路板的該第一至該第Μ+1堆疊層及該核心層的區(qū)域。
14.如權利要求13所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第Μ貫孔后，以該第Μ貫孔為對位標靶圖案化該第Μ線路層；以及 形成該第Μ+1貫孔后，以該第Μ+1貫孔為對位標靶圖案化該第Μ+1線路層。
15.如權利要求13所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第Μ貫孔后，以該第Μ貫孔為對位標靶各形成第Μ導通孔于該第Μ堆疊層上；以及 形成該第Μ+1貫孔后，以該第Μ+1貫孔為對位標靶形成第Μ+1導通孔于該第Μ+1堆疊層上，該第Μ+1導通孔連接該第Μ導通孔。
16.如權利要求13所述的多層電路板的制作方法，其中Μ實質(zhì)上等于或大于5。
【文檔編號】H05K3/46GK104427794SQ201310409639
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權日:2013年9月10日
【發(fā)明者】黃培彰, 余丞博, 黃瀚霈, 林愛華 申請人:欣興電子股份有限公司