多層陶瓷電容器及用于安裝該多層陶瓷電容器的板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括：陶瓷本體；活性層，該活性層包括形成為交替地暴露于陶瓷本體的兩個端面的多個電極；上覆蓋層；下覆蓋層，該下覆蓋層具有大于上覆蓋層的厚度；和外部電極，其中，當(dāng)從活性層的最下部的內(nèi)部電極的端部到覆疊陶瓷本體的下表面的一部分的外部電極的端部的距離是E，從外部電極的端部到活性層的最下部的內(nèi)部電極的最短距離是T并且陶瓷本體在長度方向上的邊緣是F時，滿足1.2≤E/T和30μm≤F。
【專利說明】多層陶瓷電容器及用于安裝該多層陶瓷電容器的板
[0001]相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年12月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請N0.10-2012-0149348的優(yōu)先權(quán)，其公開的內(nèi)容通過引用并入本申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及多層陶瓷電容器及用于安裝該多層陶瓷電容器的板。
【背景技術(shù)】
[0004]多層陶瓷電容器(層壓的芯片電子元件)是安裝在多種電子產(chǎn)品的印刷電路板(PCB)上的芯片式電容器(chip-type condenser),用于充電和放電。所述電子產(chǎn)品例如為像液晶顯示器(IXDs)、等離子顯示板(PDPs)等的成像裝置(或視頻顯示設(shè)備)、計算機、個人數(shù)字助理(PDAs)、移動式電話等。
[0005]多層陶瓷電容器(MLCC)具有例如緊湊、可靠的高電容和容易安裝等優(yōu)點，可以用作多種電子器件的元件。
[0006]多層陶瓷電容器可以包括多層電介質(zhì)層和內(nèi)部電極，該多層陶瓷電容器具有這樣的結(jié)構(gòu):其中具有不同極性的內(nèi)部電極在電介質(zhì)層之間交替地層壓。
[0007]電介質(zhì)層具有壓電和電伸縮的特性。這樣，當(dāng)直流(DC)或交流(AC)電壓施加到多層陶瓷電容器時，在內(nèi)部電極之間發(fā)生壓電現(xiàn)象，以產(chǎn)生振動。
[0008]振動可以通過多層陶瓷電容器的外部電極傳遞到安裝多層陶瓷電容器的印刷電路板，引起印刷電路板整體變成聲學(xué)上的福射面(acoustically radiating surface),從而產(chǎn)生作為噪聲的振動聲音。
[0009]振動聲音可以相當(dāng)于從20Hz到2000Hz范圍內(nèi)且使得用戶不舒服的聲頻，這樣可能導(dǎo)致用戶感覺不舒適的振動聲音就是所謂的噪聲，因此需要研究減低噪聲的方法。
[0010]此外，在多層陶瓷電容器中，小于陶瓷板并具有預(yù)定厚度的內(nèi)部電極印刷在陶瓷板上并且分別在其上印刷有內(nèi)部電極的多片陶瓷板層壓，在邊緣部分和在其上形成有內(nèi)部電極的電介質(zhì)層之間不可避免地產(chǎn)生梯級(Steps)，這些梯級可能在內(nèi)部電極的最外部分最為嚴(yán)重。
[0011]在有梯級的情況下，如果施加熱沖擊或如果施加由在其上安裝有多層陶瓷電容器的印刷電路板(PCB)變形引起的應(yīng)力，電介質(zhì)層部分可能產(chǎn)生脫層或者可能產(chǎn)生裂紋。
[0012]此外，由于脫層或裂紋，濕氣或其它外來物質(zhì)可能滲透到內(nèi)部電極的暴露表面，這會降低絕緣阻抗和可靠性等。在具有大量層壓板的高電容產(chǎn)品中，這樣的問題可能會加劇。
[0013]下文的專利文獻I涉及一種多層陶瓷電容器，其中下覆蓋層比上覆蓋層厚，但是沒有公開關(guān)于內(nèi)部電極的最外端部和外部電極的端部之間的距離的數(shù)值限制。
[0014][相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[0015](專利文獻I)日本專利公開出版物N0.6-215978
【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]在相關(guān)的技術(shù)中，需要涉及一種多層陶瓷電容器(MLCC)的新穎的方案，通過補償在邊緣部分和其上形成有內(nèi)部電極的電介質(zhì)層之間的梯級，能夠阻止由于熱沖擊或機械沖擊(例如因為在其上安裝多層陶瓷電容器而引起翹曲的印刷電路板所產(chǎn)生的應(yīng)力)導(dǎo)致的脫層或裂紋，從而減小由于壓電現(xiàn)象的振動引起的噪聲。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種多層陶瓷電容器，包括:陶瓷本體，多層電介質(zhì)層層壓在該陶瓷本體中；活性層，該活性層包括形成為交替地暴露于陶瓷本體的兩個端面的多個內(nèi)部電極并形成電容，所述電介質(zhì)層插入在多個內(nèi)部電極之間；在活性層的上部形成的上覆蓋層；在活性層的下部形成的下覆蓋層，該下覆蓋層的厚度大于上覆蓋層的厚度；和外部電極，該外部電極覆蓋陶瓷本體的兩個端以及上表面和下表面的部分，其中當(dāng)從活性層的最下部的內(nèi)部電極的端部到覆蓋陶瓷本體的下表面的一部分的外部電極的端部的距離是E、從外部電極的端部到活性層的最下部的內(nèi)部電極的最短距離是T并且陶瓷本體在長度方向的邊緣(margin)是F時，滿足1.2≤E/T和30μπι≤F。
[0018]當(dāng)陶瓷本體的總厚度的一半是Α、下覆蓋層的厚度是B、活性層的總厚度的一半是C、上覆蓋層的厚度是D時，活性層的中心部偏離陶瓷本體的中心部的比率(B+C) /A可以滿足 1.063 ( (B+C) /A ( 1.745。
[0019]上覆蓋層的厚度D和下覆蓋層的厚度B之間的比率(D/B或D:B)可以滿足
0.021 ( D/B ( 0.422 的范圍。
[0020]下覆蓋層的厚度B與陶瓷本體的厚度的一半A的比率(B/Α)可以滿足0.329 ( B/A≤1.522的范圍。
[0021]活性層的厚度的一半C與下覆蓋層的厚度B的比率(C/B)可以滿足0.146 ^ C/B≤2.458的范圍。
[0022]由于當(dāng)施加電壓時，在活性層的中心部產(chǎn)生的應(yīng)變(strain)和在下覆蓋層產(chǎn)生的應(yīng)變之間的差異，在陶瓷本體的兩個端部形成的拐點(point of inflection,PI)可以在厚度方向上形成在陶瓷本體的中心部之下。
[0023]暴露于陶瓷本體的端面的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的部分可以向內(nèi)成錐形。
[0024]不從陶瓷本體向外暴露的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的另外的表面的轉(zhuǎn)角部分(corner portion)可以向內(nèi)成維形。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種安裝板，該安裝板上允許安裝多層陶瓷電容器(MLCC)，所述安裝板包括:印刷電路板，該印刷電路板具有一對電極墊(electrodepad)，該對電極墊形成在印刷電路板的上部；和安裝在印刷電路板上的多層陶瓷電容器，其中，多層陶瓷電容器包括陶瓷本體，多層電介質(zhì)層層壓在該陶瓷本體中，活性層，該活性層包括形成為交替地暴露于陶瓷本體的兩個端面的多個內(nèi)部電極并形成電容，電介質(zhì)層插入在多個內(nèi)部電極之間，上覆蓋層，該上覆蓋層形成在活性層的上部，下覆蓋層，該下覆蓋層形成在活性層的下部，并且該下覆蓋層的厚度大于上覆蓋層的厚度，以及第一外部電極和第二外部電極，該第一外部電極和第二外部電極覆蓋陶瓷本體的兩個端面并通過焊料連接于第一電極墊和第二電極墊，其中，當(dāng)從活性層的最下部的內(nèi)部電極的端部到覆蓋陶瓷本體的下表面的一部分的外部電極的端部的距離是E、從外部電極的端部到活性層的最下部的內(nèi)部電極的最短距離是T并且陶瓷本體在長度方向的邊緣是F時，滿足1.2 ( E/T和30 μ m < F。
[0026]由于當(dāng)施加電壓時，在活性層的中心部產(chǎn)生的應(yīng)變和在下覆蓋層產(chǎn)生的應(yīng)變之間的差異，在陶瓷本體兩個端部形成的拐點(PI)可以形成為比焊料的高度低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]依照下列結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，將對本發(fā)明上述的和其他的方面、特征和其他優(yōu)點有更加清楚地了解，其中:
[0028]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器(MLCC)的部分剖面的示意性的透視圖；
[0029]圖2是沿多層陶瓷電容器的長度方向截取圖1的多層陶瓷電容器的剖視圖；
[0030]圖3是在長度方向沿著多層陶瓷電容器的長度方向截取圖1的多層陶瓷電容器的示意性的剖視圖，以顯示包含在多層陶瓷電容器中的元件的尺寸關(guān)系；
[0031]圖4圖示了安裝在印刷電路板(PCB)上的圖1的多層陶瓷電容器的透視圖；
[0032]圖5是沿長度方向截取圖4的多層陶瓷電容器和印刷電路板的剖視圖；
[0033]圖6圖示了安裝在印刷電路板上且因施加電壓而變形的圖5的多層陶瓷電容器的示意性的剖視圖；和
[0034]圖7至圖13圖示了應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明實施方式的多層陶瓷電容器的內(nèi)部電極的多種變形方式的剖視圖。
【具體實施方式】
[0035]現(xiàn)在，將依照附圖對本發(fā)明的實施方式例進行詳細(xì)解釋。
[0036]然而，本發(fā)明可以具體表現(xiàn)為多種不同的形式，并且不能理解為限制于本文中闡述的實施方式。
[0037]相反地，提供這些實施方式，以使本發(fā)明將變得全面和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達本發(fā)明的范圍。
[0038]在圖中，為了清楚起見，元件的形狀和尺寸可能被放大，在整個文件中使用相同的附圖標(biāo)記指示相同或相似的元件。
[0039]此外，在各個實施方式的附圖中圖示的相同概念的范圍內(nèi)，具有相同功能的元件將使用相同的附圖標(biāo)記進行描述。
[0040]為了闡明本發(fā)明的實施方式，六面體的方向可以如下定義:在圖1中表示的L、W和T分別指示長度方向、寬度方向和厚度方向。這里，厚度方向可以用于與層壓電介質(zhì)層的層壓方向具有相同的概念。
[0041]此外，在本實施方式中，為了描述的目的，在陶瓷本體的長度方向上形成第一外部電極和第二外部電極的表面設(shè)定為水平端面，與其垂直的表面設(shè)定為左側(cè)面和右側(cè)面。
[0042]多層陶瓷電容器(MLCC)
[0043]參考圖1至圖2，根據(jù)本發(fā)明實施方式的多層陶瓷電容器100可以包括陶瓷本體110，具有第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的活性層115，上覆蓋層112和下覆蓋層113，和覆蓋陶瓷本體110的兩個端面的第一外部電極和第二外部電極132。
[0044]陶瓷本體110通過層壓多層電介質(zhì)層111并隨后對其燒制來形成，陶瓷本體110的結(jié)構(gòu)和尺寸以及電介質(zhì)層111的疊層數(shù)量并不限制于本實施方式中所圖示的。
[0045]此外，形成陶瓷本體110的多層電介質(zhì)層111處于燒結(jié)狀態(tài)，相鄰的電介質(zhì)層110可以形成一體的，使得多層電介質(zhì)層111之間的邊界在不使用掃描電子顯微鏡(SEM)情況下可以非顯而易見。
[0046]陶瓷本體110可以包括活性層115以及上層112和下層113，所述活性層115作為有助于形成電容的電容器的一部分，上層112和下層113作為邊緣部分并形成在活性層115的上部和下部。
[0047]活性層115可以通過重復(fù)地層壓其間插入有電介質(zhì)層115的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122而形成。
[0048]在此，電介質(zhì)層111的厚度可以根據(jù)多層陶瓷電容器100的電容的設(shè)計任意地改變。優(yōu)選的是，一個電介質(zhì)層111的厚度在燒制操作之后可以是0.ΙμL?到10.ΟμL?的范圍，但是本發(fā)明并不限制于此。
[0049]此外，電介質(zhì)層111可以由具有高介電常數(shù)(或高K-電介質(zhì))的陶瓷粉末制造，例如鈦酸鋇(BaTiO3)基粉末、鈦酸鍶(SrTiO3)基粉末等，但是本發(fā)明并不限制于此。
[0050]除了它們不包括內(nèi)部電極，上覆蓋層112和下覆蓋層123可以由與電介質(zhì)層111相同的材料制造并具有與電介質(zhì)層111相同的結(jié)構(gòu)。
[0051]上覆蓋層112和下覆蓋層123可以通過在活性層115的上表面和下表面上層壓單層電介質(zhì)層或兩層或多層電介質(zhì)層而形成，并且主要用于防止由于物理或化學(xué)應(yīng)力導(dǎo)致的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的損壞。
[0052]另外，下覆蓋層113可以具有大于上覆蓋層`112的厚度，通過增加電介質(zhì)層的疊層量，使得下覆蓋層113的厚度大于上覆蓋層112的厚度。
[0053]同時,第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122 (具有不同極性的一對電極)可以通過(在陶瓷基片上)印刷包括導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電漿料來形成，以具有預(yù)定的厚度，使得第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122沿電介質(zhì)層111的層壓方向交替地暴露于兩個端面，并且可以通過設(shè)置在其間的電介質(zhì)層111彼此電絕緣。
[0054]即，第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122可以通過其交替地暴露于陶瓷本體110的兩個端面的部分與第一外部電極131和第二外部電極132電連接。
[0055]這樣，當(dāng)電壓施加到第一外部電極131和第二外部電極132時，電荷在相互面對的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122之間累積,在此,多層陶瓷電容器100的電容與第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的相互重疊區(qū)域的面積成比例。
[0056]根據(jù)用途，可以確定第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的厚度。例如，第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的厚度可以確定為0.2 μ m到1.0 μ m的范圍，但是本發(fā)明并不限制于此。
[0057]此外，包括在導(dǎo)電漿料中形成第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的導(dǎo)電金屬可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)或它們的合金，但是本發(fā)明并不限制于此。
[0058]此外，導(dǎo)電漿料可以通過篩選法、凹板印刷方法等印刷，但是本發(fā)明并不限制于此。
[0059]第一外部電極131和第二外部電極132可以由包括導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電漿料制造且可以覆蓋陶瓷本體Iio的兩個端面和上表面和下表面的部分，并且導(dǎo)電金屬可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或者它們的合金，但是本發(fā)明并不限制于此。[0060]在此，當(dāng)多層陶瓷電容器安裝在印刷電路板(PCB)上時，梯級主要在第一外部電極131和第二外部電極132與第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的端部之間產(chǎn)生，因此需要調(diào)整其間的距離，以減少脫層和裂紋的發(fā)生，從而增加可靠性。
[0061]在圖2中，定義從活性層115的最下部的第二內(nèi)部電極122的端部到覆蓋陶瓷本體110的下表面的一部分的第一外部電極131的端部的距離為E，從第一外部電極131的端部到最下部的第二內(nèi)部電極122的最短距離為T，以及在長度方向上從陶瓷本體110的一個端面到第二內(nèi)部電極122的端部的邊緣為F。
[0062]在此，通過減少脫層和裂紋的產(chǎn)生而能夠提高可靠性的范圍可以是1.2 ( E/T。
[0063]假如1.2大于E/T，機械沖擊(例如由于印刷電路板變形而產(chǎn)生的應(yīng)力)集中的部分可以設(shè)定為與陶瓷體110的形成有梯級的部分一致或者靠近于陶瓷體100的形成有梯級部分，增大了彎曲裂紋的產(chǎn)生率。
[0064]此外，在長度方向上，陶瓷本體110的邊緣F可以設(shè)定為等于或大于30 μ m，以防止
產(chǎn)生脫層。
[0065]如果在長度方向上，陶瓷本體100的邊緣F小于30 μ m,由于邊緣不夠可能增加脫
層的產(chǎn)生。
[0066]在下文中，將描述包括在根據(jù)本實施方式的多層陶瓷電容器中的組成兀件與噪聲之間的關(guān)系。
[0067]參考圖3，定義陶瓷本體110的總厚度的一半為A，下覆蓋層113的厚度為B，活性層115的總厚度的一半是C，上覆蓋層112的厚度是D。
[0068]在此，陶瓷本體110的總厚度指的是從陶瓷本體110的上表面St到陶瓷本體110的下表面Sb的距離，并且活性層115的總厚度指的是從形成在活性層115的最上部的第一內(nèi)部電極121的上表面到形成在活性層115的最下部的第二內(nèi)部電極122的下表面的距離。
[0069]此外，下覆蓋層113的厚度B指的是在厚度方向上從形成在活性層115的最下部的第二內(nèi)部電極122的下表面到陶瓷本體110的下表面Sb的距離，并且上覆蓋層112的厚度D指的是在厚度方向上從形成在活性層115的最上部的第一內(nèi)部電極121的上表面到陶瓷本體110的上表面St的距離。
[0070]當(dāng)具有不同極性的電壓施加到形成在多層陶瓷電容器100的兩個端部的第一外部電極131和第二外部電極132上時，由于電介質(zhì)層111的反壓電效應(yīng)(inversepiezoelectric effect),陶瓷本體110在厚度方向上伸展和收縮，同時與陶瓷本體110在厚度方向上伸展和收縮相反，第一外部電極131和第二外部電極132的兩個端部由于泊松效應(yīng)而收縮和伸展。
[0071]在此，活性層115的中心部是沿第一外部電極131和第二外部電極132的長度方向在陶瓷本體110的兩個端部最大限度地伸展和收縮的部分，這導(dǎo)致了噪聲。
[0072]S卩，在本實施方式中，為了減少噪聲，當(dāng)施加電壓時，由于在活性層150的中心部CLa中產(chǎn)生的應(yīng)變和在下覆蓋層113中產(chǎn)生的應(yīng)變之間的差異，拐點(PI)可能形成在沿厚度方向位于陶瓷本體110的中心部CL。之下的陶瓷本體110的兩個端部。
[0073]在此，為了進一步減少噪聲，優(yōu)選的是，活性層115的中心部CLa偏離陶瓷本體110的中心部的比率((B+C):A)滿足 1.063 ( (B+C) /A ( 1.745。[0074]此外，在陶瓷本體110的厚度D的一半(A)和下覆蓋層113的厚度B之間的比率(B:A)(或 B/Α)滿足 0.329 ( B/A ( 1.522。
[0075]此外，下覆蓋層113的厚度B和活性層115的厚度的一半(C)之間的比率可以滿足 0.146 ( C/B ( 2.458。
[0076]實駘實施例
[0077]根據(jù)本發(fā)明實施方式和對比例的多層陶瓷電容器(MLCC)如下制造。
[0078]通過下面的步驟制造根據(jù)實施例的多層陶瓷電容器。
[0079]首先，將包括例如鈦酸鋇(BaTiO3)等粉末的漿料涂覆到承載膜，然后干燥，以制備具有1.8μπι厚度的多片陶瓷基片。
[0080]然后，通過利用篩在陶瓷基片上涂覆用于鎳內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料而形成內(nèi)部電極。
[0081]層壓大約三百七十(370)片陶瓷基片，并且在此，層壓在其上形成有內(nèi)部電極的陶瓷基片之下的不帶有內(nèi)部電極的陶瓷基片多于層壓在其上形成有內(nèi)部電極的陶瓷基片之上的不帶有內(nèi)部電極的陶瓷基片。疊層(或疊層體)在85°C的lOOOkgf/cm2的壓力條件下等壓壓縮。壓制完成的陶瓷層壓板分離成單獨的芯片，并且通過在大氣環(huán)境下將分離的芯片在230°C下保持60個小時來執(zhí)行脫脂步驟(debinding process)。
[0082]其后，在低壓情況下，芯片在低于Ni/NiO平衡氧分壓的氧分壓10-natm?l0.atm下燒制，使得內(nèi)部電極不會被氧化。在燒制操作之后，層壓的芯片電容器的芯片尺寸(長X寬(LXW))是1.64mmX0.88mm (LXW，1608尺寸)。在此，在長X寬中的制造公差確定為±0.1mm，并且滿足制造公差的芯片的噪聲在實驗中測得。
[0083]其后，芯片進行例如外部電極形成工藝、鍍覆工藝等工藝，以制造多層陶瓷電容器。
[0084][表 I]
[0085]
【權(quán)利要求】
1.多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括: 陶瓷本體，多層電介質(zhì)層層壓在該陶瓷本體中； 活性層，該活性層包括形成為交替地暴露于所述陶瓷本體的兩個端面的多個內(nèi)部電極并形成電容，所述電介質(zhì)層插入在多個所述內(nèi)部電極之間； 上覆蓋層，該上覆蓋層形成在所述活性層的上部； 下覆蓋層，該下覆蓋層形成在所述活性層的下部，并且所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度；和 外部電極，該外部電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端面以及上表面和下表面的部分， 其中，當(dāng)從所述活性層的最下部的所述內(nèi)部電極的端部到覆蓋所述陶瓷本體的下表面的一部分的所述外部電極的端部的距離是E、從所述外部電極的所述端部到所述活性層的最下部的所述內(nèi)部電極的最短距離是T并且所述陶瓷本體在長度方向上的邊緣是F時，滿足 1.2 ≤ E/T 和 30μπι ≤ F。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，當(dāng)所述陶瓷本體的總厚度的一半是Α、所述下覆蓋層的厚度是B、所述活性層的總厚度的一半是C、所述上覆蓋層的厚度是D時， 所述活性層的中心部偏離所述陶瓷本體的中心部的比率(B+C) /A滿足1.063 ( (B+C)/A ≤ 1.745。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，當(dāng)所述下覆蓋層的厚度是B并且所述上覆蓋層的厚度是D時，所述上覆蓋層的厚度D和所述下覆蓋層的厚度B之間的比率(D/B)滿足0.021≤D/B≤0.422的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，當(dāng)所述陶瓷本體的總厚度的一半是A并且所述下覆蓋層的厚度是B時， 所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的厚度的一半A的比率(B/Α)滿足0.329 ( B/A≤1.522的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，當(dāng)所述下覆蓋層的厚度是B并且所述活性層的總厚度的一半是C時， 所述活性層的總厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比率(C/B)滿足0.146 ( C/B≤2.458的范圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，由于當(dāng)施加電壓時在所述活性層的中心部產(chǎn)生的應(yīng)變和在所述下覆蓋層產(chǎn)生的應(yīng)變之間的差異，在所述陶瓷本體的兩個端部形成的拐點(PI)在厚度方向上形成在所述陶瓷本體的中心部之下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，暴露于所述陶瓷本體的端面的所述第一內(nèi)部電極和所述第二內(nèi)部電極的部分向內(nèi)成錐形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，不從所述陶瓷本體向外暴露的所述第一內(nèi)部電極和所述第二內(nèi)部電極的另外的表面的轉(zhuǎn)角部分向內(nèi)成錐形。
9.一種安裝板，該安裝板上允許安裝多層陶瓷電容器，所述安裝板包括: 印刷電路板，該印刷電路板具有一對電極墊，該對電極墊形成在所述印刷電路板的上部；和 安裝在所述印刷電路板上的多層陶瓷電容器， 其中，所述多層陶瓷電容器包括:陶瓷本體，多層電介質(zhì)層層壓在該陶瓷本體中；活性層，該活性層包括形成為交替地暴露于所述陶瓷本體的兩個端面的多個內(nèi)部電極并形成電容，所述電介質(zhì)層插入在多個所述內(nèi)部電極之間；上覆蓋層，該上覆蓋層形成在所訴活性層的上部；下覆蓋層，該下覆蓋層形成在所述活性層的下部，并且所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度；以及外部電極，該外部電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端面并通過焊料連接于第一電極墊和第二電極墊，其中，當(dāng)從所述活性層的最下部的所述內(nèi)部電極的端部到覆蓋所述陶瓷本體的下表面的一部分的所述外部電極的端部的距離是E、從所述外部電極的端部到所述活性層的最下部的所述內(nèi)部電極的最短距離是T并且所述陶瓷本體在長度方向上的邊緣是F時，滿足1.2 < E/T和30μπι< F。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的安裝板，其中，當(dāng)所述陶瓷本體的總厚度的一半是Α、所述下覆蓋層的厚度是B、所述活性層的總厚度的一半是C、所述上覆蓋層的厚度是D時， 所述活性層的中心部偏離所述陶瓷本體的中心部的比率(B+C) /A滿足1.063 ( (B+C)/A ( 1.745。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的安裝板，其中，所述上覆蓋層的厚度D和所述下覆蓋層的厚度B之間的比率(D/B或D:B)滿足0.021 ^ D/B ^ 0.422的范圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的安裝板，其中，所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的厚度的一半A的比率(B/Α)滿足0.329 ( B/A ( 1.522的范圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的安裝板，其中，所述活性層的厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比率(C/B)滿足0.146 ( C/B ( 2.458的范圍。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的安裝板，其中，由于當(dāng)施加電壓時在所述活性層的中心部產(chǎn)生的應(yīng)變和在所述下覆蓋層產(chǎn)生的應(yīng)變之間的差異，在所述陶瓷本體的兩個端部形成的拐點(PI)在厚度方向上形成在所述陶瓷本`體的中心部之下。
【文檔編號】H05K1/18GK103887068SQ201310117266
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年4月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】樸珉哲, 樸祥秀, 安永圭, 李炳華 申請人:三星電機株式會社