專利名稱：一種藍寶石化料工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種藍寶石化料工藝，屬于人工藍寶石生產(chǎn)技術領域。
背景技術：
藍寶石晶體的生長環(huán)境溫度在2000°C以上，在原料放置到爐內(nèi)后，需要使原料熔化，簡稱化料理，在原料升溫達到2000°C以上后方可進行正常的藍寶石晶體生長工作，傳統(tǒng)的化料工藝是藍寶石單晶爐以每小時200°C -280°C進行升溫，升至2000°C -2100°C時方可進行下一步工序，但由于寶石爐的熱滯后性，使得爐內(nèi)溫度長時間不穩(wěn)定，料化后需要技術人員不斷的降溫、恒溫進行溫度調(diào)整，增加接種時間，接種難度大，因此需要通過一般在40小時左右的保溫致使單晶爐爐內(nèi)溫度穩(wěn)定，再手動降低功率反復調(diào)整找到合適接種的溫度進行引徑，在此過程中爐內(nèi)溫度變化不穩(wěn)定，不僅嚴重影響了工作效率的提高，還給產(chǎn)品質(zhì)量帶來了極大的隱患，因此，傳統(tǒng)的化料工藝已經(jīng)成為制約人工藍寶石生產(chǎn)技術發(fā)展的重 要因素。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的就在于克服上述不足，提供一種藍寶石化料工藝。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明是通過以下技術方案來實現(xiàn)
一種藍寶石化料工藝，所述的藍寶石晶體化料工藝包括以下步驟
第一步低溫階段，打開爐內(nèi)加熱設備，爐內(nèi)溫度采用每小時上升300°C -500°C速度升溫，直至爐內(nèi)溫度降至1000°C ；
第二步中溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升200°C -250°C速度升溫，直至爐內(nèi)溫度降至 1900。。；
第三步高溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升100°c -150°c速度升溫，直至爐內(nèi)溫度降至2000°C以上。藍寶石單晶生長爐內(nèi)為真空。
本發(fā)明的有益效果是
1、化料時間短，耗能低，較傳統(tǒng)化料方法可節(jié)省50%左右時間極大的提高了人工藍寶石晶體生產(chǎn)效率；
2、化料后期顱內(nèi)溫度較平穩(wěn)，減少了熔體溫度波動幅度，同時化料溫度與實際接種溫度相差50°C以內(nèi)。便于藍寶石晶體接種，降低了勞動強度并提高了接種效率。
具體實施例方式下面結合實施例對本發(fā)明進一步說明
實施例1:
實施化料工序前，首先確保藍寶石爐內(nèi)為真空；
第一步低溫階段，打開爐內(nèi)加熱設備，爐內(nèi)溫度采用每小時上升300°C速度升溫，經(jīng)過3個小時左右升溫，爐內(nèi)溫度降至1000°C ；
第二步中溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升250°C速度升溫，經(jīng)過4個小時左右升溫，爐內(nèi)溫度降至1900°C ；
第三步高溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升150°C速度升溫，經(jīng)過I個小時左右升溫，爐內(nèi)溫度降至2000°C以上。實施例2
實施化料工序前，首先確保藍寶石爐內(nèi)為真空；
第一步低溫階段，打開爐內(nèi)加熱設備，爐內(nèi)溫度采用每小時上升500°C速度升溫，經(jīng)過2個小時左右升溫，爐內(nèi)溫度降至1000°C ；第二步中溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升200°C速度升溫，經(jīng)過4. 5個小時左右升溫，爐內(nèi)溫度降至1900°C ；
第三步高溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升100°C速度升溫，經(jīng)過個I小時左右升溫，爐內(nèi)溫度降至2000°C以上。
權利要求
1.一種藍寶石化料工藝，其特征在于所述的藍寶石晶體化料工藝包括以下步驟 第一步低溫階段，打開爐內(nèi)加熱設備，爐內(nèi)溫度采用每小時上升300°c -500°c速度升溫，直至爐內(nèi)溫度降至1000°C ； 第二步中溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升200°C _250°C速度升溫，直至爐內(nèi)溫度降至 1900。。； 第三步高溫階段，爐內(nèi)溫度采用每小時上升100°c -150°c速度升溫，直至爐內(nèi)溫度降至2000°C以上。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種藍寶石化料工藝，其特征在于所述的藍寶石單晶生長爐內(nèi)為真空。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種藍寶石化料工藝，共分為低溫階段、中溫階段和高溫階段，且藍寶石單晶生長爐內(nèi)為真空。
本發(fā)明的有益效果是化料時間短，耗能低，較傳統(tǒng)化料方法可節(jié)省50%左右時間，化料后期顱內(nèi)溫度較平穩(wěn)，便于藍寶石晶體接種，降低了勞動強度并提高了接種效率，從而極大的提高了人工藍寶石晶體生產(chǎn)效率。
文檔編號C30B29/20GK103014858SQ20131000972
公開日2013年4月3日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權日2013年1月11日
發(fā)明者任多奇, 劉書強, 李艷霞, 蘇浩, 于超 申請人:焦作市光源晶電科技有限公司