專(zhuān)利名稱(chēng)：一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池硒化技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置。
背景技術(shù)：
目前，硒化裝置是對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的重要工藝設(shè)備之一，在高溫條件下將摻雜材料擴(kuò)散入基底從而改變和控制材料內(nèi)物質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布。特別的，在預(yù)制金屬層后硒化法制備銅銦硒薄膜太陽(yáng)電池過(guò)程中，硒化裝置是用于后硒化工藝、制備高效吸收層的關(guān)鍵設(shè)備。銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池國(guó)際上通行的技術(shù)路線是真空蒸發(fā)法和預(yù)制層后硒化法。其中，預(yù)制金屬層后硒化法中的金屬預(yù)制層一般采用濺射方法，因?yàn)R射法可以快速獲得均勻的大面積薄膜，而通過(guò)控制濺射功率、工作氣壓、氣體流量和濺射順序可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度和元素比例的精確控制，后硒化過(guò)程即在高溫含硒氣氛中將金屬預(yù)制層進(jìn)行硒化處理，主要硒源包括硒化氫和固態(tài)硒等，增加硫化過(guò)程，最終可以獲得更優(yōu)的吸收層薄膜。該工藝方法的難點(diǎn)主要集中于后硒化工藝，如含硒氣氛的均勻性、工藝環(huán)境的溫度均勻性、氣體流量及利用率和過(guò)程控制等。因此，用于后硒化工藝的硒化裝置的功能和性能直接關(guān)系到銅銦鎵硒電池吸收層的材料結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能?，F(xiàn)有硒化裝置設(shè)備所面臨的主要問(wèn)題有，如何在保證電池高轉(zhuǎn)換效率前提下提高產(chǎn)能，如何在保證單個(gè)電池面積前提下保證膜層均勻。因現(xiàn)有硒化裝置多用于小尺寸半導(dǎo)體制造，故在CIS薄膜太陽(yáng)電池的應(yīng)用中，無(wú)法滿足大面積電池的制造和隨之而來(lái)的均勻性難題。另，以德國(guó)殼牌光伏公司的專(zhuān)利US6703589《Device and method for tempering atleast one process good》為例,傳統(tǒng)爐式結(jié)構(gòu)的硒化裝置受限于工藝時(shí)間過(guò)長(zhǎng)且離線處理方式，影響快速在線式大規(guī)模的生產(chǎn)應(yīng)用。而其他如日本昭和殼牌公司的W02006/070745Al《關(guān)于CIS薄膜太陽(yáng)能電池吸收層制備方法的專(zhuān)利》涵蓋的硒化裝置，雖然通過(guò)加裝風(fēng)扇強(qiáng)制循環(huán)代替自然循環(huán)，但是對(duì)工藝腔內(nèi)流場(chǎng)均勻性的改善并未達(dá)到理想效果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其在實(shí)現(xiàn)了氣氛的均勻分布，提高了所制備材料的元素配比的精確性和大面積均勻性，從而消除上述背景技術(shù)中缺陷。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，包括工藝腔室，所述工藝腔室利用門(mén)閘分割為順次排列的裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔，所述裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔內(nèi)均設(shè)置有相互配合的、用以承載待硒化基板的傳動(dòng)輥；所述加熱腔和保溫腔設(shè)置有加熱單元、鼓風(fēng)單元和抽氣單元，所述加熱單元包括均勻分布于所述加熱腔和保溫腔內(nèi)部的電熱絲以及上下兩排鹵素?zé)?；所述鼓風(fēng)單元設(shè)置于所述加熱腔和保溫腔的一側(cè)，包括將工藝氣體格柵化的格柵板，所述格柵板設(shè)置于所述加熱腔和保溫腔的腔室內(nèi)；所述抽氣單元設(shè)置于所述加熱腔和保溫腔與所述鼓風(fēng)單元相對(duì)的一側(cè)，包括抽氣機(jī)、導(dǎo)流板和格柵板，所述抽氣機(jī)的進(jìn)氣口利用導(dǎo)流板弓I至腔室內(nèi)，且導(dǎo)流板的上游位置設(shè)置有所述格柵板。作為一種改進(jìn)，所述工藝腔室為狹縫形。本實(shí)用新型中，所述門(mén)閘為上端鉸接式。作為一種改進(jìn)，所述裝載腔與加熱腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蜓b載腔一側(cè)，所述保溫腔與冷卻腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蚶鋮s腔一側(cè)，以保證工藝氣體不會(huì)外泄。作為一種改進(jìn)，所述加熱腔和保溫腔用隔熱保溫材料制有隔熱層，所述隔熱層內(nèi)嵌均勻分布的所述電熱絲，加熱以保持本底溫度。作為一種改進(jìn)，所述上下兩排鹵素?zé)糸g隔分布，且下排鹵素?zé)舴植加趥鲃?dòng)輥下方、位于各傳動(dòng)輥之間。這樣最大限度的降低工藝腔體內(nèi)的溫度梯度，以實(shí)現(xiàn)溫度分布的均勻性。之所以采用鹵素?zé)?，是因?yàn)樗哂须姛徂D(zhuǎn)換率高、升溫快的特點(diǎn)，適于短時(shí)熱工藝過(guò)程。作為一種改進(jìn)，所述鼓風(fēng)單元的鼓風(fēng)機(jī)利用導(dǎo)流板連接所述格柵板，從而將工藝氣體進(jìn)行格柵化處理。作為一種改進(jìn)，所述鼓風(fēng)單元的鼓風(fēng)機(jī)安裝于所述格柵板的各個(gè)柵格內(nèi)?；谕瑯拥墓ぷ髟?，以上裝置可以用于硫化工藝中。一種利用非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置實(shí)現(xiàn)的硒化方法，包括如下步驟:(I)向裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔內(nèi)充入惰性氣體，內(nèi)部氣壓高于外界氣壓，而且保證裝載腔、冷卻腔和卸載腔內(nèi)氣壓相等，并大于加熱腔以及與加熱腔等壓的保溫腔；(2)將工藝氣體預(yù)熱，利用鼓風(fēng)單元和抽氣單元實(shí)現(xiàn)工藝氣體在所述加熱腔和保溫腔內(nèi)部強(qiáng)制循環(huán)；將電熱絲加熱升溫至240-260°C，也就是使所述加熱腔和保溫腔的隔熱層溫度為240-260°C，優(yōu)選為250°C ;利用鹵素?zé)艏訜嶂了黾訜崆缓捅厍坏那皇覂?nèi)溫度為 520-5800C ；(3)利用傳動(dòng)輥承載待硒化的基板順次通過(guò)裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔，即得到硒化后的基板；所述冷卻腔內(nèi)部溫度為200 350°C。硒化后的基板，將通過(guò)卸載腔，傳送出設(shè)備，進(jìn)入后續(xù)工序。作為一種改進(jìn),所述工藝氣體包括固態(tài)硒蒸氣或硒化氫。作為一種改進(jìn)，所述惰性氣體包括氮?dú)饣驓鍤狻Ｓ捎诓捎昧松鲜黾夹g(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:1.本實(shí)用新型的工藝腔室利用門(mén)閘分割為順次排列的裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔，而且裝載腔與加熱腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蜓b載腔一側(cè)，所述保溫腔與冷卻腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蚶鋮s腔一側(cè)，基于這種結(jié)構(gòu)，工藝腔室內(nèi)可以保證內(nèi)部氣壓高于外界氣壓，防止外部氣體進(jìn)入，保證工藝腔室的潔凈度，同時(shí)也可以保證工藝氣體不會(huì)外泄，提高了基板硒化的效果。2.本實(shí)用新型的工藝腔室采用狹縫形，能夠縮減工藝氣體用量，同時(shí)也可以保證基板處于濃度較大的工藝氣體氛圍中，提高硒化的均勻性。3.本實(shí)用新型的加熱腔和保溫腔用隔熱保溫材料制有隔熱層，所述隔熱層內(nèi)嵌均勻分布的電熱絲，基于這種結(jié)構(gòu)，利用電熱絲可以將隔熱層溫度加熱至250°C，可以對(duì)加熱腔和保溫腔與環(huán)境的熱交換進(jìn)行補(bǔ)償，而且實(shí)用新型人在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，此溫度下，可以有效防止硒蒸汽在工藝腔室內(nèi)表面沉積，起到意想不到的效果。4.本實(shí)用新型采用鹵素?zé)艏訜幔疑舷聝膳披u素?zé)糸g隔分布，且下排鹵素?zé)舴植加趥鲃?dòng)輥下方、位于各傳動(dòng)輥之間，由于鹵素?zé)艟哂须姛徂D(zhuǎn)換率高、升溫快的特點(diǎn)，適于短時(shí)熱工藝過(guò)程，基于上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型可以較短時(shí)間內(nèi)將加熱腔和保溫腔內(nèi)的溫度升高至520-580°C，實(shí)用新型人反復(fù)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該溫度下基板的硒化效果最為良好，而且本實(shí)用新型能夠最大限度的降低工藝腔體內(nèi)的溫度梯度，以實(shí)現(xiàn)溫度分布的均勻性。5.本實(shí)用新型設(shè)置有鼓風(fēng)單元和抽氣單元，而且均設(shè)置有格柵板，基于這種結(jié)構(gòu)，工藝氣體從腔室的一側(cè)首先經(jīng)過(guò)導(dǎo)流板的第一重分流，然后工藝氣體經(jīng)過(guò)格柵板進(jìn)行第二重分流，極大的提高了工藝氣體的均勻性，然后工藝氣體再在基板的表面進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了工藝氣體均流以及穩(wěn)定，并能夠控制工藝腔室內(nèi)的流場(chǎng)均勻性。6.本實(shí)用新型設(shè)置的冷卻腔設(shè)定溫度為200 350°C，因此基板從保溫腔內(nèi)出來(lái)之后可以迅速得到冷卻，而實(shí)踐中證明，硒化后的基板迅速冷卻利于實(shí)現(xiàn)所制備材料的元素精確配比。總之，本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)散氣體流場(chǎng)均勻性的高效控制，實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)散工藝溫度和溫升的高效控制，在保證大面積硒化均勻性的前提下，通過(guò)快速硒化有助于生產(chǎn)效率的大幅提升。

圖1是本實(shí)用新型硒化裝置主體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型硒化裝置加熱腔的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型硒化裝置加熱腔的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型硒化裝置鼓風(fēng)單元和抽氣單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中:1.裝載腔，2.加熱腔，3.保溫腔，4.冷卻腔，5.卸載腔，6.門(mén)閘，7.傳動(dòng)輥，
8.電熱絲，9.鹵素?zé)簦?0.進(jìn)氣格柵板，11.抽氣機(jī)，12.出氣導(dǎo)流板，13.出氣格柵板，14.隔熱層，15.鼓風(fēng)機(jī),16.進(jìn)氣導(dǎo)流板。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。如圖1所示，一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，包括狹縫形的工藝腔室，所述工藝腔室利用門(mén)閘6分割為順次排列的裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5，所述裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)均設(shè)置有相互配合的、用以承載待硒化基板的傳動(dòng)輥7 ;圖2和圖3為加熱腔的示意圖，本實(shí)用新型中，加熱腔2和保溫腔3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相同，均設(shè)置有加熱單元、鼓風(fēng)單元和抽氣單元，所述加熱單元包括均勻分布于所述加熱腔2和保溫腔3內(nèi)部的電熱絲8以及上下兩排鹵素?zé)?，所述鼓風(fēng)單元設(shè)置于所述加熱腔2和保溫腔3的一側(cè)，包括將工藝氣體格柵化的進(jìn)氣格柵板10，所述進(jìn)氣格柵板10設(shè)置于所述加熱腔2和保溫腔3的腔室內(nèi)，鼓風(fēng)單元的鼓風(fēng)機(jī)15利用進(jìn)氣導(dǎo)流板16連接所述進(jìn)氣格柵板10，從而將工藝氣體進(jìn)行格柵化處理；所述抽氣單元設(shè)置于所述加熱腔2和保溫腔3與所述鼓風(fēng)單元相對(duì)的一側(cè)，包括抽氣機(jī)11、出氣導(dǎo)流板12和出氣格柵板13，所述抽氣機(jī)11的進(jìn)氣口利用出氣導(dǎo)流板12引至腔室內(nèi)，且出氣導(dǎo)流板12的上游位置設(shè)置有所述出氣格柵板10。本實(shí)施例中，所述裝載腔I與加熱腔2之間門(mén)閘6開(kāi)啟方向?yàn)橄蜓b載腔I 一側(cè)，所述保溫腔與冷卻腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蚶鋮s腔一側(cè)，以保證工藝氣體不會(huì)外泄。本實(shí)用新型為了提高硒化效果，在加熱腔2和保溫腔3用隔熱保溫材料制有隔熱層14，所述隔熱層14內(nèi)嵌均勻分布的所述電熱絲8加熱，以保持本底溫度。本實(shí)用新型的上下兩排鹵素?zé)?間隔分布，且下排鹵素?zé)?分布于傳動(dòng)輥7下方、位于各傳動(dòng)輥7之間。這樣最大限度的降低工藝腔體內(nèi)的溫度梯度，以實(shí)現(xiàn)溫度分布的均勻性。之所以采用鹵素?zé)?，是因?yàn)樗哂须姛徂D(zhuǎn)換率高、升溫快的特點(diǎn)，適于短時(shí)熱工藝過(guò)程。另外，如圖4所示，所述鼓風(fēng)單元的鼓風(fēng)機(jī)15安裝于所述進(jìn)氣格柵板10的各個(gè)柵格內(nèi)，更利于工藝氣體的均勻性。顯然，此時(shí)鼓風(fēng)機(jī)15應(yīng)該采用體積較小的類(lèi)型。以下為利用本實(shí)用新型的非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置實(shí)現(xiàn)銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)電池硒化的具體實(shí)施例。實(shí)施例1非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化方法，包括如下步驟:(I)向裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)充入惰性氣體氮?dú)?，?nèi)部氣壓高于外界氣壓，而且保證裝載腔1、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)氣壓相等，并大于加熱腔2以及與加熱腔2等壓的保溫腔3 ；(2)將工藝氣體固態(tài)硒蒸氣預(yù)熱，利用鼓風(fēng)單元和抽氣單元實(shí)現(xiàn)工藝氣體在所述加熱腔2和保溫腔3內(nèi)部強(qiáng)制循環(huán)，利用電熱絲8加熱至所述加熱腔2和保溫腔3的隔熱層14溫度為240°C，利用鹵素?zé)?加熱至所述加熱腔2和保溫腔3的腔室內(nèi)溫度為520°C ；(3)利用傳動(dòng)輥7承載待硒化的基板順次通過(guò)裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5，所述冷卻腔4內(nèi)部溫度為200°C。冷卻后的基板，將通過(guò)卸載腔5，傳送出設(shè)備，進(jìn)入后續(xù)工序。實(shí)施例2非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化方法，包括如下步驟:(I)向裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)充入惰性氣體氬氣，內(nèi)部氣壓高于外界氣壓，而且保證裝載腔1、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)氣壓相等，并大于加熱腔2以及與加熱腔2等壓的保溫腔3 ；(2)將工藝氣體硒化氫預(yù)熱，利用鼓風(fēng)單元和抽氣單元實(shí)現(xiàn)工藝氣體在所述加熱腔2和保溫腔3內(nèi)部強(qiáng)制循環(huán)，利用電熱絲8加熱至所述加熱腔2和保溫腔3的隔熱層14溫度為250°C，利用鹵素?zé)?加熱至所述加熱腔2和保溫腔3的腔室內(nèi)溫度為550°C ；(3)利用傳動(dòng)輥7承載待硒化的基板順次通過(guò)裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5，所述冷卻腔4內(nèi)部溫度為300°C。[0058]冷卻后的基板，將通過(guò)卸載腔5，傳送出設(shè)備，進(jìn)入后續(xù)工序。實(shí)施例3非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化方法，包括如下步驟:(I)向裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)充入惰性氣體氮?dú)猓瑑?nèi)部氣壓高于外界氣壓，而且保證裝載腔1、冷卻腔4和卸載腔5內(nèi)氣壓相等，并大于加熱腔2以及與加熱腔2等壓的保溫腔3 ；(2)將工藝氣體固態(tài)硒蒸氣預(yù)熱，利用鼓風(fēng)單元和抽氣單元實(shí)現(xiàn)工藝氣體在所述加熱腔2和保溫腔3內(nèi)部強(qiáng)制循環(huán)，利用電熱絲8加熱至所述加熱腔2和保溫腔3的隔熱層14溫度為260°C，利用鹵素?zé)?加熱至所述加熱腔2和保溫腔3的腔室內(nèi)溫度為580°C ；(3)利用傳動(dòng)輥7承載待硒化的基板順次通過(guò)裝載腔1、加熱腔2、保溫腔3、冷卻腔4和卸載腔5，所述冷卻腔4內(nèi)部溫度為350°C。冷卻后的基板，將通過(guò)卸載腔5，傳送出設(shè)備，進(jìn)入后續(xù)工序。本實(shí)用新型不局限于上述具體實(shí)施方式
，一切基于本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思，所作出的結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，包括工藝腔室，所述工藝腔室利用門(mén)閘分割為順次排列的裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔，所述裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔內(nèi)均設(shè)置有相互配合的、用以承載待硒化基板的傳動(dòng)輥； 其特征在于:所述加熱腔和保溫腔設(shè)置有加熱單元、鼓風(fēng)單元和抽氣單元，所述加熱單元包括均勻分布于所述加熱腔和保溫腔內(nèi)部的電熱絲以及上下兩排鹵素?zé)簦? 所述鼓風(fēng)單元設(shè)置于所述加熱腔和保溫腔的一側(cè)，包括將工藝氣體格柵化的格柵板，所述格柵板設(shè)置于所述加熱腔和保溫腔的腔室內(nèi)； 所述抽氣單元設(shè)置于所述加熱腔和保溫腔與所述鼓風(fēng)單元相對(duì)的一側(cè)，包括抽氣機(jī)、導(dǎo)流板和格柵板，所述抽氣機(jī)的進(jìn)氣口利用導(dǎo)流板引至腔室內(nèi)，且導(dǎo)流板的上游位置設(shè)置有所述格柵板。
2.如權(quán)利要求1所述的一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其特征在于:所述工藝腔室為狹縫形。
3.如權(quán)利要求1所述的一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其特征在于:所述裝載腔與加熱腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蜓b載腔一側(cè)，所述保溫腔與冷卻腔之間門(mén)閘開(kāi)啟方向?yàn)橄蚶鋮s腔一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其特征在于:所述加熱腔和保溫腔用隔熱保溫材料制有隔熱層，所述隔熱層內(nèi)嵌均勻分布的所述電熱絲。
5.如權(quán)利要求1所述的一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其特征在于:所述上下兩排鹵素?zé)糸g隔分布，且下排鹵素?zé)舴植加趥鲃?dòng)輥下方、位于各傳動(dòng)輥之間。
6.如權(quán)利要求1所述的一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其特征在于:所述鼓風(fēng)單元的鼓風(fēng)機(jī)利用導(dǎo)流板連接所述格柵板。
7.如權(quán)利要求1所述的一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，其特征在于:所述鼓風(fēng)單元的鼓風(fēng)機(jī)安裝于所述格柵板的各個(gè)柵格內(nèi)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種非真空的步進(jìn)通過(guò)式快速硒化裝置，包括工藝腔室，所述工藝腔室利用門(mén)閘分割為順次排列的裝載腔、加熱腔、保溫腔、冷卻腔和卸載腔，所述加熱腔和保溫腔設(shè)置有加熱單元、鼓風(fēng)單元和抽氣單元，所述加熱單元包括均勻分布于所述加熱腔和保溫腔內(nèi)部的電熱絲以及上下兩排鹵素?zé)?，所述鼓風(fēng)單元和抽氣單元均設(shè)置有用以將工藝氣體格柵化的格柵板。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)散氣體流場(chǎng)均勻性的高效控制，實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)散工藝溫度和溫升的高效控制，在保證大面積硒化均勻性的前提下，通過(guò)快速硒化有助于生產(chǎn)效率的大幅提升。
文檔編號(hào)C30B31/06GK202989270SQ201220696939
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月15日
發(fā)明者李和勝, 李劼, 閆升運(yùn), 孫琳, 王巖 申請(qǐng)人:山東孚日光伏科技有限公司