專利名稱：?jiǎn)尉t的梯度加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及利用多晶提拉出單晶硅領(lǐng)域，具體屬于單晶爐的梯度加熱器。
背景技術(shù)：
目前，直拉單晶爐是晶體生長(zhǎng)設(shè)備中最重要的產(chǎn)品系列，用它來制作人工晶體，晶體生長(zhǎng)速度最高，最容易實(shí)現(xiàn)人工控制，因此也獲得了最廣泛的應(yīng)用。為了生長(zhǎng)出大尺寸和高質(zhì)量的單晶，人類幾乎用了一切先進(jìn)的手段。在單晶爐上集成了材料、機(jī)械、電氣、計(jì)算機(jī)、磁多方面的高端知識(shí)和技術(shù)。硅單晶體作為一種半導(dǎo)體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件。大部分的半導(dǎo)體硅單晶體采用直拉法制造。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種單晶爐的梯度加熱器，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，減少了熱量損失，溫度自上而下逐漸升高，使用壽命延長(zhǎng)，且生產(chǎn)成本降低。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下單晶爐的梯度加熱器，包括有石墨加熱筒，石墨加熱筒內(nèi)壁分別連接有正極銅排、 負(fù)極銅排，正極銅排、負(fù)極銅排內(nèi)套裝有石墨柱，所述石墨加熱筒上開有相互錯(cuò)開豎向溝槽，豎向溝槽一端起始于石墨加熱筒的端部，另一端不超過石墨加熱筒的端部。所述的石墨柱外壁與正極銅排、負(fù)極銅排之間設(shè)有密封圈。本實(shí)用新型采用迷宮式設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，減少了熱量損失，溫度自上而下逐漸升高，使用壽命延長(zhǎng)，且生產(chǎn)成本降低。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參見附圖，單晶爐的梯度加熱器，包括有石墨加熱筒1，石墨加熱筒1內(nèi)壁分別連接有正極銅排2、負(fù)極銅排3，正極銅排、負(fù)極銅排內(nèi)套裝有石墨柱4，石墨加熱筒上開有相互錯(cuò)開豎向溝槽5，豎向溝槽一端起始于石墨加熱筒的端部，另一端不超過石墨加熱筒的端部，石墨柱4外壁與正極銅排、負(fù)極銅排之間設(shè)有密封圈6。
權(quán)利要求1.單晶爐的梯度加熱器，包括有石墨加熱筒，其特征在于石墨加熱筒內(nèi)壁分別連接有正極銅排、負(fù)極銅排，正極銅排、負(fù)極銅排內(nèi)套裝有石墨柱，所述石墨加熱筒上開有相互錯(cuò)開豎向溝槽，豎向溝槽一端起始于石墨加熱筒的端部，另一端不超過石墨加熱筒的端部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐的梯度加熱器，其特征在于所述的石墨柱外壁與正極銅排、負(fù)極銅排之間設(shè)有密封圈。
專利摘要本實(shí)用新型公開了單晶爐的梯度加熱器，包括有石墨加熱筒，石墨加熱筒內(nèi)壁分別連接有正極銅排、負(fù)極銅排，正極銅排、負(fù)極銅排內(nèi)套裝有石墨柱，所述石墨加熱筒上開有相互錯(cuò)開豎向溝槽，豎向溝槽一端起始于石墨加熱筒的端部，另一端不超過石墨加熱筒的端部。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，減少了熱量損失，溫度自上而下逐漸升高，使用壽命延長(zhǎng)，且生產(chǎn)成本降低。
文檔編號(hào)C30B29/06GK202187086SQ20112026485
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者林游輝 申請(qǐng)人:合肥景坤新能源有限公司