專利名稱：硅單晶生長爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
硅單晶生長爐
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備，具體涉及一種硅單晶生長爐。背景技術(shù)：
硅單晶生長爐是生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備，在單晶硅生長的拉晶過程中，石墨加熱器始終要對(duì)坩堝內(nèi)的硅料進(jìn)行加熱，由于石墨加熱器的底部與爐底之間一般留有150mm左右的空間距離，這樣就有部分熱量從周圍空隙中流失，造成加熱功率的浪費(fèi)，進(jìn)而需要提高加熱功率。

發(fā)明內(nèi)容鑒于背景技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的旨在提供一種能夠降低拉晶過程中的加熱功率、節(jié)約能源的硅單晶生長爐。本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的硅單晶生長爐，包括爐筒、保溫桶和設(shè)在保溫桶內(nèi)的石墨加熱器，其特征在于所述石墨加熱器的底部與爐底之間設(shè)有熱反射板。所述熱反射板選用碳碳復(fù)合材料。在加熱器底部和爐底之間設(shè)置熱反射板，可以有效地將加熱器底部輻射的熱量反射回去，減少熱量的流失，從而可以降低加熱功率，起到節(jié)約能源的效果，可以節(jié)能3-5%。 選用碳碳復(fù)合材料作為熱反射板的材料，有很好的熱反射效果。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖具體實(shí)施方式參照附圖1，這種硅單晶生長爐，包括爐筒1、保溫桶2、設(shè)在保溫桶2內(nèi)的石墨加熱器4和石英坩堝3，石墨加熱器4用于拉晶過程中對(duì)石英坩堝3內(nèi)的硅料進(jìn)行加熱，石墨加熱器4的底部與爐底7之間具有150mm左右的空間距離，石墨加熱器4的底部與爐底7之間設(shè)有熱反射板5，熱反射板5靠近石墨加熱器4的底部設(shè)置，熱反射板5頂面與石墨加熱器4底部的距離一般控制在30-50mm左右，熱反射板5通過墊柱6支在爐底7上，所述熱反射板5選用碳碳復(fù)合材料。因?yàn)闊岱瓷浒宓脑O(shè)置，在拉晶過程中能有效地將石墨加熱器底部輻射的熱量反射回去，減少熱量的流失，從而降低石墨加熱器的加熱功率。
權(quán)利要求1.硅單晶生長爐，包括爐筒、保溫桶和設(shè)在保溫桶內(nèi)的石墨加熱器，其特征在于所述石墨加熱器的底部與爐底之間設(shè)有熱反射板。
2.如權(quán)利要求1所述的硅單晶生長爐，其特征在于所述熱反射板選用碳碳復(fù)合材料。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種硅單晶生長爐，包括爐筒、保溫桶和設(shè)在保溫桶內(nèi)的石墨加熱器，其特征在于所述石墨加熱器的底部與爐底之間設(shè)有熱反射板。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)能夠降低拉晶過程中的加熱功率，節(jié)約能源。
文檔編號(hào)C30B15/00GK201981289SQ20112006699
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者李國迪, 蔣明霞, 蔡光進(jìn), 韓喆 申請(qǐng)人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司