專利名稱：一種硅單晶生長爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種硅單晶生長爐
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備，具體涉及一種硅單晶生長爐。背景技術(shù)：
硅單晶生長爐是生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備，單晶硅在爐內(nèi)生長過程中，需要從爐筒上方導(dǎo)入氬氣，氬氣是惰性氣體，化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，拉晶過程中用來保護(hù)融化的硅料不與空氣中的氧、氮等物質(zhì)起化學(xué)反應(yīng)，另外，氬氣從導(dǎo)流筒進(jìn)入，將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走，利于單晶硅穩(wěn)定生長，最后，含有害氣體的氬氣從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道通過真空泵抽走。但是，現(xiàn)有的硅單晶生長爐，由于蓋板的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁之間留有間隙，這樣一來，就有部分氬氣不經(jīng)導(dǎo)流筒，而通過保溫桶(由碳?xì)植牧现瞥?本身具有的空隙直接從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道排走，造成部分氬氣不能正常參與帶走一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體的工作，既不利于單晶硅穩(wěn)定生長，又造成浪費。

發(fā)明內(nèi)容鑒于背景技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的旨在提供一種有利于氬氣將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走，利于單晶硅穩(wěn)定生長的硅單晶生長爐。本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種硅單晶生長爐，包括爐筒和設(shè)在爐筒內(nèi)部的坩堝和導(dǎo)流筒，坩堝的外側(cè)設(shè)有保溫桶，保溫桶的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁接觸，保溫桶的上方放置有蓋板，導(dǎo)流筒設(shè)于坩堝的上方并支在蓋板上，其特征在于所述蓋板的上方放置有密封圈，密封圈貼緊在蓋板的上表面，密封圈的外圓與所述爐筒的內(nèi)筒壁貼緊形成密封。所述密封圈選用碳碳復(fù)合材料。上述結(jié)構(gòu)中，密封圈的設(shè)置封堵掉了蓋板外圓與爐筒內(nèi)筒壁之間留有的間隙，這樣氬氣就不能通過保溫桶的空隙直接從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道排走，而只能從導(dǎo)流筒進(jìn)入，所以有利于氬氣將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走，利于單晶硅穩(wěn)定生長。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖具體實施方式參照附圖1，這種硅單晶生長爐，包括爐筒7和設(shè)在爐筒內(nèi)部的石英坩堝6和導(dǎo)流筒4，石英坩堝6的外側(cè)設(shè)有保溫桶5，保溫桶5的外圓與爐筒7的內(nèi)筒壁接觸，保溫桶5的上方放置有蓋板2，導(dǎo)流筒4設(shè)于石英坩堝6的上方并支在蓋板2上，所述蓋板2的上方放置有密封圈3，密封圈3貼緊在蓋板2的上表面，密封圈3的外圓與所述爐筒7的內(nèi)筒壁貼緊形成密封，將蓋板外圓與爐筒內(nèi)筒壁之間的間隙9封堵住，所述密封圈3選用碳碳復(fù)合材料。 本實用新型是這樣實施的單晶硅在爐內(nèi)生長過程中，氬氣從爐筒上方的爐口 1 進(jìn)入，全部被導(dǎo)入導(dǎo)流筒4，經(jīng)過石英坩堝6中的融硅液面，將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走，最后含有害氣體的氬氣從爐筒底部兩側(cè)的排氣管道8 通過真空泵抽走。
權(quán)利要求1.一種硅單晶生長爐，包括爐筒和設(shè)在爐筒內(nèi)部的坩堝和導(dǎo)流筒，坩堝的外側(cè)設(shè)有保溫桶，保溫桶的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁接觸，保溫桶的上方放置有蓋板，導(dǎo)流筒設(shè)于坩堝的上方并支在蓋板上，其特征在于所述蓋板的上方放置有密封圈，密封圈貼緊在蓋板的上表面，密封圈的外圓與所述爐筒的內(nèi)筒壁貼緊形成密封。
2.如權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐，其特征在于所述密封圈選用碳碳復(fù)合材料。
專利摘要本實用新型公開了一種硅單晶生長爐，包括爐筒和設(shè)在爐筒內(nèi)部的坩堝和導(dǎo)流筒，坩堝的外側(cè)設(shè)有保溫桶，保溫桶的外圓與爐筒的內(nèi)筒壁接觸，保溫桶的上方放置有蓋板，導(dǎo)流筒設(shè)于坩堝的上方并支在蓋板上，其特征在于所述蓋板的上方放置有密封圈，密封圈貼緊在蓋板的上表面，密封圈的外圓與所述爐筒的內(nèi)筒壁貼緊形成密封。本實用新型的結(jié)構(gòu)有利于導(dǎo)入爐筒的氬氣將硅料與石英坩堝反應(yīng)生成的一氧化硅蒸汽、雜質(zhì)等有害氣體帶走，利于單晶硅的穩(wěn)定生長。
文檔編號C30B27/02GK201981292SQ201120066968
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者李國迪, 蔣明霞, 蔡光進(jìn), 韓喆 申請人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司