專利名稱：一種方便清潔的提拉爐觀察窗的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種方便清潔的提拉爐觀察窗
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域，具體是指一種方便清潔的提拉爐觀察窗。背景技術(shù)：
提拉法又稱丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J. Czochralski)在1917年發(fā)明的從熔 體中提拉生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶的方法。這種方法能夠生長(zhǎng)無色藍(lán)寶石、紅寶石、釔鋁榴石、釓鎵 榴石、變石和尖晶石等重要的寶石晶體。20世紀(jì)60年代，提拉法進(jìn)一步發(fā)展為一種更為先 進(jìn)的定型晶體生長(zhǎng)方法——熔體導(dǎo)模法。它是控制晶體形狀的提拉法，即直接從熔體中拉 制出具有各種截面形狀晶體的生長(zhǎng)技術(shù)。它不僅免除了工業(yè)生產(chǎn)中對(duì)人造晶體所帶來的繁 重的機(jī)械加工，還有效的節(jié)約了原料，降低了生產(chǎn)成本。提拉法的基本原理提拉法是將構(gòu)成是迷的原料放在坩堝中加熱熔化，在熔體表面 接籽晶提拉熔體，在受控條件下，使籽晶和熔體的交界面上不斷進(jìn)行原子或分子的重新排 列，隨降溫逐漸M而生長(zhǎng)出單晶體。提拉法的生長(zhǎng)工藝首先將待生長(zhǎng)的晶體的原料放在 耐高溫的坩堝中加熱皿，調(diào)整爐內(nèi)溫度場(chǎng)，使熔體上部處于過冷狀態(tài)；然后在籽晶桿上安 放一粒籽晶，讓籽晶接觸熔體表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶桿，使熔體處于過 冷狀態(tài)而結(jié)晶于籽晶上，在不斷提拉和旋轉(zhuǎn)過程中，生長(zhǎng)出圓柱狀晶體。提拉法的優(yōu)點(diǎn)在于晶體生長(zhǎng)過程中可以直接進(jìn)行測(cè)試與觀察，有利于控制生長(zhǎng)條 件，但是由于原料在高溫下?lián)]發(fā)附著在觀察窗上而且觀察窗內(nèi)部冷卻水中的雜質(zhì)污染，致 使觀察窗模糊不清，影響觀察質(zhì)量。采用本實(shí)用新型的提拉爐觀察窗可以方便的清潔觀察 窗，保證生長(zhǎng)過程中的觀察質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種方便清潔的提拉爐觀察窗。本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題一種方便清潔的提拉爐觀察窗，包括觀察窗、及吸附于觀察窗兩表面上的兩塊永 磁鐵；所述永磁鐵外圍包裹有一層海綿。所述觀察窗的內(nèi)腔填充放置有橡膠顆粒。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)原料揮發(fā)物附著于觀察窗上時(shí)，上下移動(dòng)兩塊永磁鐵， 永磁鐵外圍包裹的一層海綿就可以將揮發(fā)物除去，當(dāng)觀察窗內(nèi)腔通冷卻水時(shí)帶動(dòng)橡膠顆粒 流動(dòng)，可以將內(nèi)腔的雜質(zhì)去除，從而保證觀察窗的清潔。

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。圖1是本實(shí)用新型提拉爐觀察窗結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實(shí)施方式如圖1所示，一種方便清潔的提拉爐觀察窗，包括吸附于觀察窗10兩表面的永磁鐵11，所述永磁鐵外包裹一層海綿12，所述觀察窗內(nèi)腔放置橡膠顆粒13 當(dāng)晶體生長(zhǎng)時(shí)，通過上下移動(dòng)附著于觀察窗上的磁鐵，包裹于磁鐵表面上的海綿 就可以將觀察窗上附著的揮發(fā)物除去，觀察窗內(nèi)腔通水帶動(dòng)橡膠顆粒滾動(dòng)可以將觀察窗內(nèi) 部清潔干凈。
權(quán)利要求1.一種方便清潔的提拉爐觀察窗，包括觀察窗、及吸附于觀察窗兩表面上的兩塊永磁 鐵；其特征在于所述永磁鐵外圍包裹有一層海綿。
2.如權(quán)利要求1所述的一種方便清潔的提拉爐觀察窗，其特征在于所述觀察窗的內(nèi)腔 填充放置有橡膠顆粒。
專利摘要一種方便清潔的提拉爐觀察窗，包括觀察窗，一對(duì)互相吸附與觀察窗兩表面的永磁鐵，所述觀察窗內(nèi)腔放置有橡膠顆粒，所述永磁鐵外側(cè)包裹一層海綿，本實(shí)用新型通過移動(dòng)互相吸附的一對(duì)永磁鐵，通過永磁鐵外側(cè)包裹的海綿來清潔觀察窗上附著的揮發(fā)物，并通過內(nèi)部放置的橡膠顆粒來清潔觀察窗的內(nèi)腔。
文檔編號(hào)C30B15/00GK201924099SQ20102061892
公開日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2010年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月22日
發(fā)明者吳少凡, 朱友本, 鄭熠 申請(qǐng)人:福建福晶科技股份有限公司