專利名稱：觸控面板線路單邊外擴的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控面板線路單邊外擴的方法，屬于觸控面板制作技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在加工觸控面板過程中，很容易出現(xiàn)金屬線路電極偏離導電區(qū)域端的現(xiàn)象。本發(fā) 明通過采用光阻工藝可以對觸控面板的不同深度層面進行光阻蝕刻得到相應(yīng)的圖案。比 如，透明導電材料上直接電鍍金屬導電材料，在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形 成金屬走線；此操作方法可控性強，工序流程簡單，可以降低制造成本。對透明導電材料加工時，使用光阻技術(shù)對透明導電材料蝕刻形成網(wǎng)格圖案非導電 區(qū)域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保。電鍍工藝與光阻工藝的有機結(jié)合，避免了用 復雜的貼合工序來加工觸控面板，從而有效降低觸控面板的厚度和重量，提高透光度和觸 控敏感度。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明通過直接在透明導電材料上電鍍金屬導電材料，金屬導電材料 上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，消除金屬線路電極偏離導電區(qū)域端的現(xiàn)象。其 中，光阻膜相對于金屬走線單邊外擴，保證金屬走線的完整性利于電信號傳輸。本發(fā)明使用 光阻技術(shù)對透明導電材料蝕刻得到網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利 于環(huán)保。技術(shù)方案本發(fā)明公開一種觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵 干燥條件下進行；步驟一在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；步驟二 在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態(tài) 下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；步驟三先在金屬走線上貼光阻膜，其中，金屬走線寬度小于光阻膜寬度；然后， 曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻，形成感應(yīng) 線和網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域；步驟四用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度范圍值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之間；步驟二中硫 酸雙氧水混合液的摩爾濃度值是1M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊 蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟三中光阻膜的寬度相對于金屬走線單邊外擴5 微米到10微米。所述光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間。蝕刻反應(yīng)時間為30 秒鐘到60秒鐘。金屬導電材料是銅；步驟二中金屬走線線寬是50微米；透明導電材料是氧 化銦錫。步驟四中透明光學膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。最后，各線路圖案 成形后用光阻劑清除殘余光阻膜，提高產(chǎn)品外觀品質(zhì)。有益效果本發(fā)明公開了一種觸控面板線路單邊外擴的方法，通過采用光阻工藝可以對觸控面板的不同深度層面進行光阻蝕刻得到相應(yīng)的圖案，使用光阻蝕刻加工透明導 電材料形成網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保；透明導電材料 上直接電鍍金屬導電材料，在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，避免 金屬線路電極偏離導電區(qū)域端的現(xiàn)象。光阻膜的寬度相對于金屬走線的單邊外擴5微米到 10微米，能夠使金屬走線完好無損，有利于電信號傳輸。本發(fā)明操作可控性強，工序流程簡 單，可以降低制造成本。


圖1是本發(fā)明的局部結(jié)構(gòu)圖案示意框圖。圖2是本發(fā)明的局部網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域示意框圖。圖3是本發(fā)明的制作流程示意框圖。
具體實施例方式下面是本發(fā)明的具體實施例來進一步描述圖3所示，本發(fā)明公開一種觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵 干燥條件下進行；步驟一在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；步驟二 在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態(tài) 下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；步驟三先在金屬走線上貼光阻膜，其中，金屬走線寬度小于光阻膜寬度；然后， 曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻，形成感應(yīng) 線和網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域；步驟四用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度范圍值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之間；步驟二中硫 酸雙氧水混合液的摩爾濃度值是1M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊 蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟三中光阻膜的寬度比金屬走線的單邊外擴5微 米到10微米。所述光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間。蝕刻反應(yīng)時間為30秒 鐘到60秒鐘。金屬導電材料是銅；透明導電材料是氧化銦錫。步驟四中透明光學膠的厚度 范圍值在50微米到100微米之間。實施例1 銘板層的厚度是0. 7毫米；金屬導電材料的厚度是0. 05微米；透明導電材料的厚 度是0. 045微米；基板層的厚度是50微米，基板層是聚碳酸樹脂。觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；步驟二 在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態(tài) 下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；步驟三先在金屬走線上貼光阻膜，其中，單條金屬走線上的光阻膜寬度是65微 米；然后，曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻， 形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域；
步驟四用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度是4. 1M0L/L ；步驟二中硫酸雙氧水混合液的摩爾 濃度是1. 0M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕 刻線寬60微米。光阻膜的厚度是15微米。蝕刻反應(yīng)時間為30秒鐘。步驟四中透明光學 膠的厚度是50微米。步驟二中單條金屬走線線寬是50微米。實施例2 銘板層的厚度是1. 8毫米；金屬導電材料的厚度是0. 1微米；透明導電材料的厚 度是0. 1微米；基板層的厚度是180微米，基板層是硬化玻璃。觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；步驟二 在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態(tài) 下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；步驟三先在金屬走線上貼光阻膜，其中，單條金屬走線上的光阻膜寬度是75微 米；然后，曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻， 形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域；步驟四用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度是4. 5M0L/L ；步驟二中硫酸雙氧水混合液的摩爾 濃度是1. 0M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕 刻線寬60微米；光阻膜的厚度是20微米。蝕刻反應(yīng)時間為60秒鐘。步驟四中透明光學膠 的厚度是100微米。步驟二中單條金屬走線線寬是50微米。實施例3 銘板層的厚度是1. 1毫米；金屬導電材料的厚度是0. 09微米；透明導電材料的厚 度是0. 08微米；基板層的厚度是125微米，基板層是聚碳酸樹脂。觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；步驟二 在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態(tài) 下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；步驟三先在金屬走線上貼光阻膜，其中，單條金屬走線上的光阻膜寬度是70微 米；然后，曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻， 形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域；步驟四用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度是4. 3M0L/L ；步驟二中硫酸雙氧水混合液的摩爾 濃度是1. 0M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕 刻線寬60微米；光阻膜的厚度是18微米。蝕刻反應(yīng)時間為45秒鐘。步驟四中透明光學膠 的厚度是75微米。步驟二中單條金屬走線線寬是50微米。
權(quán)利要求
一種觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟，其特征在于所述步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；步驟二在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態(tài)下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；步驟三先在金屬走線上貼光阻膜，其中，金屬走線寬度小于光阻膜寬度；然后，曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導電區(qū)域；步驟四用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。
2.如權(quán)利要求1所述觸控面板線路單邊外擴的方法，其特征在于所述步驟三中鹽酸 的摩爾濃度范圍值在4. 1M0L/L到4. 5M0L/L之間；步驟二中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度 值是 1M0L/L。
3.如權(quán)利要求1所述觸控面板線路單邊外擴的方法，其特征在于所述光阻膜的厚度 范圍值在15微米到20微米之間；步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長 0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟三中光阻膜相對于金屬走線單邊外擴5微米到10微米。
4.如權(quán)利要求1所述觸控面板線路單邊外擴的方法，其特征在于所述蝕刻反應(yīng)時間 為30秒鐘到60秒鐘。
5.如權(quán)利要求1所述觸控面板線路單邊外擴的方法，其特征在于所述金屬導電材料 是銅；透明導電材料是氧化銦錫。
6.如權(quán)利要求1所述觸控面板線路單邊外擴的方法，其特征在于所述步驟四中透明 光學膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸控面板線路單邊外擴的方法，屬于觸控面板制作技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明中透明導電材料上直接電鍍金屬導電材料，在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；此操作方法可控性強，工序流程簡單，可以降低制造成本。光阻膜的寬度相對于金屬走線的寬度進行外擴，有效保護金屬走線不被侵蝕利于信號傳輸。
文檔編號H05K3/06GK101907946SQ20101025212
公開日2010年12月8日 申請日期2010年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月13日
發(fā)明者陳棟南 申請人:牧東光電(蘇州)有限公司