專利名稱：不同形狀C₆₀納米單晶組裝體材料及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明屬于單晶材料制備的技術領域，特別涉及不同形狀的Cso納米單晶組 裝體的制備方法。
背景技術：
Cso是由Kroto (Nature, Vol.318， 162， 1985)等科學家在1985年首先研 究發(fā)現(xiàn)的，之后被Kratechmer等科學家(Nature, Vol.347, 354， 1990)改進并
大量生產(chǎn)。Ceo是半導體材料，禁帶寬度為1.69eV， Ceo具有優(yōu)異的超導電性、 超硬特性以及發(fā)光性質(zhì)。C6C)納米材料在納米器件方面存在著巨大的潛在的應用 價值，這導致制備不同形狀的Ceo晶體，特別是具有不同形狀和結構的C6o單晶 組裝體成為研究的熱點和努力的目標。
早期有關C60納米晶的制備方法主要為模板法，將氧化鋁模板進入到C60 溶液中，經(jīng)過加熱和去除模板等處理過程制備Ceo納米線/管，但是這種方法得 不到高純度和結晶度的樣品。(Huibiao Liu et. al,丄Am. Chem. Soc. 2002， 124,
13370);現(xiàn)有的報道中采用液液界面法將C60飽和溶液與異丙醇混合放置數(shù)天，
(Kun'ichi Miyazawa，丄Nanosci. Nanotechnol. 2009， 9， 41)在界面處得到 雜亂纏繞或堆積在一起的直徑尺寸大小各異的Ceo納米材料，樣品具有很大的無 序性，不能很好地控制到較小的尺寸范圍，而且無序的堆積對實際的應用造成很 大的困難。我們小組在以前的工作中曾經(jīng)發(fā)明了一種溶液的方法，能夠成功制備 得到Ceo納米線、納米片等單晶材料。(Lin Wang, et al. Advanced Materials, 2006， 18, 1883; Applied Physics Letter, 2007， 91, 103112)然而現(xiàn)有的技術都
是關于制備單分散的納米材料，至今還沒有發(fā)現(xiàn)關于C60單晶組裝體，尤其是應 用這種簡單方法制備C6。納米組裝體單晶的方法的報道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是，得到不同形狀的C60納米單晶組裝體和陣列， 通過改變環(huán)境溫度的方法制備出不同形狀和排列方式的C60納米單晶組裝體。
本發(fā)明的不同形狀的C6。納米單晶組裝體材料，所述的Ceo納米單晶組裝體 的基本組成單元是C60納米棒，C60納米棒的直徑為200~400nm;所述的C60納米單晶具有面心立方結構;C6o納米單晶組裝體組裝在硅片或玻璃片的基底上， 其形狀是由Ceo納米棒構成的微米管狀、微米棒狀、納米花簇狀、納米掃把狀和 納米棒平行陣列狀。
本發(fā)明的不同形狀的C60納米單晶組裝體材料的形狀是所述的微米管狀的
C6o納米單晶組裝體是由排列成空心筒狀的C6o納米棒構成，長度為50~200|jm， 外直徑為2~8|jm;所述的微米棒狀的Ceo納米單晶組裝體是由排列成實心束狀 的Ceo納米棒構成，長度為30~100ym,直徑為2~5|jm;納米花簇狀的060納 米單晶組裝體是由從中心向四周幅射的Ceo納米棒組裝而成，花簇的直徑為 70~100|jm;納米掃把狀的Ceo納米單晶組裝體是由從中心向外幅射構成扇形的
C60納米棒組裝而成；納米棒平行陣列狀的Ceo納米單晶組裝體由Cso納米棒平
行排列的且平行基底表面組裝而成。
所述的不同形狀的C6Q納米單晶組裝體材料，其形狀是微米管垂直陣列的。
C60納米單晶組裝體的基本組成單元也是C60納米棒，C60納米棒的直徑為 300~500nm;其Ceo納米單晶具有面心立方結構；060納米單晶組裝體組裝在硅
片或玻璃片的基底上，其形狀是由C60納米棒構成的微米管垂直陣列；所述的微
米管垂直陣列的Ceo納米單晶組裝體是由直徑在2~5|jm的微米管垂直基底表面 組裝而成，每根微米管由直徑為300~500nm的060納米棒組成。
本發(fā)明的制備微米管狀、微米管垂直陣列狀、納米花簇及平行納米棒陣列 狀Ceo納米單晶組裝體材料，是以Ceo粉為原料；以甲苯(toluene)為溶劑；以 間二甲苯(m-xylene)為形狀控制劑；在硅片或玻璃片等材料基片上制得C60 納米單晶組裝體。
具體的制備微米管狀、微米棒狀、納米花簇狀、納米掃把狀或納米棒平形
陣列的C6Q納米單晶組裝體材料的過程如下
一種不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料的制備方法，以Ceo粉為原料，以 甲苯為溶劑，以間二甲苯為形狀控制劑；經(jīng)制備母液、制備Ceo納米單晶組裝體
和后處理的過程，制得C60納米單晶組裝體材料；所說的制備母液，是將過量的
C6o粉放入甲苯溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜置，待過量的Ceo粉完全沉淀 后，移出上層的飽和的C60甲苯溶液即為母液；所說的制備Ceo納米單晶組裝體， 是將母液與形狀控制劑以體積比為3~1 : 1滴加在硅片或者玻璃片基底上，將基底置于容器中，容器上方蓋上玻璃板，在-60 3(TC的溫度下溶液自然揮發(fā)，在 基底上得到C60納米單晶組裝體；所說的后處理，是將C60納米單晶組裝體在 10—spa量級的壓強、120 15(TC的溫度下去除晶體中殘存的溶劑，得到Cso納米
單晶組裝體材料。
在制備Ceo納米單晶組裝體時，可以通過控制環(huán)境溫度和溶液揮發(fā)時間來 調(diào)節(jié)晶體的形狀和排列方式?？傮w上，環(huán)境的溫度控制在-6(TC 3(TC的范圍內(nèi)， 時間為15分鐘到20小時之間。C6o納米單晶組裝體的形狀主要取決于環(huán)境的溫 度和溶液揮發(fā)速度。
需要制備微米管狀的C60納米單晶組裝體時應該將揮發(fā)的溫度控制在 10'O3CrC的范圍之內(nèi)。
需要制備微米棒狀的C60納米單晶組裝體時應該將揮發(fā)的溫度控制在 -5。05'C的范圍之內(nèi)。
需要制備納米花簇狀的C6q納米組單晶裝體時應該將揮發(fā)的溫度控制在 -25°C~-8'C的范圍之內(nèi)。
需要制備納米掃把狀的C6C)納米單晶組裝體時應該將揮發(fā)的溫度控制在 -35°C~-28r的范圍之內(nèi)。
需要制備納米棒平行陣列的C6o納米單晶組裝體時應該將揮發(fā)的溫度控制 在-6(TC—38。C的范圍之內(nèi)。
當溫度在低于10'C高于5。C、低于-5。C高于-8°C、低于-25-C高于-28°C、 低于-35"高于-38。C的范圍時，制得的C6o納米單晶組裝體具有兩種或更多的混 合形狀。
制備微米管垂直陣列狀C60納米單晶組裝體的過程與上述的過程稍有不同
將配制好的飽和的C6o甲苯溶液與間二甲苯以5:1 3.5:1的體積比混合；將基片 放置到盛裝混合溶液的容器底部，在室溫通風條件下使溶液快速揮發(fā)(如在通
風櫥下容器開口快速揮發(fā))，在基片上會生長出垂直于基片的C60微米管陣列。
再在10_5Pa壓強和120 15(TC的溫度下，加熱去除殘存的溶劑得到具有面心立
方結構的Ceo納米單晶組裝體。
具體的制備微米管垂直陣列狀C6o納米單晶組裝體材料的過程和條件如下。 一種不同形狀的Ceo納米單晶組裝體材料的制備方法，以C6o粉為原料，以甲苯為溶劑，以間二甲苯為形狀控制劑；經(jīng)制備母液、制備C6o納米單晶組裝體 和后處理的過程，制得C6o納米單晶組裝體材料；所說的制備母液，是將過量的 C6o粉放入甲苯溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜置，待過量的Ceo粉完全沉淀
后，移出上層的飽和的C60甲苯溶液即為母液；所說的制備C60納米單晶組裝體，
是將母液與形狀控制劑以體積比為5~3.5:1，在容器中混合，將硅片或者玻璃 片基底放入母液與形狀控制劑混合溶液中，在10 3CrC溫度和通風條件下使混合 溶液揮發(fā)，得到微米管垂直陣列的Ceo納米單晶組裝體；所說的后處理，是將 Ceo納米單晶組裝體在1(rSpa量級的壓強、120 15(TC的溫度下去除晶體中殘存
的溶劑，得到微米管垂直陣列的C60納米單晶組裝體材料。
跟背景技術相比，本發(fā)明的制備工藝和制備的產(chǎn)物具有很多突出的優(yōu)點，
主要表現(xiàn)為能制備出微米管狀、微米棒狀、納米花簇狀、納米掃把狀、納米棒 平行陣列狀或微米管垂直陣列的C60納米單晶組裝體材料；產(chǎn)物的形狀可以精確 控制，通過調(diào)節(jié)不同的溫度和揮發(fā)速度得到不同形狀的C60納米單晶組裝體，對 納米器件的應用提供了非常有效的途徑。本方法操作很簡單，產(chǎn)物卻十分具有應 用前景。


圖1是本發(fā)明實施例1得到的微米管狀的C60納米單晶組裝體的掃描電鏡照片。
圖2是本發(fā)明實施例4得到的納米花簇狀的C6o納米單晶組裝體的掃描電
圖3是本發(fā)明實施例7得到的納米棒平行陣列的Ceo納米單晶組裝體的掃 描電鏡照片。
圖4是本發(fā)明實施例8得到的微米管垂直陣列的C6o納米單晶組裝體的掃 描電鏡照片。
具體實施例方式
實施例1給出一個具體制備微米管狀的Ceo納米單晶組裝體的實例。 選用飽和的C60甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移 液管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的 硅片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.1微升的間二甲苯滴于液膜旁，將二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于室溫(25。C)， 待30~40分鐘溶液揮發(fā)，就在硅片或玻璃片上得到直徑在2~8|jm范圍內(nèi)的微米 管狀的Ceo納米單晶組裝體，其組裝單元為直徑為200~300nm的Ceo納米棒。 在10'spa壓強下，120 150'C的溫度下，加熱去除殘存溶劑得到具有面心立方 結構的C60單晶組裝體，形狀和大小保持不變。
在溫度10 30"C的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到微米管狀的Ceo納 米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同，一般在30 60分鐘。
實施例2給出一個具體制備微米棒狀的Ceo納米單晶組裝體的實例。
選用飽和的Cso甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移液 管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的硅 片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.1微升的間二甲苯滴于液膜旁，將 二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于0。C溫度下，待 1~1.5小時后溶液揮發(fā)，就在硅片或玻璃片上得到直徑在2 5|jm范圍內(nèi)的微米 棒狀的C6o納米單晶組裝體，其組裝單元為直徑為200~400nm的Ceo納米棒。 在1(^Pa壓強、12(T015(TC的溫度下，加熱去除殘存溶劑得到具有面心立方 結構的C60單晶組裝體，形狀和大小保持不變。
在溫度-5 5'C的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到微米棒狀的C60納米 單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在1 1.5小時。
實施例3給出一個具體制備納米花簇狀的Ceo納米單晶組裝體的實例。
選用飽和的C60甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移液 管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的硅 片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.3微升的間二甲苯滴于液膜旁，將 二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于-1CTC的溫度條 件下，待2~3小時溶液揮發(fā)，就在硅片或玻璃片上得到直徑為80 150iJm的納 米花簇狀的C6o納米組單晶裝體，其組成單元為直徑為200~300nm的060納米 棒，由中心向外輻射組裝而成。在10—spa壓強、120 15(TC的溫度下，加熱去 除殘存溶劑得到具有面心立方結構的Ceo單晶組裝體，形狀和大小保持不變。
在溫度-13~-8t:的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到納米花簇狀的C60 納米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在2 3小時。實施例4給出一個具體制備納米花簇狀的Cso納米組單晶裝體的實例。 選用飽和的Ceo甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移液 管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的硅 片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.3微升的間二甲苯滴于液膜旁，將 二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于-20'C的溫度條 件下，待3~5小時溶液完全，就在硅片或玻璃片上得到由直徑為200~300nm的
C60納米棒組成的納米花簇，即納米花簇狀的C60納米組單晶裝體，花簇的直徑
在100 130ijm。在10'spa壓強、120 15(TC的溫度下，加熱去除殘存溶劑得到
具有面心立方結構的C60單晶組裝體，形狀和大小保持不變。
在溫度-25~-13'C的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到納米花簇狀的 C6o納米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在3~5小時。 實施例5給出一個具體制備納米掃把狀的Ceo納米單晶組裝體的實例。 選用飽和的C60甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移液 管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的硅 片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.3微升的間二甲苯滴于液膜旁，將 二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于-30。C的溫度條 件下，待6 8小時溶液揮發(fā)，就在硅片或玻璃片上得到由針狀C6o納米晶組成的 納米掃把狀的Cso納米單晶組裝體。在10'spa壓強、120 15Crc的溫度下，加 熱去除殘存溶劑得到具有面心立方結構的C6o單晶組裝體，形狀和大小保持不 變。
在溫度-35~-28'C的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到納米掃把狀的 Ceo納米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在6 8小時。 實施例6給出一個具體制備納米棒平行陣列的Ceo納米單晶組裝體實例。 選用飽和的C60甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移液 管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的硅 片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.3微升的間二甲苯滴于液膜旁，將 二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于-40'C的溫度條 件下，待10~12小時溶液揮發(fā)，就在硅片或玻璃片上得到由直徑為200 300nm 的Ceo納米棒整齊平行排列的陣列狀組裝晶體，即納米棒平行陣列的Ceo納米單晶組裝體。在10《Pa壓強、120 15CrC的溫度下，加熱去除殘存溶劑得到具有
面心立方結構的C60單晶組裝體，形狀和大小保持不變。
在溫度-48—38卩的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到納米棒平行陣列狀的C6o納米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在10~12小時。
實施例7給出一個具體制備納米棒平行陣列的Ceo納米單晶組裝體實例。選用飽和的C60甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。用移液管將配置好的飽和C60的甲苯溶液0.3微升滴加到潔凈的不與溶液發(fā)生反應的硅片、玻璃片等基底上，形成一層溶液膜，將0.3微升的間二甲苯滴于液膜旁，將二者置于9cmX9cmX4cm的容器中，上方用玻璃板蓋上，于-54t:的溫度條件下，待18~20小時溶液揮發(fā)，就在硅片或玻璃片上得到由直徑為200 300nm的Ceo納米棒整齊平行排列的C6o納米單晶組裝體，即納米棒平行陣列的Ceo納米單晶組裝體。在10—spa壓強、120 15(TC的溫度下，加熱去除殘存溶劑得到具有面心立方結構的Ceo單晶組裝體，形狀和大小保持不變。
在溫度-60—48'C的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到納米棒平行陣列狀的C6o納米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在18~20小時。
實施例8給出一個具體制備微米管垂直陣列的Ceo納米單晶組裝體實例。選用飽和的C6o甲苯溶液作為母液，選用間二甲苯作為形狀控制劑。將2毫升飽和的Ceo甲苯溶液和0.5毫升間二甲苯溶液混合加入到口徑為1.5cm的稱量瓶中，將1cm*1cm的硅片或玻璃片平放到稱量瓶底，置于通風櫥中通風，待15~20分鐘溶液快速揮發(fā)后，就在硅片或玻璃片上得到微米管垂直陣列的C60納米單晶組裝體，單個微米管的直徑在2 5iJm的范圍之內(nèi)，單根微米管由直徑為300 500nm的C6o納米棒組成。在1()-spa壓強、120 150。C的溫度下，加熱去除殘存溶劑得到具有面心立方結構的Ceo單晶組裝體，形狀和大小保持不變。在溫度10 3(TC的溫度范圍內(nèi)使溶液揮發(fā)同樣可以得到微米管垂直陣列狀的Ceo納米單晶組裝體，只是相對應的揮發(fā)時間有所不同， 一般在10~20分鐘分鐘。
權利要求
1、一種不同形狀的C60納米單晶組裝體材料，其特征是，所述的C60納米單晶組裝體的基本組成單元是C60納米棒，C60納米棒的直徑為200～400nm；所述的C60納米單晶具有面心立方結構；C60納米單晶組裝體組裝在硅片或玻璃片的基底上，其形狀是由C60納米棒構成的微米管狀、微米棒狀、納米花簇狀、納米掃把狀或納米棒平行陣列。
2、 按照權利要求1所述的不同形狀的Cso納米單晶組裝體材料，其特征是， 所述的微米管狀的Ceo納米單晶組裝體是由排列成空心筒狀的Ceo納米棒構成， 長度為50~200|jm，外直徑為2~8|jm;所述的微米棒狀的060納米單晶組裝體 是由排列成實心束狀的Ceo納米棒構成，長度為30~100|jm，直徑為2~5jjm; 納米花簇狀的Ceo納米單晶組裝體是由從中心向四周幅射的Ceo納米棒組裝而 成，花簇的直徑為70 100ijm;納米掃把狀的C6o納米單晶組裝體是由從中心向 外幅射構成扇形的Cso納米棒組裝而成；納米棒平行陣列的Ceo納米單晶組裝體由C60納米棒平行排列的且平行基底表面組裝而成。
3、 一種不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料，其特征是，所述的Ceo納米 單晶組裝體的基本組成單元是C6o納米棒，Cso納米棒的直徑為300~500nm;所述的Ceo納米單晶具有面心立方結構；C60納米單晶組裝體組裝在硅片或玻璃片 的基底上，其形狀是由C60納米棒構成的微米管垂直陣列；所述的微米管垂直陣列的Ceo納米單晶組裝體是由直徑在2~5ym的微米管垂直基底表面組裝而成， 每根微米管由直徑為300~500nm的Ceo納米棒組成。
4、 一種權利要求1的不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料的制備方法，以 Ceo粉為原料，以甲苯為溶劑，以間二甲苯為形狀控制劑；經(jīng)制備母液、制備Ceo納米單晶組裝體和后處理的過程，制得C6(j納米單晶組裝體材料；所說的制備母 液，是將過量的C60粉放入甲苯溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜置，待過量的 Ceo粉完全沉淀后，移出上層的飽和的Ceo甲苯溶液即為母液；所說的制備C60 納米單晶組裝體，是將母液與形狀控制劑以體積比為3~1 : 1滴加在硅片或者玻 璃片基底上，將基底置于容器中，容器上方蓋上玻璃板，在-60 3(TC的溫度下溶液自然揮發(fā)，在基底上得到C60納米單晶組裝體；所說的后處理，是將Cso納米單晶組裝體在10—5Pa量級的壓強、120 150'C的溫度下去除晶體中殘存的溶劑，得到C60納米單晶組裝體材料。
5、 按照權利要求4所述的不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料的制備方法， 其特征是，在制備Cso納米單晶組裝體過程中，在10 30。C的溫度下溶液自然揮發(fā)，在基底上得到微米管狀的C60納米單晶組裝體。
6、 按照權利要求4所述的不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料的制備方法， 其特征是，在制備C60納米單晶組裝體過程中，在-5~5°C的溫度下溶液自然揮發(fā)， 在基底上得到微米棒狀的Ceo納米單晶組裝體。
7、 按照權利要求4所述的不同形狀的C60納米單晶組裝體材料的制備方法， 其特征是，在制備Ceo納米單晶組裝體過程中，在-25~-8。C的溫度下溶液自然揮發(fā)，在基底上得到納米花簇狀的C60納米單晶組裝體。
8、 按照權利要求4所述的不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料的制備方法， 其特征是，在制備C6o納米單晶組裝體過程中，在-35~-28。C的溫度下溶液自然揮發(fā)，在基底上得到納米掃把狀的C60納米單晶組裝體。
9、 按照權利要求4所述的不同形狀的C60納米單晶組裝體材料的制備方法， 其特征是，在制備C6o納米單晶組裝體過程中，在-60~-38。C的溫度下溶液自然 揮發(fā)，在基底上得到納米棒平行陣列的Cec)納米單晶組裝體。
10、 一種權利要求3的不同形狀的C6o納米單晶組裝體材料的制備方法， 其特征是，以Cso粉為原料，以甲苯為溶劑，以間二甲苯為形狀控制劑；經(jīng)制備 母液、制備Cso納米單晶組裝體和后處理的過程，制得Ceo納米單晶組裝體材料；所說的制備母液，是將過量的C60粉放入甲苯溶劑中并超聲震蕩，然后將溶液靜 置，待過量的Ceo粉完全沉淀后，移出上層的飽和的C60甲苯溶液即為母液；所說的制備C6o納米單晶組裝體，是將母液與形狀控制劑以體積比為5~3.5 : 1， 在容器中混合，將硅片或者玻璃片基底放入母液與形狀控制劑混合溶液中，在 10 3CTC溫度和通風條件下使混合溶液揮發(fā)，得到微米管垂直陣列的C6Q納米單 晶組裝體；所說的后處理，是將C60納米單晶組裝體在1(T5Pa量級的壓強、 120 150'C的溫度下去除晶體中殘存的溶劑，得到微米管垂直陣列的Ceo納米單 晶組裝體材料。
全文摘要
本發(fā)明的不同形狀的C₆₀納米單晶組裝體及其制備方法屬于單晶材料制備的技術領域。C₆₀納米單晶組裝體材料形狀是微米管狀、微米棒狀、納米花簇狀、納米掃把狀、納米棒平行陣列或微米管垂直陣列的C₆₀納米單晶組裝體，具有面心立方結構。選用飽和的C₆₀甲苯溶液作為母液，以間二甲苯為形狀控制劑，調(diào)節(jié)不同的環(huán)境溫度和揮發(fā)時間以控制材料的形狀。本發(fā)明能制備出各種形狀的C₆₀納米單晶組裝體；產(chǎn)物的形狀可以控制；方法操作簡單；產(chǎn)物為納米器件的應用提供有效的途徑，具有很好的應用前景。
文檔編號C30B7/06GK101649482SQ20091006755
公開日2010年2月17日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權日2009年9月21日
發(fā)明者劉冰冰, 劉德弟, 雯 崔, 李全軍, 李冬妹, 鄒廣田 申請人:吉林大學