專利名稱：晶片/帶狀晶體方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及帶狀晶體，更具體來講，本發(fā)明涉及由帶狀晶體形成的晶片的晶界。
背景技術(shù)：
諸如在美國專利No.4，689,109 ( 1987年出版并且唯一發(fā)明者為Emanuel M. Sachs)中所討論的線帶狀晶體(string ribbon crystal)可以形成各種電子器件的基礎(chǔ)。例如，馬薩諸塞州的馬爾堡(Marlborough,Massachusetts)的Evergreen Solar公司利用常規(guī)的線帶狀晶體來形成太陽能電池。
如在所述專利中更詳細(xì)討論的，傳統(tǒng)工藝通過使兩個或更多線穿過熔融的硅來形成線帶狀晶體。由于工藝的本性，線帶狀晶體通常生長有不規(guī)則的寬度。因此，晶體的長邊緣通常形成不規(guī)則的形狀，而沒有形成平滑的大體平的形狀。因此，當(dāng)被加工成太陽能電池時，與邊緣基本上平滑和平的情況相比，它們的間距通常與相鄰的晶片相距更遠(yuǎn)，由此降低了每單位面積內(nèi)的太陽能電池所產(chǎn)生的總能量。這種結(jié)果與使太陽能電池的每單位面積產(chǎn)生的電力最大化的目標(biāo)相悖。
另外，同樣因為這種不均勻生長，晶體中靠近邊緣的部分通常形
6成高密度的晶粒，因此形成高密度的晶界。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公 知的，晶界一般通過起到"電子陷阱"的作用降低了晶片的電效率。 此外，本領(lǐng)域的一些技術(shù)人員認(rèn)為小晶粒和不規(guī)則邊緣從審美觀點來 看是不合意的。
當(dāng)用于形成太陽能電池時，晶片通常具有用于發(fā)射電子的背面電 極。然而，由于邊緣的形狀波動并且相對未知，導(dǎo)致本領(lǐng)域的技術(shù)人 員通常沒有在晶片的大量面積上形成背面電極。相反地，本領(lǐng)域的技 術(shù)人員通常在晶片的較小面積內(nèi)形成背面電極；即，與晶片的邊緣相 隔相對大的距離。因此，這種實踐進(jìn)一步減小了晶片的整個電效率。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 一種加工帶狀晶體的方法提供了一種 線帶狀晶體，并且去除了所述線帶狀晶體的至少一個邊緣。
所述方法還可以去除具有邊緣的線，或者去除所述線和所述邊緣 之間的部分。另外，去除所述邊緣可以在晶體上形成基本上平的邊緣 或者不平的邊緣。所述方法還可以去除線帶狀晶體的兩個或更多邊緣。
除了去除至少一個邊緣之外，所述方法可以在去除了至少一個邊 緣之后將帶狀晶體分離成多個單個晶片。在形成晶片之后，所述方法 可以在至少一個晶片上形成背表面接觸?？晒┻x擇的，該方法可以首 先在去除線帶狀晶體的至少一個邊緣之前在線帶狀晶體上形成背表面 接觸，然后將帶狀晶體分離成多個單個晶片。在任一種情況下，去除 初始的邊緣形成了新邊緣，并且背表面接觸可以基本上延伸到新的邊 緣。然而，在其它實施例中，背表面接觸與新邊緣分隔開。
在其它的方式之中，還可以通過由熔融的硅(例如，多晶硅)生 長帶狀晶體來提供帶狀晶體。當(dāng)在生長時提供晶體時，去除邊緣可以 包括隨著帶狀晶體生長去除至少一個邊緣，或者在帶狀晶體完成生長
7之后去除邊緣。
所述方法優(yōu)選地在改進(jìn)最終器件性能方面去除帶狀晶體的邊緣。 例如，如果帶狀晶體具有晶界，則所述方法可以去除至少一部分晶界。
各種實施例由此形成具有包括較大晶粒的主體的線帶狀晶片。主 體還可以在至少一側(cè)上沒有線，并且具有基本上平的邊緣，或者在一 些實施例中具有不規(guī)則的圖案并且沒有線。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例， 一種加工帶狀晶體的方法提供了一 種線帶狀晶體，然后將晶體分離成多個晶片。在分離了晶體之后，所 述方法去除多個晶片中的至少一個晶片的至少一個邊緣。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例， 一種線帶狀晶片具有主體，所述主 體具有包括多個大晶粒和多個小晶粒的多個晶粒。多個大晶粒具有大
于晶片內(nèi)載流子擴(kuò)散長度的約2倍的最小外部尺寸。多個晶粒中的大 部分是大晶粒并且主體基本上沒有線。


從下面參照緊隨其后總結(jié)的附圖所討論的"具體實施方式
"中， 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該更全面地理解本發(fā)明的各種實施例的優(yōu)點。
圖1示意性示出本發(fā)明的示例性實施例的實施中可以使用的硅帶 狀晶體生長爐的局部剖視圖。
圖2示意性示出邊緣沒有被去除的線帶狀晶體的實例。
圖3示意性示出邊緣被去除的圖2中的線帶狀晶體的實例。 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成晶片的方法。
具體實施例方式
在示例性實施例中，晶片制造方法去除線帶狀晶體的邊緣，或者
8去除從線帶狀晶體切割的晶片的邊緣，以基本上減輕上述問題。具體 來講，在其他情況中，該方法還可以通常將晶體/晶片邊緣平坦化，并 且去除起到電子陷阱作用的較小晶粒中的至少一部分。因此，所得的 晶片1)具有改進(jìn)的電子特性，2)可以更靠近相鄰的晶片放置，并且 3)最大化背表面接觸的面積。另外，對于一些觀察者來說，去除較小 的晶粒應(yīng)該改進(jìn)了美學(xué)外觀。以下討論示例性實施例的細(xì)節(jié)。
圖1示意性示出可以實施本發(fā)明的示例性實施例的硅帶狀晶體生
長爐10的局部剖視圖。爐IO除了其它的之外具有殼體12，殼體12形 成基本上無氧(防止燃燒)的密封內(nèi)部空間。替代氧的是，內(nèi)部空間 具有某一濃度的另外氣體，例如氬，或者氣體的組合。殼體內(nèi)部空間 除了其它的之外包括坩堝14和用于基本上同時生長四種硅帶狀晶體16 的其它組件。帶狀晶體16可以是多種晶體類型中的任意一種，例如多 晶、單晶、聚晶、微晶或半晶。殼體12中的進(jìn)料口 18提供了用于將 硅原料導(dǎo)向內(nèi)部坩堝14的裝置，而可選的窗16允許觀察內(nèi)部組件。
應(yīng)該注意的是，對于硅帶狀晶體16的討論是示例性的，并不意在 限制本發(fā)明的所有實施例。例如，晶體16可以由除了硅之外的材料形 成，或者由硅和某個其它材料的組合形成。
殼體20內(nèi)的內(nèi)部平臺20支撐坩堝14。坩堝14的該實施例具有伸 長的形狀，并且具有用于沿著其長度方向以并排布置的方式生長硅帶 狀晶體16的區(qū)域。在示例性實施例中，坩堝14由石墨形成，并且被 以電阻方式加熱至某一溫度，從而能夠使硅保持在其熔點之上。為了 改進(jìn)結(jié)果，坩堝14的長度比其寬度大得多。例如，坩堝14的長度可 以是其寬度的三倍或四倍。當(dāng)然，在一些實施例中，坩堝14沒有采用 這種方式伸長。例如，坩堝14可以具有略方的形狀或者異形的形狀。 穿過坩堝14的線孔(未示出)使得這些線能夠通過熔融的硅，由此形 成晶體16。
9圖2示意性示出由圖1中所示的爐IO生成的線帶狀晶體16的實
例。該帶狀晶體16仍然具有其初始的邊緣24，隨著晶體16在坩堝14 中從熔融的硅緩慢拉出而形成該邊緣24。如圖所示，未按比例繪制的 帶狀晶體16的邊緣24的形狀不規(guī)則。然而，在一些實施例中，初始 的邊緣24的形狀不是不規(guī)則的。相反地，在這類實施例中，邊緣24 大體是平的并且大體與帶狀晶體16的線26 (其后討論)平行。
圖2還示出了一對線26，該對線26通常被硅包封。雖然附圖示出 了線26和它們各自邊緣24之間存在大的區(qū)域，但是預(yù)期的是，線26 將非常接近它們各自的邊緣24，因此有效地形成了邊緣24。圖2還示 出了標(biāo)識最終要產(chǎn)生的晶片28的邊界的虛線。常規(guī)方法是沿著虛線進(jìn) 行切割，以形成每個晶片28。每個晶片28還具有背表面接觸30。如 其命名所暗示的，背表面接觸30形成在帶狀晶體16的一側(cè)上，而這 一側(cè)最終將成為晶片28的背表面(即，如果用作太陽能電池的話)。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的帶狀晶體的邊緣24減少了最終由帶狀晶 體16形成的晶片28內(nèi)的載流子的遷移率。結(jié)果，當(dāng)用于需要載流子 遷移率的各種應(yīng)用，例如，太陽能電池時，與不具有這類邊緣24的情 況相比，現(xiàn)有技術(shù)的帶狀晶體的電效率將會更低。為了克服這個問題 和其它問題，發(fā)明人采取的方法是與被認(rèn)為與傳統(tǒng)思維相反的方法， 他們?nèi)コ吘?4中的至少一部分。因此，發(fā)明人去除產(chǎn)生高濃度晶界 的較小晶粒中的一些。在隨后的測試中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)去除邊緣24提高 了太陽能電池的電效率(例如，載流子遷移率)，這對于光伏的可行 性是至關(guān)重要的。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員認(rèn)識到與去除邊緣相關(guān)的顯著不利因素。除了 其它的之外，去除任一個邊緣24去除了大量的多晶硅，而多晶硅目前 的供應(yīng)量低并且具有相應(yīng)的高成本。但是，發(fā)明人驚奇地發(fā)現(xiàn)所實 現(xiàn)的效率的提高遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過抵銷與去除邊緣造成的材料損失相關(guān)的成 本。
10另外，去除任一個邊緣24需要額外的工藝步驟或者多個額外的步 驟，這進(jìn)一步增加了生產(chǎn)成本。事實上，執(zhí)行該工藝所要求的額外的 步驟/切割增加了晶體破裂的可能性，由此降低了生產(chǎn)率。此外，發(fā)明
人相信，減小帶狀晶體16的寬度和/或去除線26可以導(dǎo)致另外的破裂/
生產(chǎn)率問題。盡管存在與它們的解決方案相悖的這些和其它阻礙教導(dǎo)，
但是發(fā)明者去除邊緣24，從而發(fā)現(xiàn)了該改進(jìn)的益處。
在去除了邊緣24 (和線26，在一些情況下)之后，剩下的帶狀晶 體16留有大部分為大晶粒的晶粒。具體來講，當(dāng)晶粒具有大于晶體16 內(nèi)的載流子(例如，空穴和電子)的擴(kuò)散長度約2倍的最小外部尺寸 時，晶粒被認(rèn)為是"大"的。例如，最小外部尺寸是載流子擴(kuò)散長度 的約2至5倍的晶粒應(yīng)該足夠的。最小外部尺寸大于約3倍的晶粒應(yīng) 該提供更好的結(jié)果。事實上，預(yù)料到的是，較大的晶粒尺寸，即甚至 載流子擴(kuò)散長度的五倍或更多倍，應(yīng)該提供更好的結(jié)果。
因此，在示例性實施例中，保留在晶體16中的所有晶粒中的絕大 部分是大晶粒，只留下痕量(trace amount)的小晶粒。然而，其它實 施例可以具有不止痕量的小晶粒。在任一種情況下，去除步驟優(yōu)選地 去除了絕大多數(shù)的小晶粒，這些小晶粒通常聚集在線26周圍。
至此，圖3示意性示出兩個邊緣24都被去除的圖2中的帶狀晶體 16。如圖所示，帶狀晶體16的(新)邊緣(由附圖標(biāo)記32標(biāo)識)基 本上是平的。然而，在可選實施例中，新邊緣32可以是不平的形狀或 者不規(guī)則的形狀。在任一種情況下，當(dāng)與邊緣24被去除之前的帶狀晶 體16比較時，圖3中的帶狀晶體16基本上不具有小晶?；蛘呔哂袠O 少的小晶粒。另外，背表面接觸30均延伸到帶狀晶體16的新邊緣32。
圖2和圖3中的帶狀晶體16只是多個不同實施例中的一個示例。 例如，可以在將帶狀晶體分離/切割成單個晶片28之后添加背表面接觸30，和/或背表面接觸30可以不延伸到新邊緣32。作為另一個實例， 可以只去除一個邊緣24，和/或可以在將帶狀晶體16分離/切割成單個 晶片28之后去除邊緣24。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以基于最終的加工和應(yīng) 用需要和優(yōu)選項來選擇合適的特征組合。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成晶片28的方法。應(yīng)該 注意的是，該方法是形成晶片28的整體工藝的簡化總結(jié)，因此不包括 可以包括的多個其它步驟，例如晶片測試和某些設(shè)備和硅的準(zhǔn)備。此 外，可以以不同的次序來執(zhí)行一些步驟，或者在一些情況下可以省略 一些步驟。
為了簡便起見，該說明書省略了包括由熔融的材料生長晶體的細(xì) 節(jié)的多個步驟。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以參照傳統(tǒng)的線帶狀技術(shù) 作為圖4中所討論的技術(shù)的附屬。除了其它的之外，本領(lǐng)域的技術(shù)人 員可以參照共同待審的美國專利申請No.11/741，372 (美國專利公布 No.2008/0134964)和共同待審的美國專利申請No. 11/925,169 (美國專 利公布No.2008/0102605)作為附加信息。這些公布的申請都全部以引 用的方式并入這里。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以參照MA的Marlboro的 Evergreen Solar公司使用的各種工藝，以進(jìn)一步實施各種實施例。圖4 中的步驟可以與并入的專利申請所討論的工藝或者其它常規(guī)的線帶狀 晶體形成工藝結(jié)合。
還應(yīng)該注意的是，對于圖4中該方法的討論不意在被理解為是形 成晶片28以使其具有所需特性的唯一方法。本領(lǐng)域的技術(shù)人員因此可 以根據(jù)需要修改該工藝。
當(dāng)帶狀晶體生長爐10從熔化材料拉出帶狀晶體16時，該方法開 始。具體來講，在步驟400中，該方法確定在去除一個或兩個邊緣24 之前還是之后向帶狀晶體16添加背表面接觸30 (為了簡便起見，該方 法用單數(shù)形式將一個或兩個邊緣24稱為"邊緣24")。在一些情況下，如果在去除了邊緣24之后形成背表面接觸30，則背表面接觸30會在 新邊緣32周圍延伸，這會造成短路，這是不期望發(fā)生的。因此，應(yīng)該 在進(jìn)行該確定時考慮這種可能性。
如果步驟400確定了首先要形成背表面接觸30，則該方法繼續(xù)前 進(jìn)到步驟402，在步驟402中向帶狀晶體16添加背表面接觸30。除了 其它方式之外，常規(guī)工藝還可以將背表面接觸30絲網(wǎng)印刷到帶狀晶體 16的一側(cè)上。例如，可以將背表面接觸30絲網(wǎng)印刷到帶狀晶體16上， 形成為如圖2和圖3所示的多個分離的塊，或者形成為跨越超過一個 晶片28的實心塊。
在完成了步驟402之后，或者，如果在步驟400中在去除邊緣24 之前沒有在帶狀晶體16上形成背表面接觸30，則該方法在步驟404中 確定是否在處于帶狀晶體的形式中時去除邊緣24。換言之，該方法可 以在帶狀晶體16分離成單個晶片28之前或者之后去除邊緣24。
如果在處于帶狀晶體狀態(tài)/形式時不去除邊緣24，則該方法沿著圖 2中的虛線分離帶狀晶體16，從而形成單個晶片28 (步驟406)。至 此，常規(guī)的切割或切片工藝可以沿著圖2和圖3中所示的虛線切割帶 狀晶體。例如，激光可以沿著虛線進(jìn)行切割，如以上并入的專利申請 中所討論的。
然后，該方法繼續(xù)前進(jìn)到步驟408，在步驟408中，去除帶狀晶體 16 (如果從步驟404開始)或晶片28 (如果從步驟406開始)的一個 或兩個邊緣24。至此，當(dāng)去除給定邊緣24時，常規(guī)的切割/切片工藝 可以去除整個線26和線內(nèi)側(cè)的許多其它較小的晶粒(如果有的話)。 實驗工藝可以確定去除線26內(nèi)側(cè)多遠(yuǎn)的邊緣24。
然而，預(yù)料到的是，在一些情況下，去除裝置(例如，激光器或 鋸)可以沿著直線進(jìn)行切割，而線26可以不是從晶體16的頂部到底
13部非常筆直地放置。以對應(yīng)的方式，線可以比切口更直。因此，去除 步驟會在晶體16中留下線26的一部分。為了避免出現(xiàn)這種情況，根 據(jù)需要，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以選擇切割線內(nèi)側(cè)合適的距離的帶狀晶
體16 (或者晶片28，視情況而定)。
可供選擇地，在各種實施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)置晶體 16的寬度，并且從晶體16的大體縱向部分外側(cè)進(jìn)行測量。例如，為了 生產(chǎn)出寬度為約100毫米的晶體16，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以從晶體16 的大體縱向部分開始沿著大體平行的線切割約50毫米。
如果帶狀晶體16生長成在線26外側(cè)具有大量的面積，則一些實 施例可以去除線26外側(cè)的晶體16的部分，由此保持晶體16中的線26。 但是，預(yù)料到的是，去除這種晶體16中的線26將生產(chǎn)出更有效的晶 片。應(yīng)該注意的是，采用所討論的技術(shù)和所描述的方式產(chǎn)生的晶片被 認(rèn)為是線帶狀晶片，即使線26被局部或全部去除。
該方法可以采用多種不同的方式來執(zhí)行步驟408。具體來講，如果 在處于帶狀晶體形式時去除邊緣24，則當(dāng)帶狀晶體16生長時該方法可 以自動進(jìn)行處理。例如，爐IO可以被改進(jìn)以包括鋸或激光器(未示出)， 以實時地從正在生長的帶狀晶體16中去除邊緣24?？晒┻x擇的，可以 首先將帶狀晶體16手動劃線，以將其從爐10去除，然后手動或自動 地將其移動到以預(yù)定方式切割邊緣24的另一個機(jī)器中。當(dāng)然，通過操 作者對帶狀晶體16的邊緣24進(jìn)行手動劃線來去除邊緣24。以類似的 方式，如果已經(jīng)處于晶片形式，則該方法可以使用自動裝置和手動裝 置中的任一者來去除邊緣24。
因此，去除一個或兩個邊緣24的步驟去除了較小的晶粒(即，具 有高晶粒密度的區(qū)域)。這樣在所得的晶片28中應(yīng)該留下了相對較大 的晶粒，由此提高了電效率。該方法的結(jié)尾是如果還沒有添加背表面接觸特征，則根據(jù)其形 式向帶狀晶體16或晶片28添加背表面接觸30 (步驟410);如果沒
有還處于晶片形式，則將帶狀晶體16分離成晶片28 (步驟412)。
應(yīng)該注意的是，在太陽能電池的整個制造過程中，可以在多個不 同的點形成背表面接觸30。例如，該方法可以在執(zhí)行任何制造步驟之 前添加背表面接觸30，或者在執(zhí)行多個太陽能電池制造步驟(未討論) 之后添加背表面接觸30。
因此，示例性實施例生成了具有基本上平的邊緣32的晶片28，所 述晶片28具有極少的晶界區(qū)或者沒有晶界區(qū)。這些平邊緣32可以與 它們相鄰的側(cè)形成大致90度的角度(即，最終晶片28的頂部邊緣和 新的側(cè)邊緣32的交叉)。可供選擇地，或者除此之外，這些平邊緣32 可以與它們相鄰的側(cè)邊形成銳角和/或鈍角。此外，這類實施例可以形 成具有多種形狀(例如，不規(guī)則形狀)的新邊緣32。
結(jié)果，如上所述，除了對于一些觀察者來說提高美學(xué)外觀之外， 許多這類晶片28應(yīng)該1)由于去除了靠近晶粒邊緣的高晶粒密度中的 許多而具有改進(jìn)的電特性，2)可以更靠近相鄰的晶片放置，并且3) 最大化背表面接觸30的面積。
雖然以上討論公開了本發(fā)明的各種示例性實施例，但是應(yīng)該清楚 的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的真實范圍的情況下進(jìn) 行各種修改，這些修改將實現(xiàn)本發(fā)明的一些優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種加工帶狀晶體的方法，所述方法包括提供線帶狀晶體；以及去除所述線帶狀晶體的至少一個邊緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個邊緣包括線，所述去除包括去除所述一個邊緣的所述線的大部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述去除包括在所述線帶狀晶體上形成基本上平的邊緣。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述去除包括在所述線帶 H本上形成不平的邊緣。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述去除包括去除所述線 ^晶體的兩個邊緣。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，每個邊緣包括線，所述去 除包括基本上完全去除所述邊緣的所述線。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在去除所述線帶狀晶體的至少一個邊緣之后，將所述帶狀晶體分 離成多個單個晶片。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在去除所述線帶狀晶體的至少一個邊緣之前，在所述線帶狀晶體 上形成背表面接觸，在形成所述背表面接觸之后，將所述帶狀晶體分離成多個單個晶片。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在所述晶片中的至少一個上形成背表面接觸，其中所述去除形成 新邊緣，所述背表面接觸基本上延伸到所述新邊緣。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在所述晶片中的至少 一個上形成背表面接觸，其中所述去除形成新邊緣，所述背表面接觸 與所述新邊緣分隔。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述提供包括從熔融的 硅生長所述帶狀晶體，所述去除包括隨著所述帶狀晶體生長去除所述 至少一個邊緣。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述提供包括從熔融的 硅生長所述帶狀晶體，所述去除包括在所述帶狀晶體完成生長之后去 除所述至少一個邊緣。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個邊緣包括 線，所述去除包括去除所述一個邊緣的所述線的基本上全部。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述帶狀晶體包括多個大晶粒、多個小晶粒和多個載流子，所述多個載流子具有擴(kuò)散長度， 所述多個大晶粒具有最小外部尺寸，所述最小外部尺寸大于所述載流子的所述擴(kuò)散長度的約2倍，所述去除包括在所述帶狀晶體中留下所述大晶粒中的大部分并且從所述帶狀晶體中去除所述小晶粒中的大部 分。
15. —種線帶狀晶片，包括主體，所述主體包括多個晶粒，所述多個晶粒包括多個大晶粒和 多個小晶粒，所述主體還具有多個載流子，所述多個載流子具有擴(kuò)散長度， 所述多個大晶粒具有最小外部尺寸，所述最小外部尺寸大于所述 載流子的所述擴(kuò)散長度的約2倍，所述多個晶粒中的大部分是大晶粒， 所述主體基本上沒有線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的線帶狀晶片，其中，所述多個大晶粒 的外部尺寸在所述載流子的所述擴(kuò)散長度的約2至5倍之間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的線帶狀晶片，其中，所述主體包括基 本上平的邊緣。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的線帶狀晶片，其中，所述主體包括具 有不規(guī)則圖案的邊緣。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的線帶狀晶片，還包括具有背表面接觸 的背面。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的線帶狀晶片，其中，所述主體具有至 少一個邊緣，所述背表面接觸延伸到所述邊緣。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的線帶狀晶片，其中，所述主體具有至 少一個邊緣，所述背表面接觸與所述邊緣分隔。
22. —種加工帶狀晶體的方法，所述方法包括 提供線帶狀晶體；將所述線帶狀晶體分離成多個晶片；以及 去除所述多個晶片中的至少一個晶片的至少一個邊緣。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述去除包括去除所述至少一個邊緣的線。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述去除包括在所述多 個晶片中的所述至少一個晶片上形成基本上平的邊緣。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述去除包括在所述多 個晶片中的所述至少一個晶片上形成不平的邊緣。
26. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述去除包括去除所述 多個晶片中的所述至少一個晶片的兩個邊緣。
27. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括在所述多個晶片中的所 述至少一個晶片上形成背表面接觸。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述形成包括在去除所 述至少一個邊緣之前形成所述背表面接觸。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述形成包括在去除所 述至少一個邊緣之后形成所述背表面接觸。
30. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述至少--個晶片包括 線，所述去除包括去除所述線的基本上全部。
31. —種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法形成的產(chǎn)品。
全文摘要
一種加工帶狀晶體的方法提供了一種線帶狀晶體，并且去除了所述線帶狀晶體的至少一個邊緣。
文檔編號C30B15/00GK101688322SQ200880023563
公開日2010年3月31日 申請日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日
發(fā)明者安德魯·加博爾 申請人:長青太陽能股份有限公司