專利名稱：晶片封裝體及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體及其形成方法，且特別是有關(guān)于光電元件晶片封裝體及其形成方法。
背景技術(shù)：
光感測元件或發(fā)光元件等光電元件在擷取影像或提供光線的應(yīng)用中扮演著重要的角色。這些光電元件均已廣泛地應(yīng)用于例如是數(shù)字照相機(digital camera)、數(shù)字攝像機(digital video recorder)、手機(mobile phone)、太陽能電池、屏幕、照明設(shè)備等的電子廣品中。隨著科技的演進，對于光感測元件的感測精準度或發(fā)光元件的發(fā)光精準度的需求亦隨之提聞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光電元件，形成于該基底之中；一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底之上，其中該導(dǎo)電層電性連接該光電兀件；一絕緣層，設(shè)置于該基底與該導(dǎo)電層之間；一第一遮光層，設(shè)置于該基底的該第二表面之上；以及一第二遮光層，設(shè)置于該第一遮光層之上，且直接接觸該第一遮光層，其中一接觸界面介于該第一遮光層與該第二遮光層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且電性接觸該導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一保護層，設(shè)置于該基底的該第二表面與該第一遮光層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且穿過該保護層而電性接觸該導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸，其中該絕緣層延伸于該穿孔的一側(cè)壁上，且延伸至該基底的該第二表面上，且該導(dǎo)電層延伸至該穿孔中的該絕緣層之上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一間隔層，設(shè)置于該基底與該透明基底之間，其中該間隔層、該基底及該透明基底共同于該光電元件之上圍繞出一空腔。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該第一遮光層的材質(zhì)與該第二遮光層的材質(zhì)相同。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括至少一第三遮光層，設(shè)置于該第二遮光層之上。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該至少一第三遮光層直接接觸該第二遮光層。本發(fā)明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中該基底之中形成有至少一光電兀件；于該基底上形成一絕緣層；于該基底上的該絕緣層之上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性連接該至少一光電元件；于該基底的該第二表面上形成一第一遮光層；以及于該第一遮光層上形成一第二遮光層，其中該第二遮光層直接接觸該第一遮光層，且一接觸界面介于該第一遮光層與該第二遮光層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，形成該第一遮光層的步驟包括于該基底的該第二表面上涂布一高分子溶液以形成一遮光材料層；以及對該遮光材料層進行一曝光制程及一顯影制程以形成該第一遮光層。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，在形成該第二遮光層之前，還包括將該第
一遮光層硬化。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，將該第一遮光層硬化的步驟包括對該第一遮光層進行一加熱制程。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該加熱制程包括將該第一遮光層的溫度提 升至150°C至250°C之間，并維持15分鐘至I小時。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，形成該第二遮光層的步驟包括于硬化后的該第一遮光層上涂布一第二高分子溶液以形成一第二遮光材料層；以及對該第二遮光材料層進行一曝光制程及一顯影制程以形成該第二遮光層。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括將該第二遮光層硬化，其中將該第二遮光層硬化的步驟包括對該第二遮光層進行一加熱制程。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該第二遮光層之上，形成一第三遮光層。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該基底與該遮光層之間形成一保護層；以及在形成該第一遮光層之前，將該保護層平坦化。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括沿著該基底上的多個預(yù)定切割道進行一切割制程以形成彼此分離的多個晶片封裝體。本發(fā)明通過遮光層阻擋及/或吸收外界的光線而可使晶片封裝體的運作更為順利，且本發(fā)明具有多層彼此直接接觸的遮光層而可使遮光層的整體厚度提升。


圖IA及IB分別顯示本發(fā)明發(fā)明人所知的一種晶片封裝體的剖面圖及其局部放大圖。圖2A-2B顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖3A-3B顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖4A-4C顯示根據(jù)本發(fā)明又一實施例的晶片封裝體的剖面圖。附圖中符號的簡單說明如下10 :晶片封裝體；100 :基底；IOOaUOOb :表面；102 :光電元件；104 :絕緣層；105 透鏡；106 :導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；108 :間隔層；109 :空腔；110 :基底；112 :穿孔；114 :絕緣層；115 保護層；115a :填充物；116 :導(dǎo)電層;118a、118b、118c :遮光層;119、119a、119b :界面；120 導(dǎo)電凸塊；SC :切割道。
具體實施例方式以下將詳細說明本發(fā)明實施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定形式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標號或標示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間必然具有任何關(guān)連性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
本發(fā)明一實施例的晶片封裝體可用以封裝光電元件，例如光感測元件或發(fā)光元件。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digitalor analog circuits)等集成電路的電子兀件(electronic components),例如是有關(guān)于光電兀件(opto electronic devices)、微機電系統(tǒng)(Micro Electro MechanicalSystem;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(waferscale package;WSP)制程對影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes;LEDs)、太陽能電池(solar cells)、射頻元件(RF circuits)、加速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro actuators)、表面聲波兀件(surface acoustic wavedevices)、壓力感測器(process sensors)、噴墨頭(ink printer heads)或功率金氧半電晶體晶片(power MOSFET chips)等半導(dǎo)體晶片進行封裝。其中上述晶圓級封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨立的封裝體，然而，在一特定實施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于借堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。在一實施例中，上述切割后的封裝體為一晶片尺寸封裝體(CSP, chip scale paclage)。晶片尺寸封裝體(CSP)的尺寸可僅略大于所封裝的晶片。例如，晶片尺寸封裝體的尺寸不大于所封裝晶片的尺寸的120%。圖IA及IB分別顯示本申請發(fā)明人所知的一種晶片封裝體的剖面圖及其局部放大圖。應(yīng)注意的是，圖IA及IB所顯示的晶片封裝體僅用以說明本申請發(fā)明人所發(fā)現(xiàn)的問題，其并非本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識。如圖IA所示，晶片封裝體可包括基底100?；?00中形成有光電元件102。光電元件102可通過導(dǎo)線層(未顯示)而與設(shè)置于基底100的表面IOOa上的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106電性連接。導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106例如設(shè)置于基底100的表面IOOa上的絕緣層104之中。基底100的表面IOOa上還可設(shè)置有基底110?；?10與基底100之間可由間隔層108隔開。間隔層108、基底100及基底110可共同于光電元件102上圍繞出空腔109。光電元件102上的空腔109中可設(shè)置有透鏡105?；?00中可形成有由表面IOOb朝表面IOOa延伸的穿孔112，其可露出導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106。穿孔112的側(cè)壁上可形成有絕緣層114及導(dǎo)電層116。絕緣層114及導(dǎo)電層116可延伸至基底100的表面IOOb之上。基底100的表面IOOb上可設(shè)置有保護層115及導(dǎo)電凸塊120。保護層115可為防焊層，其例如是綠漆。導(dǎo)電凸塊120可通過導(dǎo)電層116而電性連接導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106。保護層115之上可設(shè)置有遮光層118以避免外界的光線進入基底100而影響光電元件102的運作。然而，形成于保護層115上的遮光層118可能會受到其下保護層115的影響而產(chǎn)生裂痕或孔洞。裂痕或孔洞的存在可導(dǎo)致外界光線穿過遮光層118而進入基底100中而影響光電元件102的運作。圖IB顯示圖IA的晶片封裝體的局部放大圖。由于保護層115通常具有高應(yīng)力，因此容意產(chǎn)生裂痕，并導(dǎo)致上方的遮光層118中亦隨之產(chǎn)生裂痕。再者，如圖IB所示，由于形成于導(dǎo)電層116上方的遮光層118通常毯覆式形成于保護層115之上，因此受到下方材料層輪廓的影響，位于導(dǎo)電層116上方的遮光層118厚度較薄，因而更容易產(chǎn)生裂痕或孔洞。此外，保護層115中常填充有填充物(filler) 115a。填充物115a可能使遮光層118更易破裂而導(dǎo)致漏光，尤其是遮光層118的厚度較薄的部分。為了改善遮光層118易漏光的問題，本發(fā)明實施例提出新穎的晶片封裝體及其制作方法如下。圖2A-2B顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標號用以標示相同或相似的元件。本發(fā)明實施例的晶片封裝體例如可以(但不限于)晶圓級封裝制程制作以節(jié)省制程成本與時間，并可確保封裝品質(zhì)。在一實施例中，晶片封裝體的制程包括了前段晶片制程及后段封裝制程。通過例 如是沉積、蝕刻、顯影等前段(front end)半導(dǎo)體制程，可以在晶圓上完成各種形式的集成電路的制作。之后，可對此完成集成電路制作的晶圓進行后段晶圓級封裝制程，再進行后續(xù)切割步驟以完成晶片尺寸的封裝體。如圖2A所示，首先在前段晶片制程中，提供基底100，其例如為半導(dǎo)體基底。在一實施例中，基底100包括半導(dǎo)體材料，其例如為半導(dǎo)體晶圓(如硅晶圓)。對基底100進行晶圓級封裝可以節(jié)省制程時間與成本?；?00具有表面IOOa與100b。表面IOOa與IOOb例如彼此相反。基底100上可具有多個預(yù)定切割道SC，其將基底100劃分成多個(晶粒)區(qū)域。在后續(xù)封裝制程與切割制程之后，每一區(qū)域?qū)⒎庋b于一晶片封裝體之中。如圖2A所示，在一實施例中，基底100中形成有光電元件102。光電元件102可包括(但不限于)影像感測元件或發(fā)光元件。影像感測元件例如是互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像感測元件(CIS)或電荷I禹合元件(charge-coupled device,CO))感測元件,而發(fā)光元件例如是發(fā)光二極管元件。光電元件102例如可與形成于表面IOOa上的絕緣層104中的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106電性連接，并可通過導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106而與其他導(dǎo)電通路連結(jié)。導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106可為多個彼此堆疊的導(dǎo)電墊、單一導(dǎo)電墊或至少一導(dǎo)電墊與至少一層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)所組成的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。在完成前段晶片制程之后，接續(xù)可進行后段封裝制程。在一實施例中，可于光電元件102上設(shè)置輔助光學(xué)元件，例如是透鏡105。例如，可將透鏡105設(shè)置于絕緣層104之上，并使之大抵對齊于光電元件102。透鏡105可用以輔助光線的進入及/或發(fā)射。透鏡105例如可為微透鏡陣列。在一實施例中，可選擇性于透鏡105上設(shè)置彩色濾光片(未顯示)。彩色濾光片例如可設(shè)置于透鏡105與光電兀件102之間。接著，可選擇性于基底100的表面IOOa上設(shè)置基底110。基底110例如為透明基底，如玻璃基底、石英基底、透明高分子基底或前述的組合。在一實施例中，基底110的尺寸與形狀可相似于基底100。在一實施例中，基底100與基底110之間可選擇性以間隔層108隔開。間隔層108可先形成于基底110或基底100之上。間隔層108例如可為絕緣材料，如高分子材料、陶瓷材料或前述的組合。在一實施例中，間隔層108、基底100及基底110可共同于光電元件102上圍繞出空腔109。透鏡105可處于空腔109之中而不接觸基底110。接著，可選擇性薄化基底100的厚度以利后續(xù)制程的進行。例如，可以基底110為支撐，自基底100的表面IOOb進行薄化制程以將基底100薄化至適合的厚度。薄化制程例如可為機械研磨、化學(xué)機械研磨、蝕刻制程或前述的組合。在一實施例中，可接著于基底100上形成電性連接至導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106的導(dǎo)電層。在一實施例中，可于基底100中形成電性連接導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106的穿基底導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。例如，可例如以光刻及蝕刻制程自基底100的表面IOOb移除部分的基底100以形成朝導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106延伸的穿孔112。在一實施例中，可移除部分的絕緣層104而使導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106露出。接著，可于基底100的表面IOOb上形成絕緣層114。絕緣層114例如是氧化硅、氮化硅、氮 氧化硅、高分子材料或前述的組合。絕緣層114例如可以氣相沉積法、涂布法或熱氧化法形成。絕緣層114可延伸進入穿孔112而位于穿孔112的側(cè)壁與底部上。接著，可通過光刻及蝕刻制程移除穿孔112底部的絕緣層114而使部分的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106露出。接著，于基底100的表面IOOb上形成導(dǎo)電層116。導(dǎo)電層116可延伸進入穿孔112之中而電性接觸穿孔112所露出的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106。導(dǎo)電層116的材質(zhì)例如為(但不限于)金屬材料，如銅、鋁、金、鎳、鎢或前述的組合等。導(dǎo)電層116例如可由物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、無電鍍或前述的組合而形成。在一實施例中，可通過光刻及蝕刻制程將導(dǎo)電層116依需求圖案化。接著，可于導(dǎo)電層116上形成保護層115。保護層115可為防焊材料，例如是綠漆。在一實施例中，可通過曝光制程及顯影制程將保護層115圖案化以形成露出導(dǎo)電層116的開口。在一實施例中，可將保護層115平坦化以使后續(xù)制程更為順利。例如，可通過機械研磨或化學(xué)機械研磨將保護層115平坦化。如圖2A所示，在形成導(dǎo)電層116之后，在表面IOOb及導(dǎo)電層116上形成遮光層118a。在一實施例中，可于基底100的表面IOOb上涂布用以形成遮光層118a的溶液(例如，高分子溶液)以形成遮光材料層。接著，可將遮光材料層依需求圖案化以形成遮光層118a。例如，遮光材料層可為可圖案化的材料層，如光阻層(如黑色光阻層)。因此，可對遮光材料層進行曝光制程及顯影制程以形成具所需圖案的遮光層118a。在一實施例中，遮光層118a可為一負型光阻層。在一實施例中，遮光層118a可具有至少一露出導(dǎo)電層116的開口。在一實施例中，遮光層118a的遮光率可大于約80%。例如，遮光層118的遮光率可介于809Γ99. 9%之間、859Γ99. 5%或90% 99%之間。通常，遮光層118a的遮光率是指對可見光及/或紅外光的遮光程度。然在其他應(yīng)用中，遮光層118a的遮光率可指對紫外光、X光或其他波長更短的輻射光的遮光程度。遮光層118a可有助于阻擋及/或吸收來自晶片封裝體外部的光線，尤其是來自基底100的表面IOOb后的光線，因而可有利于光電元件102的運作。例如，當光電元件102為影像感測元件時，遮光層118a可擋住及/或吸收來自基底100的表面IOOb的光線而避免造成影像噪聲。或者，當光電元件102為發(fā)光元件時，遮光層118a可擋住及/或吸收來自基底100的表面IOOb的光線而避免晶片封裝體所發(fā)出的光線的波長及/或強度受到外界光線的影響。然而，單層的遮光層118a可能受到下方的保護層115的影響而導(dǎo)致裂縫、缺陷、及/或孔洞于遮光層118a中產(chǎn)生。如圖IB所示，遮光層可能具有厚度較薄的部分，且此厚度較薄的部分容易受到下方保護層的影響而具有裂縫、缺陷、及/或孔洞。如此，單層的遮光層118a將無法有效地阻擋及/或吸收來自晶片封裝體外部的光線。為了解決上述問題，在一實施例中，可于遮光層118a上進一步形成遮光層118b。遮光層118b可直接接觸遮光層118a，且接觸界面119介于遮光層118a與遮光層118b之間。在另一實施例中，可于遮光層118b上形成其他遮光層。遮光層118a及遮光層118b可共同阻擋及/或吸收來自晶片封裝體外部的光線以確保光電元件102的運作順利。在一實施例中，遮光層118a的材質(zhì)可與遮光層118b的材質(zhì)相同。在另一實施例中，遮光層118a的材質(zhì)可不同于遮光層118b的材質(zhì)。在一實施例中，可于遮光層118a上涂布用以形成遮光層118b的溶液(例如，高分子溶液)以形成遮光材料層。接著，可將遮光材料層依需求圖案化以形成遮光層118b。例如，遮光材料層可為可圖案化的材料層，如光·阻層(如黑色光阻層)。因此，可對遮光材料層進行曝光制程及顯影制程以形成具所需圖案的遮光層118a。在一實施例中，若于遮光層118a上涂布用以形成遮光層118b的溶液(例如，高分子溶液)以形成遮光材料層，可能會產(chǎn)生缺陷而影響光電元件102的運作。為了避免上述缺陷的產(chǎn)生，在一實施例中，可于形成遮光層118b之前，將遮光層118a硬化。在一實施例中，可通過加熱、照光或化學(xué)反應(yīng)等手段而將遮光層118a硬化。例如，在一實施例中，可對遮光層118a進行加熱制程以將遮光層118a硬化。例如，可將遮光層118a的溫度提升至約150°C至約250°C之間，并維持例如約15分鐘至約I小時。在一實施例中，加熱制程是將遮光層118a置于烘箱中以約200°C的溫度烘烤約30分鐘。在一實施例中，可于硬化后的遮光層118a上涂布用以形成遮光層118b的溶液(例如，高分子溶液)以形成遮光材料層。接著，可將遮光材料層依需求圖案化以形成遮光層118b。在此情形下，所形成的遮光層118a及遮光層118b中均不易產(chǎn)生缺陷，有助于光電元件102的運作。這可能是因為遮光層118a在硬化后，不易受到用以形成遮光層118b的溶液的溶解，因而可降低缺陷生成的機率。在一實施例中，亦可對遮光層118b進行硬化制程，例如是加熱制程。應(yīng)注意的是，經(jīng)由本申請發(fā)明人的研究可發(fā)現(xiàn)，加熱制程的溫度與時間需足夠，方能有效提升遮光層的整體厚度，并可減少缺陷的產(chǎn)生。接著，可于保護層115的開口中設(shè)置導(dǎo)電凸塊120。在一實施例中，可于導(dǎo)電凸塊120與導(dǎo)電層116之間形成凸塊下金屬層(未顯不)。在一實施例中，可于保護層115的開口中填入焊料。接著，可對焊料進行回焊制程以形成導(dǎo)電凸塊120。接著，可沿著預(yù)定切割道SC進行切割制程以形成彼此分離的多個晶片封裝體，如圖2B所示。在晶片封裝體中，遮光層118a及118b的整體厚度較厚，可提供更佳的遮光效果以增進晶片封裝體的效能與可靠度。圖3A-3B顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標號用以標示相同或相似的元件。如圖3A所示，可以類似于圖2實施例所述的方式于基底100的表面IOOb上形成多層的遮光層，其例如包括遮光層118a及遮光層118b。遮光層118a及遮光層118b可彼此直接接觸而于其間形成有接觸界面119。在此實施例中，可不于基底100與遮光層118a之間形成防焊層。在此情形下，遮光層118a及遮光層118b亦可充當防焊層。在一實施例中，可于遮光層118a及遮光層118b的露出導(dǎo)電層116的開口中填入焊料，并可通過回焊制程而形成導(dǎo)電凸塊120。在此情形下，導(dǎo)電凸塊120可直接接觸遮光層118a及/或遮光層118b。接著，可以沿著預(yù)定切割道SC進行類似于圖2實施例所述的切割制程以形成彼此分離的多個晶片封裝體10，如圖3B所示。在圖3B所示的晶片封裝體中，遮光層118a及118b的整體厚度較厚，可提供更佳的遮光效果以增進晶片封裝體的效能與可靠度。此外，遮光層下不具有高應(yīng)力的保護層(如防焊層)。因此，可進一步減少遮光層118a及118b中的缺陷，有助于光電元件102的運作。在圖3B實施例中，遮光層118a可直接接觸導(dǎo)電層116，并可大抵順應(yīng)性位于穿孔112的側(cè)壁上的導(dǎo)電層116之上。然本發(fā)明實施例不限于此而可有許多其他變化。例如，圖4A-4C顯示根據(jù)本發(fā)明其他實施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相同或相似的標號將用以標示相同或相似的元件。如圖4A所示，在一實施例中，遮光層118a及遮光層118b可僅覆蓋穿孔112而大抵完全不填入穿孔112之中。在另一實施例中，遮光層118a可填充于穿孔112之中。例如，在圖4B的實施例中，遮光層118a可填滿穿孔112?；蛘?，如圖4C所示，在一實施例中， 遮光層118a可部分填充于穿孔112而于其中留下空隙。此外，在圖4C的實施例中，遮光層118b上可以類似方法而形成有遮光層118c，其中接觸界面119a介于遮光層118a與遮光層118b之間，而接觸界面119b介于遮光層118b與遮光層118c之間。本發(fā)明實施例的晶片封裝體通過遮光層而阻擋及/或吸收外界的光線，可使晶片封裝體的運作更為順利。本發(fā)明實施例的晶片封裝體可具有多層彼此直接接觸的遮光層而可使遮光層的整體厚度提升。在一實施例中，可先對遮光層進行硬化處理(例如，加熱)，接著堆疊其他遮光層。如此，可減少遮光層中的缺陷以確保晶片封裝體的效能。以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進一步的改進和變化，因此本發(fā)明的保護范圍當以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一光電兀件，形成于該基底之中； 一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底之上，其中該導(dǎo)電層電性連接該光電元件； 一絕緣層，設(shè)置于該基底與該導(dǎo)電層之間； 一第一遮光層，設(shè)置于該基底的該第二表面之上；以及 一第二遮光層，設(shè)置于該第一遮光層之上，且直接接觸該第一遮光層，其中一接觸界面介于該第一遮光層與該第二遮光層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且電性接觸該導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一保護層，設(shè)置于該基底的該第二表面與該第一遮光層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且穿過該保護層而電性接觸該導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸，其中該絕緣層延伸于該穿孔的一側(cè)壁上，且延伸至該基底的該第二表面上，且該導(dǎo)電層延伸至該穿孔中的該絕緣層之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層，設(shè)置于該基底與該透明基底之間，其中該間隔層、該基底及該透明基底共同于該光電元件之上圍繞出一空腔。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一遮光層的材質(zhì)與該第二遮光層的材質(zhì)相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括至少一第三遮光層，設(shè)置于該第二遮光層之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第三遮光層直接接觸該第二遮光層。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括 提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中該基底之中形成有至少一光電兀件； 于該基底上形成一絕緣層； 于該基底上的該絕緣層之上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性連接該至少一光電元件； 于該基底的該第二表面上形成一第一遮光層；以及 于該第一遮光層上形成一第二遮光層，其中該第二遮光層直接接觸該第一遮光層，且一接觸界面介于該第一遮光層與該第二遮光層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，形成該第一遮光層的步驟包括于該基底的該第二表面上涂布一高分子溶液以形成一遮光材料層；以及 對該遮光材料層進行一曝光制程及一顯影制程以形成該第一遮光層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在形成該第二遮光層之前，還包括將該第一遮光層硬化。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，將該第一遮光層硬化的步驟包括對該第一遮光層進行一加熱制程。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該加熱制程包括將該第一遮光層的溫度提升至150°C至250°C之間，并維持15分鐘至I小時。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，形成該第二遮光層的步驟包括 于硬化后的該第一遮光層上涂布一第二高分子溶液以形成一第二遮光材料層；以及 對該第二遮光材料層進行一曝光制程及一顯影制程以形成該第二遮光層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括將該第二遮光層硬化，其中將該第二遮光層硬化的步驟包括對該第二遮光層進行一加熱制程。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該第二遮光層之上，形成一第三遮光層。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括 于該基底與該第一遮光層之間形成一保護層；以及 在形成該第一遮光層之前，將該保護層平坦化。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括沿著該基底上的多個預(yù)定切割道進行一切割制程以形成彼此分離的多個晶片封裝體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其形成方法，該晶片封裝體包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光電元件，形成于該基底之中；一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底之上，其中該導(dǎo)電層電性連接該光電元件；一絕緣層，設(shè)置于該基底與該導(dǎo)電層之間；一第一遮光層，設(shè)置于該基底的該第二表面之上；以及一第二遮光層，設(shè)置于該第一遮光層之上，且直接接觸該第一遮光層，其中一接觸界面介于該第一遮光層與該第二遮光層之間。本發(fā)明通過遮光層阻擋及/或吸收外界的光線而可使晶片封裝體的運作更為順利，且本發(fā)明具有多層彼此直接接觸的遮光層而可使遮光層的整體厚度提升。
文檔編號H01L27/146GK102903763SQ20121026531
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者許傳進, 林柏伸, 張義民, 楊蕙菁, 賴炯霖 申請人:精材科技股份有限公司