專利名稱：：層壓配線基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及層壓配線基板及其制造方法，尤其是涉及在多層配線基板中，能夠得到層間導(dǎo)電柱和配線用導(dǎo)電層的高的連接可靠性的層壓配線基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨手機(jī)和各種數(shù)碼電子設(shè)備等小型化及多功能化的要求提高，也進(jìn)一步強(qiáng)烈要求用于這些設(shè)備的半導(dǎo)體ic元件等電子零件以及安裝這樣的零件的印刷配線基板的小型化及多功能化?；谶@種要求，進(jìn)行了各種多層配線基板技術(shù)的開發(fā)。作為現(xiàn)有的多層配線基板技術(shù)的第一例，有專利文獻(xiàn)1中記載的EWLP(嵌入式晶圓級(jí)封裝EmbeddedWaferLevelPackage)技術(shù)，該技術(shù)為，在支承板上配置例如半導(dǎo)體芯片，在其上按順序組合絕緣層、層間柱用金屬柱及配線金屬層，形成多層結(jié)構(gòu)的封裝基板。另外，作為第二例，如專利文獻(xiàn)2所示，其技術(shù)為，準(zhǔn)備多張配線基板，該配線基板在絕緣基板的一面設(shè)置配線用導(dǎo)電層，在另一面設(shè)置粘接層，并設(shè)置有成為層間導(dǎo)電柱的由導(dǎo)電性膠構(gòu)成的導(dǎo)電柱(貫通電極)，通過粘接層重疊這些配線基板并一并加熱壓接，由此形成多層配線基板。專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2004—95836號(hào)特許公開公報(bào)專利文獻(xiàn)2:(日本)特開2003—318546號(hào)特許公開公報(bào)專利文獻(xiàn)3:(日本)特開2001—102754號(hào)特許公開公報(bào)專利文獻(xiàn)4:(日本)特開2005—45187號(hào)特許公開公報(bào)上述第一例所示的EWLP技術(shù)，適合用于以最終的小型化為目標(biāo)。但是，在制造配線基板時(shí)，蝕刻掩模工序、鍍敷工序及多層化工序重復(fù)進(jìn)行，因此工序數(shù)增多。因此，對(duì)于這些工序需要長(zhǎng)時(shí)間，制造繁雜。另外，每一次進(jìn)行多層化都需要加熱工序，對(duì)一部分絕緣基板樹脂層施加多次受熱履歷，容易產(chǎn)生樹脂劣化。另一方面，上述第二例所示的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是減輕了伴隨第一例的多工序數(shù)的制造的繁雜及熱履歷造成的絕緣基板樹脂層劣化。但是，如專利文獻(xiàn)2的圖6(e)工序所示，在通過例如激光加工形成貫通孔14時(shí)，在加工操作時(shí)，因激光束強(qiáng)度的偏差等而可能會(huì)在導(dǎo)電層12表面產(chǎn)生凹凸差大的表面粗糙。在該表面粗糙的狀態(tài)下，在如專利文獻(xiàn)2記載的圖6(h)工序那樣將導(dǎo)電性樹脂組成物(膏)15填充于貫通孔14以與導(dǎo)電層12連接的情況下，例如在進(jìn)行配線基板的熱沖擊試驗(yàn)等各種耐性試驗(yàn)的情況下，存在上述導(dǎo)電層12產(chǎn)生從上述凹凸的谷底部分裂紋破損等劣化，其連接部分的連接可靠性容易降低之類的問題。另外，作為涉及導(dǎo)電層和導(dǎo)電性膠的連接形態(tài)的現(xiàn)有技術(shù)傾向，如專利文獻(xiàn)3和專利文獻(xiàn)4所記載的那樣，多數(shù)為以上述導(dǎo)電層和導(dǎo)電性膠的密接性及連接電阻等改善為目的的上述導(dǎo)電層表面的粗糙面化的技術(shù)。該技術(shù)和上述第二例同樣，帶來導(dǎo)電層粗糙面化的凹凸造成的問題，另外，在積極進(jìn)行粗糙面化時(shí)需要高精度地控制表面粗糙度和凹凸形狀。因此，由于這些理由，其制造繁雜化。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有的問題而開發(fā)的，其目的在于提供一種層壓配線基板及其制造方法，尤其是在多層配線基板中能夠得到層間導(dǎo)電柱和配線用導(dǎo)電層的高的連接可靠性。本發(fā)明的第一方面提供一種層壓配線基板的制造方法，層壓至少一個(gè)以上的配線基板基材，其特征在于，在所述配線基板基材所包含的絕緣基板的第一面上設(shè)置導(dǎo)電層，設(shè)置從與所述第一面的相反的第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔，對(duì)所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分實(shí)施平滑化處理，之后，向所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性膠以形成與所述導(dǎo)電層連接的導(dǎo)電柱。上述第一方面的層壓配線基板的制造方法中，理想的是，所述平滑化處理以所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的算術(shù)平均粗糙度Ra成為l.Oum以下的方式進(jìn)行處理。上述第一方面的層壓配線基板的制造方法中，理想的是，所述平滑化處理以所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的最大高度粗糙度Rz成為3iim以下的方式進(jìn)行處理。上述第任一方面的層壓配線基板的制造方法中，所述導(dǎo)電性膠也可以含有在與所述導(dǎo)電層之間形成合金層的金屬成分。本發(fā)明第二方面提供一種層壓配線基板，其特征在于，具備至少一個(gè)以上的配線基板基材，該配線基板基材具有絕緣基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；導(dǎo)電層，其設(shè)置于所述第一面上；及導(dǎo)電柱，其包括從第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔和填充于所述貫通孔中的導(dǎo)電性膠，所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的最大高度粗糙度Rz為3um以下。本發(fā)明第三方面提供一種層壓配線基板，其特征在于，具備至少一個(gè)以上的配線基板基材，該配線基板基材具有絕緣基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；導(dǎo)電層，其設(shè)置于所述第一面上；及導(dǎo)電柱，其包括從第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔和填充于所述貫通孔中的導(dǎo)電性膠，所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的算術(shù)平均粗糙度Ra為l.O"m以下。另外，上述層壓配線基板中，所述導(dǎo)電性膠也可以含有在與所述導(dǎo)電層之間形成合金層的金屬成分。本發(fā)明第四方面提供--種層壓配線基板，其特征在于，具備至少一個(gè)以上的配線基板基材，該配線基板基材具有絕緣基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；導(dǎo)電層，其設(shè)置于所述第一面上；及導(dǎo)電柱，其包括從第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔和填充于所述貫通孔中的導(dǎo)電性膠，所述導(dǎo)電性膠在與所述導(dǎo)電層之間形成合金層，所述合金層的厚度為0.52.0nm,在所述合金層中含有Cu3Sn或Cu6Sn5。根據(jù)本發(fā)明的層壓配線基板及其制造方法，上述導(dǎo)電層的貫通孔內(nèi)的表面部分被進(jìn)行平滑化處理。因此，例如在配線基板的熱沖擊試驗(yàn)等各種耐性試驗(yàn)中，也能夠得到在上述貫通孔內(nèi)的上述導(dǎo)電層和導(dǎo)電柱的高的連接可靠性。另外，使用具有由導(dǎo)電性膠構(gòu)成的導(dǎo)電柱的配線基板。因此，將含有上述配線基板基材等的多個(gè)基材通過粘接層一并加熱壓接，由此能夠降低工序數(shù)。因此，在絕緣基板上不會(huì)引起熱履歷而導(dǎo)致的樹脂劣化，且能夠簡(jiǎn)單容易地制造層壓配線基板。圖1是用于說明本發(fā)明一實(shí)施方式的層壓多個(gè)配線基板基材來制造層壓配線基板的方法的概略剖面圖，圖1(a)表示組裝前的各配線基板基材，圖1(b)表示組裝后的層壓配線基板的結(jié)構(gòu)；圖3將表示本發(fā)明一實(shí)施方式的層壓配線基板在高溫放置后的電阻變化率的表2用圖表表示的特性圖4將表示本發(fā)明一實(shí)施方式的層壓配線基板在高溫放置后的電阻變化率的表3用圖表表示的特性圖5是本發(fā)明其它實(shí)施方式的層壓配線基板的剖面圖，圖5(a)是組裝后的層壓配線基板的剖面圖，圖5(b)是層壓配線基板的分解剖面圖6是本發(fā)明其它實(shí)施方式的層壓配線基板的剖面圖，圖6(a)是組裝后的層壓配線基板的剖面圖，圖6(b)是層壓配線基板的分解剖面圖。具體實(shí)施例方式下面，參照?qǐng)D1及圖2對(duì)本發(fā)明的層壓配線基板及其制造方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是用于說明層壓多個(gè)配線基板基材來制造層壓配線基板的方法的概略剖面圖。圖1(a)表示組裝前的各配線基板基材。圖1(b)表示組裝后的層壓配線基板的結(jié)構(gòu)。圖2(a)圖2(g)是用于分工序說明圖1中的各配線基板基材的制造方法的主要部分放大剖面圖。首先，如圖1(a)所示，將多個(gè)配線基板基材即在上下方向相鄰的第一第四配線基板基材14以重合的方式配置。上述第一配線基板基材1具有例如由聚酰胺樹脂薄膜構(gòu)成的第一絕緣基板la、在上述第一絕緣基板la的一面(上面、第一面)構(gòu)圖形成的配線用的例如由銅箔構(gòu)成的多個(gè)第一導(dǎo)電層lb、在上述第一絕緣基板la的另一面(下面，第二面)整體粘接的第一粘接層lc。若將如該圖所示的層壓配線基板看作一個(gè)單元，則第一配線基板基材1構(gòu)成該單元的最下層，因此，上述第一粘接層lc可以根據(jù)需要設(shè)置。即，在想要將上述層壓配線基板粘貼于電子設(shè)備的規(guī)定部件或例如核心配線基板等其它的配線基板的情況下，設(shè)置上述第一粘接層1C較為便利，在沒有這種必要性的情況下，也可以省略上述第一粘接層1C。另外，圖1中，在第一配線基板基材1上未設(shè)置由導(dǎo)電性膠構(gòu)成的導(dǎo)電柱，但是，也可以根據(jù)需要設(shè)置導(dǎo)電柱。第二配線基板基材2具有例如由聚酰胺樹脂薄膜構(gòu)成的第二絕緣基板2a、在上述第二絕緣基板2a的一面(上面、第一面)構(gòu)圖形成的配線用的例如由銅箔構(gòu)成的多個(gè)第二導(dǎo)電層2b、在上述第二絕緣基板2a的另一面(下面，第二面)整體粘接的第二粘接層2c、及與上述各第二導(dǎo)電層2b對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)導(dǎo)電柱(貫通電極)2d。上述各導(dǎo)電柱2d由填充于在第二絕緣基板2a的與上述各柱對(duì)應(yīng)的部分形成的貫通孔2e中的柱狀的導(dǎo)電性膠構(gòu)成。上述各導(dǎo)電柱2d形成為，其一端(上端面)與第二導(dǎo)電層2b內(nèi)面連接，另一端(下端面)從第二粘接層2c的下面突出。而且，上述第二配線基板基材2以上述各導(dǎo)電柱2d的突出端各自與第一配線基板基材1的各第一導(dǎo)電層lb重合的方式對(duì)準(zhǔn)位置，對(duì)面配置在第一配線基板基材1之上。第三配線基板基材3具有第三絕緣基板3a、在上述第三絕緣基板3a的一面構(gòu)圖形成的配線用的多個(gè)第三導(dǎo)電層3b、在第三絕緣基板3a的另一面粘接的第三粘接層3c、與上述各第三導(dǎo)電層3b對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)導(dǎo)電柱3d及貫通孔3e。同樣，第四配線基板基材4具有第四絕緣基板4a、在上述第四絕緣基板4a的一面構(gòu)圖形成的配線用的多個(gè)第四導(dǎo)電層4b、在第四絕緣基板4a的另一面粘接的第四粘接層4c、與上述各第四導(dǎo)電層4b對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)導(dǎo)電柱4d及貫通孔4e。而且，構(gòu)成第三及第四配線基板基材3、4的各部分使用與上述第二配線基板基材2的對(duì)應(yīng)各部分的材料同樣的材料。但是，如圖所示，第一第四配線基板基材14中，其第一第四導(dǎo)電層lb4b圖示為相同的配線圖案，但是，根據(jù)層壓配線基板的電路配線結(jié)構(gòu)的要求，可以以彼此相同或彼此不同的等各種配線圖案進(jìn)行設(shè)計(jì)。另外，第二第四配線基板基材24的各導(dǎo)電柱2d、3d、4d以彼此數(shù)量相同、正好堆疊的形態(tài)進(jìn)行圖示，但是，對(duì)于每一個(gè)配線基板基材，導(dǎo)電柱數(shù)量可以任意選擇，可以采用導(dǎo)電柱2d、3d及4d彼此堆疊的情況及不堆疊的情況等各種形態(tài)。而且，以上下相鄰的配線基板基材中一配線基板基材的導(dǎo)電柱的突出端與另一配線基板基材的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層對(duì)位重疊的方式，層壓配置第一第四配線基板基材，之后，對(duì)這種層壓體從上下兩面一并進(jìn)行加熱擠壓，由此制作圖1(b)所示的層壓配線基板10。上述一并加熱擠壓如下進(jìn)行，即，例如將上述層壓體裝載于真空固化壓力機(jī)，在lkPa以下的減壓氣氛中加熱壓接。在該擠壓時(shí)，上述粘接層lc4c熱固化而將相鄰的配線基板基材彼此粘接固定，同時(shí)，各導(dǎo)電柱2d、3d、4d的各導(dǎo)電性膠以壓扁于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層lb、2b、3b上而牢固地連接的狀態(tài)熱固化。另外，上述各導(dǎo)電柱2d4d用的導(dǎo)電性膠為含有第一金屬成分和第二金屬成分，且混合了以環(huán)氧樹脂為主要成分的粘合劑成分的膏。作為上述第一金屬成分，為選自鎳、鐵、鋁、金、銀及銅中的至少一種低電阻、導(dǎo)熱性良好的金屬粒子；作為第二金屬成分，為選自錫、鉍、銦、鋅、銻及鉛中的至少一種低融點(diǎn)金屬粒子。這種導(dǎo)電性膠在常溫下處于未固化或半固化的軟質(zhì)狀態(tài)，例如是通過上述加熱擠壓工序中的熱處理進(jìn)行熱固化，同時(shí)實(shí)現(xiàn)粘接功能的導(dǎo)電性材料。另外，如上所述，在上述各導(dǎo)電層2b4b為銅或以銅為主要成分的材料的情況下，作為上述導(dǎo)電性膠的成分，可以為容易向銅或以銅為主要成分的材料擴(kuò)散的錫或以錫為主要成分含有銦、鋅、銻的低融點(diǎn)金屬成分(粒子)。該情況下，增加該低融點(diǎn)金屬的量時(shí)的優(yōu)點(diǎn)為，在上述加熱擠壓時(shí)，能夠增加上述各導(dǎo)電層2b4b和各導(dǎo)電柱2d4d的界面上它們相互的合金層形成量，粘接強(qiáng)度進(jìn)一步提高，并且，能夠提高電可靠性。下面，參照?qǐng)D2，對(duì)具有上述導(dǎo)電柱的本發(fā)明的配線基板基材的制造方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。上述第二第四配線基板基材24可以用相互同樣的方法制造，因此，在此以第二配線基板基材2的制造方法為代表進(jìn)行說明。圖2是上述第二配線基板基材2的主要部分即一導(dǎo)電柱周邊部分的放大剖面圖，第二配線基板基材2相對(duì)于圖1的圖示反過來表示。此外，在本實(shí)施方式中，作為第一第四配線基板基材14的初始基板基材的一例，由厚度為20Pm的聚酰胺樹脂薄膜構(gòu)成的柔性的絕緣基板的單面全面使用導(dǎo)電層材料即張貼了厚度12wm的銅箔的單面貼銅板(CCL)，作為導(dǎo)電性膠使用了以銅、錫的金屬成分為主體的材料。首先，如圖2(a)所示，在第二絕緣基板2a的一面形成具有所希望的電路圖案的配線用第二導(dǎo)電層2b。該電路圖案通過在上述銅箔表面利用光刻法形成與該電路圖案對(duì)應(yīng)的防蝕涂層圖案(蝕刻掩模)后再對(duì)上述銅箔實(shí)施化學(xué)蝕刻而得到。另外，該蝕刻使用例如以氯化亞鐵為主要成分的蝕刻劑。但是，使用了作為配線基板基材的初始基材的市售電解箔的單面貼銅箔的板(CCL)，其與絕緣基板相接的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra(日本工業(yè)規(guī)格JISB0601:2001)通常為2um左右。因此，在微觀上可以作為粗糙面對(duì)待。圖2夸大表現(xiàn)該粗糙面形態(tài)。另外，在第二絕緣基板2a的另一面粘貼例如由厚度25Um的環(huán)氧樹脂類熱固化性樹脂薄膜粘接材料構(gòu)成的第二粘接層2C。第二粘接層2C可以使用丙烯類樹脂等粘接材料或熱可塑性的粘接材料，也可以將例如清漆狀的樹脂粘接劑涂敷于第二絕緣基板2a的表面而形成。而且，如圖2(b)所示，在上述第二粘接層2c的表面粘貼例如由厚度25um的聚酰胺樹脂構(gòu)成的樹脂薄膜F。上述樹脂薄膜F可以使用PET和PEN等塑料薄膜代替聚酰胺。另外，在上述第二粘接層2c的表面也可以通過UV照射而覆蓋形成可粘接及剝離的薄膜。接著，如圖2(c)所示，形成貫通上述第二絕緣基板2a、第二粘接層2c及樹脂薄膜F的貫通孔2e。上述貫通孔2e通過從上述樹脂薄膜F側(cè)朝向第二導(dǎo)電層2b側(cè)照射例如YAG激光器、碳酸激光器或受激準(zhǔn)分子激光器的激光束的激光加工而形成。此時(shí)，上述貫通孔2e成為例如直徑100um有底狀的通孔。這時(shí)，通孔的第二導(dǎo)電層2b的內(nèi)側(cè)表面即柱底表面在上述貫通孔2e內(nèi)露出。上述激光加工使上述貫通孔2e內(nèi)的柱底表面充分露出。這時(shí)，在上述第二導(dǎo)電層2b的內(nèi)側(cè)表面(柱底表面)產(chǎn)生具有算術(shù)平均粗糙度Ra為3um以上的大的凹凸差的表面粗糙部2f。該表面粗糙部2f相比于與上述銅箔的絕緣基板相接的部分的表面粗糙度，有時(shí)具有1.5倍的凹凸差。另外，形成上述貫通孔2e后，實(shí)施表面沾污去除(desmear)處理。該表面沾污去除處理可以應(yīng)用使用了例如CF4及02混合氣體或Ar等惰性氣體的等離子表面沾污去除處理及濕式表面沾污去除處理。接著，如圖2(d)所示，對(duì)表面粗糙部2f實(shí)施平滑化處理而形成平滑面部2g。優(yōu)選上述平滑面部2g表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為lym以下，或最大高度粗糙度Rz(日本工業(yè)規(guī)格JISB0601:2001)為3um以下。關(guān)于上述算術(shù)平均粗糙度Ra或最大高度粗糙度Rz的合適值，通過后述的表l、表2、表3、圖3詳細(xì)地說明。作為進(jìn)行用于將上述平滑面部2g的算術(shù)平均粗糙度Ra設(shè)為1"m以下(或?qū)⒆畲蟾叨却植诙萊z設(shè)為m以下)的平滑化處理的方法，可以適用例如化學(xué)濕式蝕刻法。上述化學(xué)濕式蝕刻法具體而言是通過使用化學(xué)蝕刻液溶解上述第二導(dǎo)電層2b內(nèi)表面的表面粗糙部2f而進(jìn)行平滑化處理的方法，上述化學(xué)蝕刻液由選自例如硫酸加水、硫酸、鹽酸、氯化鐵溶液及氯化銅溶液中的至少一種構(gòu)成。根據(jù)該方法，能夠正確地簡(jiǎn)單且容易地形成由算術(shù)平均粗糙度Ra為1"m以下的平滑表面構(gòu)成的平滑面部2g。另外，作為平滑化處理的其它方法，也可以采用使磨料與表面粗糙部2f碰撞進(jìn)行平滑化的噴砂法、通過激光器使表面粗糙部2f蒸發(fā)進(jìn)行平滑化的激光磨損法、或使表面粗糙部2f在等離子氣氛中進(jìn)行物理蝕刻而平滑化的等離子干式蝕刻法。在此，對(duì)上述平滑化處理的各方法進(jìn)行更具體的說明。1、化學(xué)的濕式蝕刻法作為一例，采用使用硫酸和雙氧水使上述導(dǎo)電層2b的銅溶解于硫酸銅的方法。該方法的優(yōu)點(diǎn)為，因?yàn)槭且话愕奶幚硪?，因此成本低，通過濃度及溫度等的管理容易調(diào)整蝕刻量(速度)，能夠容易地將上述導(dǎo)電層2b內(nèi)面平滑化。與后述的其它的各種方法相比，是最優(yōu)選的方法。2、噴砂法將磨粒直接或?qū)⒛チ：退幕旌弦?研磨劑)向上述導(dǎo)電層2b的內(nèi)面照射或噴射，由此，進(jìn)行上述導(dǎo)電層內(nèi)面的平滑化處理。該方法是物理研磨處理，與基材不起化學(xué)反應(yīng)，因此，優(yōu)點(diǎn)是處理后的離子污染物少。3、激光磨損法向?qū)ο笪锛瓷鲜鰧?dǎo)電層內(nèi)面照射能量密度高的激光，使其照射部分局部發(fā)生急劇的溫度上升，使該部分液化或氣化，由此，進(jìn)行上述導(dǎo)電層內(nèi)面的平滑化處理。該方法的優(yōu)點(diǎn)為，通過調(diào)整激光的能量(頻率或強(qiáng)度)，容易調(diào)整上述導(dǎo)電層內(nèi)面的平滑化形狀。4、等離子干式蝕刻法照射Ar等等離子氣體研磨上述導(dǎo)電層內(nèi)面，由此進(jìn)行平滑化處理。該方法的優(yōu)點(diǎn)為，與上述噴砂的磨粒相比能夠進(jìn)行非常微細(xì)且精細(xì)的平滑化處理。接著，如圖2(e)所示，將供給到樹脂薄膜F的上表面的導(dǎo)電性膠2D用刮漿板S沿上述上表面刮漿而進(jìn)行網(wǎng)版印刷，由此，如圖2(f)所示，進(jìn)行填充直到填滿貫通孔2e內(nèi)的空間，形成導(dǎo)電柱(貫通電極)2d。之后，如圖2(g)所示，剝離上述樹脂薄膜F后，導(dǎo)電柱2d的上端部在以上述樹脂薄膜F的厚度尺寸的高度向上述粘接材料層2c的上面?zhèn)韧怀龅臓顟B(tài)下露出。即，上述樹脂薄膜F是可以通過分別選定其厚度來調(diào)整導(dǎo)電柱2d的突出高度的掩模。經(jīng)以上的制造工序完成上述第二配線基板基材2。另外，上述第三及第四配線基板基材3、4除使配線用導(dǎo)電層的圖案形狀、導(dǎo)電柱數(shù)量及配置不同以外，以與上述第二配線基板基材2同樣的材料及方法制作。在本實(shí)施方式的說明中，上述第一配線基板基材1沒有導(dǎo)電柱，因此，以如圖2(a)所示的導(dǎo)電層lb的構(gòu)圖形成工序結(jié)束其制作。這樣制作的上述第一第四配線基板基材14如圖1(a)所示配置，并如上所述前進(jìn)至層壓配線基板10的組裝工序。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式中所述的帶導(dǎo)電柱的配線基板基材的結(jié)構(gòu)TJ生lH吿卡沐.日前.左形成常誦？l龍講籽了夷而汰紀(jì)去除々卜理f^.不進(jìn)行平滑化處理而填充導(dǎo)電性膠，與之相對(duì)，在進(jìn)行了表面沾污去除處理后，進(jìn)行如圖2(d)所示的平滑化處理，因此，在形成上述貫通孔2e時(shí)產(chǎn)生的第二導(dǎo)電層2b的表面粗糙部2f被排除，形成平滑面部2g。這樣，如圖2(f)所示，導(dǎo)電性膠以與平滑面部2g按壓接觸的狀態(tài)填充于貫通孔2e，形成導(dǎo)電柱2d。因此，即使進(jìn)行上述的熱沖擊試驗(yàn)等各種耐性試驗(yàn)，也能夠防止現(xiàn)有技術(shù)中成為問題的導(dǎo)電層的表面凹凸差造成的裂紋破損等，因此，能夠維持制造導(dǎo)電層2b4b時(shí)的形狀及導(dǎo)電度，并且導(dǎo)電層2b4b和導(dǎo)電柱2d4d的連接可靠性提高。另外，第二導(dǎo)電層2b內(nèi)表面具有平滑面部2g，因此，導(dǎo)電柱(貫通電極)2d的下端部以膏內(nèi)的導(dǎo)電性的金屬粒子與其粒徑無關(guān)地均勻分布的狀態(tài)與上述平滑面部2g按壓連接。而且，該按壓連接的部分在如圖1(b)所示的一并加熱擠壓工序中，在加壓的狀態(tài)下上述膏熱固化，由此更牢固地連接固定。另外，如上述，在上述導(dǎo)電性膠中包含容易向由銅箔構(gòu)成的第二導(dǎo)電層2b擴(kuò)散的錫或主要成分為錫的金屬粒子的情況下，在上述加熱擠壓時(shí)，在上述平滑面部2g和各導(dǎo)電柱2d的接合界面均勻可靠地形成平滑的合金層，其連接強(qiáng)度增加，連接電阻可進(jìn)一步降低。接著，對(duì)利用上述的本發(fā)明一實(shí)施方式的方法制作的層壓配線基板進(jìn)行第一高溫放置試驗(yàn)，將對(duì)其連接可靠性測(cè)定的結(jié)果表示于表1、表2及圖3。在該高溫放置試驗(yàn)中，各試樣在JEDECMSL標(biāo)準(zhǔn)3之下進(jìn)行吸濕軟溶試驗(yàn)后，在175'C放置100小時(shí)。在現(xiàn)有技術(shù)及本發(fā)明中都是以400個(gè)導(dǎo)電柱作為試樣進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)定其連接電阻的平均值(mQ)、標(biāo)準(zhǔn)偏差值及電阻變化率(％)。首先，對(duì)表1進(jìn)行說明。表中的本發(fā)明欄表示通過平滑化處理將上述導(dǎo)電層(2b4b)的各平滑面部表面的算術(shù)平均粗糙度Ra設(shè)定為0.6iim時(shí)的高溫放置試驗(yàn)前后的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。另外，表中的現(xiàn)有技術(shù)欄表示采用了不實(shí)施平滑化處理的專利文獻(xiàn)2那種的技術(shù)時(shí)的高溫放置試驗(yàn)前后的試驗(yàn)結(jié)果。連接部電阻值及試驗(yàn)前后的電阻變化率<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>在上述試驗(yàn)結(jié)果中，著眼于貫通孔內(nèi)的導(dǎo)電層和導(dǎo)電柱的連接部的連接電阻平均值(mQ)，現(xiàn)有技術(shù)中的高溫放置試驗(yàn)后的連接電阻大幅增加到試驗(yàn)前的2.5倍即6.98mQ。與之相對(duì)，根據(jù)本發(fā)明，同一試驗(yàn)前后的連接電阻分別為低達(dá)2.42mQ及2.68mQ的值，試驗(yàn)前后的變化小，尤其是試驗(yàn)后的本發(fā)明的連接電阻遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)，因此，得知本發(fā)明的配線基板基材具有高的連接可靠性。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)偏差值，在現(xiàn)有技術(shù)中，無論試驗(yàn)前后，連接電阻的偏差都大，而且，在實(shí)驗(yàn)前后從4.81mQ向7.87mQ大幅度變化。另一方面，在本發(fā)明中，無論試驗(yàn)前后，連接電阻的偏差都小至現(xiàn)有技術(shù)的1位以下，在實(shí)驗(yàn)前后從0.256mQ到0.393mQ的變化也小。另外，對(duì)于同一試驗(yàn)前后的電阻變化率，在現(xiàn)有技術(shù)中，也大幅度變?yōu)?52.9%。另一方面，得知在本發(fā)明中，顯著減小為10.7%。艮口，本發(fā)明可以穩(wěn)定地得到具有高的連接可靠性且品質(zhì)一致的配線基板基材，且可以提供高性能且高品質(zhì)的層壓配線基板。TST口主,主-二S24TT7.、、/思/[//rk工田74、|々曰出曰/，k，/!L、iVi々XIZIIUJzL，4〈Z^C/」、ACDLAiIH:XL+土，,'J1XT寸力/石、厶U-葉U乂U曙J1=TI滑面部的表面即柱底表面的算術(shù)平均粗糙度Ra設(shè)定為0.05um、0.6um、l.Oum、.5ixm、2.0um的5種試樣測(cè)定導(dǎo)電層和導(dǎo)電柱的連接部的高溫放置試驗(yàn)前后的電阻變化率(％)的結(jié)果。另外，圖3表示對(duì)于與表2對(duì)應(yīng)的電阻變化率的圖表。此外，柱底表面的算術(shù)平均粗糙度Ra用掃描型共晶點(diǎn)激光顯微鏡測(cè)定。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>如表2及圖3所示，Ra為0.6um的試樣如表l中已經(jīng)表示的那樣，電阻變化率為10.7%,Ra為1.0um、1.5"m及2.0um試樣的情況下，分別對(duì)應(yīng)的電阻變化率為48.4%、102.1%及153.4%。另外，要使具有髙的連接可靠性的配線基板基材以及層壓配線基板長(zhǎng)期并可靠地維持其可靠性并穩(wěn)定地供給市場(chǎng)，實(shí)用上理想是電阻變化率為50%以內(nèi)，因此，更優(yōu)選將上述柱底表面的算術(shù)平均粗糙度Ra設(shè)定為lum以下。另外，要維持滿足與平滑化處理時(shí)間相關(guān)的生產(chǎn)性的水平，理想是Ra設(shè)定為0.05um以上，該情況下的電阻變化率較低抑制為9.8%，其可靠性也能夠滿足。因此，本發(fā)明中的上述的Ra的更優(yōu)選的范圍可為0.05um以上且1nm以下。另外，對(duì)通過同樣的條件新制作的5種試樣進(jìn)行第二高溫放置試驗(yàn)，將對(duì)其連接可靠性測(cè)定的結(jié)果示于表3，并將表3的圖表示于圖4。在該高溫放置試驗(yàn)中，各試樣在JEDECMSL標(biāo)準(zhǔn)3之下進(jìn)行吸濕軟溶試驗(yàn)后，在125r放置1000小時(shí)。另外，在該情況下，也將400個(gè)導(dǎo)電柱作為試樣進(jìn)行試驗(yàn)，對(duì)其連接電阻的平均值(mQ)、標(biāo)準(zhǔn)偏差值及電阻變化率(％)進(jìn)行測(cè)定。表3表示通過平滑化處理，對(duì)將導(dǎo)電層(2b4b)各平滑面部的表面即柱底表面的最大高度粗糙度Rz設(shè)定為1.7nm、2.6um、3.0um、6.2um、9.8um的5種試樣測(cè)定導(dǎo)電層和導(dǎo)電柱的連接部的高溫放置試驗(yàn)前后的電阻變化率(％)的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表3及圖4所示，在第二高溫試驗(yàn)中，最大高度粗糙度Rz為1.7um的試樣的電阻變化率為2.3%。同樣，Rz為2.6um、3.0um、6.2um及9.8um的情況下，分別對(duì)應(yīng)的電阻變化率為8.4%、43%、121%、1318%。如對(duì)第一高溫試驗(yàn)結(jié)果所作說明，要使具有高的連接可靠性的配線基板基材以及層壓配線基板長(zhǎng)期并可靠地維持其可靠性并穩(wěn)定地供給市場(chǎng)，理想的電阻變化率為50%以內(nèi)。因此，根據(jù)該試驗(yàn)結(jié)果，更優(yōu)選將上述柱底表面的最大高度粗糙度Rz設(shè)定為3.0wm以下。另外，要維持滿足與平滑化處理時(shí)間相關(guān)的生產(chǎn)性的水平，理想將最大高度粗糙度Rz設(shè)定為1.7nm以上，該情況下的電阻變化率較低抑制為2.3%，其可靠性也能夠滿足。因此，可以得出結(jié)論是，本發(fā)明中的最大高度粗糙度Rz合適的范圍為1.7"m以上且3.0"m以下。另外，對(duì)導(dǎo)電層和柱部的界面進(jìn)行斷面觀察，確認(rèn)了Cu3Sn、Cu6Sn5合金層。另外，關(guān)于合金層的厚度確認(rèn)了如下事項(xiàng)不進(jìn)行平滑化處理的試樣薄，與之相對(duì)，設(shè)定為算術(shù)平均粗糙度Ra二0.051.0um的試樣及設(shè)定為最大高度粗糙度Rz=1.73.0"m的試樣處于0.52.0口m范圍。如上所述，在使用本發(fā)明一實(shí)施方式的配線基板基材制造層壓配線基板的情況下，上述第二第四配線基板基材24如下簡(jiǎn)單地得到使用在絕緣基板的單面張貼了金屬銅箔的所謂單面CCL，在該絕緣基板上設(shè)置貫通孔并印刷填充導(dǎo)電性膠，形成上述導(dǎo)電柱2d4d。而且，在將CCL作為基材的第一配線基板1上按順序重疊了上述第二第四配線基板基材24后，通過一并熱壓能夠簡(jiǎn)單地制造層壓配線基板。因此，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造方法，與現(xiàn)有的形成方式(專利文獻(xiàn)l)相比，在全部工序中，排除鍍敷工序，能夠大幅降低生產(chǎn)時(shí)間及生產(chǎn)成本，并且能夠顯著降低上述配線基板基材上作用的熱經(jīng)歷以及該基材的劣化。另外，將柱底表面粗糙度設(shè)定為Ra=0.6ixm以下，或?qū)⒆畲蟾叨却植诙仍O(shè)定為Rz=3.0um以下，使用含有低融點(diǎn)金屬的導(dǎo)電性膠，由此得最合適的合金層，并得良好的可靠性。對(duì)于上述本發(fā)明一實(shí)施方式的圖2(c)的工序，通過激光加工，對(duì)于在貫通孔內(nèi)的導(dǎo)電層表面產(chǎn)生表面粗糙的情況，對(duì)在圖2(d)的工序中實(shí)施平滑化處理的例子進(jìn)行了說明，但是，本發(fā)明不限于這種情況。例如，有時(shí)根據(jù)配線基板基材的制品或制造上的目的準(zhǔn)備預(yù)先已粗面化的銅箔，在絕緣基板上設(shè)置貫通孔后，以堵塞該貫通孔的方式粘貼上述銅箔。即使在這種情況下，通過對(duì)上述貫通孔內(nèi)的銅箔表面進(jìn)行平滑化處理，也能夠得到上述同樣的效果。另外，上述一實(shí)施方式的第一配線基板基材1由在絕緣基板上使用了柔性材料的所謂FPC構(gòu)成，但是，也可以由在絕緣基板上使用了由例如玻璃環(huán)氧樹脂的所謂RPC構(gòu)成。代替上述第一配線基板1也可以使用單層或多層的核心配線基板，在上述第一配線基板基材1或上述核心配線基板等上層壓而形成層壓配線基板10時(shí)，不必將上述第二第四配線基板基材全部層壓，帶導(dǎo)電柱的配線基板基材只要層壓至少-一個(gè)以上即可。另外，也可以用例如在玻璃纖維上浸漬了樹脂粘接劑的絕緣基板構(gòu)成上述第一第四配線基板基材14的各絕緣基板的至少一個(gè)，該情況下，不需要粘貼上述粘接層lc4c那樣的粘接層。而且，本發(fā)明也可以適用于，上述帶導(dǎo)電柱的配線基板由使用了例如玻璃環(huán)氧樹脂那樣的剛性絕緣基板的所謂RPC構(gòu)成的情況。下面，參照?qǐng)D5，對(duì)利用了本發(fā)明的層壓配線基板的其它的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖5(a)是組裝后完成的層壓配線基板的剖面結(jié)構(gòu)，圖5(b)是其分解剖面圖。即，相對(duì)于圖的上下方向位于中央的核心配線基板基材40作為其初始基材使用例如兩面張貼銅箔的層壓板(兩面CCL)而形成。核心配線基板基材40為由例如玻璃環(huán)氧樹脂或聚酰胺樹脂等構(gòu)成的絕緣基板40a。在設(shè)置于絕緣基板40a的兩面的銅層上通過化學(xué)掩模蝕刻等進(jìn)行電路圖案形成的結(jié)果，在上述絕緣基板40a的兩面形成配線用的導(dǎo)電層40b、40bl、40b2。而且，如圖的左右方向的中央部所示，使用例如鉆或激光，形成貫通上側(cè)導(dǎo)電層40bl、絕緣基板40a和下側(cè)導(dǎo)電層40b2的重合部分的通孔TH。遍及上述通孔TH的內(nèi)面及兩導(dǎo)電層40bl、40b2表面實(shí)施例如鍍銅，由此形成通孔型的層間導(dǎo)電柱40c。上述鍍銅在此對(duì)于上述各導(dǎo)電層40b、40bl、40b2全體實(shí)施，但是，通過掩蔽也可以只實(shí)施于與上述層間導(dǎo)電柱40c對(duì)應(yīng)的部分。之后，在上述核心配線基板基材40的上側(cè)按順次層壓第一及第二配線基板基材41、42，同樣，在下側(cè)按順次層壓第三及第四配線基板基材43、44。由此，層壓配線基板成為以核心配線基板基材40為中心的上下對(duì)稱的層壓結(jié)構(gòu)。上述第一第四配線基板基材(4144)都具有與它們對(duì)應(yīng)的絕緣基板(41a44a)、導(dǎo)電層(41b44b)、粘接層(41c44c)、貫通孔(41e44e)、導(dǎo)電柱(41d44d)，在上述導(dǎo)電層(41b44b)的與上述導(dǎo)電柱(41d44d)相接的內(nèi)面形成有平滑化處理而成的平滑面部(41g44g)。另外，上述第一第四配線基板基材4144使用和圖1及圖2所示的一實(shí)施方式的第一第四配線基板基材14同樣的基材并用同樣的方法制作。而且，上述核心配線基板基材40及上述第一第四配線基板基材4144如圖5(b)所示，彼此對(duì)位并重合。之后，裝載于上述的真空固化壓力機(jī)一并加熱擠壓，由此，組裝成圖5(a)所示的上下對(duì)稱結(jié)構(gòu)的層壓配線基板。這種其它實(shí)施方式的層壓配線基板能夠通過上述核心配線基板基材40的通孔型層間導(dǎo)電柱40c將上側(cè)的第一及第二配線基板基材41、42的電路和下側(cè)的第三及第四配線基板基材43、44的電路連結(jié)。而且，在上述導(dǎo)電層(41b44b)內(nèi)面形成平滑化處理而成的平滑面部(41g44g)，因此，進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)等各種耐性試驗(yàn)時(shí)也可得高的連接可靠性。下面，參照?qǐng)D6，對(duì)本發(fā)明的層壓配線基板的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖6(a)是組裝后完成的層壓配線基板的剖面結(jié)構(gòu)，圖6(b)是其分解剖面圖。另外，對(duì)于和圖5所示的實(shí)施方式的構(gòu)成部件同樣的部件標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)，省略其說明，對(duì)特征的構(gòu)成部分進(jìn)行說明。艮口，在該圖的上下方向位于中央的核心配線基板基材50作為其初始基材例如使用兩面張貼銅箔的層壓板(兩面CCL)而形成。核心配線基板基材50為由例如玻璃環(huán)氧樹脂或聚酰胺樹脂等構(gòu)成的絕緣基板50a。對(duì)絕緣基板50a的兩面的銅層通過化學(xué)掩模蝕刻等進(jìn)行電路圖案形成，結(jié)果，在上述絕緣基板50a的兩面形成配線用的導(dǎo)電層50b、50bl、50b2。而且，如圖中的左右方向的中央部所示，以貫通上側(cè)導(dǎo)電層50bl和絕緣基板50a的方式實(shí)施激光加工，形成激光通孔(LVH)VH。Ji述激光通孔VH，其下面通過下側(cè)導(dǎo)電層50b2堵塞，成為有底的上方開口形狀。于是，遍及上述激光通孔VH的內(nèi)面、上側(cè)導(dǎo)電層50bl表面及下側(cè)導(dǎo)電層50b2的孔VH內(nèi)表面實(shí)施例如鍍銅，由此形成LVH型層間導(dǎo)電柱50c。上述鍍銅在此對(duì)于上述上側(cè)導(dǎo)電層50b同時(shí)實(shí)施，但是，通過掩蔽也可以只對(duì)與上述層間導(dǎo)電柱50c對(duì)應(yīng)的部分實(shí)施。另外，向下側(cè)導(dǎo)電層50b和50b2的鍍銅在圖示的例中未進(jìn)行實(shí)施，但是，也可根據(jù)需要自由實(shí)施。于是，在上述核心配線基板基材50的上下兩側(cè)，使上述第一、第二配線基板基材41、42、上述第三、第四配線基板基材43、44分別如圖6(b)所示那樣彼此對(duì)位并重合，且將其裝載于真空固化壓力機(jī)并一并加熱擠壓，由此，組裝成圖6(a)所示的上下對(duì)稱結(jié)構(gòu)的層壓配線基板。根據(jù)這種其它實(shí)施方式的層壓配線基板，通過上述核心配線基板基材50的LVH型層間導(dǎo)電柱50c，能夠?qū)⑸蟼?cè)的第一及第二配線基板基材41、42的電路和下側(cè)的第三及第四配線基板基材43、44的電路連結(jié)。而且，在上述導(dǎo)電層(41b44b)內(nèi)面形成平滑化處理而成的平滑面部(41g44g)，因此，進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)等各種耐性試驗(yàn)時(shí)也可得到上述導(dǎo)電層和導(dǎo)電柱的高的連接可靠性。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明的層壓配線基板及其制造方法，上述導(dǎo)電層的貫通孔內(nèi)的表面部分被進(jìn)行平滑化處理。因此，在例如配線基板的熱沖擊試驗(yàn)等各種耐性試驗(yàn)中，也可得上述導(dǎo)電層和導(dǎo)電柱的高的連接可靠性。權(quán)利要求1.一種層壓配線基板的制造方法，層壓至少一個(gè)以上的配線基板基材，其特征在于，在所述配線基板基材所包含的絕緣基板的第一面上設(shè)置導(dǎo)電層，設(shè)置從與所述第一面相反的第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔，對(duì)所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分實(shí)施平滑化處理，之后，向所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性膠以形成與所述導(dǎo)電層連接的導(dǎo)電柱。2.如權(quán)利要求1所述的層壓配線基板的制造方法，其特征在于，所述平滑化處理以所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的算術(shù)平均粗糙度Ra成為l.Owm以下的方式進(jìn)行處理。3.如權(quán)利要求1所述的層壓配線基板的制造方法，其特征在于，所述平滑化處理以所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的最大高度粗糙度Rz成為3nm以下的方式進(jìn)行處理。4.如權(quán)利要求13中任一項(xiàng)中所述的層壓配線基板的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電性膠含有在與所述導(dǎo)電層之間形成合金層的金屬成分。5.—種層壓配線基板，其特征在于，具備至少一個(gè)以上的配線基板基材，該配線基板基材具有絕緣基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；導(dǎo)電層，其設(shè)置于所述第一面上；及導(dǎo)電柱，其包括從第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔和填充于所述貫通孔中的導(dǎo)電性膠，所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的最大高度粗糙度Rz為3Um以下。6.—種層壓配線基板，其特征在于，具備至少一個(gè)以上的配線基板基材，該配線基板基材具有絕緣基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；導(dǎo)電層，其設(shè)置于所述第一面上；及導(dǎo)電柱，其包括從第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔和填充于所述貫通孔中的導(dǎo)電性膠，所述貫通孔內(nèi)的所述導(dǎo)電層的表面部分的算術(shù)平均粗糙度Ra為l.Onm以下。7.如權(quán)利要求5所述的層壓配線基板，其特征在于，所述導(dǎo)電性膠含有在與所述導(dǎo)電層之間形成合金層的金屬成分。8.—種層壓配線基板，其特征在于，具備至少一個(gè)以上的配線基板基材，該配線基板基材具有絕緣基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；導(dǎo)電層，其設(shè)置于所述第一面上；及導(dǎo)電柱，其包括從第二面到達(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔和填充于所述貫通孔中的導(dǎo)電性膠，所述導(dǎo)電性膠在與所述導(dǎo)電層之間形成合金層，所述合金層的厚度為0.52.0um，在所述合金層中含有Cu3Sn或Cu6Sn5。全文摘要本發(fā)明提供層壓配線基板的制造方法，層壓至少一個(gè)以上的配線基板基材(2～4)，該配線基板基材具有在一面設(shè)置有導(dǎo)電層(1b～4b)的絕緣基板(1a～4a)、設(shè)置于所述絕緣基板且從另一面?zhèn)鹊竭_(dá)所述導(dǎo)電層的貫通孔(2e～4e)、及向所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性膠而與所述導(dǎo)電層連接的導(dǎo)電柱(2d～4d)，其特征在于，在所述導(dǎo)電性膠填充于貫通孔之前，對(duì)所述導(dǎo)電層的貫通孔內(nèi)的表面部分實(shí)施平滑化處理而形成平滑面部(2g)。文檔編號(hào)H05K1/11GK101683007SQ200880016458公開日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年5月14日優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日發(fā)明者本戶孝治申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉