專利名稱：在聚合物基底上圖案化材料的方法
在聚合物基底上圖案化材料的方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明整體涉及在聚合物基底上圖案化材料的方法和用這種方法 形成的制品。
具有金屬材料圖案的聚合膜具有各種各樣的商業(yè)應(yīng)用。在一些情 況下，希望導(dǎo)電格柵足夠細(xì)以致無(wú)法用肉眼看到并且支承在透明的聚 合物基底上。透明的導(dǎo)電薄片具有多種用途，這些用途包括(例如)
電阻加熱窗、電磁干擾(EMI)屏蔽層、消除靜電部件、天線、電腦顯示 器的觸摸屏、以及電致變色窗、光電裝置、電熒光裝置和液晶顯示器 的表面電極。
基本透明的導(dǎo)電格柵用于諸如EMI屏蔽這種應(yīng)用的用途已為人們 所知。格柵可由金屬絲的網(wǎng)或篩網(wǎng)制成，這些金屬絲被夾入或?qū)雍系?透明薄片之間或嵌入到基底中(美國(guó)專利No.3,952,152、 4,179,797、 4,321,296、 4,381,421、 4,412,255)。使用金屬絲篩網(wǎng)的一個(gè)缺點(diǎn)是難 以處理非常細(xì)的金屬絲或難以制造和處理非常細(xì)的金屬絲篩網(wǎng)。例如，
20微米直徑的銅線的拉伸強(qiáng)度僅為l盎司(28克力)，因此容易損壞。 用20微米直徑的金屬絲加工而成的金屬絲篩網(wǎng)是可以得到的，但是由 于極細(xì)的金屬絲很難處理，因此價(jià)格昂貴。
與其將預(yù)先存在的金屬絲篩網(wǎng)嵌入基底中，倒不如就地加工形成 導(dǎo)電圖案首先在基底中形成槽或通道的圖案，然后用導(dǎo)電材料填充 這些槽或通道。已用這種方法以多種方式來(lái)制造導(dǎo)電電路線和圖案， 盡管通常用于較粗糙的電路線和圖案。可通過(guò)模鑄、模壓或通過(guò)平版 印刷技術(shù)在基底中形成槽。然后，可向槽中填充導(dǎo)電性油墨或環(huán)氧樹 脂(美國(guó)專利No.5,462,624)，蒸發(fā)、濺鍍或鍍覆金屬(美國(guó)專利No.3,891,514、 4,510,347和5,595,943 )，熔化的金屬(美國(guó)專利 No.4,748,130)，或金屬粉末(美國(guó)專利No.2,963,748、 3,075,280、 3,800,020、 4,614,837、 5,061,438和5，094，811)。已通過(guò)印刷導(dǎo)電糊劑 (美國(guó)專利No.5，399，879 )或通過(guò)光刻法和蝕刻法(美國(guó)專利 No.6,433,481)來(lái)制備聚合物膜上的導(dǎo)電格柵。這些現(xiàn)有技術(shù)方法存在 缺陷。例如，導(dǎo)電性油墨或環(huán)氧樹脂的一個(gè)問(wèn)題是導(dǎo)電率取決于相鄰 導(dǎo)電顆粒之間的接觸的形成，并且總體導(dǎo)電性通常遠(yuǎn)小于固體金屬的 總體導(dǎo)電性。金屬的汽相沉積或電鍍一般很慢，并且通常需要后續(xù)步 驟來(lái)移除沉積在槽之間的過(guò)量金屬?？蓪⑷刍慕饘僦糜诓蹆?nèi)，但是 通常需要將一些材料沉積在金屬將會(huì)潤(rùn)濕的槽內(nèi)。否則，由于熔化的 金屬的表面張力，熔化的金屬不會(huì)滲透或停留在槽內(nèi)。
除了導(dǎo)電格柵，支承電路形式導(dǎo)電材料圖案的聚合物膜也是可用 的。柔性電路用于電子元件的支承和互連，以及用于傳感器的制造。 傳感器的例子包括環(huán)境傳感器、醫(yī)學(xué)傳感器、化學(xué)傳感器、以及生 物特征傳感器。某些傳感器優(yōu)選的是透明的。就導(dǎo)電格柵而言，聚合 物膜基底上柔性電路的制備通常用光刻法，其包括光致抗蝕劑布置、 曝光、顯影和移除多個(gè)步驟。在本行業(yè)中，希望能有無(wú)需如此昂貴的 設(shè)備和如此多的制造工序的替代方法。
人們一直通過(guò)將金屬粉末置于槽內(nèi)然后將粉末壓緊以增強(qiáng)顆粒之 間的電接觸來(lái)制作電路。莉莉(Lillie)等人(美國(guó)專利No.5，061,438)和 凱恩(Kane)等人(美國(guó)專利No.5，094，811 )已用此方法來(lái)形成印刷電路 板。然而，這些方法對(duì)于制做細(xì)微電路和精細(xì)金屬圖案是不實(shí)用的。 在精密標(biāo)度上，將工具重新放回或重新對(duì)準(zhǔn)已模壓的圖案以實(shí)施金屬 致密會(huì)很困難。例如，具有20微米寬通道的圖案的薄片需要將工具從 薄片的一側(cè)到另一側(cè)以大約3微米的精度放置在圖案上。對(duì)于許多應(yīng) 用，薄片可大約為30cmX30cm。在從成形溫度冷卻到室溫的過(guò)程中， 由于熱塑性薄片的熱收縮引起的尺寸變化通常為約百分之一或更多。 因此，對(duì)于30cmX30cm的薄片，百分之一的收縮將導(dǎo)致0.3cm的總收縮量。這個(gè)值比所需的3微米放置精度要大1000倍，從而使工具的精 確重新定位變得困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及在聚合膜基底上圖案化材料的方法，以及具有結(jié)構(gòu)化 聚合膜基底和圖案化功能化材料的制品。具體地講，本發(fā)明涉及在聚 合物基底上圖案化材料的方法用基本無(wú)特征的印刷板，將功能化材 料選擇性轉(zhuǎn)移到聚合物膜基底的凸起部分上，然后將材料從非功能化 的區(qū)域(凹陷區(qū)域或非凸起區(qū)域)蝕刻掉。這種新方法允許功能化材 料的精密標(biāo)度圖案以高速率連續(xù)轉(zhuǎn)移到網(wǎng)基底，幾乎不論滾筒式裝置 是否同步。
在一個(gè)示例性實(shí)施中， 一種方法包括提供具有主表面的聚合膜 基底，該主表面具有包括凹陷區(qū)域和相鄰的凸起區(qū)域的浮雕圖案；將 第一材料沉積到聚合膜基底的主表面上，從而形成涂覆的聚合膜基底； 選擇性地在涂覆的聚合膜基底的凸起區(qū)域上形成功能化材料層，從而 形成功能化的凸起區(qū)域和非功能化的凹陷區(qū)域；并且從非功能化的凹 陷區(qū)域選擇性地蝕刻出聚合物基底中的第一材料。
在另一個(gè)示例性實(shí)施中，制品包括聚合膜，該聚合膜具有主表 面，其具有包括凸起區(qū)域和相鄰凹陷區(qū)域的浮雕結(jié)構(gòu)，在該凸起區(qū)域 上選擇性地涂覆有第一材料；以及該第一材料支承的功能化分子。
通過(guò)下列詳細(xì)說(shuō)明以及附圖，根據(jù)本主題發(fā)明的方法和制品的這 些及其他方面對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將是顯而易見(jiàn)的。


結(jié)合附圖，根據(jù)以下本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)描述可以更完全地 理解本發(fā)明，其中
圖1A-1G為在聚合膜基底上圖案化材料的示例性方法的示意圖；圖2A-2F為在聚合膜基底上圖案化材料的另一個(gè)示例性方法的示 意圖；以及
圖3為示例性滾筒式裝置的示意圖。
雖然本發(fā)明可有多種修改形式和替代形式，但其具體形式d在附 圖中通過(guò)舉例的方式示出并且將詳細(xì)描述。然而應(yīng)當(dāng)理解，其目的并 不是將本發(fā)明局限于所描述的具體實(shí)施例。相反，其目的在于涵蓋落 入本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的所有修改形式、等效處理和替代形式。
具體實(shí)施例方式
因此，本發(fā)明涉及在聚合物膜基底上圖案化材料的方法。聚合物 膜基底在其一個(gè)或兩個(gè)主表面上具有浮雕圖案(即結(jié)構(gòu)或微結(jié)構(gòu))。 主表面上具有浮雕圖案的聚合物膜基底稱為結(jié)構(gòu)化的或微結(jié)構(gòu)化的。
具有浮雕圖案是指表面包括地形圖案，例如凹陷區(qū)域的圖案(如 通道、井、槽)或凸起區(qū)域的圖案(如脊、柱子、半球)。聚合物膜 基底可通過(guò)(例如)澆鑄并固化微復(fù)制，或模壓進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，然后這 些結(jié)構(gòu)化膜基底可使功能化分子選擇性地設(shè)置在結(jié)構(gòu)化膜基底的凸起 區(qū)域上。
這些功能化分子可通過(guò)(例如)選擇性蝕刻作為后續(xù)圖案化的掩 模。然而本發(fā)明不受此限制，通過(guò)下面提供的實(shí)施例的討論將獲得本 發(fā)明的各個(gè)方面的評(píng)定。
對(duì)于以下所定義的術(shù)語(yǔ)，應(yīng)當(dāng)應(yīng)用這些定義，除非權(quán)利要求書或 本說(shuō)明書的其他地方給出不同的定義。
"區(qū)域"是指整個(gè)表面如基底表面上鄰接的各個(gè)部分。凸起區(qū)域 是指從主表面的相鄰區(qū)域凸出并具有高度的表面區(qū)域。凹陷區(qū)域是指 相對(duì)于主表面的相鄰區(qū)域向內(nèi)延伸并具有深度的表面區(qū)域。凸起區(qū)域和/或凹陷區(qū)域可以為離散區(qū)域，相鄰凹陷和/或凸起區(qū)域分別在各個(gè)側(cè) 面圍繞該離散區(qū)域。作為另外一種選擇，凸起或凹陷區(qū)域可以為大致 鄰接的區(qū)域，其沿著表面的長(zhǎng)度或?qū)挾确较蚧旧暇€性延伸，并且主 表面的相鄰區(qū)域沒(méi)有從各個(gè)側(cè)面圍繞該鄰接區(qū)域。基底的凸起表面區(qū) 域一般來(lái)講是這樣一部分的基底表面當(dāng)另一平坦物體的面積大于該 凸起區(qū)域和任何相鄰的凹陷區(qū)域，并且使基底表面和該物體的平坦表 面(即非結(jié)構(gòu)化的和平面的)相互接觸，與該物體的平坦表面相接觸 的部分。基底的一個(gè)或多個(gè)凹陷區(qū)域一般來(lái)講是與凸起表面區(qū)域互補(bǔ) 的表面區(qū)域，如剛才所述?；パa(bǔ)是指所有凸起表面區(qū)域和所有凹陷表 面區(qū)域結(jié)合起來(lái)可基本限定整個(gè)主表面。
"選擇性地"形成功能化材料層是指在一個(gè)表面區(qū)域上形成功能 化材料層，而不在另一個(gè)表面區(qū)域上形成功能化材料層。對(duì)于選擇性 地沉積在基底表面上的功能化材料層而言，并非沉積在整個(gè)基底表面 上。也就是說(shuō)，功能化材料層在基底表面上形成圖案。
聚合"膜"基底為平片形式的聚合物材料，其柔韌性和強(qiáng)度足以 用滾筒式方法進(jìn)行加工。滾筒式是指將材料巻繞到載體上或從載體上 退繞下來(lái)的方法，以及以某種方式進(jìn)一步處理。進(jìn)一步處理的例子包 括涂覆、切割、沖裁、以及暴露于輻射等。聚合膜可制造成多種厚度， 一般來(lái)講范圍從約5微米至1000微米。在多個(gè)實(shí)施例中，聚合膜的厚
度范圍為約25微米至約500微米，或約50微米至約250微米，或約 75微米至約200微米。對(duì)于在一個(gè)或兩個(gè)主表面上包括浮雕結(jié)構(gòu)的膜 而言，膜的厚度是指整個(gè)膜的平均厚度。
"選擇性地"移除或蝕刻金屬是指移除一個(gè)表面區(qū)域上的材料， 而不移除另一個(gè)表面區(qū)域上的材料。對(duì)于從基底表面上選擇性移除的 材料而言，不是將其從整個(gè)基底表面移除。
"功能化分子"是指通過(guò)化學(xué)鍵連接到基底表面(或涂覆的基底表面)的分子。功能化分子可使其所連接的表面區(qū)域鈍化或活化。在 多個(gè)實(shí)施例中，功能化分子形成自組裝單層。
"自組裝單層"是指連接(如通過(guò)化學(xué)鍵)到表面并相對(duì)于該表 面(甚至相對(duì)于彼此)釆用優(yōu)選取向的分子的單層。始終表明自組裝 單層能夠完全覆蓋表面以致改變?cè)摫砻娴奶匦?。例如，?yīng)用自組裝單 層可引起表面能降低。
適用于形成自組裝單層的化學(xué)物質(zhì)的例子包括有機(jī)化合物，例如 有機(jī)硫化合物、硅垸、膦酸、苯并三唑、以及羧酸。這類化合物的例
子在尤曼(Ulman)的綜述(A.Ulman ， " Formation and Structure of Self-Assembled Monolayers," Chem.Rev.,96,1533-1554 (1996))("自組 裝單層的形成與結(jié)構(gòu)"，A.尤曼，化學(xué)綜述，96， 1533-1554 (1996)) 中有所論述。除了有機(jī)化合物以外，某些有機(jī)金屬化合物也可用于形 成自組裝單層。適于形成自組裝單層的有機(jī)硫化合物的例子包括烷基 硫醇、二垸基二硫化物、二烷基硫化物、垸基黃原酸鹽、以及二垸基 硫代氨基甲酸鹽。適于形成自組裝單層的硅烷的例子包括有機(jī)氯硅垸 和有機(jī)垸氧基硅垸。適于形成自組裝單層的膦酸分子的例子由帕勒瑞 特(Pellerite)等人在M丄Pellerite,T.D.Dunbar,L.D.Boardman,and E.J.Wood ， " Effects of Fluorination on Self-Assembled Monolayer Formation from Alkanephosphonic Acids on Aluminum: Kinetics and Structure," Journal of Physical Chemistry B, 107， 11726-11736 (2003)("氟 化作用對(duì)由烷基膦酸在鋁上形成的自組裝單層的影響動(dòng)力學(xué)和結(jié) 構(gòu)"，M丄帕勒瑞特、T.D.鄧巴、L.D.博德曼和E丄伍德，物理化學(xué)雜 志B輯，107， 11726-11736 (2003))中有所論述。適于形成自組裝單層 的化學(xué)物質(zhì)可包括(例如)烴化合物、部分氟化的烴化合物或全氟化 化合物。自組裝單層可包括兩種或更多種不同的化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)使用兩 種或更多種不同的化學(xué)物質(zhì)時(shí)，化學(xué)物質(zhì)可以混合物的形式或相分離 的形態(tài)存在于自組裝單層中。形成自組裝單層的示例性可用分子包括(例如)(C3-C2o)垸基硫醇， 或(Qo-C2o)垸基硫醇，或(Q5-C2())烷基硫醇。烷基可為直鏈或支鏈的， 并且可以被不影響自組裝單層形成的取代基取代或未取代。
可用多種方法在無(wú)機(jī)材料涂覆的聚合物表面上(如金屬涂覆的聚 合物表面)形成自組裝單層。在多個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)使選定區(qū)域或凸 起區(qū)域與板(具有設(shè)置在其中或其上的自組裝單層分子)接觸，從而 將自組裝單層涂敷到金屬涂覆的聚合物基底的凸起區(qū)域上。板是指將 功能化分子傳遞到基底上的彈性體轉(zhuǎn)移元件。該板可以為平面、圓柱 形或其他形狀。
在多個(gè)實(shí)施例中，具有設(shè)置在其中或其上的自組裝單層分子的板 (或圓柱體)是無(wú)特征的，并且聚合物基底上自組裝單層的圖案由聚 合物基底的凸起或凹陷區(qū)域限定。無(wú)特征是指板在膜基底表面的浮雕 結(jié)構(gòu)的范圍上是平滑的(不含浮雕結(jié)構(gòu))。與現(xiàn)有技術(shù)方法(如微接
觸印刷術(shù)，參見(jiàn)美國(guó)專利No.5,512,131)相比，本發(fā)明允許以圖案形式 將功能化分子(如自組裝單層)設(shè)置在聚合膜表面上，而無(wú)需限制板 相對(duì)于基底的滑動(dòng)。在微接觸印刷術(shù)中，必須使浮雕結(jié)構(gòu)化壓模與平 坦基底無(wú)滑動(dòng)地接觸和分開，以保持圖案的保真性。當(dāng)嘗試在柔性聚 合膜基底上滾筒式連續(xù)微接觸印刷極小的特征尺寸時(shí)，這是極為困難 的。采用聚合膜基底和圖案中的小特征尺寸(如小于IO微米、小于1 微米)，以滾筒式方法實(shí)施連續(xù)微接觸印刷會(huì)給同步(如相對(duì)于印刷 板旋轉(zhuǎn)控制網(wǎng)推進(jìn))帶來(lái)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。本發(fā)明通過(guò)采用基底浮雕結(jié)構(gòu) (而不是印刷板浮雕以及與基底接觸和脫離的具體方式的組合)來(lái)限 定轉(zhuǎn)移的功能化分子的圖案，從而解決了該問(wèn)題。另外，彈性體材料 對(duì)于將功能化分子(如自組裝單層)轉(zhuǎn)移到表面特別有用，但當(dāng)以精 密標(biāo)度的浮雕圖案進(jìn)行結(jié)構(gòu)化時(shí)，它在印刷操作下易于變形。本發(fā)明 允許使用可能更加剛性的材料(基底本身，而非彈性體印刷板)來(lái)限 定聚合膜基底上功能化分子的圖案，從而進(jìn)一步確保功能化分子的最 終圖案的保真性，繼而確保沉積金屬的保真性。用于形成板的彈性體包括硅樹脂、聚氨酯、三元乙丙橡膠、以及
現(xiàn)有市售的苯胺印刷板材料類(如可以商品名Cyre^從特拉華州威爾 明頓的杜邦公司 (E.I du Pont de Nemours and Company,Wilmington，Delaware)商購(gòu)獲得)。聚二甲基硅氧烷(PDMS)
尤其有用。板可由復(fù)合材料制成。彈性體可為凝膠材料(如共連續(xù)液 相和固相)，例如水凝膠。板可在另一種材料上得到支承，例如一種 更加剛性的材料，用于在使用中固定板的形狀和尺寸。在功能化分子 的轉(zhuǎn)移過(guò)程中可對(duì)板進(jìn)行活化(如加熱或超聲波驅(qū)動(dòng))。
可用的蝕刻化學(xué)物質(zhì)取決于要進(jìn)行圖案化的材料以及功能化材 料。蝕刻化學(xué)物質(zhì)的選擇標(biāo)準(zhǔn)包括對(duì)要進(jìn)行圖案化的材料的良好蝕刻 率，以及與功能化材料的相容性。相容性是指圖案化的功能化材料作 為圖案化蝕刻步驟的有效屏蔽掩模。就金的圖案化而言，可用的蝕刻 體系包括基于硝酸鐵和硫脲的體系。用于金的其他可用蝕刻體系基于 鐵氰化鉀。用于圖案化銦錫氧化物的可用蝕刻化學(xué)物質(zhì)包括基于草酸 的物質(zhì)。對(duì)于銅、金或銀的蝕刻圖案化，可使用(例如)含溶解氧和 氰根離子的堿性溶液。本文設(shè)想在蝕刻槽中加入添加劑，以提高蝕刻 選擇性(美國(guó)專利No.7,041，232)。
聚合膜基底上的無(wú)機(jī)材料涂層(如金屬涂層)可用于支承自組裝 單層，并繼而通過(guò)蝕刻圖案化。無(wú)機(jī)涂層可包括(例如)元素金屬、 金屬合金、金屬間化合物、金屬氧化物、金屬硫化物、金屬碳化物、 金屬氮化物、以及它們的組合。用于支承自組裝單層的示例性無(wú)機(jī)表 面包括金、銀、鈀、鉑、銠、銅、鎳、鐵、銦、錫、鉭、以及這些 元素的混合物、合金和化合物?？捎玫幕衔锇ń饘傺趸铮?銦錫氧化物。聚合物基底上的這些無(wú)機(jī)涂層可為任何厚度，例如，l至 3000納米。可用任何方便的方法沉積無(wú)機(jī)材料涂層，例如濺射、蒸鍍、 化學(xué)氣相沉積或化學(xué)溶液沉積(包括化學(xué)鍍)。況下，說(shuō)明書和權(quán)利要求書中用來(lái)表述 特征尺寸、數(shù)量和物理特性的所有數(shù)字均應(yīng)理解為由術(shù)語(yǔ)"約"來(lái)修 飾。因此，除非有相反的指示，否則在前述的說(shuō)明書和所附權(quán)利要求 中給出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，這些近似值可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員 利用本文所公開的教導(dǎo)內(nèi)容所需獲得的特性而有所不同。
由端點(diǎn)表述的數(shù)值范圍包括歸入該范圍內(nèi)的所有數(shù)值(例如，1至
5包括1、 1.5、 2、 2.75、 3、 3.80、 4、和5)以及在此范圍內(nèi)的任何范圍。
除非所述內(nèi)容另外明確指出，本說(shuō)明書以及所附權(quán)利要求中的單 數(shù)形式"一"、"一個(gè)"和"所述"涵蓋了具有復(fù)數(shù)指代的實(shí)施例。 除非所述內(nèi)容另外明確指出，本說(shuō)明書和所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ) "或"的含義通常包括"和/或"。
術(shù)語(yǔ)"聚合物"應(yīng)被理解為包括聚合物、共聚物(例如用兩種或 更多種不同單體形成的聚合物)、低聚物以及它們的組合，以及可形
成可混溶的共混物的聚合物、低聚物或共聚物。
本發(fā)明整體涉及在具有結(jié)構(gòu)化或微結(jié)構(gòu)化表面的聚合膜基底上圖 案化無(wú)機(jī)材料(如金屬)的方法。在多個(gè)實(shí)施例中，該材料僅存在于 聚合膜基底凸起區(qū)域的基底上。這些凸起區(qū)域在聚合膜基底上可呈現(xiàn) 規(guī)則排列或重復(fù)的幾何布置方式，例如，多邊形陣列或限定包括多邊 形陣列的離散區(qū)域的軌跡的圖案。在其他實(shí)施例中，凸起區(qū)域在聚合 膜基底上可呈現(xiàn)無(wú)規(guī)布置方式，例如，限定不規(guī)則形狀邊界的軌跡的 無(wú)規(guī)網(wǎng)。在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，凸起區(qū)域可呈現(xiàn)出不是規(guī)則的、 重復(fù)的或無(wú)規(guī)的而是包括或沒(méi)有對(duì)稱或重復(fù)形狀的指定設(shè)計(jì)的布置方 式。圖案化的材料可僅存在于基底表面的一個(gè)區(qū)域上，或可以存在于 基底表面的多個(gè)區(qū)域上；但為了進(jìn)行圖案化，它不會(huì)存在于基底表面 的所有區(qū)域上。用以將浮雕圖案制作到聚合膜表面之上或之中的特別有利的方法 包括用機(jī)械工具復(fù)制或形成微結(jié)構(gòu)。通過(guò)將浮雕圖案或微結(jié)構(gòu)模壓、 刻劃或模鑄到聚合膜基底表面之上，機(jī)械工具將微結(jié)構(gòu)化圖案或浮雕 圖案形成于聚合膜表面之上和/或之中。復(fù)制包括將表面結(jié)構(gòu)特征從母 模工具(如機(jī)械工具)轉(zhuǎn)移到另一材料中，包括模壓或模鑄。涉及復(fù)
制的方法在生成具有結(jié)構(gòu)化表面的材料的容易度和速度方面很值得注 目。還值得注目的是可得到小尺寸的由復(fù)制生成的表面結(jié)構(gòu)特征?？?以復(fù)制尺寸小于IO納米的納米級(jí)特征。
復(fù)制可通過(guò)許多方式實(shí)現(xiàn)。用于將母板機(jī)械工具的表面結(jié)構(gòu)特征 復(fù)制到另一材料表面中的一個(gè)示例性方法是通過(guò)熱模壓(美國(guó)專利
No.5,932，150)。熱模壓涉及將母板機(jī)械工具壓在可變形材料上，導(dǎo)致 母板工具的表面結(jié)構(gòu)使可變形材料的表面變形，從而產(chǎn)生該母板工具
表面的負(fù)像復(fù)制品?？蓧河∩媳砻娼Y(jié)構(gòu)的材料包括例如軟金屬和有機(jī) 材料，例如聚合物?？赡旱能浗饘俚睦影ㄣ煛y、金和鉛。適
用于熱模壓的聚合物包括熱塑性塑料。熱塑性塑料的例子包括聚烯
烴、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酸亞胺、聚碳酸酯和聚酯。熱塑性塑料
的其他例子包括聚乙烯、聚丙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、雙酚A型聚
碳酸酯、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚偏二氟乙烯。對(duì)于熱 模壓材料的制備，由膜形式的材料開始通常比較方便和有益?？蛇x地，
用于模壓的膜可包括多個(gè)層(美國(guó)專利No.6，737，170和美國(guó)專利 No.6，788，463)。
將母板機(jī)械工具的表面結(jié)構(gòu)特征復(fù)制到聚合物表面中的另一種方 法是在接觸母板機(jī)械工具時(shí)使可流動(dòng)的前體固化成聚合物。在接觸母 板機(jī)械工具時(shí)使可流動(dòng)的前體固化成聚合物是一種模鑄形式?？闪鲃?dòng) 前體的例子包括純單體、單體的混合物、可能包含可移除溶劑的單體
或聚合物溶液、以及未交聯(lián)聚合物。 一般來(lái)講，可將固化聚合物的前 體澆鑄在母板機(jī)械工具上或模具中，然后固化(美國(guó)專利No.4,576,850)。固化是指彈性模量的逐步增加，通常是用化學(xué)反應(yīng)的 方法。為了增加彈性模量的固化可包括加熱，添加催化劑，添加引 發(fā)劑，或暴露于紫外線、可見(jiàn)光、紅外線、X射線或電子束。 一旦聚 合物硬化后，可將它以固態(tài)從與母板工具或模具接觸的狀態(tài)下取出。 適用于模鑄的聚合物的例子包括聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、
硅氧烷、聚氨酯、以及某些聚碳酸酯。尤其適用于通過(guò)模鑄形成結(jié)構(gòu) 化聚合膜并且適用于滾筒式加工的聚合物包括聚丙烯酸酯和聚甲基丙 烯酸酯。這類聚合物中的一些(尤其是聚丙烯酸酯)還具有光學(xué)特性， 這使其特別適合于某些顯示器和傳感器應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，它們可
支承圖案化的導(dǎo)體(如EMI屏蔽膜)。
用于在聚合膜基底的表面生成微結(jié)構(gòu)或浮雕圖案并且包括使用機(jī) 械工具的另一個(gè)示例性方法是通過(guò)刻劃。"刻劃"是指將觸筆應(yīng)用于
另外的非結(jié)構(gòu)化表面，并且在表面上按壓或平移觸筆，從而生成表面 微結(jié)構(gòu)。觸筆尖可由任何材料制成，例如金屬、陶瓷或聚合物。觸筆 尖可包含金剛石、氧化鋁或碳化鴇。觸筆尖還可包含涂層，例如，耐 磨涂層(例如氮化鈦)。
結(jié)構(gòu)化聚合膜基底可由適合的聚合材料制成，該聚合材料具有足 夠的機(jī)械性能(如強(qiáng)度和柔韌性)以便在滾筒式裝置中進(jìn)行加工。這
類聚合物的例子包括熱塑性聚合物?？捎玫臒崴苄跃酆衔锏睦影?br> 聚烯烴、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚酯、以及基
于雙酚或萘的液晶聚合物?？捎玫臒崴苄运芰系钠渌影ň垡?烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、雙酚A型聚碳酸酯、聚 氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、以及聚偏二 氟乙烯。這類聚合物中的一些(尤其是聚碳酸酯和聚酯)還具有光學(xué) 特性(如透明性)，這使其尤其適合于某些顯示器和傳感器應(yīng)用，在
這些應(yīng)用中，它們可支承圖案化的導(dǎo)體(如EMI屏蔽膜)。這類聚合
物中的其他一些(尤其是聚酰亞胺和液晶聚合物)具有熱特性和電特 性，這使得它們尤其適合于某些電路應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，它們可支承圖案化的導(dǎo)體(如電子元件的支承和互連)。
圖1A-1G為在聚合膜基底105上圖案化第一材料110的示例性方 法的示意圖。將聚合物基底105用機(jī)械工具120進(jìn)行復(fù)制100以形成 結(jié)構(gòu)化聚合物基底lll，所得的結(jié)構(gòu)化聚合物基底具有主表面104，該 主表面具有包括凹陷區(qū)域108和相鄰的凸起區(qū)域106的浮雕圖案。機(jī) 械工具120可施加(如向下箭頭所示)于聚合物基底105的主表面104。 機(jī)械工具120形成了凹陷區(qū)域108，它延伸進(jìn)入聚合物基底105的主表 面104。凹陷區(qū)域108的深度和寬度由凹面107限定。在一些實(shí)施例中， 凹陷區(qū)域108通常為平行通道，其深度范圍為0.1至IO微米，寬度范 圍為0.25至50微米，而相鄰平行凹陷區(qū)域108之間的距離范圍為100 微米至1厘米。
聚合膜基底105可由任何可用的聚合材料形成，如上所述。在多 個(gè)實(shí)施例中，聚合物基底105為可用于滾筒式裝置(圖3所示)中的 柔性聚合膜。在一些實(shí)施例中，聚合物基底105為可用于滾筒式裝置 (圖3所示)中的柔性的并可選為透明的聚合膜。
將第一材料110沉積在包括凸起區(qū)域106和凹陷區(qū)域108的聚合 物基底105的主表面104上，從而形成涂覆的聚合物基底112。在多個(gè) 實(shí)施例中，第一材料110為金屬層，如上所述。
在凸起區(qū)域106上選擇性地形成113功能化材料層131，從而形成 功能化的凸起區(qū)域106和非功能化的凹陷區(qū)域108?？梢杂每蔀閺椥泽w 的無(wú)特征板130將功能化材料層131施加到凸起區(qū)域106。無(wú)特征板 130將功能化材料131轉(zhuǎn)移到凸起區(qū)域106，該無(wú)特征板130與凸起區(qū) 域106接觸。無(wú)特征板130不會(huì)將功能化材料131轉(zhuǎn)移到凹陷區(qū)域108， 因?yàn)闊o(wú)特征板130不與凹陷表面107接觸。因此，聚合物基底105的 浮雕圖案決定了功能化材料131被選擇性轉(zhuǎn)移到的區(qū)域。在多個(gè)實(shí)施 例中，功能化材料為自組裝單層131，如上所述。然后，將選擇性功能化的聚合物基底114暴露115于液態(tài)蝕刻劑
溶液160，該溶液選擇性蝕刻非功能化的凹陷區(qū)域108的材料110，從 而形成第一材料圖案化的聚合物基底116。在一個(gè)實(shí)施例中，第一材料 110包含金。在多個(gè)實(shí)施例中，在選擇性蝕刻步驟后，可移除功能化材 料層131的至少一部分。
圖2A-2F為在聚合膜基底200上圖案化材料210的另一個(gè)示例性 方法的示意圖。該圖示聚合物基底200包括兩個(gè)或更多個(gè)聚合物層， 其中第一聚合物層204為基底層，第二層205設(shè)置在第一層204之上。 第一聚合物層204和第二聚合物層205可由相同或不同的聚合物材料 形成。在一些實(shí)施例中，第一聚合物層204由聚酯(例如聚對(duì)苯二甲 酸乙二酯或聚亞烯萘)形成，而第二聚合物層205由聚丙烯酸酯形成。 在多個(gè)實(shí)施例中，第一聚合物層204和第二聚合物層205形成膜或網(wǎng)。 在多個(gè)實(shí)施例中，聚合物基底200為可用于滾筒式裝置(圖3所示) 中的柔性的并可選地為透明的聚合膜。
聚合物基底200具有包括浮雕圖案的主表面203，該浮雕圖案包括 一個(gè)或多個(gè)凸出于主表面203的凸起區(qū)域208，以及一個(gè)或多個(gè)與凸起 區(qū)域208相鄰的凹陷區(qū)域206。凸起區(qū)域208可由本文所述的任何復(fù)制 方法形成。凸起區(qū)域208由凸起區(qū)域表面207限定。凸起區(qū)域208的 高度和寬度由凸起區(qū)域表面207限定。在一些實(shí)施例中，凸起區(qū)域208 通常為平行脊，其高度范圍為0.1至IO微米，寬度范圍為0.25微米至 2毫米，而相鄰平行凸起區(qū)域208之間的距離范圍為0.25微米至1厘 米。
第一材料210沉積在凹陷區(qū)域206和凸起區(qū)域208上，從而形成 涂覆的聚合膜基底211。在多個(gè)實(shí)施例中，第一材料210為金屬層，如
上所述。在凸起區(qū)域208上選擇性地形成212功能化材料層231，從而形成 功能化的凸起區(qū)域表面207和非功能化的凹陷區(qū)域206?？梢杂每蔀閺?性體的無(wú)特征板230將功能化材料層231施加到凸起區(qū)域208。無(wú)特征 板230將功能化材料231轉(zhuǎn)移到凸起區(qū)域208，無(wú)特征板230與凸起區(qū) 域208接觸。無(wú)特征板230不會(huì)將功能化材料231轉(zhuǎn)移到凹陷區(qū)域206， 因?yàn)闊o(wú)特征板230不與凹陷區(qū)域206接觸。因此，聚合膜基底的浮雕 結(jié)構(gòu)決定了功能化材料231被選擇性轉(zhuǎn)移到的區(qū)域。在多個(gè)實(shí)施例中， 功能化材料為自組裝單層231，如上所述。
然后，將選擇性功能化的聚合物基底213暴露214到液態(tài)蝕刻劑 溶液260中，該溶液選擇性蝕刻非功能化的凹陷區(qū)域106的材料210， 從而形成第一材料圖案化的聚合物基底215。在一個(gè)實(shí)施例中，第一材 料110包含金。在多個(gè)實(shí)施例中，在選擇性蝕刻步驟后，可移除功能 化材料層231的至少一部分。
圖3為示例性滾筒式裝置300的示意圖。圖示的滾筒式裝置300 包括輸入輥310、收巻輥320以及聚合膜311。圖1和圖2所示的方法 可在框330中于聚合膜311上進(jìn)行?？蓪D案化聚合物基底或膜312 巻繞到收巻輥上，如圖所示，以根據(jù)需要進(jìn)一步加工。
聚合物基底上的圖案化的第一材料可描述為在基底表面上具有區(qū) 域形狀和區(qū)域尺寸，以及厚度。圖案化第一材料的區(qū)域形狀在基底上 可呈現(xiàn)規(guī)則排列或重復(fù)的幾何布置方式，例如，圖案化第一材料的多 邊形陣列或圖案化第一材料的軌跡的圖案，該軌跡限定包括多邊形陣 列的離散蝕刻區(qū)域的邊界。在其他實(shí)施例中，圖案化第一材料形狀在 基底上可呈現(xiàn)無(wú)規(guī)布置方式，例如，限定蝕刻區(qū)域的不規(guī)則形狀邊界 的軌跡的無(wú)規(guī)網(wǎng)。在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，圖案化第一材料形狀 可呈現(xiàn)出不是規(guī)則的、重復(fù)的或無(wú)規(guī)的而是包括或沒(méi)有對(duì)稱或重復(fù)幾 何元件的指定設(shè)計(jì)的布置方式。在一個(gè)實(shí)施例中，用于制作透光的EMI 屏蔽材料的圖案化第一材料的形狀是正方形格柵，其包括由寬度、厚度和間距來(lái)表征的圖案化第一材料的軌跡。用于制作透光的EMI屏蔽 材料的其他可用形狀包括限定具有正六邊形形狀并且以緊密堆積形式
排列的開放區(qū)域的連續(xù)金屬軌跡。為了制造正方形格柵形式的連續(xù)金 屬軌跡，聚合膜基底的可用浮雕圖案包括凹陷正方形區(qū)域的正方形陣 列(取向與格柵平行)。為了制造六邊形網(wǎng)形式的連續(xù)金屬軌跡，聚 合膜基底的可用浮雕圖案包括凹陷六邊形區(qū)域的六邊形陣列(邊緣的
取向與網(wǎng)的軌跡方向平行)。概括地說(shuō)，對(duì)于制造沉積導(dǎo)體的EMI屏 蔽圖案而言，某些可用的浮雕圖案包括離散凹陷區(qū)域的陣列，每個(gè)凹 陷區(qū)域都被鄰接的凸起區(qū)域圍繞。
為了制造金屬線柵偏振器結(jié)構(gòu)(如用于可見(jiàn)光)，可使用包括平 行脊陣列的浮雕圖案，其寬度和間距都小于需要偏振的光的波長(zhǎng)，或 小于需要偏振的光的波長(zhǎng)的三分之一，或小于需要偏振的光的波長(zhǎng)的 十分之一。在多個(gè)實(shí)施例中，脊的高度在寬度的四分之一到寬度的十 倍的范圍內(nèi)。
在一些實(shí)施例中，圖案化第一材料形狀的最小區(qū)域尺寸，例如圖 案化第一材料的線性軌跡寬度，其范圍可為100納米至1毫米，或500 納米至50微米，或1微米至25微米，或1微米至15微米，或0.5微 米至IO微米。在用于制備透光EMI屏蔽材料的一個(gè)示例性實(shí)施例中， 圖案化第一材料的線性軌跡的寬度的范圍為5微米至15微米，或0.5 微米至10微米；厚度范圍為0.5微米至IO微米，或1微米至5微米； 并且間距范圍為25微米至1毫米，或IOO微米至500微米。上述圖案 化第一材料形狀的最大區(qū)域尺寸，例如圖案化第一材料線性軌跡的長(zhǎng) 度，其范圍可為1微米至5米，或10微米至1米。對(duì)于制備透光的EMI 屏蔽材料，例如EMI屏蔽材料片，圖案化第一材料線性軌跡的長(zhǎng)度可 在1厘米至1米的范圍內(nèi)。
本發(fā)明不應(yīng)視為受限于本文所述的具體實(shí)例。相反，應(yīng)該理解為 涵蓋如所附權(quán)利要求書中明確闡述的本發(fā)明的所有方面。在本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀本說(shuō)明書后，多種修改形式、等同工藝以及本 發(fā)明適用的多種結(jié)構(gòu)對(duì)他們來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。
實(shí)例
除非另有說(shuō)明，否則化學(xué)試劑和溶劑均從或可以從威斯康星州密
爾沃基市的奧德里奇化學(xué)公司(Aldrich Chemical Co.,Milwaukee,Wis)獲得。
例1
基底制備
250微米厚的透明聚碳酸酯膜(可以商品名Lexan得自康涅狄格州 費(fèi)爾菲爾德的通用電氣公司(General Electric Company，F(xiàn)airfield,CT)在 麻薩諸塞州皮茲菲爾德的通用電氣塑料分公司(GE Plastics division,Pittsfield,MA))，用凹陷柵格線(與凸起正方形互補(bǔ))的浮雕 圖案進(jìn)行熱模壓。模壓工具是用光刻法和反應(yīng)離子蝕刻法將直徑為10 厘米的圓形熔融石英板加工而成。該工具包括IO微米寬、大約10微 米高的脊，這些脊限定了間距為200微米的正方形格柵的網(wǎng)格線。使 用AUTO M型層壓機(jī)(Model AUTO M laminating press)(得自印第安納 州沃巴什的卡維公司(Carver,Inc.，Wabash,IN))，采用10,000牛頓的力 通過(guò)按壓進(jìn)行模壓，模壓工具在176'C下對(duì)聚碳酸酯膜按壓15分鐘。 經(jīng)過(guò)模壓的膜包括IO微米寬、大約IO微米深的通道，這些通道限定 了間距為200微米的正方形格柵的網(wǎng)格線。 一旦經(jīng)過(guò)模壓后，即對(duì)聚 碳酸酯膜進(jìn)行金屬化處理，首先蒸鍍15埃的鈦層以形成粘結(jié)層，然后 用熱蒸發(fā)器(得自賓夕法尼亞州匹茲堡的庫(kù)爾特萊思科公司(Kurt J丄esker Co.,Pittsburgh,PA))形成600埃的金層。
制作彈性板
在兩個(gè)基本無(wú)特征的聚二甲基硅氧垸(PDMS， Sylgard 184，得 自密歇根州米德蘭的道康寧公司(Dow Corning Corporation of Midland,MI))的板上澆鑄單晶硅。將一個(gè)板部分地浸沒(méi)到5毫摩爾的
20十八硫醇的乙醇溶液中兩天，并使?jié)茶T扁平側(cè)面暴露于空氣中，以使 該板飽和。然后用手將第二板置于第一板上面并與其接觸30分鐘，以 形成第二個(gè)板的涂染表面。
然后，用手使聚碳酸酯膜的金屬化的結(jié)構(gòu)化表面與第二板的涂染
表面接觸，從而將十八硫醇的自組裝單層(SAM)轉(zhuǎn)移到聚碳酸酯膜的凸 起區(qū)域，并使IO微米寬的凹槽(或通道)保持非功能化(不具有SAM)。
蝕刻
然后，可將經(jīng)SAM印刷的基底(具有非功能化的IO微米寬的凹 槽)浸沒(méi)到液體蝕刻劑中15分鐘，以便移除結(jié)構(gòu)化基底的凹陷區(qū)域的 金。用于金的液體蝕刻劑可以為(例如)0.02摩爾濃度的硝酸鐵和0.03 摩爾濃度的硫脲的水溶液。
所得的基底為柔性的結(jié)構(gòu)化基底，其主表面上具有圖案形式的金， 該圖案的幾何形狀由結(jié)構(gòu)化基底的不含金的凹陷區(qū)域限定。
權(quán)利要求
1.一種在聚合物基底上圖案化第一材料的方法，包括提供具有主表面的聚合膜基底，所述主表面具有包括凹陷區(qū)域和相鄰的凸起區(qū)域的浮雕圖案；將第一材料沉積在所述聚合膜基底的所述主表面上，從而形成涂覆的聚合膜基底；在所述涂覆的聚合膜基底的所述凸起區(qū)域上選擇性地形成功能化材料層，從而形成功能化的凸起區(qū)域和非功能化的凹陷區(qū)域；以及從所述非功能化的凹陷區(qū)域中選擇性地蝕刻出所述聚合物基底中的第一材料，從而形成第一材料圖案化的聚合物基底。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用機(jī)械工具模鑄或模壓 所述聚合膜基底來(lái)形成具有浮雕圖案的所述主表面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述提供步驟包括提供透明 聚合膜基底。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述提供步驟包括提供含有 聚合物的聚合膜基底，所述聚合物選自由以下物質(zhì)組成的組聚烯烴、 聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、 以及液晶聚合物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述形成步驟包括選擇性地 在所述凸起區(qū)域上形成自組裝單層，所述自組裝單層包括選自由下列 物質(zhì)組成的組的化學(xué)物質(zhì)有機(jī)硫化合物、硅烷、膦酸、苯并三唑和 羧酸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述蝕刻步驟之后從所 述凸起區(qū)域移除所述功能化材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述沉積第一材料的步驟包 括在所述聚合膜基底上沉積金屬。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述形成步驟包括用彈性板 選擇性地在所述涂覆的聚合膜基底的所述凸起區(qū)域上施加功能化材 料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述形成步驟包括用無(wú)特征的彈性板選擇性地在所述涂覆的聚合膜基底的所述凸起區(qū)域上施加功 能化材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在聚合膜基底上圖案化第一材料的所述方法用滾筒式加工裝置進(jìn)行。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積第一材料的步驟包括沉積10至30000埃的金屬，所述金屬選自由金、銀、鈀、鉑、銠、 銅、鎳、鐵、銦、錫及其混合物、合金、或化合物組成的組。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述提供步驟包括提供具 有主表面的聚合膜基底，所述主表面具有浮雕圖案，所述浮雕圖案包 括離散凹陷區(qū)域的陣列，每個(gè)所述凹陷區(qū)域都被鄰接的凸起區(qū)域圍繞。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述提供步驟包括提供具 有主表面的聚合膜基底，所述主表面具有浮雕圖案，所述浮雕圖案包 括多個(gè)線性軌跡形式的凸起區(qū)域，所述凸起區(qū)域被鄰接的凹陷區(qū)域相 互隔開。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述提供步驟包括提供具 有主表面的聚合膜基底，所述主表面具有浮雕圖案，所述浮雕圖案包括多個(gè)線性軌跡形式的凸起區(qū)域，所述凸起區(qū)域被鄰接的凹陷區(qū)域相 互隔開，所述凸起區(qū)域的高度范圍為0.1微米至IO微米，寬度范圍為0.25微米至2毫米。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述提供步驟包括提供具 有主表面的聚合膜基底，所述主表面具有浮雕圖案，所述浮雕圖案包 括基本平行的多個(gè)線性軌跡形式的凸起區(qū)域，相鄰的基本平行的凸起 區(qū)域之間的距離范圍為0.25微米至1厘米。
16. —種包括聚合膜的制品，具有具有浮雕結(jié)構(gòu)的主表面，所述浮雕結(jié)構(gòu)包括凸起區(qū)域和相鄰凹陷區(qū)域；所述凸起區(qū)域選擇性地涂覆有第一材 料，所述第一材料支承功能化分子。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品，其中所述功能化分子為自組裝 單層的形式。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品，其中所述聚合膜的厚度為從5 微米至1000微米，并且包含選自由下列物質(zhì)組成的組的聚合物聚酰 亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、雙酚A型 聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、 聚偏二氟乙烯、聚甲基丙烯酸酯、以及液晶聚合物。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品，其中所述聚合膜是透明的。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品，其中所述第一材料包含金屬， 所述金屬選自由金、銀、鈀、鉑、銠、銅、鎳、鐵、銦、錫、及其混 合物、合金、或化合物組成的組。
全文摘要
本文描述了一種在聚合物基底(105)上圖案化第一材料(110)的方法。所述方法包括提供具有主表面(104)的聚合膜基底(105)，所述主表面具有包括凹陷區(qū)域(108)和相鄰的凸起區(qū)域(106)的浮雕圖案；在所述聚合膜基底(105)的所述主表面(104)上沉積第一材料(110)，從而形成涂覆的聚合膜基底；選擇性地在所述涂覆的聚合膜基底的所述凸起區(qū)域(106)上形成功能化材料層(131)，從而形成功能化的凸起區(qū)域和非功能化的凹陷區(qū)域；以及在所述聚合物基底上選擇性地蝕刻所述非功能化的凹陷區(qū)域中的所述第一材料(110)。
文檔編號(hào)H05K3/00GK101530010SQ200780039100
公開日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2007年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月18日
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