專利名稱：一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟 技術(shù)背景
CVD(化學(xué)氣相沉積)工藝是半導(dǎo)體材料和集成電路生產(chǎn)加工中不可缺少的 重要工藝之一。硅片在CVD加工過程中離不開石英舟，石英舟作為載體，是爐 內(nèi)與硅片相接觸的唯一固體材料。而CVD工藝中產(chǎn)生硅片崩邊最多的工藝是多 晶生長工藝。為了減少CVD工藝的崩邊，人們采用了很多措施，如全自動倒片， 石英舟進(jìn)出爐速度可調(diào)并自動控制，改進(jìn)石英舟構(gòu)造等，由于石英舟的幾何形狀 和表面情況對硅片的崩邊影響很大。因此，有必要提供一種防止硅片在生長多晶 過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英 舟，該石英舟的結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，使用方便。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案這種防止硅片在生長多晶 過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟，它包括石英舟架，石英舟定位棒，石英舟定位管，
上料棒，其特征在于石英舟上料棒的外面，套一個石英護(hù)管，石英護(hù)管的直徑
較上料棒大，石英護(hù)管上開槽，開槽的位置為上料棒開槽的上方，且垂直于上料 棒的軸線。
所述的石英護(hù)管的直徑可較上料棒大l-5mm。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是因在上料棒上增加了護(hù)管，使上料棒和其上方的護(hù)管
較原來增加了硅片與石英舟相近的面積，相近處產(chǎn)生的留層使得該處的生長速率 較硅片的其他部分的生長速率慢，即該處的多晶硅的厚度較硅片的其它部分的多 晶硅的厚度薄，多晶越薄產(chǎn)生的硅片的崩邊越少，提高了產(chǎn)品收率。

圖l:為本實(shí)用新型提供的一種石英舟的主視圖 圖2:為圖1的側(cè)視圖
圖3:為圖1中上料棒和護(hù)管配合的示意圖 圖4:為圖3的剖視圖圖l、圖2、圖3、圖4中，3為石英舟架，4為石英舟實(shí)心定位棒，2為石 英舟定位管，在石英舟架的上方為石英上料棒l， 5為套在上料棒外面的石英護(hù) 管，石英護(hù)管上開槽5-l，開槽的位置為上料棒開槽的上方，且垂直于上料棒的 軸線。可以做成護(hù)管與棒的下部連在一起。
由于我們設(shè)計的石英舟在上料棒的上面加了石英護(hù)管，造成了硅片與石英舟 相接觸部分的生長速率較硅片的其它部分的生長速率不同。
由于圖中的上料棒和其上方的護(hù)管較原來增加了硅片與石英舟相近的面積， 相近處產(chǎn)生的留層使得該處的生長速率較硅片的其他部分的生長速率慢，即該處 的多晶硅的厚度較硅片的其它部分的多晶硅的厚度薄，多晶越薄產(chǎn)生的硅片的崩 邊越少。
我們設(shè)計的石英舟減少了硅片在生長多晶硅時的崩邊，提高了產(chǎn)品收率。 實(shí)施例1
使用以前的石英舟生產(chǎn)多晶硅片時，其崩邊的不合格率為1.7%，而現(xiàn)在， 不合格率平均為0.5%。該石英舟生產(chǎn)的產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)范號包括ZW-20-l; GLP-39-l; ON-01-05等。
權(quán)利要求1、一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟，它包括石英舟架，石英舟定位棒，石英舟定位管，上料棒，其特征在于石英舟上料棒的外面，套一個石英護(hù)管，石英護(hù)管的直徑較上料棒大，石英護(hù)管上開槽，開槽的位置為上料棒開槽的上方，且垂直于上料棒的軸線。
2、 根據(jù)權(quán)利求1所述的一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟，其特征在于所述的石英護(hù)管的直徑較上料棒大l-5mm。
專利摘要一種防止硅片在生長多晶過程中產(chǎn)生崩邊的石英舟，它包括石英舟架，石英舟定位棒，石英舟定位管，上料棒，所述的石英舟上料棒的外面，套一個石英護(hù)管，石英護(hù)管的直徑較上料棒大，石英護(hù)管上開槽，開槽的位置為上料棒開槽的上方，且垂直于上料棒的軸線。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是因在上料棒上增加了護(hù)管，使上料棒和其上方的護(hù)管較原來增加了硅片與石英舟相近的面積，相近處產(chǎn)生的留層使得該處的生長速率較硅片的其他部分的生長速率慢，即該處的多晶硅的厚度較硅片的其它部分的多晶硅的厚度薄，多晶越薄產(chǎn)生的硅片的崩邊越少，提高了產(chǎn)品收率。
文檔編號C30B25/02GK201128778SQ20072019034
公開日2008年10月8日 申請日期2007年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月23日
發(fā)明者萬關(guān)良, 徐繼平, 喆 王, 輝 王, 陸小勇 申請人:北京有色金屬研究總院;有研半導(dǎo)體材料股份有限公司