專利名稱：Lcd基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開通常涉及液晶顯示器(LCD)，且更具體地，涉及用于 液晶顯示面板的基板，其減少包括有該基板的面板中的像素缺陷。
背景技術(shù)：
LCD顯示面板包括陣列基板，具有薄膜晶體管(TFT)和像
素電極；濾色基板，具有濾色器和共用電極；以及液晶材料層，介
于陣列基板和濾色基板之間。陣列基板進一步包括彼此交叉并限定 多個單位像素的多條樹極線和多條源極線，其中每個單位像素中形
成有一個TFT和一個i象素電才及。
每個TFT電連接于像素電才及中相關(guān)的 一個，并且可以將電荷耦 合至4象素電才及上。在4象素電極與共用電纟及之間形成電場，該電場控 制液晶材料的分子排列，并從而控制通過像素發(fā)射的光的量。
耦合至像素電極上的電荷通過在相關(guān)的存儲線與像素電極之 間的單位 -像素區(qū)域中形成的存 <諸電容器在圖 <象幀期間維持所述兩 個電極之間的電場。當存儲線被斷開時，或者當存儲線與鄰近的數(shù) 據(jù)線發(fā)生短路時，不能正常地形成單位像素區(qū)域內(nèi)的存儲電容器， 使得單位像素不能正確控制液晶材料，從而產(chǎn)生有缺陷的像素。
近來，為提高LCD面板的側(cè)視角，已經(jīng)提出這樣一種設(shè)計， 其中像素電極被分為第 一子電極和第二子電極。第 一像素電壓被施
加于第一子電極，而第二像素電壓(其大于第一像素電壓)被施加 于第二子電極。因此，單位〗象素區(qū)域中的液晶層的分子所朝向的方
向更是多樣的，從而有利地改進LCD面板的側(cè)視角。
但是，當像素電極被分為第一和第二子電極時，用于僅使用一 條存儲線來維持第一像素電壓和第二像素電壓的相關(guān)存儲電容器 的缺陷ft量增加。

發(fā)明內(nèi)容
沖艮據(jù)文中所述的示例性實施例，提供了用于LCD顯示面^反的 基板，該基板減少或消除由存儲線缺陷造成的<象素缺陷，從而能夠 生產(chǎn)沒有缺陷^像素的顯示面板。
在一個示例性實施例中，顯示基板包括基板、像素電極、第 一和第二存々者線、以及存々者復(fù)制線(storage duplication wiring )?；?板包括薄膜晶體管(TFT)層。像素電極以單位像素區(qū)域的形狀被 圖案化(pattern)在TFT層上并且包括第一和第二子電才及。第一子 電極接收來自TFT層的第一像素電壓，第二子電極與第一子電極電 隔離并且接收來自TFT層的第二像素電壓。第一和第二存儲線形成 在單位像素區(qū)域中并分別用于在圖像幀期間維持第 一和第二像素
電壓。存儲復(fù)制線沿單位像素區(qū)域的邊緣形成并電連接至每一條第 一和第二存儲線。
在一個示例性實施例中，TFT層可包括第一和第二4冊極線， 分別沿第一和第二存儲線的縱向設(shè)置；數(shù)據(jù)線，與第一和第二柵極 線交叉；以及第一和第二TFT。第一TFT響應(yīng)于通過第一4冊極線施 加的第一控制信號而向第一子電極施加來自數(shù)據(jù)線的第 一像素電 壓，第二 TFT響應(yīng)于通過第二棚4及線施加的第二控制信號而向第二 子電極施加來自數(shù)據(jù)線的第二像素電壓。單位像素區(qū)域以Z字形形
成且沿著分別與第 一和第二存儲線交叉的方向形成。存儲復(fù)制線沿 單位像素區(qū)域的第 一子電極和與該單位像素區(qū)域相鄰的單位像素 區(qū)域的第二子電極之間的空間延伸。
在另一示例性實施例中，TFT層可包括柵極線，沿第一和第 二存儲線的縱向設(shè)置；第一和第二數(shù)據(jù)線，與柵極線交叉；以及第 一和第二 TFT。第一 TFT響應(yīng)于通過4冊才及線施加的控制4言號而向第 一子電極施加來自第 一數(shù)據(jù)線的第一像素電壓。第二TFT響應(yīng)于通 過柵極線施加的控制信號而向第二子電極施加來自第二數(shù)據(jù)線的 第二像素電壓。單位^像素區(qū)域以矩形形狀形成。單位^像素區(qū)域包括 有效光傳輸(light-transmission)區(qū)域，第一和第二子電極設(shè)于其中； 以及非有效光傳輸區(qū)域，圍繞有效光傳輸區(qū)域并沿柵極線及第 一和 第二數(shù)據(jù)線設(shè)置。
在又一示例性實施例中，顯示面才反包括第一基壽反、第二基4反、 以及設(shè)置在第 一基板與第二基板之間的液晶材料層。第 一基板包括 下部基板、像素電極、多條存儲線、以及存儲復(fù)制線。像素電極以 單位像素區(qū)域的形狀被圖案化在下部基板上，并且包括彼此電隔離 且分別接收不同電平的電壓的第 一和第二子電極。多條存儲線形成 在單位像素區(qū)域中并用于維持電壓。存儲復(fù)制線沿單位像素區(qū)域的 邊緣形成并分別電連接至存儲線，而存儲線鄰近于存儲復(fù)制線設(shè) 置。第二基板包括面對下部基板的上部基板、濾色器、阻光圖案、 以及共用電極。每個濾色器均以與一個相關(guān)單位像素區(qū)域?qū)?yīng)的形 狀形成并設(shè)置在上部基板上。阻光圖案形成在與單位像素區(qū)域之間 的邊界區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域中。共用電極形成在濾色器和阻光圖案 上。
在再一示例性實施例中，阻光圖案可覆蓋與單位像素區(qū)域之間 的邊界區(qū)域相對應(yīng)的存儲復(fù)制線。邊界區(qū)域以Z字形形狀形成并沿 與存4諸線交叉的方向延伸。i或分割圖案(domain divisional pattern )
形成在共用電才及處，并且域分割圖案用于將第一和第二子電極分成 多個域。
此處公開的新型顯示基板能夠使基板中產(chǎn)生的像素缺陷的數(shù)
量減少，從而^是高包括有該基^反的顯示面;f反的圖〗象質(zhì)量。
通過考慮下面本發(fā)明示例性實施例的詳細描述(尤其如果這種 描述是結(jié)合附圖而作出的)，可以獲得對本發(fā)明新型顯示面壽反基板 的上述以及許多其它特征及優(yōu)點的更好理解，其中相同的參考標記 用于表示其中一個或多個附圖中所示的相同元件。


圖1是才艮據(jù)本發(fā)明的顯示基板的第一示例性實施例的局部平面 視圖2是沿圖1的截面線I-I'截取的圖1的顯示基板的局部橫截 面牙見圖3是沿圖i的截面線n-n'截取的圖i的顯示基板的局部橫截
面視圖4是沿圖i的截面線m-m'截取的圖i的顯示基板的局部橫截
面3見圖5是根據(jù)本發(fā)明的顯示基板的第二示例性實施例的局部平面
圖6是沿圖5的截面線IV-IV'截取的圖5的顯示基4反的局部4黃截 面視圖7是沿圖5的截面線V-V'截取的圖5的顯示基板的局部橫截 面視圖8是才艮據(jù)本發(fā)明的顯示面板的第一示例性實施例的局部平面 視圖9是沿圖8的截面線VI-VI'截取的圖8的顯示面板的局部橫截 面視圖IO是圖8的顯示面板的示例性第二基板的平面圖11是沿圖8的截面線VD-W'截取的圖8的顯示面板的局部橫 截面^L圖；以及
圖12是才艮據(jù)本發(fā)明的顯示面4反的另一示例性實施例的局部4黃 截面一見圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照示出本發(fā)明實施例的附圖對本發(fā)明進行更全 面的描述。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來體5見，而不應(yīng)i人 為本發(fā)明局限于此處所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了
使本Z^開更全面和完整，并向本領(lǐng)域:技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范 圍。在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸及相對尺寸可被放 大。
可以理解，當指出一個元件或?qū)?位于"、"連接至"或"耦合 至"另一元件或?qū)訒r，它可以直接位于、連4妻至或?qū)Ｘ现亮硪辉?或?qū)由?，或者可以存在插入的元件或?qū)印Ｏ喾?，當指出一個元件"直 接位于"、"直4妄連4妄至"或"直接耦合至"另一元件或?qū)訒r，則不 存在插入的元件或?qū)?。相同的標號通篇表示相同的元件。當用在?br> 文中時，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列條目中的任一個以 及所有纟且合。
可以理解，盡管這里可以^吏用術(shù)語第一、第二、第三等來描述 各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、
層和/或部分不應(yīng)局限于這些術(shù)i吾。這些術(shù)i吾^又用于爿夸一個元^f牛、部 件、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在 不背離本發(fā)明教導(dǎo)的前^是下，下面所述的第一元件、部件、區(qū)域、
層或部分可以稱為第二元件、部件、區(qū)i或、層或部分。
為了易于描述，本文可以使用空間相對關(guān)系術(shù)語，例如"下面"、 "下方""下部"、"上方"、"上部"及類4以詞，以描述附圖所示的 一個元件或特^正相對于另一個元件或特4i的關(guān)系。可以理解，除了
包括圖中示出的方位外，空間相對關(guān)系術(shù)語還旨在包括裝置在^f吏用 或才喿作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么^皮描 述為在其它元件或特征"下方"或"下面"的元件將^皮定位在其它元
件或特^E的"上方"。因此，示例性術(shù)i吾"下方，，可以包4舌"上方" 和"下方，，兩個方位。可以將裝置以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90°或處 于其它方位)，并且相應(yīng)地對此處使用的空間相對關(guān)系術(shù)語進行解釋。
這里所^使用的術(shù)詔^又用于描述特定實施例的目的，而并不用于 限制本發(fā)明。除非文中清楚地指明是其它情況，否則這里所使用的 單數(shù)形式"一個，，("a" "an"和"the")也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還 可以5里解，當術(shù)i吾"包含(comprises和/或comprising )，，用于本i兌 明書中時，表明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/ 或部件，但并不排除一個或多個其它的特征、整體、步驟、操作、 元件、部件、和/或其組合的存在或附加。
以下，將參照作為本發(fā)明理想化實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意 圖的4黃截面圖，描述本發(fā)明的實施例。因此，可以預(yù)并+到由于例如 制造技術(shù)和/或公差而造成的與圖示形狀的偏離。因此，本發(fā)明的實 施例不應(yīng)該#1理解為局限于這里所示區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)該包 ^括例如由于制造而產(chǎn)生的形狀上的偏差。例如，圖示為矩形的注入 區(qū)通常在其邊》彖具有圓形的或彎曲的特4正和/或注入濃度梯度，而不 是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣，通過注入形成的掩埋區(qū) 可能在掩埋區(qū)與通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些注 入。因此，圖中所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀不旨在 描述裝置區(qū)域的實際形狀，并且也不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另有限定，否則這里所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和 科學術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的通常理解相同
的含義。應(yīng)該進一步理解，i者如通用詞典中定義的那些術(shù)i吾應(yīng)該祐L 解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域范圍內(nèi)的含義一致的含義，并且
除非這里特別限定，否則其不應(yīng)該解釋為理想化的或過于正式的含 義。
在下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明。 顯示基纟反實例
圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示基板105的第一示例性實施例的
局部平面視圖，而圖2是沿圖i的截面線i-r截取的圖i的示例性
顯示基才反的局部片黃截面^L圖。
參照圖1和圖2,顯示基板100包括基板105、像素電極PE、 第一存儲線SL1、第二存儲線SL2、以及存儲復(fù)制線STRL。
基板105包括底部基板110和形成在底部基板110上的薄膜晶 體管(TFT)層115。
底部基寺反110包括光學各向同性3皮璃(isotropic glass )。 TFT層 115響應(yīng)于從外部裝置提供的控制信號和圖像信息信號而將像素電 壓施加于像素電才及PE。
多個單位4象素區(qū)域^皮限定在TFT層115上。單位-像素區(qū)域以諸 如矩陣形狀、馬賽克形狀等^見則排列被 沒置。
TFT層115包括多條柵極線GL1和GL2、多條數(shù)據(jù)線DL、 和多個TFT。柵極線GL1和GL2沿第一方向(如圖1中的箭頭坐 標所示)在底部基板110上延伸。數(shù)據(jù)線DL與柵極線GL1和GL2 電絕緣并設(shè)置在底部基板110的與柵極線Gll和GL2相對應(yīng)的區(qū)域 上。翁::悟線DL沿與第一方向交叉的第二方向(如圖1的箭頭坐標 所示)延伸。第二方向可基本垂直于第一方向。TFT沿相應(yīng)的棚-才及 線GL1和GL2或者數(shù)據(jù)線DL設(shè)置，并且每個TFT都電連接至相 關(guān)的棚4及線GL1和GL2以及l(fā)t據(jù)線DL。每個TFT響應(yīng)于通過相 關(guān)柵極線施加的控制信號而輸出通過相關(guān)數(shù)據(jù)線DL施加的像素電 壓。
在圖1和圖2中，兩條4冊才及線GL1和GL2與一條凄t據(jù)線DL 限定一個單位^象素區(qū)域。因此，參照如此限定的單位^像素區(qū)域來描 述TFT層115。單位像素區(qū)域的兩條柵極線GL1和GL2分別被定 義為第一柵極線GL1和第二柵極線GL2。電連接于第一柵極線GL1 的TFT被定義為第一薄膜晶體管TFT1,而電連接于第二柵極線GL2 的TFT被定義為第二薄膜晶體管TFT2。第一和第二晶體管TFT1 和TFT2的分層結(jié)構(gòu)基本相同，/人而參照圖1和圖2中所示的第一 薄膜晶體管TFT1來描述TFT層115。
如圖2所示，第一薄膜晶體管TFT1包括第一柵極電極GE1、 4冊才及絕》彖層120、第一有源層AL1、第一歐姆4妾觸層OLl、第一源 電才及SE1、和第一漏電才及DE1。
第一棚-極電極GEl包括第一柵-極線GLl的一部分。柵4及絕緣 層120形成在底部基^反110的與第一和第二斥冊才及線GL1和GL2相 對應(yīng)的區(qū)域上。例如，第一有源層AL1可以包括半導(dǎo)體(諸如非晶 娃)，并且可以形成在4冊極絕緣層120的與第一沖冊才及電才及GE1相對 應(yīng)的區(qū)域上。第一源電極SE1包括數(shù)據(jù)線DL的與第一有源層AL1 交疊的一部分。例如，第一源電極SE1可基本以U形來形成。第一 漏電才及DE1由與第一源電才及SE1基本相同的層形成(即，由相同 材料形成并且處于相同層)，并且與第一源電極SE1分離。例如， 第一漏電極DE1可設(shè)置于U形第一源電極SE1的中部區(qū)域。乂人而， 第一漏電極DE1部分地與第一有源層AL1交疊，并沿第二方向延 伸。例如，第一歐姆接觸層OLl可包括注入為n型的非晶硅，并且 分別形成在第一有源層AL1與第一源電才及SE1之間，以及第一有 源層AL1與第一漏電極DE1之間。
TFT層115可以進一步包括鈍化層130和有機絕緣層140。鈍 化層130形成在柵極絕緣層120的與第一薄膜晶體管TFT1、第二 薄膜晶體管TFT2以及凄t據(jù)線DL相對應(yīng)的區(qū)域上。有機絕緣層140 形成在鈍化層130上，并用以使TFT層115的表面平坦?？蛇x擇地， 鈍化層130和有機絕緣層140中之一可^皮省略。
像素電極PE形成在有機絕緣層140上的單位像素區(qū)域中，并 且以單位像素區(qū)域的形狀被圖案化。在圖1和圖2中，單位像素區(qū) 域以Z字形狀形成并沿與第一和第二柵極線GL1和GL2交叉的方 向形成，如圖1所示。例如，單位^像素區(qū)i或可沿第二方向與棚4及線 交叉。在圖1所示的具體示例性實施例中，單位〗象素區(qū)域沿第二方 向包括三個彎曲部(bend)，并且因此基本呈W形。
像素電極包括彼此電隔離的第一子電極SPE1和第二子電極 SPE2。第一子電極SPE1沿著單位像素區(qū)域的側(cè)面沿第一方向形成 并且基本呈W形。第二子電極SPE2沿單位像素區(qū)域的其余側(cè)面沿 第一方向形成并且沿第一子電才及SPE1的中間區(qū)域形成。第二子電 極SPE2可以基本呈A形。第一子電極SPE1的沿第二方向延伸的端 部分別沿相反的方向彎曲并面對第一子電4及SPE1的端部。
像素電極PE包括諸如氧化銦錫(ITO )、氧化銦鋅(IZO )、非 晶氧化銦錫(a-ITO)等透明的導(dǎo)電材料。
圖3是沿圖i的截面線n-n'截取的圖1的示例性顯示基板的局
部才黃截面碎見圖。參照圖1至圖3，第一薄膜晶體管TFT1的第一漏 電才及DE1沿第二方向延伸(》。上所述)，并且電連4妄至由與第一漏 電極基本相同的層形成的第一連接電極CE1。第一連接電極CE1 設(shè)置在第一子電極SPE1的彎曲部分中。第一連接電極CE1通過第 一才妄觸孔142電連4妄至第一子電才及SPE1， /人而第一薄膜晶體管 TFT1電連接至第一子電極SPE1。第一控制信號通過第一柵極線 GL1施加于第一柵極電才及GEl,而第-H象素電壓通過彩:據(jù)線DL施 加于第一源電極SE1。從而，第一薄膜晶體管TFT1響應(yīng)于施加于 其上的第一控制信號通過第一漏電極DE1將第一像素電壓施加于 第一子電4及SPE1。
第二薄膜晶體管TFT2的第二漏電極DE2沿第二方向延伸，并 且電連4妄至由與第二漏電極DE2基本相同的層形成的第二連接電 極CE2。第二連接電極CE2設(shè)置在第二子電極SPE2的中間部分中。 第二連接電極CE2通過第二接觸孔144電連接至第二子電極SPE2， 從而，第二薄膜晶體管TFT2電連接至第二子電極SPE2。第二控制 信號通過第二斥冊極線GL2施加于第二棚—及電才及，并且第二像素電壓 通過數(shù)據(jù)線DL施加于第二源電極。從而，第二薄膜晶體管TFT2
響應(yīng)于施加于其上的第二控制信號通過第二漏電極DE2將第二像 素電壓施加于第二子電極SPE2。
在圖1至圖3的實施例中，第二像素電壓的電平大于第一像素 電壓的電平。因此，第一子電極SPE1可被指定為"低像素"，而第 二子電極SPE2可被指定為"高像素"。
第 一和第二存儲線SL1和SL2都沿基本平行于第 一和第二柵極 線GL1和GL2的第一方向延伸。第一和第二存々者線SL1和SL2由 與第一和第二4冊才及線GL1和GL2基本相同的層形成，并且i殳置在 第一4冊才及線GL1和第二4冊才及線GL2之間。在所示實施例中，第一 和第二存々者線SL1和SL2形成在單位4象素區(qū)域中，并形成為具有雙 (double)存儲線結(jié)構(gòu)。
第二存儲線SL2 i殳置在與單位〗象素區(qū)域的彎曲部分的中部相 對應(yīng)的區(qū)域中，而第一存儲線SL1設(shè)置在與單位像素區(qū)域的其余彎 曲部分相對應(yīng)的區(qū)i或中。
第一存儲線SL1包括第一存儲電極ST1，該第一存儲電極ST1 在與第一連接電極CE1相對應(yīng)的區(qū)域中具有較大的寬度。第二存儲 線SL2包括第二存儲電極ST2，該第二存儲電極ST2在與第二連接 電極CE2相對應(yīng)的區(qū)域中具有較大的寬度。
第一存4諸電才及ST1 、才冊極絕纟彖層120和第一連4妻電才及CE1 —起 形成第一電容器，該第一電容器用于在圖像幀期間維持施加于第一 子電極SPE1的第一像素電壓。第二存儲電極ST2、柵極絕緣層120 和第二連接電極CE2 —起形成第二電容器，該第二電容器用于在該 圖像幀期間維持施加于第二子電極SPE2的第二像素電壓。外部裝 置(未示出)向第一和第二存儲線SL1和SL2施加維持電壓。 圖4是沿圖i的截面線iii-nr截取的圖i的示例性顯示基板的
局部橫截面視圖。參照圖4,存儲復(fù)制線STRL電連接至第一存儲 線SL1和第二存々者線SL2兩者。存儲復(fù)制線STRL沿單位〗象素區(qū)域 的邊緣形成，并且由與第一和第二才冊極線GL1和GL2基本相同的 層形成。為防止單位〗象素區(qū)域的光傳輸區(qū)域的減少，存々者復(fù)制線 STRL形成在第 一子電極SPE1與第二子電極SPE2之間的區(qū)域中。
存儲復(fù)制線STRL設(shè)置在一個單位像素區(qū)域的第一子電極 SPE1和與該單位像素區(qū)域相鄰的單位像素區(qū)域的第二子電極SPE2 之間。在圖1至圖4中，存儲復(fù)制線STRL沿基本呈A形的第二子 電極SPE2的一個分支延伸。從而，顯示基板100的雙存儲線通過 單位像素區(qū)域的每個拐角中的存儲復(fù)制線而彼此電連接。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的，即使第一存儲線SL1的任意點 被斷開，維持電壓將仍然通過第二存儲線SL2和存儲復(fù)制線STRL 被施加于第一存儲線SL1，并且即使第二存儲線SL2的任意點被斷 開，維持電壓將仍然以類似方式被施加于第二存儲線SL2。通常， 第一和第二存儲線SL1和SL2的斷開會中斷維持電壓的施加，因此 第一和第二像素電壓在幀期間將不被維持，從而導(dǎo)致像素缺陷。但
的顯示面^反中產(chǎn)生這種〗象素缺陷。
此外，如圖1所示，第一和第二存儲線SL1和SL2與數(shù)據(jù)線 DL交叉，乂人而在第一和第二存書者線SL與數(shù)據(jù)線DL之間可能發(fā)生 短路。但是，當發(fā)生與數(shù)據(jù)線DL的這種短路時，通過僅僅切斷設(shè) 置在數(shù)據(jù)線DL兩側(cè)的第一存儲線SL1或第二存儲線SL2就能容易 地修復(fù)該短路。并且，如上所述，盡管第一存儲線SL1或第二存儲 線SL2的一部分被切斷，維持電壓將仍然通過存儲復(fù)制線STRL被 施加于第一存^f諸線SL1和第二存^f諸線SL2。
在圖1至圖4的示例性實施例中，與第一和第二存儲線SL1和 SL2 —樣，存儲復(fù)制線STRL由與第一和第二柵-極線GL1和GL2 基本相同的層形成。但是，在另一可能的實施例中，與第一和第二 存儲線SL1和SL2不同，存儲重復(fù)線STRL可改為形成在柵極絕緣 層120的上部，例如，形成在柵極絕緣層120與鈍化層130之間。 當存儲復(fù)制線STRL形成在柵極絕緣層120和鈍化層130之間時， 在第一子電才及SPE1與第二子電才及SPE2之間的第一和第二存儲線 SL1和SL2上的柵極絕緣層120的某區(qū)域中形成開口 ，然后存儲復(fù) 制線STRL可通過該開口電連4妻至第一和第二存儲線SL1和SL2。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的顯示基板300的第二示例性實施例的局部 平面圖，而圖6是沿圖5的截面線IV-IV'截取的圖5的示例性顯示 基4反的局部4黃截面—見圖。
參照圖5和圖6,顯示基板300包括基板305、像素電極PE、 第一存儲線SL1、第二存儲線SL2，以及存儲復(fù)制線STRL。
基板305包括底部基板310和形成在底部基板310上的TFT層 315。除了TFT層315之外，基板305與圖1至圖4的基板105基 本相同。除了連接于單位像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量之外， TFT層315與圖1至圖4的TFT層115基本相同。
TFT層315包括多條柵極線GL、多條數(shù)據(jù)線DL1和DL2、 以及多個薄膜晶體管TFT1和TFT2。在圖5和圖6中， 一條4冊才及線 GL以及兩條數(shù)據(jù)線DL1和DL2限定每個單位^象素區(qū)域。因此，參 照如此限定的單位像素區(qū)域來描述TFT層315。限定該單位像素區(qū) 域的兩條數(shù)據(jù)線DL1和DL2分別包括第一數(shù)據(jù)線DL1和第二數(shù)據(jù) 線DL2。電連接于第一數(shù)據(jù)線DL1的TFT包括第一薄膜晶體管 TFT1，而電連接于第二數(shù)據(jù)線DL2的TFT被定義為第二薄膜晶體 管TFT2。
第一和第二薄膜晶體管TFT1和TFT2的分層結(jié)構(gòu)與圖2的第 一薄膜晶體管TFT1基本相同。因此，第二薄膜晶體管TFT2包括 第二柵極電極GE2、斥冊才及纟色纟彖層320、第二有源層AL2、第二歐姆 接觸層OL2、第二源電極SE2、以及第二漏電極DE2。第一薄膜晶 體管TFT1包括與第二薄膜晶體管TFT2的那些元件相對應(yīng)的基本 相同或相似的元件。
像素電極PE形成于限定在有機絕緣層340上的單位像素區(qū)域 上，并且沿著單位-像素區(qū)域-波圖案化。在圖5和圖6所示的示例性 實施例中，單位像素以矩形形狀形成。
如圖5所示，柵極線GL沿單位像素區(qū)域的一條短邊形成，而 第一和第二lt據(jù)線DL1和DL2沿單位〗象素區(qū)域的對應(yīng)長邊形成。 單位像素區(qū)域包括有效光傳輸區(qū)域和非有效光傳輸區(qū)域。有效光傳 輸區(qū)域小于單位像素區(qū)域，且有效光傳輸區(qū)域的相應(yīng)邊與單位像素 區(qū)域的短邊和長邊分離。非有效光傳豐釙區(qū)域分別#皮限定為棚-才及線 GL與有效光傳輸區(qū)域之間的區(qū)域，以及第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和 DL2與有效光傳輸區(qū)域之間的區(qū)域。
像素電極包括第一子電極SPE1和第二子電極SPE2。第二子電 極基本呈V形，并且i殳置在有效光傳輸區(qū)域的中部區(qū)域。第一子電 極SPE1與第二子電極SPE2分離，并且設(shè)置在有效光傳輸區(qū)域的 其余區(qū)域，以圍繞第二子電才及SPE2。
第一薄膜晶體管TFT1的第一漏電極DE1通過第一接觸孔342 電連接于第一子電極SPEl,從而第一薄膜晶體管TFT1響應(yīng)于通過 柵極線GL施加于TFT1的控制信號而將通過第一數(shù)據(jù)線DL1供應(yīng) 的第 一像素電壓施加給第 一子電極SPE1 。
第二薄膜晶體管TFT2的第二漏電才及DE2通過第二4妾觸孔344 電連接于第二子電極SPE2，從而第二薄膜晶體管TFT2響應(yīng)于通過 柵極線GL施加于TFT2的控制信號而將通過第二數(shù)據(jù)線DL2供應(yīng) 的第二^f象素電壓施加于第二子電極SPE2。
第 一和第二存儲線SL1和SL2兩者都沿第 一方向延伸穿過一個 像素區(qū)域并且基本上平行于柵極線GL。第一和第二存儲線SL1和 SL2由與柵極線GL基本相同的層形成。在圖5和圖6中，第一和 第二存儲線SL1和SL2形成于單位^象素區(qū)》或中，并且形成雙存儲線 結(jié)構(gòu)。在操作中，外部裝置(未示出)向第一和第二存儲線SL1和 SL2施加選定電平的維持電壓。
圖7是沿圖5的截面線V-V'截取的圖5的顯示基板的局部橫 截面視圖。參照圖5和圖7，存儲復(fù)制線STRL電連接于第一存儲 線SL1和第二存儲線SL2兩者。存儲復(fù)制線STRL沿單位〗象素區(qū)域 的邊緣形成，并且由與柵極線GL基本相同的層形成。
存4諸復(fù)制線STRL包"fe第一i多復(fù)(repairing)線STRL1和第二 修復(fù)線STRL2。第一和第二修復(fù)線STRL1和STRL2設(shè)置在非有效 光傳輸區(qū)域中，以防止通過單位^像素區(qū)i或傳豐敘的光量的減少。因此， 第一修復(fù)線STRL1沿第一數(shù)據(jù)線DL1設(shè)置在非有效光傳輸區(qū)域中， 而第二修復(fù)線STRL2沿第二數(shù)據(jù)線DL2設(shè)置在非有效光傳輸區(qū)域 中。
因此，第一和第二》務(wù)復(fù)線STRL1和STRL2用于在單4立1象素區(qū) 域的每個拐角內(nèi)使顯示基板300的雙存儲線彼此電連接。
顯示面4反實例
圖8是才艮據(jù)本發(fā)明的顯示面板500的第一示例性實施例的局部 平面^L圖，而圖9是沿圖8的截面線VI-Vr截取的圖8的示例性顯 示面板的局部4黃截面—見圖。參照圖8和圖9，示例性顯示面板500 包括第一基板501、第二基板601和液晶層LC。
第一基板501與圖1至圖4的顯示基板100基本相同。因此， 第一基板501包括下部基板510、像素電極PE、多條存儲線SL1 和SL2、以及存儲復(fù)制線STRL。下部基板510與圖1至圖4的基 板110相對應(yīng)。
TFT層515形成在下部基4反510上。TFT層515與圖1至圖4 的TFT層115基本相同。因此，TFT層515包括多條柵極線GL1 和GL2、多條數(shù)據(jù)線DL、以及多個薄膜晶體管TFT1和TFT2。
如上述，下面參照單位^象素區(qū)域描述圖8和圖9的實施例。第 一棚-極線GL1、第二4冊極線GL2和數(shù)據(jù)線DL —起限定單位像素區(qū) 域。單位像素區(qū)域以Z字形形成，并沿著與第一和第二柵極線GL1 和GL2交叉的方向形成。
像素電極PE形成在單位像素區(qū)域中，并包括以單位像素區(qū)域 的形狀被圖案化的第一子電極SPE1和第二子電極SPE2。電連接于 第一4冊極線GL1的第一薄膜晶體管TFT1向第一子電極SPE1施加 第一像素電壓。電連接于第二柵極線GL2的第二薄膜晶體管TFT2 向第二子電極SPE2施加第二像素電壓。
第一存儲線SL1和第二存々者線SL2 i殳置在第一4冊極線GL1與 第二柵極線GL2之間，并且由與第一和第二柵極線GL1和GL2基 本相同的層形成。第一和第二存儲線SL1和SL2形成為穿過單位像 素區(qū)域。存儲復(fù)制線STRL形成在單位^象素區(qū)域的拐角處。例如， 存儲復(fù)制線STRL可形成在形成于一個單位像素區(qū)域中的第 一子電才及SPE1與形成于與該單位^像素區(qū)域相鄰的另一單位^像素區(qū)域中的 第二子電極SPE2之間。存儲復(fù)制線STRL由與第一和第二柵極線 GL1和GL2以及第一和第二存儲線SL1和SL2基本相同的層形成。 存儲復(fù)制線STRL電連接于第一存儲線SL1和第二存々者線SL2。
圖10是圖8的顯示面板500的示例性第二基板601的平面圖。 參照圖9和圖10，第二基板601包括面對下部基板510的上部基 4反610、濾色器620、阻光圖案或"黑色矩陣"BM、以及共用電^L 640。
阻光圖案BM形成在上部基板610的面對下部^4反510的一個 表面上。阻光圖案BM形成在單位像素區(qū)域、第一和第二薄膜晶體 管TFT1和TFT2、第一和第二沖冊極線GL1和GL2以及凄W居線DL 之間的邊界區(qū)域中。阻光圖案BM可包括有機材料或無機材料，諸 如鉻或鉻合金。
每個濾色器620形成在阻光圖案BM的開口中以便與該阻光圖 案BM部分地交疊。濾色器620可包括例如紅、綠和藍(RGB)濾 色器。濾色器以特定的元素排列(諸如相鄰的條紋或馬賽克形排列) 而設(shè)置。
第二基板601可進一步包括保護涂層630。保護涂層630覆蓋 并保護濾色器620和阻光圖案BM，并還用于使第二基板601的表 面平坦。保護涂層630可包括透明的有機材料。
圖ii是沿圖8的截面線vn-vn'截取的圖8的顯示面板500的局
部橫截面視圖。參照圖8至圖11，共用電極640包括與像素電極 PE基本相同的材料，并形成在保護涂層630上。共用電才及640可 進一步包括域分割圖案DDP。單位像素區(qū)域通過域分割圖案DDP-陂分成多個域。每個域;帔限定為通過這樣的邊界形成的區(qū)域，在該 邊界處，液晶以各種特定方向4非列。
在圖8至圖11中，域分割圖案DDP包括通過去除共用電極640 的一部分而形成的開口圖案。在可替換的實施例中，域分割圖案 DDP可包括形成在共用電才及640上的凸起圖案。
以與第一子電極SPE1和第二子電極SPE2相同的方式，域分 割圖案DDP以Z字形形成并沿基本垂直于第一方向的第二方向形 成。域分割圖案DDP沿第二方向可具有Z字形形狀，并且i或分割 圖案DDP的Z字形的彎曲點可分別對應(yīng)于沿第一方向的第一子電 極SPE1的中部以及對應(yīng)于第二子電極SPE2。
存儲復(fù)制線STRL形成在單位像素區(qū)域之間的邊界區(qū)域，并且 由與第一和第二存儲線SL1和SL2基本相同的層形成。存儲復(fù)制線 STRL -沒置在形成于一個單位卩象素區(qū)i或中的第一子電才及SPE1和形 成于與該單位^象素區(qū)域相鄰的另 一單位〗象素區(qū)i或中的第二子電 SPE2之間。存儲復(fù)制線STRL電連接于第一存儲線SL1和第二存 4諸線SL2兩者。
存儲復(fù)制線STRL被第二基板601上形成的阻光圖案BM覆蓋， 以防止顯示面^反500的開口比(opening ratio )下P爭。
液晶材沖牛層LC設(shè)置在第一基々反501與第二基才反601之間，如 圖10和圖11所示。液晶層的分子沿各種特定方向設(shè)置在相鄰的域 中，以便增加單位像素區(qū)域的視角。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的顯示面板700的另一示例性實施例的局 部橫截面視圖。參照圖12，第二示例性面板700包括第一基板701、 第二基板801和液晶層LC。
第一基板701與圖5至圖7中所示的第一基板501基本相同。 因此，第一基板701包括下部基板701，具有TFT層715;像素 電才及PE, i殳置在TFT層715上的單位4象素區(qū)域中；多條存卡者線； 以及多條存儲復(fù)制線。
參照其中的單位^象素區(qū)域，第一基才反701的TFT層715包括 柵極線，沿第一方向延伸；第一和第二ft據(jù)線DL1和DL2，沿與 第一方向交叉的第二方向延伸；第一 TFT,電連接至第一數(shù)據(jù)線 DL1;以及第二TFT,電連接至第二數(shù)據(jù)線DL2。
單位^f象素區(qū)域以矩形形狀形成。4象素電才及PE包括4皮此分離地 形成在像素區(qū)域中的笫一子電極SPE1和第二子電極SPE2。第二子 電極SPE2基本呈V形，并設(shè)置在單位像素區(qū)域的中心，而第一子 電極SPE1設(shè)置在單位像素區(qū)域的其余區(qū)域中，以便圍繞第二子電 極SPE2。
響應(yīng)于通過4冊才及線分別施加于其上的控制信號，第一 TFT向第 一子電極SPE1施加第 一像素電壓，而第二 TFT向第二子電極SPE2 施加第二卩象素電壓。
第一和第二存儲線由與柵極線基本相同的層形成，并設(shè)置為穿 過單位像素區(qū)域。存儲復(fù)制線包括第一修復(fù)線STRL1和第二修復(fù) 線。第一修復(fù)線STRL1設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線DL1與第一子電極SPE1 之間的區(qū)域中，并沿第一數(shù)據(jù)線DL1形成。第一修復(fù)線STRL1由 與第一和第二存儲線SL1和SL2基本相同的層形成。第二^f務(wù)復(fù)線i殳 置在第二數(shù)據(jù)線與第一子電極SPE1之間的區(qū)域中，并沿第二數(shù)據(jù) 線形成。
第二基^反801包括面對下部基板710的上部基才反810、阻光 圖案BM、濾色器820、保護涂層830和共用電極840。
阻光圖案BM形成在單位像素區(qū)域之間的邊界區(qū)域中。因此， 阻光圖案BM與第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線、第一TFT和第二 TFT相對應(yīng)。
阻光圖案BM限定開口 ，每個開口對應(yīng)于相應(yīng)單4i^象素區(qū)i或的 形狀。濾色器820設(shè)置在對應(yīng)的BM開口中。保護涂層830覆蓋阻 光圖案BM和濾色器820,而共用電極840形成在保護涂層830上。
如圖12所示，第一修復(fù)線STRL1和第二修復(fù)線被阻光圖案 BM覆蓋，從而第一修復(fù)線STRL1和第二修復(fù)線沒有降低單位像素 區(qū)i或的開口比。
如上所述，每個單位像素區(qū)域中設(shè)置有兩條存儲線，并且該兩 條存儲線通過沿單位像素區(qū)域的邊緣設(shè)置的存儲復(fù)制線而彼此電 連接。作為這種設(shè)置的結(jié)果，即使任何存儲線在其上的任意點處可 能有中斷，維持電壓也仍然可通過存儲復(fù)制線和剩余的存儲線施加 于具有該中斷的存儲線。在傳統(tǒng)的顯示面板中，當由于存儲線的中 斷而未施加維持電壓時，^像素電才及和共用電擬 像素電壓之間的電壓 差值在圖像幀期間就不能被維持，從而導(dǎo)致產(chǎn)生像素缺陷。但是， 如上所述，在此處所述的示例性顯示基板實施例中，新型基板的存 儲復(fù)制線防止這種像素缺陷的發(fā)生。
此外，當存儲線和數(shù)據(jù)線意外地彼此短路時，該短路可通過切 斷部分存儲線而容易地修復(fù)，并且即使部分存儲線被切斷，維持電 壓仍然可通過存儲復(fù)制線而施加于兩條存儲線(如上所述的)，從 而防止由于這種短路造成的像素缺陷。
如本領(lǐng)域才支術(shù)人員至今所理解的，在不背離本發(fā)明的精神和范 圍的前提下，本發(fā)明的顯示面板基板的材料、方法和結(jié)構(gòu)可以有各 種變換、替代和改變。據(jù)此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)該被限制為此處所 示及所述的特定實施例(因為它們^又為了示例的目的)的范圍，相 反，應(yīng)該與下面所附權(quán)利要求及其功能性等同物的范圍完全相當。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括基板，包括TFT層；像素電極，以單位像素區(qū)域的形狀被圖案化在所述TFT層上，所述像素電極包括第一子電極，接收來自所述TFT層的第一像素電壓；以及第二子電極，與所述第一子電極電隔離，并接收來自所述TFT層的第二像素電壓；第一和第二存儲線，形成在所述單位像素區(qū)域內(nèi)，并用于維持所述第一像素電壓和所述第二像素電壓；以及存儲復(fù)制線，沿所述單位像素區(qū)域的邊緣形成，并電連接至所述第一和第二存儲線中的每一條。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述TFT層包括第一和第二柵極線，分別沿所述第一和第二存儲線的縱 向設(shè)置；凄t據(jù)線，與所述第一和第二棚4及線交叉；第一 TFT,響應(yīng)于通過所述第一柵—及線施加的第一控制 信號而向所述第 一子電極施加來自所述數(shù)據(jù)線的所述第 一像 素電壓；以及第二 TFT,響應(yīng)于通過所述第二4冊極線施加的第二控制 信號而向所述第二子電極施加來自所述數(shù)據(jù)線的所述第二像 素電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述單位像素區(qū)域以 Z字形形成，并且沿分別與所述第 一和第二存儲線交叉的方向 形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其中，所述存儲復(fù)制線沿所 述單位像素區(qū)域的所述第 一子電極和與所述單位像素區(qū)域相 鄰的另 一單位像素區(qū)域的所述第二子電極之間的空間延伸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中，所述第一和第二柵極 線、所述第 一和第二存儲線以及所述存儲復(fù)制線由基本相同的 層形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其中，所述第一和第二存儲 線i殳置在所述第一和第二4冊才及線之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板，其中所述第一 TFT的輸出電才及部分地與所述第一存々者線交 疊；以及所述第二 TFT的輸出電才及部分地與所述第二存儲線交疊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，所述TFT層進一步 包括柵極線，沿所述第一和第二存儲線的縱向設(shè)置； 第一和第二數(shù)據(jù)線，與所述4冊極線交叉；第一 TFT,響應(yīng)于通過所述4冊才及線施加的控制信號而向 所述第一子電極施加來自所述第一數(shù)據(jù)線的所述第一像素電 壓；以及 第二 TFT,響應(yīng)于通過所述4冊才及線施加的所述控制j言號 而向所述第二子電極施加來自所述第二數(shù)據(jù)線的所述第二像 素電壓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中，所述單位像素區(qū)域具 有矩形形狀。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其中，所述單位像素區(qū)域包 括有效光傳輸區(qū)域，其中設(shè)有所述第一和第二子電極；以及非有效光傳輸區(qū)域，圍繞所述有效光傳輸區(qū)域，并沿所 述棚^及線和所述第 一和第二數(shù)據(jù)線設(shè)置。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板，其中，所述存儲復(fù)制線由 與所述柵極線基本相同的層形成，并包括第一修復(fù)線，設(shè)置在所述非有效光傳輸區(qū)域中，并沿所 述第一數(shù)據(jù)線設(shè)置；以及第二修復(fù)線，設(shè)置在所述非有效光傳輸區(qū)域中，并沿所 述第二數(shù)據(jù)線設(shè)置。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其中，所述第一TFT的輸 出電極部分地與所述第一和第二存儲線之一交疊。
13. —種顯示面^反，包4舌第一基板，包括 下部基板； i象素電才及，以單位^象素區(qū)域的形狀^皮圖案化在所述下 部基板上，并具有第一和第二子電極，所述第一和第二子電極彼此電隔離并分別接收不同電平的電壓；多條存儲線，形成在所述單位像素區(qū)域中，并維持所 述電壓；以及存儲復(fù)制線，沿所述單位像素區(qū)域的邊緣形成，并分 別電連接至所述存儲線，所述存儲線鄰近所述存儲復(fù)制線 設(shè)置；第二基4反，包4舌上部基板，面對所述下部基氺反；濾色器，其形狀與所述單位像素區(qū)域?qū)?yīng)地形成，并 設(shè)置在所述上部基板上；阻光圖案，形成在與所述單位像素區(qū)域之間的邊界區(qū) i或相乂于應(yīng)的區(qū)i或中；以及共用電極，形成在所述濾色器和所述阻光圖案上；以及液晶層，設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，所述阻光圖案覆蓋 與所述單化 像素區(qū)域之間的所述邊界區(qū)域相對應(yīng)的所述存儲 復(fù)制線。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中，所述邊界區(qū)域以Z 字形形成，并沿與所述存儲線交叉的方向形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中，所述邊界區(qū)域沿矩 形形d犬的邊形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中，在所述共用電極處 形成有域分割圖案，并且其中所述域分割圖案將所述第 一和第 二子電極分成多個域。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中，所述域分割圖案包 i舌所述共用電才及中的開口 。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中，所述下部基板包括才冊才及線，沿所述存々者線的縱向i殳置； 凄t據(jù)線，與所述4冊才及線交叉；第一 TFT,響應(yīng)于通過所述4冊才及線施加的4空制4言號而向 所述第 一 子電極施加來自所述數(shù)據(jù)線的第 一 像素電壓；以及第二 TFT,響應(yīng)于通過所述棚-4及線施加的所述控制信號 而向所述第二子電4及施加來自所述ft據(jù)線的第二<象素電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于LCD的基板，其包括透明基板、像素電極、第一和第二存儲線，以及存儲復(fù)制線。該像素電極以單位像素區(qū)域的形式圖案化在形成于基板上的薄膜晶體管層上。該像素電極包括第一子電極，接收來自薄膜晶體管層的第一像素電壓；以及第二子電極，與第一子電極電隔離并接收第二像素電壓。第一和第二存儲線形成在單位像素區(qū)域中并在圖像幀期間分別維持第一和第二像素電壓。存儲復(fù)制線沿單位像素區(qū)域的邊緣形成并電連接至第一和第二存儲線。該基板減少像素缺陷并提高顯示圖像的質(zhì)量。
文檔編號H05B33/26GK101098577SQ200710112458
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月27日
發(fā)明者金東奎 申請人:三星電子株式會社