專利名稱：封裝基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板的制造方法。
背景技術：
近來，盡管IC的尺寸減小了，但引線的數(shù)目卻增加了。為了解決該問題，封裝基板(諸如BGA(球柵陣列)和CSP(芯片級封裝))的使用近來很普遍。在該封裝基板中，在使用焊球的幫助下，可以將基板制成得具有更高的密度。因此，封裝基板可以有效地應用于安裝半導體芯片。
在封裝基板中，在很多情況下，鍍金應用于與半導體芯片連接的球焊盤或粘接指(bonding finger)等(稱為“焊盤”)，用于改進電連接，并且為了完成該鍍層，在基板上形成有鍍層引線。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術的使用鍍層引線的印刷電路板的制造示圖。在圖1中，示出了印刷電路板的制造方法，并且該制造方法如下所述。
制備用于制造印刷電路板的銅箔層壓板(步驟1)。之后，形成孔，以便連接所準備的銅箔層壓板的頂部和底部(步驟2)。通常，可以使用鉆孔機來形成孔。然后，對該孔進行噴鍍(步驟3)。電連接銅箔的頂部和底部。在步驟4中，層壓干膜，并進行曝光、顯影、和蝕刻，以形成電路圖案。這是使用削減法形成電路圖案的方法。之后，通過化學鍍在印刷電路板上形成晶種層(步驟5)。晶種層的部分將成為鍍層引線。在步驟6中，僅對將不會成為鍍層引線的部分進行顯影。當通過弱蝕刻去除附著在印刷電路板整個表面上方的晶種層并剝離干膜之后，形成具有鍍層引線的電路圖案(步驟7、8)。
然后，涂上干膜并將待鍍金的部分進行顯影(步驟9)。使用已經形成的鍍層引線對這些部分鍍鎳和金(步驟10)。在剝離干膜(步驟11)之后，通過弱蝕刻去除薄鍍層引線(步驟12)。在涂覆阻焊劑(步驟13)并僅對鍍金部分顯影之后，完成產品的制造(步驟13、14)。
但是，通過現(xiàn)有技術形成鍍層引線，對電路的密度造成限制。而且，需要在噴鍍之后去除鍍層引線的附加工藝，而且鍍層引線殘留會產生信號噪聲。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一方面在于提供一種封裝基板的制造方法，該方法不使用鍍層引線。
從包含附圖和權利要求的以下描述中，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點將變得顯而易見且更容易理解，或者可以從本發(fā)明的實踐中獲知。
一種封裝基板的制造方法，所述封裝基板用于通過將電子器件的電極連接至焊盤而安裝電子器件，該方法包括(a)制造埋入式圖案基板，該基板具有埋入到絕緣層中的電路圖案和焊盤，且具有層壓在絕緣層上的晶種層；(b)將干膜層壓到晶種層上，并去除焊盤上側的晶種層和干膜；(c)使用剩余的晶種層作為鍍層引線，進行表面處理；以及(d)去除剩余的晶種層和干膜，使得電路圖案露出。
該步驟(a)包括(a1)將晶種層層壓到載板(carrier board)上；(a2)在晶種層上形成電路圖案和焊盤；(a3)將載板層壓到絕緣層上，使得載板的電路圖案和焊盤埋入到絕緣層中；以及(a4)去除載板。


從下面結合附圖對實施例的描述，本發(fā)明總發(fā)明構思的這些和/或其它方面和優(yōu)點將變得顯而易見且更容易理解，附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術的使用鍍層引線的印刷電路板的制造示圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的封裝基板的生產流程圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的封裝基板的制造示圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的封裝基板的制造方法的實施例。在參照附圖的描述中，與圖號無關，相同或相關的那些部件以相同的參考標號表示，并省略重復的描述。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的封裝基板的制造方法的流程圖。圖3是封裝基板的制造示圖。參照圖3，示出了載板31、晶種層32、干膜33a、33b和33c、電路圖案34、焊盤35、絕緣層36、通孔37、化學鍍層38a、以及填充鍍層38b。
圖2的S21是制造埋入式圖案基板的操作，其中，將焊盤35和電路圖案34埋入到絕緣層36中，并將晶種層32層壓到絕緣層36上。S21對應于圖3的(a)至(e)。圖3的步驟(a)是將晶種層32層壓到載板31上的操作。載板31起到支撐晶種層32的作用，并將通過另一步驟被順序去除。通常，載板31由金屬制成。臨時用來形成電路圖案34和焊盤35的晶種層32也通過化學鍍形成。該實施例使用兩個載板31，用于在絕緣層36的表面上形成兩個電路圖案34。
圖3的步驟(b)是用于半加成(semi-additive)操作的將干膜33a層壓到晶種層32上以及去除將成為電路圖案34和焊盤35的干膜33a的操作。干膜33a是感光性的，因此被光線所硬化。所以，在將干膜33a層壓到晶種層32上之后，露出除將成為電路圖案34和焊盤35的部分以外的晶種層部分。在對干膜33a顯影之后，露出晶種層32的將成為電路圖案34和焊盤35的部分，如圖3的(b)中所示。
圖3的步驟(c)是形成電路圖案34和焊盤35的操作。在圖3的(b)中對晶種層32的上側進行噴鍍。當余下的干膜33a被去除時，就得到了圖3(c)中所示的結構。
圖3的步驟(d)是設置載板31的操作，電路圖案34和焊盤35關于絕緣層36對稱地形成在載板上。此時，電路圖案34和焊盤35面朝絕緣層36，使得電路圖案34和焊盤35埋入。預浸料坯(prepreg)可以用于絕緣層36。
圖3的步驟(e)是在載板31全體層壓在絕緣層36上之后去除載板31的操作。當除去載板31之后，露出晶種層32，如圖3的(e)中所示。而且，將層疊在晶種層32上的電路圖案34和焊盤35埋入到絕緣層36中，如圖3的(e)中所示。
圖3的操作(f)至(i)是用于形成用于電連接電路圖案34的上層和下層的通孔37。首先，通過鉆孔機或激光器來打出通孔37。之后，在通孔37中形成化學鍍層38a，如圖3的(g)中所示。為了噴鍍通孔37的內部，在除通孔37之外的部分上施加干膜33b，如圖3的(h)中所示。然后，通過電鍍用填充鍍層38b填充通孔37。圖3的步驟(i)示出了在將填充鍍層38b填充于通孔37中并去除干膜33b之后的形態(tài)。
圖3的操作(j)至(m)用于在焊盤35上進行表面處理。層壓干膜33c，如圖3的(j)中所示。通過曝光和顯影處理，干膜33c在待形成焊盤35的部位處開口。由于這種開口操作使得焊盤35上側的晶種層32露出。圖3的步驟(k)是用于去除開口部中的晶種層32的步驟。通過閃速蝕刻去除晶種層32。閃速蝕刻是比普通蝕刻溫和的蝕刻工藝。由于去除了晶種層32，焊盤35被露出。圖3的步驟(j)和(k)對應于圖2的S22。圖3的步驟(l)是噴鍍焊盤35的步驟，對應于圖3的S23。此時，還未被去除的晶種層32用作鍍層引線。由于圖3的(l)是橫截面視圖，可能看起來好像焊盤35與晶種層32是電斷開的，但實際上，焊盤35和晶種層32是電連接的，從而當從外界供應電流時電流流過焊盤35。在該實施例中，焊盤35被鍍金。
圖3的步驟(m)是通過去除剩余的干膜33c和晶種層32而露出電路圖案34的操作。之后，附加地進行用阻焊劑涂覆PCB表面和打開焊盤35的步驟。
如所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于不需要用于金涂覆的附加鍍層引線，所以提高了電路設計中的自由度。由于可在原來會形成鍍層引線的部分中進行附加的電路設計，所以在形成高密度電路產品方面也是有益處的。此外，通過防止鍍層引線殘留引起的信號噪聲，可以改進封裝基板的電特性。
而且，由于不需要形成鍍層引線的步驟，所以提高了工藝的效率。
盡管上面的描述在應用于各個實施例時，已經指出了本發(fā)明的新穎性特征，但本領域技術人員將理解，在不背離本發(fā)明的范圍的前提下，在所示的裝置或工藝的形式和細節(jié)方面可以進行各種省略、替換和改變。因此，本發(fā)明的范圍由所附權利要求限定，而不是由上面的描述限定。在權利要求等同物的意義和范圍內的各種改變也包含在權利要求的范圍內。
權利要求
1.一種封裝基板的制造方法，所述封裝基板用于通過將電子器件的電極連接至焊盤而安裝所述電子器件，所述方法包括(a)制造埋入式圖案基板，所述基板具有埋入到絕緣層中的電路圖案和焊盤，且具有層壓在所述絕緣層上的晶種層；(b)將干膜層壓到所述晶種層上，并去除所述焊盤的上側的所述晶種層和所述干膜；(c)使用剩余的晶種層作為鍍層引線進行表面處理；以及(d)去除所述剩余的晶種層和干膜，從而露出所述電路圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述步驟(a)包括(a1)將所述晶種層層壓到載板上；(a2)在所述晶種層上形成所述電路圖案和所述焊盤；(a3)將所述載板層壓到絕緣層上，使得所述載板的所述電路圖案和所述焊盤埋入到所述絕緣層中；以及(a4)去除所述載板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種封裝基板的制造方法。用于通過將電子器件的電極連接至焊盤而安裝電子器件的封裝基板的制造方法包括(a)制造埋入式圖案基板，該基板具有埋入到絕緣層中的電路圖案和焊盤，且具有層壓在絕緣層上的晶種層；(b)將干膜層壓到晶種層上，并去除焊盤上側的晶種層和干膜；(c)使用剩余的晶種層作為鍍層引線，進行表面處理；以及(d)去除剩余的晶種層和干膜，使得電路圖案露出。
文檔編號H05K3/00GK101083214SQ20071009061
公開日2007年12月5日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權日2006年6月2日
發(fā)明者姜明杉, 柳濟光, 樸正現(xiàn), 金智恩, 鄭會枸, 安鎮(zhèn)庸 申請人:三星電機株式會社