專利名稱：電極的恢復(fù)處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可使具有相對(duì)半導(dǎo)體器件的端子進(jìn)行電連接的電極部的電極板的電極部連接面恢復(fù)成為規(guī)定的表面粗糙度的電極的恢復(fù)處理方法。
背景技術(shù)：
在電子設(shè)備用IC插座或連接器中，一般希望安裝于布線用基板的電極的半導(dǎo)體器件的端子可靠地電連接。在這樣的器件中，例如日本特開平8-96865號(hào)公報(bào)和特開2000-294043號(hào)公報(bào)也示出的那樣，在電連接半導(dǎo)體器件的端子(電極)的導(dǎo)體圖案的電觸點(diǎn)部或?qū)щ娐返亩嗣嬗蓢婂冃纬勺阋源唐菩纬捎诎雽?dǎo)體器件的端子的氧化膜的陶瓷噴鍍膜或由刻蝕處理形成微小凸起。通過這樣在電觸點(diǎn)部或?qū)щ娐返亩嗣嫘纬晌⑿⊥蛊?，減少了相互的接觸面積，而且單位面積的接觸壓力增大，所以，具有易于破壞氧化膜的效果。
結(jié)果，半導(dǎo)體器件的端子可靠地電連接于布線用基板的電極。
在上述那樣的電子設(shè)備用IC插座中，當(dāng)反復(fù)使用導(dǎo)體圖案的電觸點(diǎn)部時(shí)，由于具有上述那樣的耐磨性的微小凸起和陶瓷噴鍍膜的耐久性也具有一定的壽命，所以，微小凸起由于接觸壓力等磨損。因此，該電觸點(diǎn)部或?qū)щ婋娐返亩嗣嫦鄳?yīng)于使用頻率而不可恢復(fù)，成為沒有凹凸的大體平坦的表面，所以，其接觸面積增大，而且，存在接觸壓力不充分的危險(xiǎn)。結(jié)果，當(dāng)初獲得的可靠的電連接可能隨著使用而不能獲得。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到以上問題點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種可使具有相對(duì)半導(dǎo)體器件的端子進(jìn)行電連接的電極部的電極板的電極部連接面恢復(fù)成為規(guī)定表面粗糙度的電極的恢復(fù)處理方法，該恢復(fù)處理方法可容易而且可靠地在磨損后的電極板的電極部的連接面形成規(guī)定的凹凸。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法包括第1工序、第2工序、及第3工序，在所述第1工序，在所述第1工序，在電極板的電極部的連接面上載置復(fù)制板，使該復(fù)制板的表面與該連接面相互接觸，該電極板具有形成于絕緣基板上的電極部，并且通過該電極部的連接面與半導(dǎo)體器件的端子部進(jìn)行電連接，該復(fù)制板由線膨脹率與該電極板的絕緣基板的線膨脹率存在差值的材料制成，并且具有形成有凹凸的表面；在所述第2工序，以規(guī)定的壓力朝該電極部的連接面推壓在上述第1工序中載置于上述電極部的連接面的復(fù)制板，同時(shí)在規(guī)定溫度下對(duì)該復(fù)制板和上述電極板加熱規(guī)定時(shí)間；在所述第3工序，使復(fù)制板離開上述電極板，在上述電極部的連接面上獲得規(guī)定的凹凸。
另外，第2工序的規(guī)定溫度和規(guī)定時(shí)間也可設(shè)定為80℃以上不到150℃的溫度范圍和5分鐘以上15分鐘以下的時(shí)間。
另外，本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法包括第1工序和第2工序，在所述第1工序，在電極板的電極部的連接面上，載置半導(dǎo)體器件的端子部，該電極板在絕緣基板上形成有通過使母材中含有規(guī)定量的具有比母材的耐磨性優(yōu)良的耐磨性的微小結(jié)晶物而構(gòu)成的電極部，并且通過該電極部的連接面與半導(dǎo)體器件的端子部進(jìn)行電連接；在所述第2工序，使半導(dǎo)體器件的端子部接觸上述電極板的連接面而使該連接面磨損，使上述結(jié)晶物的一部分露出，借此在該連接面獲得規(guī)定的凹凸。
結(jié)晶物也可由具有比作為母材的銅的硬度大的硬度，而且，電導(dǎo)率較高的鈀或鎳制作。
另外，本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法包括第1工序、第2工序、及第3工序，在所述第1工序，在電極板的電極部的連接面上載置復(fù)制板，使該復(fù)制板的表面與該連接面相互接觸，該電極板具有形成于絕緣基板上的電極部，并且通過該電極部的連接面與半導(dǎo)體器件的端子部進(jìn)行電連接，該復(fù)制板具有形成有凹凸的表面；在所述第2工序，朝該電極部的連接面推壓在上述第1工序中載置于上述電極部的連接面的復(fù)制板，使在每個(gè)電極部上施加的壓力在1g以上100g以下，同時(shí)，在相對(duì)該連接面大體平行的任一方向上，按規(guī)定量使該復(fù)制板或該電極部的連接面相對(duì)移動(dòng)至少1次；在所述第3工序，使上述復(fù)制板離開上述電極板，在上述電極部的連接面上獲得規(guī)定的凹凸。
另外，在第2工序中，也可由支承電極板并使其相對(duì)電極部的連接面大體平行移動(dòng)的滑動(dòng)裝置使電極板相對(duì)復(fù)制板移動(dòng)。
第2工序中對(duì)每個(gè)電極部的推壓力也可在1g以上100g以下，另外，第2工序的相對(duì)移動(dòng)的規(guī)定量也可在1μm以上1mm以下。
由以上說明可知，按照本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法，由于在第1工序中以規(guī)定的壓力朝電極部的連接面推壓載置于電極部的連接面的復(fù)制板，同時(shí)，以規(guī)定溫度在規(guī)定期間加熱復(fù)制板和電極板，所以，通過由其膨脹差的作用相對(duì)地滑動(dòng)，可將電極的連接面形成為規(guī)定的粗糙度，所以，可容易而且可靠地在磨損了的電極板的電極部的連接面形成規(guī)定的凹凸。


圖1A和1B分別為示意地示出本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例的各工序的圖。
圖2A局部放大地示出圖1A所示工序中的突點(diǎn)的前端部，為用于各工序的說明的局部斷面圖，圖2B局部放大地示出圖1B所示工序的突點(diǎn)的前端部，為用于各工序的說明的局部斷面圖。
圖3A、3B、3C、及3D分別局部放大示出本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例的各工序的突點(diǎn)的前端部，為用于各工序的說明的局部斷面圖。
圖4A、圖4B、及圖4C分別局部放大地示出比較例的各工序的突點(diǎn)的前端部，為用于比較例的各工序的說明的局部斷面圖。
圖5A、圖5B、及圖5C為分別用于說明突點(diǎn)的前端因使用而磨損的各工序的圖。
圖6A、圖6B、及圖6C分別局部放大地示出突點(diǎn)的前端，分別用于說明圖5A、圖5B、圖5C所示突點(diǎn)的前端因使用而磨損的各工序的圖。
圖7為示出具有適用本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例和第2實(shí)施例的接觸片的半導(dǎo)體器件用插座的一例的局部斷面圖。
圖8為示意地示出圖7所示例子的托架裝置的構(gòu)成的局部斷面圖。
圖9為圖8所示例子的平面圖。
圖10A、圖10B、圖10C為分別放大地示出本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第2實(shí)施例的各工序的說明所用的要部的局部斷面圖。
圖11A、圖11B、及圖11C為分別放大示出圖10A、圖10B、圖10C所示圖的一部分的局部斷面圖。
圖12A為分解示出用于本發(fā)明電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例的另一托架外殼和底座構(gòu)件的一例的構(gòu)成的構(gòu)成圖，圖12B為示出包含圖12A的托架外殼的托架裝置的構(gòu)成的構(gòu)成圖。
圖13A為分解示出用于本發(fā)明電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例的再另一托架外殼和底座構(gòu)件的一例的構(gòu)成的構(gòu)成圖，圖13B為示出包含圖13A的托架外殼的托架裝置的構(gòu)成的構(gòu)成圖。
圖14A為分解示出用于本發(fā)明電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例的再另一托架外殼和底座構(gòu)件的一例的構(gòu)成的構(gòu)成圖，圖14B為示出包含圖14A的托架外殼的托架裝置的構(gòu)成的構(gòu)成圖。
圖15為將用于本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第3實(shí)施例的托架裝置臺(tái)的構(gòu)成與復(fù)制板固定頭一起示出的斷面圖。
圖16為示于圖15的例子的平面圖。
圖17為分解示出圖15所示托架外殼和托架裝置臺(tái)的構(gòu)成的構(gòu)成圖。
圖18A和18B為示出本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第3實(shí)施例的滑動(dòng)裝置的全體構(gòu)成的構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
第1實(shí)施方式圖7示出具有適用本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例、后面將要說明的第2實(shí)施例、及第3實(shí)施例的連接用電極板的半導(dǎo)體器件用插座。
在圖7所示半導(dǎo)體器件用插座中，例如用于半導(dǎo)體器件的電特性試驗(yàn)，具體地說利用于老化試驗(yàn)等。半導(dǎo)體器件用插座包括在內(nèi)部收容作為半導(dǎo)體器件的裸芯片的托架裝置40和可裝拆地在收容部收容托架裝置40的IC插座30。
IC插座30主要包括本體部32、接觸構(gòu)件群34、罩構(gòu)件36，其中，所述本體部32配置到進(jìn)行送往該裸芯片的檢查信號(hào)和來自裸芯片的檢測(cè)輸出信號(hào)等的輸入輸出的印刷布線基板38上，具有收容托架裝置40的收容部；所述接觸構(gòu)件群34設(shè)于本體部32，包括分別電連接于成為托架裝置40的構(gòu)成要素的后面將要說明的作為連接用電極板的接觸片的各焊盤的多個(gè)接觸構(gòu)件；所述罩構(gòu)件36可相對(duì)本體部32升降地配置，并且可選擇地將接觸構(gòu)件群34的各觸點(diǎn)部電連接于該接觸片的各焊盤。
由樹脂材料形成的本體部32對(duì)應(yīng)于印刷布線基板38的電極部配置到規(guī)定位置。本體部32如圖7所示那樣，具有收容托架裝置40的收容部32A。收容部32A由接合于后面將要說明的托架裝置40的底座部的下部的下部基臺(tái)部32a的內(nèi)周部和與下部基臺(tái)部32a相連地接合于該底座部的上部的上部基臺(tái)部32b的內(nèi)周部圍成。在下部基臺(tái)部32a支承接觸構(gòu)件群34。在下部基臺(tái)部32a和上部基臺(tái)部32b形成用于插入構(gòu)成接觸構(gòu)件群34的各接觸構(gòu)件34ai(i＝1～n，n為正整數(shù))的狹縫SL。
由薄板金屬材料制作的各接觸構(gòu)件34ai(i＝1～n，n為正整數(shù))包括壓入到下部基臺(tái)部32a的端子部34T、與端子部34T相連且從下方側(cè)電連接于接觸片的焊盤的固定側(cè)觸點(diǎn)部34f、具有彈性的與端子部34T相連且從上方側(cè)電連接于接觸片的墊的可動(dòng)側(cè)觸點(diǎn)部34m、及可選擇地接合于后面將要說明的罩構(gòu)件36的斜面部并使可動(dòng)側(cè)觸點(diǎn)部34m朝相對(duì)固定側(cè)觸點(diǎn)部34f離開的方向回轉(zhuǎn)的被接合部34e。該被接合部34e從可動(dòng)側(cè)觸點(diǎn)部34m的基端分支，朝罩構(gòu)件36延伸設(shè)置。
各接觸構(gòu)件34ai在圖7中對(duì)應(yīng)于接觸片44的各焊盤沿相對(duì)紙面大體垂直的方向按規(guī)定的間隔排列。在圖7中，僅示出圍住收容部32A的四周的4個(gè)接觸構(gòu)件群34中的與一邊對(duì)應(yīng)的部位的接觸構(gòu)件群34。
由樹脂材料形成的罩構(gòu)件36具有使托架裝置40通過的開口部36a。形成開口部36a的周緣的框狀部分由在設(shè)于本體部32外周部的槽(未示出)受到導(dǎo)向的腳部(圖中未示出)可升降地支承。罩構(gòu)件36由省略了圖示的彈性構(gòu)件朝相對(duì)本體部32離開的方向施加彈性力。在該框狀部分的各邊的下端如圖7的雙點(diǎn)劃線所示那樣分別形成有斜面部36s，當(dāng)使罩構(gòu)件36下降到規(guī)定的位置時(shí)，該斜面部36s接合于上述各接觸構(gòu)件34ai的被接合部34e的前端，使可動(dòng)側(cè)觸點(diǎn)部34m克服其彈性力而朝相對(duì)固定側(cè)觸點(diǎn)部34f離開的方向回轉(zhuǎn)。
在后面將要說明的托架裝置40安裝于IC插座30的本體部32的收容部32A的場(chǎng)合，通過按規(guī)定量壓下并保持罩構(gòu)件36，在接觸構(gòu)件群34的各可動(dòng)側(cè)觸點(diǎn)部34m相對(duì)收容部32A后退后，成為待機(jī)狀態(tài)，從上方經(jīng)由開口部36a將托架裝置40定位于收容部32A內(nèi)進(jìn)行載置。此時(shí)，固定側(cè)觸點(diǎn)部34f接觸于托架裝置40的接觸片44的焊盤的下面?zhèn)取?br> 接著，當(dāng)釋放處于被保持的狀態(tài)的罩構(gòu)件36時(shí)，上述的彈性體的恢復(fù)力和各接觸構(gòu)件34ai的被接合部34e的彈性力的合力使罩構(gòu)件36上升。此時(shí)，接觸構(gòu)件群34的各可動(dòng)側(cè)觸點(diǎn)部34m從上述待機(jī)位置恢復(fù)到原來的位置，使其接觸于托架裝置40的接觸片44的焊盤的上面?zhèn)取＿@樣，如圖7所示那樣，接觸片44的各焊盤和接觸構(gòu)件群34進(jìn)行電連接。
托架裝置40如圖8所示那樣，包括托架外殼46、接觸片44、推壓用蓋52、及鎖定機(jī)構(gòu)50(參照?qǐng)D7)，其中，所述托架外殼46具有收容裸芯片60的收容部46A；所述接觸片44隔著彈性片58配置到形成托架外殼46的收容部46A的底部的底座構(gòu)件42上；所述推壓用蓋52包含相對(duì)接觸片44的突點(diǎn)44B推壓裸芯片60的電極群的推壓體56；所述鎖定機(jī)構(gòu)50選擇性地將推壓用蓋52保持于托架外殼46。
推壓用蓋52如圖8所示那樣，包括具有接觸于裸芯片60上表面的推壓面56a的推壓體56、收容推壓體56的基部的蓋本體64、及配置于推壓體56的基部的各凹部和與該凹部相向的蓋本體64的較深的凹部之間的空間的朝裸芯片60對(duì)推壓體56施加彈性力的彈簧54。
大體正方形的裸芯片60在例如與接觸片44的突點(diǎn)44B相向的下表面具有規(guī)定的電極群。在圖8中，具有代表性地比較夸張地示出接觸片44的多個(gè)突點(diǎn)44B中的2個(gè)。
推壓體56的基部可移動(dòng)地插入到蓋本體64的較淺而寬的凹部?jī)?nèi)。在該推壓體56的基部的端部相向地形成多個(gè)與設(shè)于蓋本體64下端的爪部接合的爪部56n。這樣，推壓體56在由彈簧54的彈性力作用的狀態(tài)下保持于蓋本體64。
蓋本體64在其相向的兩端部分別具有與鎖定機(jī)構(gòu)50的鉤構(gòu)件48A和48B接合的凸起部64p。凸起部64p如后面將要說明的那樣，具有斜面部64ps，當(dāng)安裝推壓用蓋52時(shí)，該斜面部64ps通過接合于鉤構(gòu)件48A和48B前端的傾斜面從而朝相互離開的方向推壓鉤構(gòu)件48A和48B。
鎖定機(jī)構(gòu)50包括鉤構(gòu)件48A和48B、扭簧66、及支承軸68，其中，所述鉤構(gòu)件48A和48B分別可回轉(zhuǎn)地支承于托架外殼46的兩端，并保持蓋本體64；所述扭簧66分別朝圖7中的箭頭所示方向，即與蓋本體64的凸起部64p接合的方向，對(duì)鉤構(gòu)件48A和48B施加彈性力；所述支承軸68支承鉤構(gòu)件48A、48B和扭簧66。
在托架外殼46的兩端部形成當(dāng)安裝推壓用蓋52時(shí)對(duì)蓋本體64的下部的外周部進(jìn)行引導(dǎo)的導(dǎo)向部46g。支承軸68的兩端部支承在導(dǎo)向部46g的周圍。
接觸片44如圖8和圖9所示那樣，以與電連接的裸芯片60的電極群對(duì)應(yīng)地排列地在基材44M內(nèi)具有多個(gè)突點(diǎn)44B。在圖9中，將接觸片44的多個(gè)突點(diǎn)44B中的多個(gè)代表性地比較夸張地示出。
各突點(diǎn)44B由例如對(duì)其成為母材的銅的表面進(jìn)行鍍鎳和金處理而形成。各突點(diǎn)44B的前端從該基材44M的表面凸出規(guī)定的高度。基材44M例如由聚酰亞胺樹脂材料(線膨脹系數(shù)35×10-6/℃)以薄板狀制成，具有約40μm左右的厚度。
各突點(diǎn)44B如圖9所示那樣，經(jīng)由由銅箔制作的導(dǎo)體層44c連接到焊盤44p上。焊盤44p如圖7所示那樣在基材44M分別形成于從底座構(gòu)件42的兩端部朝外部凸出的兩端部。
接觸片44的形成多個(gè)突點(diǎn)44B的部分可大體平行于底座構(gòu)件42的表面相對(duì)移動(dòng)規(guī)定范圍地被支承。
在該構(gòu)成中，當(dāng)在托架裝置40內(nèi)安裝裸芯片60時(shí)，首先，裸芯片60的電極群相對(duì)接觸片44的各突點(diǎn)44B被定位，裸芯片60的電極群接觸于各突點(diǎn)44B地配置。然后，將推壓用蓋52插入到托架外殼46的收容部46A內(nèi)。此時(shí)，推壓用蓋52的蓋本體64的斜面部64ps克服扭簧66的彈性力，使鎖定機(jī)構(gòu)50的鉤構(gòu)件48A和48B的前端朝相互離開的方向回轉(zhuǎn)。另外，蓋本體64的外周面由導(dǎo)向部46g的內(nèi)面引導(dǎo)，推壓體56的推壓面56a克服彈簧54的彈性力推壓到裸芯片60的上表面。
接著，通過從扭簧66施加彈性力，使鉤構(gòu)件48A和48B的前端朝相互接近的方向回轉(zhuǎn)，并與蓋本體64的凸起部64p接合。這樣，推壓用蓋52保持于托架外殼46。
然后，在將該托架裝置40如上述那樣安裝于收容部32A的狀態(tài)下對(duì)裸芯片60在規(guī)定的氣體介質(zhì)中進(jìn)行試驗(yàn)。
在這樣的試驗(yàn)中，將上述那樣的托架裝置40和接觸片44相對(duì)于所安裝的新的裸芯片60反復(fù)利用規(guī)定次數(shù)。
在用于這樣的試驗(yàn)之前，未使用的各突點(diǎn)44B最初如圖5A放大示出的那樣具有大體圓錐狀的形狀。另外，在突點(diǎn)44B的最前端部如圖6A放大示出的那樣在其表面全體形成微小的凹凸44a。
當(dāng)接觸片44用于試驗(yàn)時(shí)，如由圖5B和圖6B放大示出的那樣，突點(diǎn)44B的最前端部按規(guī)定的壓扁量以規(guī)定的壓力接觸于裸芯片60的電極面。
接著，通過將1片的接觸片44相對(duì)于裸芯片60反復(fù)利用規(guī)定次數(shù)，從而如圖5C和圖6C放大示出的那樣，使用后的各突點(diǎn)44B′的最前端部被壓扁，成為具有平坦面的大體圓錐臺(tái)形狀。這樣的各突點(diǎn)44B′的平滑的平坦面44fs不具有圖6A所示那樣的微小凹凸。
因此，在不更換1片的接觸片44地使用規(guī)定次數(shù)以上的場(chǎng)合，存在接觸片44和裸芯片60相互間的電連接不可靠的危險(xiǎn)。
為此，在本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例中，預(yù)先準(zhǔn)備圖1A所示那樣的具有規(guī)定厚度的復(fù)制板10。該復(fù)制板10由例如作為表面處理進(jìn)行了鍍鉻(線膨脹系數(shù)約6.2×10-6/℃)處理的冷加工工具鋼(JIS牌號(hào)SKS，SKD)(線膨脹系數(shù)約11.5×10-6/℃)制作，至少在一方側(cè)的復(fù)制面10s如圖2A放大示出的那樣具有規(guī)定粗糙度的凹凸10a。
首先，如圖1A所示那樣，將配置有磨損了的突點(diǎn)44B′的接觸片44并代替裸芯片60而安裝了復(fù)制板10的上述托架裝置40配置到將槽內(nèi)溫度維持在規(guī)定值的恒溫槽12內(nèi)。恒溫槽12具有能夠可變地調(diào)整槽內(nèi)溫度的溫度調(diào)整器。
此時(shí)，復(fù)制板10將其復(fù)制面10s與恒溫槽12內(nèi)的各突點(diǎn)44B′磨損了的平坦面44fs接觸地載置到由多個(gè)平坦面44fs形成的通用平面上。因此，復(fù)制板10由多個(gè)突點(diǎn)44B′的平坦面44fs支承。此時(shí)，經(jīng)由上述推壓體56由彈簧54的彈性力相對(duì)多個(gè)突點(diǎn)44B′沿圖1A所示箭頭F所示方向以規(guī)定的壓力對(duì)復(fù)制面10s加壓。該加壓力設(shè)定為例如每1個(gè)突點(diǎn)44B′約1g以上100g以下的范圍。按照本申請(qǐng)的發(fā)明人的檢驗(yàn)，該加壓力在對(duì)每1個(gè)突點(diǎn)44B′不到約1g的場(chǎng)合，基本上沒有恢復(fù)處理的效果，另外，加壓力在對(duì)每1個(gè)突點(diǎn)44B′超過100g的場(chǎng)合，突點(diǎn)44B′的凸出高度比基準(zhǔn)低得太多，而且，突點(diǎn)44B′的前端的壓扁程度較大，從而發(fā)生被檢查物的電極受到較大的損傷的問題，所以，該加壓力設(shè)定在例如每1個(gè)突點(diǎn)44B′約1g以上100g以下的范圍。
圖3B放大示出復(fù)制面10s剛接觸于平坦面44fs受到加壓后的突點(diǎn)44B′的前端部的狀態(tài)。這樣，從圖3B可以看出，突點(diǎn)44B′的前端部由復(fù)制板10的凹凸10a推壓而形成較粗的凹凸44ps。
然后，使恒溫槽12內(nèi)的溫度例如從標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)上升到80℃～150℃的范圍，并維持5分鐘以上。恒溫槽12內(nèi)的溫度和維持的期間最好設(shè)定為槽溫150℃、15分鐘左右。
因此，復(fù)制板10和接觸片44在分別隨著槽溫的溫度上升朝例如圖1A的箭頭E所示方向膨脹的場(chǎng)合，由于基材44M的熱膨脹系數(shù)如上述那樣設(shè)定得比復(fù)制板10的線膨脹系數(shù)大，所以，接觸片44克服圖3B所示凹凸44ps與復(fù)制面10s相互間的摩擦力比復(fù)制板10的延伸相對(duì)大地延伸。結(jié)果，形成凹凸44ps的面由接觸片44和突點(diǎn)44B′相對(duì)復(fù)制面10s的微小的凹凸10a的數(shù)十微米左右的相對(duì)滑動(dòng)而進(jìn)而被切削，形成圖3C所示那樣的其表面粗糙度為較細(xì)的粗糙度的凹凸44ms。
接著，將具有進(jìn)行了恢復(fù)處理的突點(diǎn)44B″的接觸片44″如圖1B所示那樣從托架裝置40取出。
因此，如圖2B和圖3D放大示出的那樣，不在突點(diǎn)44B″的最前端的面44es施加較大的推壓力即形成與復(fù)制板10的復(fù)制面10s的微小凹凸10a的推壓和滑動(dòng)對(duì)應(yīng)的較細(xì)微的凹凸44ms。
另外，如上述那樣，通過加熱，突點(diǎn)44B變得容易變形，所以，上述凹凸更容易形成。
圖4A、圖4B、圖4C分別示出由本申請(qǐng)的發(fā)明人驗(yàn)證了的比較例的突點(diǎn)44B′的各工序的狀態(tài)。
在該比較例中，當(dāng)進(jìn)行電極的恢復(fù)處理時(shí)，不進(jìn)行如上述例中那樣的加熱，在上述托架裝置40內(nèi)配置與上述例子同樣地放大示于圖4A的那樣的、突點(diǎn)44B′磨損了的接觸片44，而且，僅如上述那樣代替裸芯片60而安裝同樣的復(fù)制板10。
在該比較例中，經(jīng)由推壓體56由彈簧54的彈性力沿圖1A所示箭頭F所示方向按與上述例子同樣的規(guī)定壓力由復(fù)制板10對(duì)突點(diǎn)44B′加壓。圖4B放大示出復(fù)制面10s剛接觸平坦面44fs受到加壓后的突點(diǎn)44BC的前端部的狀態(tài)。這樣，由圖4B可知，突點(diǎn)44BC的前端部由復(fù)制板10的凹凸10a的推壓，形成較粗的凹凸44ps。
然后，從托架裝置40中取出具有經(jīng)過恢復(fù)處理的突點(diǎn)44BC的接觸片。
這樣，如圖4C放大示出的那樣，在突點(diǎn)44BC的最前端的面上形成與復(fù)制板10的復(fù)制面10s的微小的凹凸10a的推壓對(duì)應(yīng)的較粗的凹凸44ps。
結(jié)果，在比較例的方法中，可確認(rèn)不能形成在本申請(qǐng)的實(shí)施例1中獲得的那樣的較細(xì)微的凹凸44ms。
此外，在本發(fā)明中，由上述那樣的復(fù)制面10s與突點(diǎn)44B之間的相對(duì)的滑動(dòng)，可獲得有如銼刀在突點(diǎn)44B的連接面上加工后那樣的效果，而且，與僅由推壓進(jìn)行復(fù)制的場(chǎng)合相比，該凹凸的間隔變得更小，而且可確實(shí)地形成凹凸。
第2實(shí)施方式圖10A、圖10B、圖10C示意地示出本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第2實(shí)施例。
用于圖10A～圖10C所示例子采用的接觸片80如圖10A所示那樣，按與電連接的裸芯片60的電極群對(duì)應(yīng)地排列地在基材84M內(nèi)具有多個(gè)突點(diǎn)84B。該各突點(diǎn)84B的前端從該基材84M的表面凸出規(guī)定的高度。在其前端的表面全體如圖11A放大示出的那樣形成微小的凹凸84a。
各突點(diǎn)84B通過由銅箔制作的導(dǎo)體層84C電連接于焊盤(圖中未示出)。該焊盤在基材84M形成于從上述那樣的底座構(gòu)件42的兩端部分別朝外部凸出的兩端部。各突點(diǎn)84B由例如將規(guī)定的結(jié)晶物86大體均勻地混合到成為母材的金(苦氏硬度80～200)或銅(苦氏硬度250～320)中獲得的材料以大體圓錐狀形成。
結(jié)晶物86在母材為金的場(chǎng)合由具有比金的硬度大的硬度、且導(dǎo)電率較高的約2～3μm的粒子直徑的鈀(Pd)(苦氏硬度250～350)制成，按約15～20％/vol左右的含有率混合。
另外，結(jié)晶物86在母材為銅的場(chǎng)合由具有比銅的硬度大的硬度、且導(dǎo)電率較高的粒子直徑約2～3μm的鎳(Ni)(苦氏硬度300～490)制成，按約15～20％/vol左右的含有率混合。
基材84M由例如聚酰亞胺樹脂材料(線膨脹系數(shù)35×10-6/℃)以薄板狀制成，具有約40μm左右的厚度。
對(duì)該接觸片80的作為電極的突點(diǎn)84B進(jìn)行的恢復(fù)處理，由于將1片接觸片80如上述那樣配置到上述的托架裝置40內(nèi)，所以，通過突點(diǎn)84B的前端相對(duì)裸芯片60接觸并反復(fù)利用，可自動(dòng)地對(duì)突點(diǎn)84B的前端的連接面進(jìn)行恢復(fù)處理。因此，不需要在上述第1實(shí)施例中使用的復(fù)制板10的推壓工序和加熱工序。
即，當(dāng)將托架裝置40內(nèi)的接觸片80用于試驗(yàn)時(shí)，如圖10B和圖11B放大地示出的那樣，突點(diǎn)84B的最前端部按規(guī)定的壓扁量以規(guī)定的壓力接觸于裸芯片60的電極面。
接著，通過將1片的接觸片80相對(duì)于裸芯片60反復(fù)利用規(guī)定次數(shù)，如圖10C和圖11C放大示出的那樣，各突點(diǎn)84B′的最前端部被壓扁，成為具有平坦面的大體圓錐臺(tái)形狀。在這樣的各突點(diǎn)84B′的前端面84fs如圖11C所示那樣由母材的磨損而露出含有的多個(gè)結(jié)晶物86的一部分，從而形成微小的凹凸。
因此，隨著各突點(diǎn)84B′的最前端部的母材的磨損，新的具有微小的凹凸的面自動(dòng)地形成于各突點(diǎn)84B′的最前端部。
在用于上述本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第1實(shí)施例的托架裝置40中，接觸片44的形成有多個(gè)突點(diǎn)44B的部分可大體平行于底座構(gòu)件42的表面相對(duì)移動(dòng)規(guī)定范圍地被支承。
然而，托架裝置40的構(gòu)造不必一定這樣形成，也可使用例如圖12A和圖12B～圖14A和圖14B所示的托架裝置。
在圖12A中，托架裝置與上述例同樣地包括具有收容裸芯片60或復(fù)制板10的收容部47A的托架外殼47、形成托架外殼47的收容部47A的底部的底座構(gòu)件43、隔著彈性片41配置到底座構(gòu)件43上的接觸片45、包含相對(duì)接觸片45的突點(diǎn)45B推壓裸芯片60的電極群或復(fù)制板10的推壓體56的推壓用蓋52(參照?qǐng)D8)、及選擇性地將推壓用蓋52保持在托架外殼47內(nèi)的鎖定機(jī)構(gòu)49。推壓用蓋52和鎖定機(jī)構(gòu)49的構(gòu)造由于與上述第1實(shí)施例的推壓用蓋和鎖定機(jī)構(gòu)的構(gòu)造相同，所以省略重復(fù)的說明。
托架外殼47由具有比上述復(fù)制板10的線膨脹率大的線膨脹率的材料，例如樹脂材料形成。作為樹脂材料，最好為例如聚醚酰亞胺(線膨脹系數(shù)56×10-6/℃)。托架外殼47的收容部47A的內(nèi)周部如圖12B所示那樣當(dāng)安裝推壓用蓋52時(shí)，對(duì)推壓用蓋52的外周部進(jìn)行引導(dǎo)并將其定位于規(guī)定位置地形成。在托架外殼47的收容部47A的底面部，將后面將要說明的供連接構(gòu)件51插入的孔47a形成于中央的開口部47b的周圍的4個(gè)部位。
接觸片45與電連接的裸芯片60的電極群對(duì)應(yīng)地排列地在基材45M內(nèi)具有多個(gè)突點(diǎn)45B。例如，各突點(diǎn)45B的前端從該基材45M的表面凸出規(guī)定的高度。該接觸片45由對(duì)成為各突點(diǎn)45B的母材的銅的表面進(jìn)行鍍鎳和鍍金處理而形成。基材45M由例如聚酰亞胺樹脂材料(線膨脹系數(shù)35×10-6/℃)以薄板狀制成，具有約40μm左右的厚度。
各突點(diǎn)44B經(jīng)由由銅箔制作的導(dǎo)體層連接到焊盤45p上。多個(gè)焊盤45p在基材45M分別形成于從底座構(gòu)件43兩端部朝外部凸出的兩端部。
接觸片45對(duì)應(yīng)于托架外殼47的孔47a在多個(gè)突點(diǎn)44B的周邊具有用于插入連接構(gòu)件51的孔45a。
底座構(gòu)件43由與托架外殼47的材料相同的材料形成，與托架外殼47的孔47a和接觸片45的孔45a對(duì)應(yīng)地具有孔43a。
配置于接觸片45的多個(gè)突點(diǎn)44B的正下方的彈性片41所起的作用之一是與上述例子同樣地使由各突點(diǎn)45B的凸出高度產(chǎn)生的突點(diǎn)45B的接觸力的偏差均勻化。
如圖12B所示那樣，作為中間夾有接觸片45地將托架外殼47和底座構(gòu)件43相互連接的連接構(gòu)件51，最好為例如鉚釘或小螺釘和螺母。
當(dāng)使用這樣的托架裝置時(shí)，突點(diǎn)的恢復(fù)處理，與上述第1實(shí)施例同樣，首先將配置有磨損了的突點(diǎn)的接觸片45且代替裸芯片60而安裝了復(fù)制板10的上述托架裝置配置到將槽內(nèi)溫度維持在規(guī)定的值的恒溫槽12內(nèi)。
推壓力的條件與上述第1實(shí)施例同樣地設(shè)定。
然后，使恒溫槽12內(nèi)的溫度例如從標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)上升到80℃～150℃的范圍，并維持5分鐘以上。恒溫槽12內(nèi)的溫度和維持的期間最好設(shè)定為槽溫150℃、15分鐘左右。
這樣，在復(fù)制板10與底座構(gòu)件43、托架外殼47、接觸片45分別隨著槽溫的溫度上升而膨脹的場(chǎng)合，由于托架外殼47等的熱膨脹系數(shù)如上述那樣設(shè)定得比復(fù)制板10的線膨脹系數(shù)大，所以，接觸片45克服與復(fù)制面10s相互間的摩擦力比復(fù)制板10的延伸大地延伸。結(jié)果，與上述第1實(shí)施例同樣，各突點(diǎn)45B與接觸片45一起移動(dòng)，所以，在突點(diǎn)45B的前端形成其表面粗糙度為更細(xì)的粗糙度的凹凸。
圖13A和圖13B分別示出用于本發(fā)明電極的恢復(fù)處理方法的一例的另一托架裝置。
在圖12A和圖12B所示托架裝置中，由連接構(gòu)件51夾有接觸片45地相互連接托架外殼47與底座構(gòu)件43，但在圖13A和B中，作為其替代結(jié)構(gòu)，由粘結(jié)劑或通過熔接夾有接觸片45地相互連接托架外殼47與底座構(gòu)件43。在圖13A和圖13B中，與圖12A和圖12B中相同的構(gòu)成要素采用相同符號(hào)，省略其重復(fù)說明。
托架外殼47′由具有比上述復(fù)制板10的線膨脹率大的線膨脹率的材料，例如樹脂材料形成。作為樹脂材料，最好為例如聚醚酰亞胺(線膨脹系數(shù)56×10-6/℃)。托架外殼47′的收容部47′A的內(nèi)周部如圖13B所示那樣當(dāng)安裝推壓用蓋52時(shí)對(duì)推壓用蓋52的外周部進(jìn)行引導(dǎo)并將其定位于規(guī)定位置地形成。在形成托架外殼47′的收容部47′A的底部的底面部將開口部47′b形成于中央。
底座構(gòu)件43′由與托架外殼47′的材料相同的材料形成，分別對(duì)應(yīng)于接觸片45的孔45a在4個(gè)部位具有定位銷43′P。定位銷43′P相對(duì)配置彈性片41的面凸出規(guī)定的長(zhǎng)度，例如接觸片45的厚度程度的長(zhǎng)度。定位銷43′P由于對(duì)接觸片45相對(duì)底座構(gòu)件43′的位置進(jìn)行定位，同時(shí)，也用于相應(yīng)于底座構(gòu)件43′的熱膨脹或收縮的位移同樣地使接觸片45移動(dòng)。底座構(gòu)件43′相對(duì)托架外殼47′的收容部47′A的位置在熔接時(shí)定位。
在該例中，在復(fù)制板10、底座構(gòu)件43′、托架外殼47′、及接觸片45分別隨著槽溫的溫度上升而膨脹的場(chǎng)合，也由于托架外殼47′等的線膨脹系數(shù)如上述那樣設(shè)定得比復(fù)制板10的線膨脹系數(shù)大，所以，接觸片45克服與復(fù)制面10s的相互間的摩擦力比復(fù)制板10的延伸大地延伸。結(jié)果，與上述第1實(shí)施例同樣，由于各突點(diǎn)45B與接觸片45一起移動(dòng)，所以，在各突點(diǎn)45B的前端形成其表面粗糙度為更細(xì)的粗糙度的凹凸。
圖14A和圖14B分別示出用于本發(fā)明電極的恢復(fù)處理方法的一例的再另一托架裝置。
在圖13A和圖13B所示托架裝置中，托架外殼47′與具有定位銷43′P的底座構(gòu)件43′夾有接觸片45地相互連接，但在圖14A和圖14B中，作為其替代結(jié)構(gòu)，具有定位銷47″P的托架外殼47″與底座構(gòu)件43″由粘結(jié)劑或通過熔接夾有接觸片45地相互連接。在圖14A和圖14B中，對(duì)與圖12A和圖12B中相同的構(gòu)成要素采用相同符號(hào)，省略其重復(fù)說明。
托架外殼47″由具有比上述復(fù)制板10的線膨脹率大的線膨脹率的材料，例如樹脂材料形成。作為樹脂材料，最好為例如聚醚酰亞胺(線膨脹系數(shù)56×10-6/℃)。托架外殼47″的收容部47″A的內(nèi)周部如圖14B所示那樣當(dāng)安裝推壓用蓋52時(shí)(參照?qǐng)D8)對(duì)推壓用蓋52的外周部進(jìn)行引導(dǎo)并將其定位于規(guī)定位置地形成。在托架外殼47″的收容部47″A的底面部將開口部47″b形成于中央。在開口部47″b的周邊的外面，分別對(duì)應(yīng)于接觸片45的孔45a在4個(gè)部位凸出有定位銷47″P。定位銷47″P相對(duì)該底面凸出規(guī)定的長(zhǎng)度，例如接觸片45的厚度程度的長(zhǎng)度。定位銷47″P用于對(duì)接觸片45相對(duì)托架外殼47″的位置進(jìn)行定位，同時(shí)，也用于相應(yīng)于托架外殼47″的熱膨脹或收縮的位移同樣地使接觸片45移動(dòng)。托架外殼47″的收容部47′A相對(duì)底座構(gòu)件43″的位置在熔接時(shí)定位。
底座構(gòu)件43″由與托架外殼47″的材料相同的材料形成。
在該例中，在復(fù)制板10、底座構(gòu)件43″、托架外殼47″、及接觸片45分別隨著槽溫的溫度上升而膨脹的場(chǎng)合，也由于托架外殼47″等的線膨脹系數(shù)如上述那樣設(shè)定得比復(fù)制板10的線膨脹系數(shù)大，所以，接觸片45克服與復(fù)制面10s的相互間的摩擦力比復(fù)制板10的延伸大地延伸。結(jié)果，與上述第1實(shí)施例同樣，由于各突點(diǎn)45B與接觸片45一起移動(dòng)，所以，在各突點(diǎn)45B的前端形成其表面粗糙度為更細(xì)的粗糙度的凹凸。
第3實(shí)施方式圖15和圖16分別將用于本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第3實(shí)施例的托架裝置臺(tái)的構(gòu)成與復(fù)制板固定頭一起示意地示出。
在圖15和圖16中，對(duì)在圖7和圖8所示例的托架裝置中相同的構(gòu)成要素采用相同符號(hào)，省略其重復(fù)說明。另外，在圖15圖16中，示出了將拆去了推壓用蓋的狀態(tài)的托架裝置的一部分的構(gòu)成要素保持于托架裝置臺(tái)的狀態(tài)。
托架裝置的一部分如圖15和圖17所示那樣，包括具有收容裸芯片60的收容部116A的托架外殼116、在形成托架外殼116的收容部116A的底部的底座構(gòu)件108上隔著彈性片110地配置的接觸片44、包含相對(duì)接觸片44的突點(diǎn)44B推壓裸芯片60的推壓體的推壓用蓋(未在圖中示出)、及將該推壓用蓋選擇性地保持在托架外殼116內(nèi)的鎖定機(jī)構(gòu)116F。
圖中未示出的上述推壓用蓋具有與圖8所示例中的構(gòu)成同樣的構(gòu)成。
鎖定機(jī)構(gòu)116F包括在托架外殼116的兩端分別由圖7所示那樣的支承軸可回轉(zhuǎn)地支承并對(duì)推壓用蓋的端部進(jìn)行保持的鉤構(gòu)件和朝與推壓用蓋的端部接合的方向?qū)︺^構(gòu)件施加彈性力的螺旋彈簧。
托架裝置臺(tái)106具有在接觸片44的突點(diǎn)44B的恢復(fù)處理時(shí)臨時(shí)收容托架外殼116的收容部106A。朝上方開口的收容部106A的內(nèi)周部如圖15和圖17所示那樣，為了限制底座構(gòu)件108相對(duì)收容部106A的相對(duì)位置，與底座構(gòu)件108的端部接合地形成。
在收容部106A的周緣部，如圖16和圖17所示那樣，相向地設(shè)置在收容部106A內(nèi)可裝拆地保持托架裝置的托架外殼116的一對(duì)鎖定機(jī)構(gòu)。該鎖定機(jī)構(gòu)包括保持托架外殼116的收容部116A的周緣部的鉤構(gòu)件112和分別朝與收容部116A的周緣部接合的方向?qū)︺^構(gòu)件112施加彈性力的螺旋彈簧114。鉤構(gòu)件112分別由支承軸118可回轉(zhuǎn)地支承于形成托架裝置臺(tái)106的收容部106A的壁部。
鉤構(gòu)件112在僅將托架裝置的托架外殼116安裝于收容部106A內(nèi)時(shí)或從收容部106A拆下時(shí)，如圖17中由2點(diǎn)劃線示出的那樣，使其一端克服螺旋彈簧114的彈性力而從收容部106A內(nèi)離開地回轉(zhuǎn)。另一方面，鉤構(gòu)件112的一端在托架外殼116被保持于收容部106A內(nèi)時(shí)，如在圖15和圖17由實(shí)線示出的那樣，因螺旋彈簧114的彈性力而接觸于托架外殼116的收容部116A的周緣部。
復(fù)制板固定頭如后面將要說明的那樣，當(dāng)對(duì)磨損了突點(diǎn)的接觸片44進(jìn)行恢復(fù)處理時(shí)，如圖15所示那樣，配置到托架裝置的托架外殼116的收容部116A內(nèi)。
復(fù)制板固定頭如圖15所示那樣，包括具有固定復(fù)制板104的固定面102a的推壓體102、具有收容推壓體102的基部的凹部的蓋本體100、及朝接觸片44的突點(diǎn)44B對(duì)復(fù)制板104施加彈性力的多個(gè)彈簧103。各彈簧103分別配置在推壓體102的基部的凹部與蓋本體100的較深的凹部之間的各空間里。
推壓體102的基部可移動(dòng)地插入到蓋本體100的較淺而寬的凹部?jī)?nèi)。在該推壓體102的插入部分的端部相向地形成有多個(gè)與設(shè)于蓋本體100下端的爪部接合的爪部102n。這樣，推壓體102在由多個(gè)彈簧103的彈性力作用的狀態(tài)下被保持于蓋本體100。
由金屬材料或陶瓷材料等制成的復(fù)制板104的一面相對(duì)固定面102a由粘接或連接件固定。在復(fù)制板104的另一面形成有具有規(guī)定的平面度和規(guī)定的表面粗糙度的凹凸。復(fù)制板104不限于該例，也可與推壓體102一體形成。另外，推壓體102也可不夾設(shè)多個(gè)彈簧103，例如與蓋本體100一體地形成。
另一方面，托架裝置的推壓用蓋(圖中未示出)在對(duì)安裝的裸芯片60進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，由其鎖定機(jī)構(gòu)116F將其保持在托架外殼116上。
在蓋本體100的上部的大體中央部設(shè)置有與后面將要說明的載荷傳感器的外螺紋部配合的內(nèi)螺紋部100s。
圖18A和18B示意地示出在本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第3實(shí)施例中，通過對(duì)接觸片44的突點(diǎn)44B進(jìn)行恢復(fù)處理的工序使接觸片44相對(duì)復(fù)制板固定頭移動(dòng)的滑動(dòng)裝置的整體構(gòu)成。
滑動(dòng)裝置包括臺(tái)機(jī)構(gòu)部和加壓機(jī)構(gòu)部，其中，所述臺(tái)機(jī)構(gòu)部配置于底座構(gòu)件120上，將保持收容接觸片44的托架外殼116的托架裝置臺(tái)106固定，并使其朝規(guī)定的方向移動(dòng)；所述加壓機(jī)構(gòu)部保持上述復(fù)制板固定頭，將規(guī)定的壓力作用到復(fù)制板104和接觸片44的突點(diǎn)44B。
臺(tái)機(jī)構(gòu)部包括配置于底座構(gòu)件120的基臺(tái)122、X軸向臺(tái)構(gòu)件126、Y軸向臺(tái)構(gòu)件130、及回轉(zhuǎn)臺(tái)136。X軸向臺(tái)構(gòu)件126由支承于基臺(tái)122的滾珠螺桿構(gòu)件124移動(dòng)。另外，Y軸向臺(tái)構(gòu)件130由沿與滾珠螺桿構(gòu)件124的軸線方向大體垂直的方向由支承于X軸向臺(tái)構(gòu)件126的滾珠螺桿構(gòu)件132移動(dòng)。另外，回轉(zhuǎn)臺(tái)136可回轉(zhuǎn)地支承在配置于Y軸向臺(tái)構(gòu)件130的臺(tái)支承部134，并保持托架裝置。
基臺(tái)122包括沿圖18A和18B的箭頭X所示方向形成的平坦部和相對(duì)平坦部大體垂直地朝箭頭Z所示方向擴(kuò)展延伸的倒立面部。
X軸向臺(tái)構(gòu)件126由導(dǎo)軌168引導(dǎo)，而且經(jīng)由螺母由滾珠螺桿構(gòu)件124可移動(dòng)地支承。滾珠螺桿構(gòu)件124的兩端部分別由基臺(tái)122的平坦部的沿圖18A和18B中箭頭X所示方向的端部支承。在滾珠螺桿構(gòu)件124的一方的端部，經(jīng)由行星齒輪機(jī)構(gòu)等減速機(jī)構(gòu)160GH連接有對(duì)固定于基臺(tái)122的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160的輸出軸。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160也可使用例如線性馬達(dá)、步進(jìn)馬達(dá)、伺服馬達(dá)等。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160和后面將要說明的各驅(qū)動(dòng)馬達(dá)由后面將要說明的控制裝置150控制。
Y軸向臺(tái)構(gòu)件130在X軸向臺(tái)構(gòu)件126的內(nèi)周部由1對(duì)相向配置的導(dǎo)軌128A和128B可沿與紙面垂直的方向移動(dòng)地被支承。另外，Y軸向臺(tái)構(gòu)件130經(jīng)由螺母由滾珠螺桿構(gòu)件132可移動(dòng)地支承。滾珠螺桿構(gòu)件132的兩端部分別由X軸向臺(tái)構(gòu)件126的沿與圖18A和18B的紙面垂直的方向的端部支承。在滾珠螺桿構(gòu)件132的一方的端部經(jīng)由行星齒輪機(jī)構(gòu)等減速機(jī)構(gòu)連接有固定于X軸向臺(tái)構(gòu)件126的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)162的輸出軸。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)162也可使用例如線性馬達(dá)、步進(jìn)馬達(dá)、伺服馬達(dá)等。
驅(qū)動(dòng)馬達(dá)164固定在固定于Y軸向臺(tái)構(gòu)件130的頂面的臺(tái)支承部134的中央部。臺(tái)支承部134經(jīng)由X軸向臺(tái)構(gòu)件126的切口固定于Y軸向臺(tái)構(gòu)件130的頂面。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)164的輸出軸經(jīng)由減速機(jī)構(gòu)164GH連接到回轉(zhuǎn)臺(tái)136的圓板部的中央的內(nèi)孔?；剞D(zhuǎn)臺(tái)136的側(cè)壁經(jīng)由軸承137可回轉(zhuǎn)地支承于臺(tái)支承部134的上部。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)164也可使用例如線性馬達(dá)、步進(jìn)馬達(dá)、伺服馬達(dá)等。
這樣，當(dāng)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)164處于工作狀態(tài)時(shí)，回轉(zhuǎn)臺(tái)136繞Y軸向臺(tái)構(gòu)件130的中心軸線和臺(tái)支承部134的中心軸線回轉(zhuǎn)。
托架裝置臺(tái)106由圖中省略的連接構(gòu)件，例如螺紋構(gòu)件等相對(duì)回轉(zhuǎn)臺(tái)136的圓板部固定。
加壓機(jī)構(gòu)部包括檢測(cè)經(jīng)由復(fù)制板固定頭對(duì)突點(diǎn)44B的推壓力的載荷傳感器138、保持載荷傳感器138并將推壓力傳遞到復(fù)制板固定頭的Z軸向臺(tái)構(gòu)件140、與Z軸向臺(tái)構(gòu)件140配合且可移動(dòng)地將其支承的滾珠螺桿構(gòu)件142、及使?jié)L珠螺桿構(gòu)件142回轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)166。
滾珠螺桿構(gòu)件142的兩端部分別可回轉(zhuǎn)地支承在隔開規(guī)定間隔地設(shè)于倒立面部的一對(duì)托架部。滾珠螺桿構(gòu)件142的一方的端部經(jīng)由減速機(jī)構(gòu)166GH連接到固定于倒立面部的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)166的輸出軸。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)166也可使用例如線性馬達(dá)、步進(jìn)馬達(dá)、伺服馬達(dá)等。
Z軸向臺(tái)構(gòu)件140經(jīng)由螺母使?jié)L珠螺桿構(gòu)件142相對(duì)其軸線大體垂直地與之配合，而且不自轉(zhuǎn)地由導(dǎo)軌144引導(dǎo)。
載荷傳感器138通過將連接于內(nèi)部的傳感器的外螺紋部138s擰入到復(fù)制板固定頭的內(nèi)螺紋部100s而連接到蓋本體100。載荷傳感器138檢測(cè)Z軸向臺(tái)構(gòu)件140相對(duì)復(fù)制板固定頭的推壓力，并將表示推壓力的檢測(cè)信號(hào)Sp向控制裝置150送出。
向控制裝置150供給來自省略了圖示的生產(chǎn)管理用主計(jì)算機(jī)的用于表示將各臺(tái)構(gòu)件的位置返回到規(guī)定的基準(zhǔn)位置的命令的復(fù)位指令信號(hào)Sr、表示托架外殼116的應(yīng)移動(dòng)的方向的移動(dòng)方向指令信號(hào)Sd、恢復(fù)處理開始指令信號(hào)Ss、及來自上述的載荷傳感器138的檢測(cè)信號(hào)Sp。
另外，控制裝置150在內(nèi)部具有存儲(chǔ)部150M，該存儲(chǔ)部150M存儲(chǔ)表示對(duì)應(yīng)于接觸片44設(shè)定的對(duì)復(fù)制板固定頭的推壓力的設(shè)定值或托架外殼116(托架裝置臺(tái)106)的移動(dòng)量的設(shè)定值的數(shù)據(jù)、及用于實(shí)施恢復(fù)處理的程序數(shù)據(jù)等。
該推壓力的值對(duì)應(yīng)于突點(diǎn)44B的大小設(shè)定，例如，設(shè)為每1個(gè)電極1g以上100g以下的范圍。作為推壓力的值的下限的范圍的一例，設(shè)為每1個(gè)電極1g以上40g以下的范圍。
托架外殼116(托架裝置臺(tái)106)的一個(gè)方向的移動(dòng)量將各機(jī)構(gòu)的游隙和接觸片44的撓曲等加以考慮地設(shè)定，例如使突點(diǎn)44B的相對(duì)的移動(dòng)量成為1μm以上1mm以下的范圍地設(shè)定。作為突點(diǎn)44B的相對(duì)的移動(dòng)量的下限的范圍的一例，可以是1μm以上100μm以下的范圍。
在本發(fā)明的電極的恢復(fù)處理方法的第3實(shí)施例的恢復(fù)處理中，首先，如圖18A和18B所示那樣將安裝有配置了磨損了的突點(diǎn)的接觸片44的托架外殼116的托架裝置臺(tái)106保持于處于規(guī)定的基準(zhǔn)位置的回轉(zhuǎn)臺(tái)136的圓板部。
然后，控制裝置150根據(jù)恢復(fù)處理開始指令信號(hào)Ss、移動(dòng)方向指令信號(hào)Sd、及存儲(chǔ)裝置150M內(nèi)的數(shù)據(jù)使托架外殼116和托架裝置臺(tái)106的移動(dòng)量成為規(guī)定的值地設(shè)定各臺(tái)構(gòu)件的移動(dòng)量。
此時(shí)，控制裝置150根據(jù)檢測(cè)信號(hào)Sp和存儲(chǔ)部150M內(nèi)的推壓力的設(shè)定值的數(shù)據(jù)設(shè)定Z軸向臺(tái)構(gòu)件140的移動(dòng)量。
控制裝置150對(duì)應(yīng)于設(shè)定的移動(dòng)量形成脈沖控制信號(hào)Cz，并將其供給到馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路158。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路158根據(jù)脈沖控制信號(hào)Cz供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
接著，控制裝置150對(duì)應(yīng)于設(shè)定的移動(dòng)量形成應(yīng)使托架外殼116和托架裝置臺(tái)106至少移動(dòng)1次的脈沖控制信號(hào)Cx、Cy、Cr，并將其分別供給馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路152、154、及156。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路152、154、及156分別根據(jù)脈沖控制信號(hào)Cx、Cy、Cr對(duì)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160、162、及164供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
這樣，托架外殼116內(nèi)的接觸片44的突點(diǎn)44B相對(duì)復(fù)制板104朝規(guī)定方向按規(guī)定量相對(duì)移動(dòng)1次。
因此，與上述第1實(shí)施例的場(chǎng)合同樣，不施加較大的推壓力即在突點(diǎn)磨損了的端部形成與復(fù)制板104的復(fù)制面的微小的凹凸的推壓和滑動(dòng)對(duì)應(yīng)的較微細(xì)的凹凸。該凹凸例如按0.1μm以上50μm以下左右的間隔以約0.001μm以上5μm以下的高度形成。作為該凹凸的下限的范圍，設(shè)為例如0.1μm以上50μm以下左右的間隔、約0.002μm以上3μm以下的高度的范圍。
另外，在本實(shí)施例中，由于不需要如第1實(shí)施例的場(chǎng)合那樣加熱，所以，恢復(fù)處理的滑動(dòng)量的控制容易進(jìn)行，而且，可在較短期間處理，結(jié)果，更適合大批量生產(chǎn)。
另外，控制裝置150為了解除推壓力形成脈沖控制信號(hào)Cz，并將其供給到馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路158。
將收容進(jìn)行了恢復(fù)處理的接觸片的托架外殼116從托架裝置臺(tái)106拆下。此時(shí)，控制裝置150為了根據(jù)供給的控制信號(hào)Sr形成應(yīng)將各臺(tái)構(gòu)件的位置返回到規(guī)定的基準(zhǔn)位置脈沖控制信號(hào)Cx、Cy、Cr、及Cz，將其分別供給到馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路152、154、156、158。
拆下的托架外殼116在安裝裸芯片60和推壓用蓋后，與上述例同樣，作為托架裝置安裝到IC插座30的收容部。
權(quán)利要求
1.一種電極的恢復(fù)處理方法，包括第1工序和第2工序，在所述第1工序，在電極板的電極部的連接面上，載置半導(dǎo)體器件的端子部，該電極板在絕緣基板上形成有通過使母材中含有規(guī)定量的具有比母材的耐磨性優(yōu)良的耐磨性的微小結(jié)晶物而構(gòu)成的電極部，并且通過該電極部的連接面與半導(dǎo)體器件的端子部進(jìn)行電連接；在所述第2工序，使半導(dǎo)體器件的端子部接觸上述電極板的連接面而使該連接面磨損，使上述結(jié)晶物的一部分露出，借此在該連接面獲得規(guī)定的凹凸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極的恢復(fù)處理方法，其特征在于上述結(jié)晶物由具有比作為上述母材的銅的硬度大的硬度，而且，電導(dǎo)率較高的鈀或鎳制作。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電極的恢復(fù)處理方法。按規(guī)定的壓力將具有規(guī)定粗糙度的復(fù)制面10的復(fù)制板10的復(fù)制面10s接觸于形成在具有比復(fù)制板10的線膨脹率大的線膨脹率的基材44M上的接觸片44的多個(gè)突點(diǎn)44B，并將基材44M和復(fù)制板10加熱到規(guī)定的溫度，從而使突點(diǎn)44B的連接面恢復(fù)為規(guī)定粗糙度的表面。
文檔編號(hào)H05K3/32GK1794436SQ200510123408
公開日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2003年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月27日
發(fā)明者鈴木威之, 若林良典 申請(qǐng)人:山一電機(jī)株式會(huì)社