雙向微型揚(yáng)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲領(lǐng)域，具體的涉及一種雙向微型揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]揚(yáng)聲器是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為聲能的器件，現(xiàn)廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、MP3等移動(dòng)終端電子裝置中。揚(yáng)聲器作為基本的發(fā)聲器件，對終端裝置的發(fā)聲效果具有非常關(guān)鍵的影響，伴隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步以及電子行業(yè)的發(fā)展，人們對于揚(yáng)聲器的性能也提出了更高的要求。
[0003]常規(guī)的揚(yáng)聲器一般為單向喇叭結(jié)構(gòu)，包括一磁路和一振動(dòng)組件，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)比較簡單，但是卻無法很好地兼顧產(chǎn)品在高頻和低頻時(shí)不同頻段的性能和音質(zhì)，有一些揚(yáng)聲器低頻處性能較好，也有一些則是高頻處性能較好，基于此，雙響喇叭逐漸進(jìn)入人們的視野，雙向揚(yáng)聲器可以滿足低頻和高頻時(shí)同時(shí)工作，對于產(chǎn)品的性能曲線和聽音的音質(zhì)具有互補(bǔ)和提升的作用，能夠在一定程度上彌補(bǔ)單向揚(yáng)聲器的不足。但是，對于雙向揚(yáng)聲器而言，通長都會(huì)存在高音振膜輻射效率不高的問題，針對這一問題，有必要對現(xiàn)有的雙向揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，以增強(qiáng)高頻部分振膜的輻射效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種雙向微型揚(yáng)聲器，通過增加蓋體這一結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)尚頻部分振I旲的福射效率，進(jìn)一步提尚廣品中尚頻的靈敏度。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種雙向微型揚(yáng)聲器，包括磁路組件、振動(dòng)組件以及收容所述磁路組件的盆架；所述振動(dòng)組件包括低音振動(dòng)組件和高音振動(dòng)組件，其中，所述盆架的底部結(jié)合有蓋體；所述蓋體的側(cè)面對應(yīng)包裹住所述高音振動(dòng)組件的外周；所述蓋體的正面對應(yīng)所述高音振動(dòng)組件，并且開設(shè)有與外部大氣環(huán)境連通的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)；所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)由位于所述蓋體正面的泄露孔向遠(yuǎn)離所述高音振動(dòng)組件的方向延伸設(shè)置。
[0006]作為一種改進(jìn)，所述雙向微型揚(yáng)聲器為環(huán)形結(jié)構(gòu)。
[0007]作為一種改進(jìn)，所述蓋體包括弧狀的基部以及自所述基部向所述高音振動(dòng)組件的方向延伸的側(cè)部；所述泄露孔開設(shè)于所述基部的中央位置；所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)由所述泄露孔向遠(yuǎn)離所述高音振動(dòng)組件的方向垂直延伸而成。
[0008]作為一種改進(jìn)，所述盆架包括基壁以及自所述基壁的開口端平行向外側(cè)延伸而成的側(cè)壁；所述蓋體的側(cè)部與所述盆架連接固定。
[0009]作為一種改進(jìn)，所述盆架基壁上設(shè)置有凸起；所述蓋體側(cè)部上對應(yīng)所述凸起的位置設(shè)置有相匹配的凹槽；所述凸起與所述凹槽配合固定。
[0010]作為一種改進(jìn)，所述低音振動(dòng)組件對應(yīng)低頻；所述高音振動(dòng)組件對應(yīng)高頻；所述蓋體將所述高頻部分的四周密封。
[0011]作為一種改進(jìn)，所述磁路組件包括磁鐵以及覆蓋于所述磁鐵上的華司板；所述華司板為四周平整并且向中心位置逐漸隆起的弧狀結(jié)構(gòu)；所述華司板的邊緣向靠近所述磁鐵的方向延伸，包裹所述磁鐵；所述華司板的中心位置下凹，并且向靠近所述高音振動(dòng)組件的方向延伸；
[0012]作為一種改進(jìn)，所述低音振動(dòng)組件包括低音音圈和低音振膜；所述高音振動(dòng)組件包括所述高音音圈和所述高音振膜；所述高音音圈位于所述磁路組件的磁鐵的內(nèi)側(cè)，所述低音音圈位于所述磁路組件的磁鐵的外側(cè)。
[0013]作為一種改進(jìn)，所述磁鐵與盆架之間形成第一磁間隙；所述低音音圈懸置于所述第一磁間隙中；所述磁鐵與華司板的延伸部分形成第二磁間隙；所述高音音圈懸置于所述第二磁間隙中。
[0014]作為一種改進(jìn)，所述盆架的側(cè)壁上結(jié)合有用于連接內(nèi)外部電路的導(dǎo)電線路板；所述盆架側(cè)壁上設(shè)置有聲孔；所述聲孔上貼設(shè)有網(wǎng)布。
[0015]相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，本實(shí)用新型的雙向微型揚(yáng)聲器，其盆架的底部結(jié)合有蓋體，蓋體的側(cè)面包裹住高音振動(dòng)組件的外周，可以實(shí)現(xiàn)對產(chǎn)品高頻部分外周的密封，從而使得高頻部分振膜向低頻部分的輻射效率增加，輻射聲波更多的向內(nèi)部傳遞，進(jìn)而提高產(chǎn)品在中高頻處的靈敏度；另一方面，由于蓋體對應(yīng)高頻部分的一面設(shè)置有連通外部大氣環(huán)境的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)，且該導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)為自泄露孔向遠(yuǎn)離高音振動(dòng)組件方向延伸設(shè)置的結(jié)構(gòu)，不僅可以有效平衡氣壓，同時(shí)可以增加聲阻，減少聲音泄露。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型雙向微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的爆炸圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型雙向微型揚(yáng)聲器背面外觀示意圖；
[0018]圖3為本實(shí)用新型雙向微型揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型雙向微型揚(yáng)聲器蓋體結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0020]其中的附圖標(biāo)記包括:1、盆架，11、基壁，110、凸起，12、側(cè)壁，2、磁鐵，3、華司板，4、低音振動(dòng)組件，41、低音振膜，42、低音音圈，5、高音振動(dòng)組件，51、高音振膜，52、高音音圈，6、蓋體，61、基部，62、側(cè)部，63、導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)，630、泄露孔，7、導(dǎo)電線路板，8、網(wǎng)布。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本【實(shí)用新型內(nèi)容】:
[0022]實(shí)施例:
[0023]參閱圖1、圖2和圖3共同所示，本實(shí)施方式的雙向微型揚(yáng)聲器為環(huán)形結(jié)構(gòu)，包括振動(dòng)系統(tǒng)和磁路組件，其中，振動(dòng)系統(tǒng)包括低音振動(dòng)組件4和高音振動(dòng)組件5，低音振動(dòng)組件4對應(yīng)產(chǎn)品的低頻部分，而高音振動(dòng)組件5則對應(yīng)產(chǎn)品的高頻部分，具體的，低音振動(dòng)組件4包括相互粘結(jié)在一起的低音振摸41和低音音圈42，高音振動(dòng)組件5包括相互粘結(jié)在一起的高音振膜51以及高音音圈52 ;磁路組件收容于盆架1內(nèi)，包括磁體2和華司板3，華司板3為中空的結(jié)構(gòu)，磁鐵2與盆架1之間形成有磁間隙，低音音圈42就懸置于該磁間隙中，而高音音圈52的一端則置于磁鐵2的內(nèi)側(cè)。在本實(shí)用新型中，盆架1的底部結(jié)合有蓋體6，蓋體6的側(cè)面包裹住高音振動(dòng)組件5的外周，蓋體6的正面對應(yīng)高音振動(dòng)組件5，并且開設(shè)有與外部大氣環(huán)境連通的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)63，導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)63由位于蓋體6正面的泄露孔630向遠(yuǎn)離高音振動(dòng)組件5的方向延伸設(shè)置。
[0024]通過該種設(shè)計(jì)，雙向微型揚(yáng)聲器的高頻部分的四周可被蓋體密封，這樣高音振膜向低頻部分的輻射效率將會(huì)增強(qiáng)，有利于提高中高頻處的靈敏度，另外由于蓋體對