一種基于微led陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，應(yīng)用于所述微LED陣列上，所述微LED陣列包括N*N個(gè)LED，其中N大于等于2，所述基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法包括：控制每一LED使其工作于飽和區(qū)或截止區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)；將一統(tǒng)計(jì)周期劃分為不同間隔周期；在不同間隔周期內(nèi)采用比特量化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列；根據(jù)所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列統(tǒng)計(jì)所述統(tǒng)計(jì)周期內(nèi)所述微LED陣列的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。本發(fā)明可有效抑制LED的非線性特性的影響，同時(shí)可通過(guò)調(diào)整可見(jiàn)光信息的動(dòng)態(tài)范圍和直流偏置光強(qiáng)，控制微LED陣列的發(fā)射光強(qiáng)。動(dòng)態(tài)調(diào)整陣列中發(fā)光微LED提高其使用壽命。
【專利說(shuō)明】
一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域和可見(jiàn)光通信技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳 輸方法及系統(tǒng)，特別是涉及一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，當(dāng)前無(wú)線數(shù)據(jù)量程指數(shù)倍增長(zhǎng)。另一方面，頻譜資源 的稀缺也制約著無(wú)線通信數(shù)據(jù)傳輸速率。目前可見(jiàn)光通信系統(tǒng)由于使用可見(jiàn)光頻譜資源而 受到廣泛關(guān)注?？梢?jiàn)光通信系統(tǒng)有很大潛力可提供較高的傳輸速率，例如使用RGB三色傳 輸可獲得4. 2Gbit/s的傳輸速率。同時(shí)可見(jiàn)光通信系統(tǒng)具有安全性，無(wú)電干擾，成本低，易 安裝和改造等優(yōu)點(diǎn)。
[0003] 隨著半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展，micro-LED陣列得到快速發(fā)展。常用的白光LED燈 的3dB帶寬僅有15~50MHz。而是用AlInGaN allay結(jié)構(gòu)的micro-LED陣列可獲得高達(dá) 400MH在的可見(jiàn)光系統(tǒng)傳輸帶寬。使用micro-LED陣列可見(jiàn)光通信系統(tǒng)可達(dá)到lGbit/s的 傳輸速率（未使用補(bǔ)償算法）。通過(guò)LED材料和設(shè)計(jì)上的改進(jìn)可進(jìn)一步提高可見(jiàn)光通信系 統(tǒng)的傳輸速率。
[0004] 在可見(jiàn)光通信系統(tǒng)中，LED燈的非線性特性和頻率特性響應(yīng)限制了可見(jiàn)光通信系 統(tǒng)傳輸性能的進(jìn)一步提高。LED燈的非線性特性曲線帶來(lái)向量誤差，LED的頻率特性響應(yīng)降 低可見(jiàn)光通信系統(tǒng)的傳輸帶寬，從而限制了系統(tǒng)傳輸速度。對(duì)于LED的非線性器件來(lái)說(shuō)，線 性程度和功率效率為負(fù)相關(guān)關(guān)系，LED器件容易出現(xiàn)非線性截止現(xiàn)象當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)于滿功率 飽和點(diǎn)，降低BER和EVM系統(tǒng)性能。功率回退可保證可見(jiàn)光通信系統(tǒng)工作于線性區(qū)間，但是 降低了功率效率。改善LED器件的線性度和功率效率的方法有很多種，最常用的方法是采 用線性化技術(shù)。使用線性化技術(shù)可以在較少的犧牲功率效率的條件下提高LED器件的線性 度。典型的線性化技術(shù)有負(fù)反饋，前反饋，預(yù)失真，后失真等方法。使用單比特00K (on-off keying)和 VPPM(variable pulse position modulation)調(diào)制方法可有效的抑制 LED 非 線性特性。但是，該調(diào)制方法的頻譜效率較低只有l(wèi)bit/Hz，并不適合高速無(wú)線通信數(shù)據(jù)傳 輸。使用sigma-delta調(diào)制器將多級(jí)輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換二進(jìn)制輸入信號(hào)，有效抑制LED非線性 失真影響。
[0005] 而現(xiàn)有LED燈的非線性特性和頻率特性響應(yīng)限制了可見(jiàn)光通信系統(tǒng)傳輸性能的 進(jìn)一步提高。LED燈的非線性特性曲線帶來(lái)向量誤差，LED的頻率特性響應(yīng)降低可見(jiàn)光通 信系統(tǒng)的傳輸帶寬，從而限制了系統(tǒng)傳輸速度。對(duì)于LED的非線性器件來(lái)說(shuō)，線性程度和功 率效率為負(fù)相關(guān)關(guān)系，LED器件容易出現(xiàn)非線性截止現(xiàn)象當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)于滿功率飽和點(diǎn)，降低 BER和 EVM系統(tǒng)性能。使用單比特00K(on-〇ff keying)和 VPPM(variable pulse position modulation)調(diào)制方法可有效的抑制LED非線性特性。但是，該調(diào)制方法的頻譜效率較低只 有l(wèi)bit/Hz，并不適合高速無(wú)線通信數(shù)據(jù)傳輸。
[0006] 因此，如何提供一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有 技術(shù)中中的LED器件容易出現(xiàn)非線性截止現(xiàn)象當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)于滿功率飽和點(diǎn)，使用單比特開(kāi) 關(guān)鍵控調(diào)制方法和變量脈沖位置調(diào)制方法的頻譜效率較低，且只有l(wèi)bit/Hz，并適合高速無(wú) 線通信數(shù)據(jù)傳輸?shù)确N種缺陷，實(shí)已成為本領(lǐng)域從業(yè)者亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種基于微LED陣列的可 見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中LED器件容易出現(xiàn)非線性截止現(xiàn)象當(dāng)LED 驅(qū)動(dòng)于滿功率飽和點(diǎn)，使用單比特開(kāi)關(guān)鍵控調(diào)制方法和變量脈沖位置調(diào)制方法的頻譜效率 較低，且只有l(wèi)bit/Hz，并適合高速無(wú)線通信數(shù)據(jù)傳輸?shù)膯?wèn)題。
[0008] 為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明一方面提供一種基于微LED陣列的可見(jiàn) 光數(shù)據(jù)傳輸方法，應(yīng)用于所述微LED陣列上，所述微LED陣列包括N*N個(gè)LED，其中N大于等 于2,所述基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法包括：控制每一 LED使其工作于飽和區(qū)或 截止區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)；將一統(tǒng)計(jì)周期劃分為不同間隔周期；在不同間隔周期內(nèi)采 用log/比特量化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列；根據(jù)所述微LED陣列 的像素點(diǎn)陣列統(tǒng)計(jì)所述統(tǒng)計(jì)周期內(nèi)所述微LED陣列的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。
[0009] 可選地，每一微LED工作于飽和區(qū)和/或截止區(qū)，分別標(biāo)識(shí)傳輸?shù)臄?shù)字信息為1和 0〇
[0010] 可選地，每一微LED使用最大福射光強(qiáng)發(fā)光信息為1，每一個(gè)微LED暫停發(fā)光信息 為0〇
[0011] 可選地，所述基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法還包括將所述微LED陣列中 原有模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字基帶信號(hào)。
[0012] 本發(fā)明另一方面還提供一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，應(yīng)用于所述 微LED陣列上，所述微LED陣列包括N*N個(gè)LED，其中N大于等于2,所述基于微LED陣列的 可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)包括：每一 LED下安裝有一個(gè)微LED驅(qū)動(dòng)模塊，用于控制每一 LED使其 工作于飽和區(qū)或截止區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)；劃分模塊，用于將一統(tǒng)計(jì)周期劃分為不同間 隔周期；量化模塊，用于在不同間隔周期內(nèi)采用log/比特量化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所述微 LED陣列的像素點(diǎn)陣列；光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍獲取模塊，用于根據(jù)所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣 列獲取所述微LED陣列的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。
[0013] 可選地，所述微LED驅(qū)動(dòng)模塊為CMOS的驅(qū)動(dòng)電晶體電路板。
[0014] 可選地，所述光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍為1~η2。
[0015] 如上所述，本發(fā)明所述的基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)，具有以 下有益效果：
[0016] 1、本發(fā)明所述的基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)可有效抑制LED的 非線性特性的影響；
[0017] 2、同時(shí)本發(fā)明所述的基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)可通過(guò)調(diào)整 可見(jiàn)光信息的動(dòng)態(tài)范圍和直流偏置光強(qiáng)，控制微LED陣列的發(fā)射光強(qiáng)。動(dòng)態(tài)調(diào)整陣列中發(fā) 光微LED提高其使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1顯示為本發(fā)明的基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法流程示意圖。
[0019] 圖2顯示為本發(fā)明的基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0021] 1 基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)
[0022] 11 微LED驅(qū)動(dòng)模塊
[0023] 12 劃分模塊
[0024] 13 量化模塊
[0025] 14 光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍獲取模塊
[0026] S1 ~S4 步驟
【具體實(shí)施方式】
[0027] 以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書 所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí) 施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離 本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0028] 請(qǐng)參閱附圖。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明 的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形 狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布 局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0029] 下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0030] 實(shí)施例一
[0031] 本實(shí)施例提供一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，應(yīng)用于所述微LED陣 列上，所述微LED陣列包括N*N個(gè)LED，其中N大于等于2。請(qǐng)參閱圖1，顯示為基于微LED 陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法流程圖。如圖1所示，所述基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸 方法包括：
[0032] S1，控制每一 LED使其工作于飽和區(qū)和/或截止區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)；本步驟 S1還包括將所述微LED陣列中原有模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字基帶信號(hào)。在本實(shí)施例中，每一微 LED工作于飽和區(qū)或截止區(qū)，分別表示傳輸?shù)臄?shù)字信息為1和0。
[0033] S2,將一統(tǒng)計(jì)周期T劃分為不同間隔周期T1，T2，T3，…。
[0034] S3,在不同間隔周期Tl，Τ2, Τ3,…內(nèi)采用log ^比特量化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所 述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列。在本實(shí)施例中，例如，N為16,即所述微LED陣列包括N*N個(gè) LED為16*16的微LED陣列，則采用l〇g2162 = 2log:216二2*4 = 8,即采用8比特量化所述數(shù)字 基帶信號(hào)。
[0035] S4,根據(jù)所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列統(tǒng)計(jì)所述統(tǒng)計(jì)周期T內(nèi)所述微LED陣列的 光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。在本實(shí)施例中，所述光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍為1~η 2。
[0036] 每個(gè)微LED單體下都有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電晶體電路控制發(fā)光，使用微LED陣列的光強(qiáng)集 合來(lái)表不該1~η 2的量化信號(hào)。每個(gè)微LED都表不單比特信號(hào)（0、1)。每個(gè)微LED使用最 大輻射光強(qiáng)發(fā)光表示信息1，微LED暫停發(fā)光表示信息0。使用這種方法，可有效消除微LED 燈的非線性特性。同時(shí)提供高速的速率傳輸。
[0037] 使用基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法可通過(guò)調(diào)整信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍和直流 偏置，控制微LED陣列的發(fā)射光強(qiáng)。例如，n*n的微LED正常光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍是1~η 2。 為了提高微LED的光強(qiáng)，可動(dòng)態(tài)控制微LED陣列中常亮的微LED數(shù)量，則信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍會(huì) 降低。例如保持32燈常亮，提高了微LED陣列的發(fā)光強(qiáng)度，光強(qiáng)信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍為32~η 2。
[0038] 由于微LED陣列的每個(gè)微LED燈單獨(dú)發(fā)光，長(zhǎng)期使用中部分微LED處于常亮，而另 一部分微LED發(fā)光狀態(tài)較少，尤其是擁有較高PAPR的0FDM信號(hào)更加嚴(yán)重。因此通過(guò)動(dòng)態(tài) 調(diào)整微LED陣列中發(fā)光的微LED，可提高微LED陣列的使用壽命?？梢?jiàn)光通信系統(tǒng)中傳輸?shù)?是光強(qiáng)信號(hào)是基帶信號(hào)，根據(jù)微LED陣列的像素點(diǎn)量化信號(hào)。大信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的微LED燈 使用率較低，而小信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的微LED使用率較高更容易損壞。因此使用輪詢驅(qū)動(dòng)微LED 的方法可提高微LED陣列的使用壽命。n*n像素的微LED陣列按行依次編號(hào)1~n2,根據(jù)動(dòng) 態(tài)范圍為1~η 2的量化基帶信號(hào)大小驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)編號(hào)的微LED。經(jīng)過(guò)一段固定時(shí)間T，微LED 陣列編號(hào)依次增加，為（1+NT~n 2+NT)mod(n2)。量化基帶信號(hào)依然驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)編號(hào)的微LED， 從而提高微LED陣列的使用壽命。
[0039] 實(shí)施例二
[0040] 本實(shí)施例提供一種基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)1，應(yīng)用于所述微LED陣 列上，所述微LED陣列包括N*N個(gè)LED，其中N大于等于2。請(qǐng)參閱圖2,顯示為基于微LED 陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，所述基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳 輸系統(tǒng)1包括：驅(qū)動(dòng)模塊11、劃分模塊12、量化模塊13、及光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍獲取模塊14。
[0041] 其中，每一 LED下安裝有一個(gè)微LED驅(qū)動(dòng)模塊11用于控制每一 LED使其工作于飽 和區(qū)或截止區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)。所述驅(qū)動(dòng)模塊11還用于將所述微LED陣列中原有模 擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字基帶信號(hào)。在本實(shí)施例中，每一微LED工作于飽和區(qū)或截止區(qū)，分別表示 傳輸?shù)臄?shù)字信息為1和0。在本實(shí)施例中，所述微LED驅(qū)動(dòng)模塊11為CMOS的驅(qū)動(dòng)電晶體電 路板。
[0042] 與所述驅(qū)動(dòng)模塊11連接的劃分模塊12用于將一統(tǒng)計(jì)周期T劃分為不同間隔周期 T1，T2，T3，…。
[0043] 與所述劃分模塊12連接的量化模塊13用于在不同間隔周期內(nèi)采用log/比特量 化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列。
[0044] 與所述量化模塊13連接的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍獲取模塊14用于根據(jù)所述微LED陣 列的像素點(diǎn)陣列獲取所述微LED陣列的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。所述光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍為1~ n2〇
[0045] 每個(gè)微LED單體下都有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電晶體電路控制發(fā)光，使用微LED陣列的光強(qiáng)集 合來(lái)表不該1~η 2的量化信號(hào)。每個(gè)微LED都表不單比特信號(hào)（0、1)。每個(gè)微LED使用最 大輻射光強(qiáng)發(fā)光表示信息1，微LED暫停發(fā)光表示信息0。使用這種方法，可有效消除微LED 燈的非線性特性。同時(shí)提供高速的速率傳輸。
[0046] 使用基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法可通過(guò)調(diào)整信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍和直流 偏置，控制微LED陣列的發(fā)射光強(qiáng)。例如，n*n的微LED正常光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍是1~η 2。 為了提高微LED的光強(qiáng)，可動(dòng)態(tài)控制微LED陣列中常亮的微LED數(shù)量，則信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍會(huì) 降低。例如保持32燈常亮，提高了微LED陣列的發(fā)光強(qiáng)度，光強(qiáng)信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍為32~η 2。
[0047] 由于微LED陣列的每個(gè)微LED燈單獨(dú)發(fā)光，長(zhǎng)期使用中部分微LED處于常亮，而另 一部分微LED發(fā)光狀態(tài)較少，尤其是擁有較高PAPR的0FDM信號(hào)更加嚴(yán)重。因此通過(guò)動(dòng)態(tài) 調(diào)整微LED陣列中發(fā)光的微LED，可提高微LED陣列的使用壽命?？梢?jiàn)光通信系統(tǒng)中傳輸?shù)?是光強(qiáng)信號(hào)是基帶信號(hào)，根據(jù)微LED陣列的像素點(diǎn)量化信號(hào)。大信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的微LED燈 使用率較低，而小信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的微LED使用率較高更容易損壞。因此使用輪詢驅(qū)動(dòng)微LED 的方法可提高微LED陣列的使用壽命。n*n像素的微LED陣列按行依次編號(hào)1~n2,根據(jù)動(dòng) 態(tài)范圍為1~η 2的量化基帶信號(hào)大小驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)編號(hào)的微LED。經(jīng)過(guò)一段固定時(shí)間T，微LED 陣列編號(hào)依次增加，為（1+NT~n 2+NT)mod(n2)。量化基帶信號(hào)依然驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)編號(hào)的微LED， 從而提高微LED陣列的使用壽命。
[0048] 本發(fā)明所述的基于微LED陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法及系統(tǒng)，使用數(shù)字控制的微 LED陣列的可見(jiàn)光傳輸可有效抑制LED的非線性特性的影響，同時(shí)可通過(guò)調(diào)整可見(jiàn)光信息 的動(dòng)態(tài)范圍和直流偏置光強(qiáng)，控制微LED陣列的發(fā)射光強(qiáng)。動(dòng)態(tài)調(diào)整陣列中發(fā)光微LED提 高其使用壽命。
[0049] 綜上所述，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0050] 上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟 悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因 此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完 成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，應(yīng)用于所述微L邸陣列上，所述微LED 陣列包括N*N個(gè)LED,其中N大于等于2,其特征在于，所述基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳 輸方法包括： 控制每一 L邸使其工作于飽和區(qū)或截止區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)； 將一統(tǒng)計(jì)周期劃分為不同間隔周期； 在不同間隔周期內(nèi)采用log/比特量化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所述微LED陣列的像素點(diǎn) 陣列； 根據(jù)所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列統(tǒng)計(jì)所述統(tǒng)計(jì)周期內(nèi)所述微LED陣列的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng) 態(tài)范圍。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，其特征在于：每一 微L邸工作于飽和區(qū)和/或截止區(qū)，分別標(biāo)識(shí)傳輸?shù)臄?shù)字信息為1和0。3. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，其特征在于：每一 微L邸使用最大福射光強(qiáng)發(fā)光信息為1，每一個(gè)微LED暫停發(fā)光信息為0。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，其特征在于：所述 基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法還包括將所述微L邸陣列中原有模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù) 字基帶信號(hào)。5. -種基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，應(yīng)用于所述微L邸陣列上，所述微LED 陣列包括N*N個(gè)LED,其中N大于等于2,其特征在于，所述基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳 輸系統(tǒng)包括： 每一 L邸下安裝有一個(gè)微L邸驅(qū)動(dòng)模塊，用于控制每一 L邸使其工作于飽和區(qū)或截止 區(qū)，并產(chǎn)生數(shù)字基帶信號(hào)； 劃分模塊，用于將一統(tǒng)計(jì)周期劃分為不同間隔周期； 量化模塊，用于在不同間隔周期內(nèi)采用log/比特量化所述數(shù)字基帶信號(hào)成所述微LED 陣列的像素點(diǎn)陣列； 光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍獲取模塊，用于根據(jù)所述微LED陣列的像素點(diǎn)陣列獲取所述微LED 陣列的光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，其特征在于：所述 微LED驅(qū)動(dòng)模塊為CMOS的驅(qū)動(dòng)電晶體電路板。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于微L邸陣列的可見(jiàn)光數(shù)據(jù)傳輸方法，其特征在于：所述 光強(qiáng)信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍為1~n2。
【文檔編號(hào)】H04B10/116GK105991189SQ201510079035
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月13日
【發(fā)明人】錢驊, 蔡孫增, 趙爽
【申請(qǐng)人】上海無(wú)線通信研究中心