一種激光器芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種激光器芯片，包括：激光器芯片的前端鍍有對(duì)業(yè)務(wù)光波段高透射、對(duì)檢測(cè)光波段高反射的鍍膜。通過本發(fā)明的方案，前端鍍膜的激光器芯片對(duì)業(yè)務(wù)光波段高透射，對(duì)檢測(cè)光波段高反射，提高了檢測(cè)光的反射率，降低了光時(shí)域反射OTDR檢測(cè)模塊的復(fù)雜度。
【專利說明】
一種激光器芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及故障檢測(cè)技術(shù)，尤指一種激光器芯片?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)及各種增值業(yè)務(wù)的不斷增加，推動(dòng)了光纖網(wǎng)絡(luò)的迅猛發(fā)展。從核心網(wǎng)、承載網(wǎng)到接入網(wǎng)使用光纖網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為基本共識(shí)。
[0003]在光纖通信中，傳輸介質(zhì)一光纖難免會(huì)出現(xiàn)鏈路故障，從而影響光信號(hào)的傳輸。 為了精確的定位故障的位置，需要采用專門的光時(shí)域反射儀(OTDR，Optical Time Domain Ref lectometer)來進(jìn)行故障檢測(cè)定位。簡化光纖故障檢測(cè)步驟、降低運(yùn)維成本也是目前運(yùn)營商最迫切的需求之一。正是這種背景下，把0TDR技術(shù)和光傳輸設(shè)備結(jié)合起來，即0TDR光路檢測(cè)專用的檢測(cè)模塊應(yīng)運(yùn)而生。該檢測(cè)模塊將取代現(xiàn)有的昂貴的0TDR，降低了成本，簡化了設(shè)備連線。
[0004]0TDR是基于光在光纖中傳輸時(shí)菲涅爾反射來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)來自設(shè)置在光纖的一端的設(shè)備中的0TDR檢測(cè)模塊的檢測(cè)光在光纖中傳輸時(shí)，檢測(cè)光會(huì)在光纖另一端的設(shè)備的激光器芯片的前端產(chǎn)生反射，0IDR檢測(cè)模塊根據(jù)接收到的反射光對(duì)故障點(diǎn)進(jìn)行精確定位。然而，由于激光器芯片的前端的反射率較低，需要通過提高0TDR檢測(cè)模塊的發(fā)射功率來增強(qiáng)反射光強(qiáng)度，因此，0TDR檢測(cè)模塊的復(fù)雜度較高。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種激光器芯片，能夠降低檢測(cè)模塊的復(fù)雜度。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出了一種激光器芯片，包括:所述激光器芯片的前端鍍有對(duì)業(yè)務(wù)光波段高透射、對(duì)檢測(cè)光波段高反射的鍍膜。
[0007]優(yōu)選地，所述業(yè)務(wù)光波段為1260nm到1580nm，所述檢測(cè)光波段為1625nm到 1675nm〇
[0008]優(yōu)選地，所述業(yè)務(wù)光波段為1260nm到1603nm，所述檢測(cè)光波段為1640nm到 1660nm〇
[0009]優(yōu)選地，所述激光器芯片為分布反饋DFB激光芯片、或法布里一珀羅FP激光芯片。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括:激光器芯片的前端鍍有對(duì)業(yè)務(wù)光波段高透射、對(duì)檢測(cè)光波段高反射的鍍膜。通過本發(fā)明的方案，前端鍍膜的激光器芯片對(duì)業(yè)務(wù)光波段高透射， 對(duì)檢測(cè)光波段高反射，提高了檢測(cè)光的反射率，降低了 OTDR檢測(cè)模塊的復(fù)雜度。【附圖說明】
[0011]下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的附圖進(jìn)行說明，實(shí)施例中的附圖是用于對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，與說明書一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。
[0012]圖1為本發(fā)明激光器芯片的結(jié)構(gòu)組成示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明鍍膜后激光器芯片的前端的通透特性曲線示意圖；
[0014]圖3為本發(fā)明光路工作示意圖；
[0015]圖4為本發(fā)明的激光器芯片應(yīng)用在P0N系統(tǒng)中的示意圖；
[0016]圖5為本發(fā)明的激光器芯片應(yīng)用在0TN設(shè)備中的示意圖；
[0017]圖中，1為光接口，2為激光器芯片，3為檢測(cè)光。【具體實(shí)施方式】
[0018]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述，并不能用來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的各種方式可以相互組合。
[0019]參見圖1，本發(fā)明提出了一種激光器芯片，包括:在激光器芯片的前端鍍有對(duì)業(yè)務(wù)光波段高透射、對(duì)檢測(cè)光波段高反射的鍍膜。
[0020]其中，激光器芯片的前端是指激光器芯片輸出激光的界面。
[0021]其中，業(yè)務(wù)光波段可以是1260納米(nm)到1580nm，也可以是1260nm到1603nm，； 檢測(cè)光波段可以是1625nm到1675nm，也可以是1640nm到1660nm〇
[0022]其中，激光器芯片用于產(chǎn)生業(yè)務(wù)光，可以是分布反饋(DFB，Distributed Feed Back)激光芯片、或法布里一I自羅(FP，F(xiàn)abry-perot)激光芯片等。
[0023]通過本發(fā)明的方案，前端鍍膜的激光器芯片對(duì)業(yè)務(wù)光波段透射，不影響業(yè)務(wù)傳輸。 對(duì)檢測(cè)光波段高反射，提高了檢測(cè)光的反射率，降低了 OTDR檢測(cè)模塊的復(fù)雜度。
[0024]圖2為優(yōu)選實(shí)施例鍍膜后激光器芯片的前端的通透特性曲線示意圖。如圖2所示， 對(duì)業(yè)務(wù)光全透射，對(duì)檢測(cè)光全反射。業(yè)務(wù)波長包括1260nm到1580nm，或1260nm到1603nm， 鍍膜對(duì)此業(yè)務(wù)光波長范圍全部透射；檢測(cè)波長包括1625nm到1675nm，或1640nm到1660nm， 鍍膜對(duì)此檢測(cè)光波長范圍高反射。
[0025]圖3為優(yōu)選實(shí)施例光路工作示意圖。如圖3所示，業(yè)務(wù)光沿光接口出射至光纖纖芯中，檢測(cè)光通過光接口從光纖纖芯入射至激光器前端，業(yè)務(wù)光信號(hào)與檢測(cè)光信號(hào)光學(xué)路徑相同，方向相反。
[0026]其中，鍍膜與檢測(cè)光成90度放置，對(duì)業(yè)務(wù)光高透射，激光器芯片產(chǎn)生的業(yè)務(wù)光經(jīng)由鍍膜層透射仍按照原光學(xué)路徑傳輸。檢測(cè)光入射至鍍膜層，經(jīng)鍍膜反射后沿原光路180 度返回待測(cè)業(yè)務(wù)光纖中。
[0027]本發(fā)明的激光器芯片可以應(yīng)用在無源光網(wǎng)絡(luò)(PON，Passive Optical Network)系統(tǒng)中，也可以應(yīng)用在光傳送網(wǎng)絡(luò)(〇TN，Optical Transport Network)中。
[0028]圖4為本發(fā)明的激光器芯片應(yīng)用在PON系統(tǒng)中的示意圖。如圖4所示，光線路終端(0LT，Optical Line Terminal)增加0TDR檢測(cè)模塊，0TDR使用非業(yè)務(wù)波長，可以選用 1625nm?1675nm檢測(cè)波長，在光用戶單元(0NU，Optical Network Unit)側(cè)激光器芯片前端鍍膜，鍍膜后激光器芯片對(duì)上行業(yè)務(wù)光信號(hào)實(shí)現(xiàn)高透射，對(duì)0LT側(cè)檢測(cè)波長1625nm? 1675nmnm實(shí)現(xiàn)高反射。0LT對(duì)0NU分支光纖檢測(cè)信號(hào)反射率得到有效增加，從而降低了 0TDR 檢測(cè)模塊的復(fù)雜度。
[0029]圖5為本發(fā)明的激光器芯片應(yīng)用在0TN設(shè)備中的示意圖。如圖5所示，，在0TN設(shè)備1增加非業(yè)務(wù)波長0TDR檢測(cè)模塊，0TN設(shè)備2的激光器芯片上鍍膜。0TDR光路檢測(cè)方法包括，0TN設(shè)備1產(chǎn)生0TDR檢測(cè)脈沖，輸出至業(yè)務(wù)光纖網(wǎng)絡(luò)，在0TN設(shè)備2經(jīng)由鍍膜層反射回業(yè)務(wù)光纖網(wǎng)絡(luò)，并由OTN設(shè)備10TDR檢測(cè)模塊接收、處理和轉(zhuǎn)換，將分析結(jié)果上報(bào)給管理系統(tǒng)。
[0030]需要說明的是，以上所述的實(shí)施例僅是為了便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解而已，并不用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，在不脫離本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思的前提下，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明所做出的任何顯而易見的替換和改進(jìn)等均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種激光器芯片，其特征在于，包括:所述激光器芯片的前端鍍有對(duì)業(yè)務(wù)光波段高 透射、對(duì)檢測(cè)光波段高反射的鍍膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述業(yè)務(wù)光波段為1260納米nm到 1580nm，所述檢測(cè)光波段為1625nm到1675nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述業(yè)務(wù)光波段為1260nm到 1603nm，所述檢測(cè)光波段為1640nm到1660nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片為分布反饋DFB激 光芯片、或法布里一珀羅FP激光芯片。
【文檔編號(hào)】H04B10/071GK105991185SQ201510074115
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月12日
【發(fā)明人】匡國華, 沈成彬, 陸建鑫, 杜喆, 付志明
【申請(qǐng)人】中興通訊股份有限公司