本發(fā)明涉及電聲轉(zhuǎn)換，特別涉及一種發(fā)聲裝置和應(yīng)用該發(fā)聲裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品市場的發(fā)展，微型發(fā)聲器件得到廣泛的應(yīng)用，并且隨著便攜式終端電子產(chǎn)品的多功能和小型化設(shè)計(jì)，對(duì)微型發(fā)聲器的振動(dòng)聲學(xué)性能提出了更高的要求。發(fā)聲器件一般包括有磁路系統(tǒng)及振動(dòng)系統(tǒng)，其中，振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和結(jié)合在振膜一側(cè)的音圈，通電的音圈在磁路系統(tǒng)的作用下可以帶動(dòng)振膜發(fā)生振動(dòng)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)發(fā)聲裝置的發(fā)聲。

2、相關(guān)技術(shù)中，小后腔發(fā)聲器件通常采用單音圈方案，音圈對(duì)磁路系統(tǒng)產(chǎn)生的磁場利用率不高，且音圈驅(qū)動(dòng)振膜的振動(dòng)效果也不理想，從而降低了發(fā)聲器件的bl值，且對(duì)磁路系統(tǒng)中中心磁的中間區(qū)域的磁能利用率較低，未能有效利用，從而影響微型揚(yáng)聲器的響度和靈敏度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)聲裝置和電子設(shè)備，旨在提供一種磁場利用率較高的發(fā)聲裝置，該發(fā)聲裝置通過優(yōu)化磁路系統(tǒng)，并采用內(nèi)外雙音圈進(jìn)一步提升磁路系統(tǒng)的利用率，并提升bl值，從而提升發(fā)聲裝置的響度和靈敏度。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種發(fā)聲裝置，所述發(fā)聲裝置包括：

3、外殼；

4、磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)與所述外殼的一端連接，所述磁路系統(tǒng)包括導(dǎo)磁軛以及設(shè)于所述導(dǎo)磁軛的中心磁部、共用磁部及邊磁部，所述共用磁部位于所述中心磁部的外側(cè)，并與所述中心磁部間隔以形成第一磁間隙，所述邊磁部位于所述共用磁部的外側(cè)，并與所述共用磁部間隔以形成第二磁間隙，所述中心磁部包括層疊設(shè)置的第一中心磁鐵、中心導(dǎo)磁板及第二中心磁鐵，所述共用磁部包括層疊設(shè)置的第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵；和

5、振動(dòng)系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜以及連接于所述振膜的第一音圈和第二音圈，所述振膜的中央設(shè)有內(nèi)環(huán)孔，所述振膜的外周緣與所述外殼連接，所述振膜的內(nèi)周緣與所述磁路系統(tǒng)連接，所述第一音圈與所述第一磁間隙對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二音圈與所述第二磁間隙對(duì)應(yīng)設(shè)置；

6、其中，所述第一中心磁鐵、所述中心導(dǎo)磁板及所述第二中心磁鐵分別與所述第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵在垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向一一對(duì)應(yīng)。

7、在一實(shí)施方式中，所述導(dǎo)磁軛包括第一磁軛和第二磁軛，所述中心磁部、所述共用磁部及所述邊磁部均設(shè)于所述第一磁軛，所述第二磁軛連接于所述中心磁部和所述共用磁部遠(yuǎn)離所述第一磁軛的一端，所述第一中心磁鐵和所述第一共用磁鐵與所述第一磁軛連接，所述第二中心磁鐵和所述第二共用磁鐵與所述第二磁軛連接；

8、所述振膜的內(nèi)周緣與所述第二磁軛連接，以使部分所述第二磁軛與所述內(nèi)環(huán)孔對(duì)應(yīng)。

9、在一實(shí)施方式中，所述振膜包括內(nèi)環(huán)部、環(huán)繞所述內(nèi)環(huán)部設(shè)置的第一折環(huán)、環(huán)繞所述第一折環(huán)設(shè)置的平直部、環(huán)繞所述平直部設(shè)置的第二折環(huán)以及連接于所述第二折環(huán)外側(cè)的固定部，所述固定部連接于所述外殼，所述內(nèi)環(huán)部形成有所述內(nèi)環(huán)孔，且所述內(nèi)環(huán)部與所述第二磁軛的周緣連接。

10、在一實(shí)施方式中，所述內(nèi)環(huán)部、所述第一折環(huán)、所述平直部、所述第二折環(huán)及所述固定部為一體成型結(jié)構(gòu)；

11、且/或，所述第一折環(huán)的凸起方向與所述第二折環(huán)的凸起方向相反；

12、且/或，所述第二共用磁鐵鄰近所述第二磁間隙的周緣設(shè)有避讓結(jié)構(gòu)；

13、且/或，所述第二磁軛包括凸起部和連接于所述凸起部的邊沿部，所述內(nèi)環(huán)部與所述邊沿部連接，以使所述凸起部穿過所述內(nèi)環(huán)孔，所述凸起部面向所述中心磁部形成凹陷槽，所述第二中心磁鐵具有突出所述第二共用磁鐵的凸出部，所述凸出部容納并限位于所述凹陷槽內(nèi)。

14、在一實(shí)施方式中，所述共用磁部設(shè)有連通所述第一磁間隙和所述第二磁間隙的避讓缺口；

15、所述振動(dòng)系統(tǒng)還包括骨架，所述骨架包括主體部以及連接于所述主體部的連接部，所述主體部與所述振膜連接，所述連接部位于所述避讓缺口內(nèi)，所述連接部的兩端分別與所述第一音圈和所述第二音圈連接。

16、在一實(shí)施方式中，所述邊磁部與所述外殼之間形成有避讓空間；

17、所述振動(dòng)系統(tǒng)還包括定心支片，所述定心支片的一端與所述外殼連接，所述定心支片的另一端位于所述避讓空間；

18、所述骨架包括延伸部，所述延伸部的一端與所述主體部的周緣連接，所述延伸部的另一端朝向所述定心支片延伸，并與所述定心支片連接。

19、在一實(shí)施方式中，所述主體部呈矩形環(huán)設(shè)置，所述連接部包括多個(gè)，多個(gè)所述連接部分別對(duì)應(yīng)所述主體部的四角位置設(shè)置，所述共用磁部對(duì)應(yīng)每一所述連接部設(shè)有一所述避讓缺口；

20、且/或，所述連接部的兩端分別設(shè)有第一連接面和第二連接面，所述第一連接面與所述第一音圈連接，所述第二連接面與所述第二音圈連接；

21、且/或，所述外殼具有首尾相連的長邊和短邊，所述定心支片包括兩個(gè)，兩個(gè)所述定心支片呈對(duì)稱設(shè)置，并分別對(duì)應(yīng)兩個(gè)所述長邊或兩個(gè)所述短邊設(shè)置。

22、在一實(shí)施方式中，所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵均沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁，且所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極相同；

23、所述第一共用磁鐵和所述第二共用磁鐵均沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁，且所述第一共用磁鐵和所述第二共用磁鐵靠近所述共用導(dǎo)磁板的磁極相同；

24、所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極與所述第一共用磁鐵和所述第二共用磁鐵靠近所述共用導(dǎo)磁板的磁極相反。

25、在一實(shí)施方式中，所述邊磁部包括層疊設(shè)置的邊磁鐵和邊導(dǎo)磁板，所述邊磁鐵與所述導(dǎo)磁軛連接，所述邊導(dǎo)磁板與所述外殼連接；

26、其中，所述邊磁鐵沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向充磁，所述邊磁鐵靠近所述邊導(dǎo)磁板的磁極與所述第一中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極相同，且所述邊磁鐵靠近所述邊導(dǎo)磁板的磁極與第一共用磁鐵靠近所述共用導(dǎo)磁板的磁極相反。

27、在一實(shí)施方式中，至少部分所述共用導(dǎo)磁板沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向上的投影與所述第一音圈和所述第二音圈沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向上的投影重合；

28、且/或，至少部分所述中心導(dǎo)磁板沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向上的投影與所述第一音圈沿垂直于所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向上的投影重合；

29、且/或，所述第一中心磁鐵沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的厚度和所述第一共用磁鐵沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的厚度相同；

30、且/或，所述第二中心磁鐵沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的厚度大于或等于所述第二共用磁鐵沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的厚度；

31、且/或，所述中心導(dǎo)磁板沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的厚度和所述邊導(dǎo)磁板沿所述振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向的厚度相同；

32、且/或，所述邊導(dǎo)磁板與所述外殼為一體成型結(jié)構(gòu)。

33、在一實(shí)施方式中，所述邊磁部形成封閉的一體環(huán)狀結(jié)構(gòu)；

34、或，所述邊磁部包括多個(gè)，相鄰的所述邊磁部首尾相接以形成封閉的環(huán)狀結(jié)構(gòu)；

35、或，所述邊磁部包括多個(gè)，相鄰的所述邊磁部之間具有間隙。

36、在一實(shí)施方式中，所述發(fā)聲裝置安裝于發(fā)聲模組的殼體中，并與所述殼體之間形成前腔和后腔，所述殼體上設(shè)有連通所述前腔的出聲孔，所述振膜的聲波經(jīng)所述出聲孔向外界輻射，其中，所述后腔的體積≤1.5cc。

37、本發(fā)明還提出一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述所述的發(fā)聲裝置。

38、本發(fā)明技術(shù)方案的發(fā)聲裝置通過將磁路系統(tǒng)與外殼的一端連接，振動(dòng)系統(tǒng)的振膜的周緣與外殼連接，從而實(shí)現(xiàn)將磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)集成固定于外殼上；同時(shí)，通過將磁路系統(tǒng)設(shè)置為導(dǎo)磁軛以及設(shè)于導(dǎo)磁軛的中心磁部、共用磁部及邊磁部，使得共用磁部位于中心磁部的外側(cè)，并與中心磁部間隔以形成第一磁間隙，且邊磁部位于共用磁部的外側(cè)，并與共用磁部間隔以形成第二磁間隙，從而將振動(dòng)系統(tǒng)的第一音圈與第一磁間隙對(duì)應(yīng)設(shè)置，第二音圈與第二磁間隙對(duì)應(yīng)設(shè)置，形成內(nèi)外雙音圈結(jié)構(gòu)，如此在第一音圈和第二音圈內(nèi)通入電流，使得兩個(gè)音圈分別在磁路系統(tǒng)形成的第一磁間隙和第二磁間隙的磁場內(nèi)振動(dòng)并帶動(dòng)振膜振動(dòng)發(fā)聲，以提升bl值；進(jìn)一步通過將中心磁部設(shè)置為層疊設(shè)置的第一中心磁鐵、中心導(dǎo)磁板及第二中心磁鐵，且將共用磁部設(shè)置為層疊設(shè)置的第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵，使得第一中心磁鐵、中心導(dǎo)磁板及第二中心磁鐵分別與第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵在垂直于振動(dòng)系統(tǒng)的振動(dòng)方向一一對(duì)應(yīng)，如此通過中心磁部和邊磁部共用該共用磁部，并形成內(nèi)外設(shè)置的兩個(gè)磁間隙，從而使得第一音圈和第二音圈能夠充分利用中心磁部和共用磁部的磁場，提高磁路系統(tǒng)的磁能利用率，從而提升發(fā)聲裝置的響度和靈敏度，以提升產(chǎn)品性能。