本發(fā)明涉及電聲換能，特別涉及一種發(fā)聲裝置以及應(yīng)用該發(fā)聲裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近年來，便捷電子設(shè)備(例如手機(jī)、耳機(jī)、電腦)已經(jīng)深入人們的日常生活。隨著科技的高速發(fā)展，人們對電子設(shè)備的音質(zhì)需求也越來越高，揚(yáng)聲器的全頻化、微型化成為主流需求。

2、相關(guān)技術(shù)中，常見的全頻化方案是將低音揚(yáng)聲器和高音揚(yáng)聲器同時組裝在一個電子設(shè)備內(nèi)，但受限于電子設(shè)備的空間，對兩個單元尺寸限制較大，使得揚(yáng)聲器的全頻效果受到影響，導(dǎo)致性能較低，無法達(dá)到更好的音質(zhì)。同時，低音揚(yáng)聲器中通常采用單音圈方案，音圈對磁路系統(tǒng)產(chǎn)生的磁場利用率不高，且音圈驅(qū)動振膜的振動效果也不理想，從而降低了低音揚(yáng)聲器的bl值，且對磁路系統(tǒng)中中心磁的中間區(qū)域的磁能利用率較低，未能有效利用，從而影響低音揚(yáng)聲器的響度和靈敏度。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)聲裝置和電子設(shè)備，旨在提供一種磁場利用率較高的發(fā)聲裝置，該發(fā)聲裝置通過將低音和高音單元集成于一體，實現(xiàn)占用空間更小，整機(jī)空間適配性更高，且通過優(yōu)化磁路系統(tǒng)，并采用內(nèi)外雙音圈進(jìn)一步提升磁路系統(tǒng)的利用率，并提升bl值，從而提升發(fā)聲裝置的響度和靈敏度。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種發(fā)聲裝置，所述發(fā)聲裝置包括：

3、外殼；

4、磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)與所述外殼連接，所述磁路系統(tǒng)包括低音磁路部分和高音磁路部分，所述低音磁路部分包括導(dǎo)磁軛以及設(shè)于所述導(dǎo)磁軛的中心磁部、共用磁部及邊磁部，所述共用磁部位于所述中心磁部的外側(cè)，并與所述中心磁部間隔以形成第一低音磁間隙，所述邊磁部位于所述共用磁部的外側(cè)，并與所述共用磁部間隔以形成第二低音磁間隙，所述高音磁路部分位于所述邊磁部的外側(cè)；及

5、振動系統(tǒng)，所述振動系統(tǒng)包括低音振動單元和高音振動單元，所述低音振動單元包括低音振膜以及連接于所述低音振膜的第一低音音圈和第二低音音圈，所述低音振膜的中央設(shè)有內(nèi)環(huán)孔，所述低音振膜的外周緣與所述外殼連接，所述低音振膜的內(nèi)周緣與所述磁路系統(tǒng)連接，所述第一低音音圈與所述第一低音磁間隙對應(yīng)設(shè)置，所述第二低音音圈與所述第二低音磁間隙對應(yīng)設(shè)置，所述高音振動單元連接于所述外殼，并與所述高音磁路部分相對且間隔設(shè)置；

6、其中，所述低音振動單元具有低音輻射面，所述高音振動單元具有高音輻射面，所述低音輻射面與所述高音輻射面呈夾角設(shè)置。

7、在一實施方式中，所述外殼包括框架主體和安裝側(cè)壁，所述安裝側(cè)壁設(shè)于所述框架主體一側(cè)，并與所述框架主體的外壁圍合形成安裝空間，所述安裝側(cè)壁設(shè)有連通所述安裝空間的安裝孔；

8、所述低音振膜的周緣與所述框架主體的一端連接，所述邊磁部連接于所述框架主體的另一端，所述高音磁路部分設(shè)于所述安裝空間，并與所述安裝孔對應(yīng)設(shè)置，所述高音振動單元連接于所述安裝側(cè)壁，并蓋設(shè)于所述安裝孔。

9、在一實施方式中，所述高音磁路部分包括設(shè)于所述安裝空間的第一磁鐵、第二磁鐵及第三磁鐵，所述第一磁鐵、所述第二磁鐵及所述第三磁鐵沿平行于所述高音輻射面的方向?qū)盈B設(shè)置，所述第一磁鐵鄰近所述導(dǎo)磁軛，所述第三磁鐵與所述框架主體連接；

10、所述高音振動單元包括高音振膜和連接于所述高音振膜的高音音圈，所述高音振膜連接于所述安裝側(cè)壁，并蓋設(shè)于所述安裝孔，所述高音音圈位于所述安裝孔內(nèi)，并與所述高音磁路部分相對且間隔設(shè)置。

11、在一實施方式中，所述第一磁鐵、所述第二磁鐵及所述第三磁鐵均沿垂直于所述高音輻射面的方向充磁，且所述第二磁鐵的充磁方向與所述第一磁鐵和所述第三磁鐵的充磁方向相反；

12、或，所述第二磁鐵沿垂直于所述高音輻射面的方向充磁，所述第一磁鐵和所述第三磁鐵沿平行于所述高音輻射面的方向充磁，且所述第一磁鐵的充磁方向與所述第三磁鐵的充磁方向相反，所述第一磁鐵靠近所述第二磁鐵一側(cè)的磁極與所述第二磁鐵靠近所述高音輻射面一側(cè)的磁極相同；

13、且/或，所述高音振膜為平面振膜，所述平面振膜的材質(zhì)為pen、lcp、peek、碳紙、鎂鋰合金中的任意一種；

14、且/或，所述高音音圈固定于所述高音振膜面向所述高音磁路部分的一側(cè)，所述高音音圈是由漆包線繞制形成的扁平音圈，且所述扁平音圈的中心軸線垂直于所述高音輻射面；或者，所述高音音圈包括電路板及布設(shè)于所述電路板上的導(dǎo)電線路形成的線圈結(jié)構(gòu)；

15、且/或，所述高音振膜為平面振膜，所述高音振膜的中心區(qū)域設(shè)有補(bǔ)強(qiáng)部。

16、在一實施方式中，所述中心磁部包括層疊設(shè)置的第一中心磁鐵、中心導(dǎo)磁板及第二中心磁鐵，所述共用磁部包括層疊設(shè)置的第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵，所述邊磁部包括層疊設(shè)置的邊磁鐵和邊導(dǎo)磁板，所述邊導(dǎo)磁板與所述外殼連接；

17、其中，所述第一中心磁鐵、所述中心導(dǎo)磁板及所述第二中心磁鐵分別與所述第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵在平行于所述低音輻射面的方向一一對應(yīng)。

18、在一實施方式中，所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵均沿所述低音振膜的振動方向充磁，且所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極相同；

19、所述第一共用磁鐵和所述第二共用磁鐵均沿所述低音振膜的振動方向充磁，且所述第一共用磁鐵和所述第二共用磁鐵靠近所述共用導(dǎo)磁板的磁極相同，所述邊磁鐵沿所述低音振膜的振動方向充磁；

20、所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極與所述第一共用磁鐵和所述第二共用磁鐵靠近所述共用導(dǎo)磁板的磁極相反；

21、所述邊磁鐵靠近所述邊導(dǎo)磁板的磁極與所述第一中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極相同，且所述邊磁鐵靠近所述邊導(dǎo)磁板的磁極與第一共用磁鐵靠近所述共用導(dǎo)磁板的磁極相反。

22、在一實施方式中，所述導(dǎo)磁軛包括第一磁軛和第二磁軛，所述第一中心磁鐵、所述第一共用磁鐵及所述邊磁鐵與所述第一磁軛連接，所述第二中心磁鐵和所述第二共用磁鐵與所述第二磁軛連接；

23、所述低音振膜的內(nèi)周緣與所述第二磁軛連接，以使部分所述第二磁軛與所述內(nèi)環(huán)孔對應(yīng)。

24、在一實施方式中，所述低音振膜包括內(nèi)環(huán)部、環(huán)繞所述內(nèi)環(huán)部設(shè)置的第一折環(huán)、環(huán)繞所述第一折環(huán)設(shè)置的平直部、環(huán)繞所述平直部設(shè)置的第二折環(huán)以及連接于所述第二折環(huán)外側(cè)的固定部，所述固定部連接于所述外殼，所述內(nèi)環(huán)部形成所述內(nèi)環(huán)孔，且所述內(nèi)環(huán)部與所述第二磁軛的周緣連接。

25、在一實施方式中，所述內(nèi)環(huán)部、所述第一折環(huán)、所述平直部、所述第二折環(huán)及所述固定部為一體成型結(jié)構(gòu)；

26、且/或，所述第一折環(huán)的凸起方向與所述第二折環(huán)的凸起方向相反；

27、且/或，所述第二共用磁鐵鄰近所述第二低音磁間隙的周緣設(shè)有避讓結(jié)構(gòu)；

28、且/或，所述第二磁軛包括凸起部和連接于所述凸起部的邊沿部，所述內(nèi)環(huán)部與所述邊沿部連接，以使所述凸起部穿過所述內(nèi)環(huán)孔，所述凸起部面向所述中心磁部形成凹陷槽，所述第二中心磁鐵具有突出所述第二共用磁鐵的凸出部，所述凸出部容納并限位于所述凹陷槽內(nèi)。

29、在一實施方式中，所述共用磁部設(shè)有連通所述第一低音磁間隙和所述第二低音磁間隙的避讓缺口；

30、所述低音振動單元還包括骨架，所述骨架包括主體部以及連接于所述主體部的連接部，所述主體部與所述低音振膜連接，所述連接部位于所述避讓缺口內(nèi)，所述連接部的兩端分別與所述第一低音音圈和所述第二低音音圈連接。

31、在一實施方式中，所述邊磁部與所述外殼之間形成有避讓空間；

32、所述低音振動單元還包括定心支片，所述定心支片的一端與所述外殼連接，所述定心支片的另一端位于所述避讓空間；

33、所述骨架還包括延伸部，所述延伸部的一端與所述主體部的周緣連接，所述延伸部的另一端朝向所述定心支片延伸，并與所述定心支片連接。

34、在一實施方式中，所述主體部呈矩形環(huán)設(shè)置，所述連接部包括多個，多個所述連接部分別對應(yīng)所述主體部的四角位置設(shè)置，所述共用磁部對應(yīng)每一所述連接部設(shè)有一所述避讓缺口；

35、且/或，所述連接部的兩端分別設(shè)有第一連接面和第二連接面，所述第一連接面與所述第一低音音圈連接，所述第二連接面與所述第二低音音圈連接；

36、且/或，所述外殼具有首尾相連的兩個長邊和兩個短邊，所述定心支片包括兩個，兩個所述定心支片呈對稱設(shè)置，并分別對應(yīng)兩個所述短邊設(shè)置，所述高音磁路部分和所述高音振動單元對應(yīng)所述長邊設(shè)置。

37、在一實施方式中，所述發(fā)聲裝置沿所述低音振動單元的振動方向的尺寸小于所述發(fā)聲裝置沿所述高音振動單元的振動方向的尺寸。

38、在一實施方式中，所述發(fā)聲裝置安裝于發(fā)聲模組的殼體中，并與所述殼體之間形成相互隔離的低音前腔、高音前腔和后腔，所述殼體上設(shè)有連通所述低音前腔的低音出聲孔以及連通所述高音前腔的高音出聲孔，所述低音振膜的聲波經(jīng)所述低音出聲孔向外界輻射，所述高音輻射面的聲波經(jīng)所述高音出聲孔向外界輻射；

39、其中，所述后腔的體積≤1.5cc。

40、本發(fā)明還提出一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述所述的發(fā)聲裝置。

41、本發(fā)明技術(shù)方案的發(fā)聲裝置通過將磁路系統(tǒng)與外殼連接，并將磁路系統(tǒng)設(shè)置為低音磁路部分和高音磁路部分，且將振動系統(tǒng)設(shè)置為低音振動單元和高音振動單元，使得低音振膜的周緣與外殼連接，高音振動單元連接于外殼，并與高音磁路部分相對且間隔設(shè)置，從而實現(xiàn)將低音和高音單元集成于一體；同時，通過將磁路系統(tǒng)的低音磁路部分設(shè)置為導(dǎo)磁軛以及設(shè)于導(dǎo)磁軛的中心磁部、共用磁部及邊磁部，使得共用磁部位于中心磁部的外側(cè)，并與中心磁部間隔以形成第一低音磁間隙，且邊磁部位于共用磁部的外側(cè)，并與共用磁部間隔以形成第二低音磁間隙，從而將振動系統(tǒng)中低音振動單元的第一低音音圈與第一低音磁間隙對應(yīng)設(shè)置，第二低音音圈與第二低音磁間隙對應(yīng)設(shè)置，形成內(nèi)外雙音圈結(jié)構(gòu)，如此在第一低音音圈和第二低音音圈內(nèi)通入電流，使得兩個音圈分別在磁路系統(tǒng)中低音磁路部分形成的第一低音磁間隙和第二低音磁間隙的磁場內(nèi)振動并帶動低音振膜振動發(fā)聲，以提升bl值；進(jìn)一步通過將低音振動單元形成的低音輻射面與高音振動單元形成的高音輻射面設(shè)置為夾角設(shè)置，使得發(fā)聲裝置的低音發(fā)聲與高音發(fā)聲互不干涉，從而提高發(fā)聲效果。