本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多量子點共享讀出電路的像素結(jié)構(gòu)、傳感器及信號采集方法。

背景技術(shù)：

圖像傳感器是指將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的裝置，其可以基于電荷耦合器件(CCD)技術(shù)、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感技術(shù)或基于量子點的光電探測技術(shù)進行制備得到。

量子點是納米尺寸的半導(dǎo)體晶粒，它具有禁帶寬度隨尺寸可調(diào)的的特性，其光吸收特性也是隨之可調(diào)。通過選擇合適的量子點材料和尺寸，可以采用溶液法制備對可見光或紅外高靈敏度的量子點膜，工藝簡單。量子點制備的光電探測器具有靈敏度高，波段易調(diào)制、工藝簡單成本低等優(yōu)勢，市場前景廣闊。同硅基的CMOS圖像傳感器比較，對于短波紅外的檢測，量子點具有成本低和性能優(yōu)良的特點。

為了在硅片上實現(xiàn)光電集成，在過去的幾十年，人們開展了大量硅基發(fā)光材料和器件的研究工作，如在硅襯底上集成III-V族發(fā)光材料，或者制作多孔硅等。然而，硅襯底上集成發(fā)光材料的重要因素是晶格匹配問題以及發(fā)光調(diào)制問題，而利用量子點則不需要考慮晶格匹配并且發(fā)光波長可通過粒徑調(diào)控，如果能夠在硅基上制作出量子點光敏電阻，并且結(jié)合業(yè)已成熟的CMOS圖像傳感技術(shù)，將能夠制造價格更為低廉，感光波段更為寬廣，靈敏度更高的硅基圖像傳感器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服以上問題，本發(fā)明旨在提供一種多量子點共享讀出電路的像素結(jié)構(gòu)、傳感器及信號采集方法。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素單元結(jié)構(gòu)，至少包括：多個量子點光敏電阻、多個信號存儲電容復(fù)位MOS管和一個信號讀取電路單元；其中，

多個量子點光敏電阻與多個信號存儲電容復(fù)位MOS管之間一一對應(yīng)連接，一個量子點光敏電阻對應(yīng)連接一個信號存儲電容復(fù)位MOS管作為一個并聯(lián)單元；每個并聯(lián)單元中，量子點光敏電阻的一端接參考電平Vqd，另一端與對應(yīng)的另一端與復(fù)位開關(guān)管M1的源極相連，且信號存儲電容復(fù)位MOS管的源極、漏極與參考電平Vqd相連，信號存儲電容復(fù)位MOS管的柵極與傳輸管M2的漏極相連，信號存儲電容復(fù)位MOS管的體電容接地；

信號讀取電路單元包括：復(fù)位開關(guān)管(M1)、多個傳輸管(M2)、源跟隨器(M3)、行選開關(guān)管(M4)和多個像素單元輸入端；其中，復(fù)位開關(guān)管(M1)的柵極接像素輸入端(RX)，復(fù)位開關(guān)管(M1)的源極接每個傳輸管(M2)的源極至一節(jié)點(FD)，復(fù)位開關(guān)管(M1)的漏極接復(fù)位電壓(Vreset)；每個傳輸管(M2)的漏極對應(yīng)連接一個量子點光敏電阻的一端以及對應(yīng)連接一個信號存儲電容復(fù)位MOS管的柵極，每個傳輸管(M2)的柵極與對應(yīng)的一個像素單元輸入端(TG)相連；源跟隨器(M3)的漏極接電源(VDD)，源跟隨器(M3)的源極接行選開關(guān)管(M4)的漏極，源跟隨器(M3)的柵極與節(jié)點(FD)相連；行選開關(guān)管(M4)的柵極與行選輸入端(RS)相連，行選開關(guān)管(M4)的源極作為整個像素單元結(jié)構(gòu)的輸出端；

其中，曝光時，信號讀取電路單元在曝光時間內(nèi)將量子點光敏電阻流出的電流進行積分得到光生電壓，當(dāng)入射到量子點光敏電阻上的光線的強弱發(fā)生改變時導(dǎo)致量子點光敏電阻的阻值發(fā)生改變，從而改變流經(jīng)量子點光敏電阻的電流，并且最終導(dǎo)致光生電壓的數(shù)值發(fā)生改變。

優(yōu)選地，量子點光敏電阻的數(shù)量、信號存儲電容復(fù)位MOS管的數(shù)量、傳輸管(M2)的數(shù)量相同。

優(yōu)選地，所述量子點光敏電阻包括可見光敏感量子點和紅外光敏感量子點。

為了達到上述目的，一種圖像傳感器，采用上述任一項所述的像素單元結(jié)構(gòu)。

為了達到上述目的，一種采用上述的像素單元結(jié)構(gòu)所進行的信號采集方法，包括以下步驟：

步驟01：將像素輸入端(RX)和多個像素單元輸入端(TG)置為高電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)和多個傳輸管(M2)開啟；將行選輸入端(RS)置為低電平，行選開關(guān)管(M4)關(guān)斷，此時，信號存儲電容復(fù)位MOS管和量子點光敏電阻復(fù)位；

步驟02：將其中一個像素單元輸入端(TG)置為高電平，其它像素單元輸入端(TG)置為低電平，將其它像素單元輸入端(TG)對應(yīng)的傳輸管(M2)關(guān)斷；將像素輸入端(RX)置為高電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)和所述其中一個像素單元輸入端(TG)對應(yīng)的傳輸管(M2)開啟，其它像素單元輸入端(TG)對應(yīng)的其它傳輸管(M2)關(guān)斷；再將行選輸入端(RS)置為低電平，行選開關(guān)管(M4)關(guān)斷，此時，對所開啟的傳輸管(M2)對應(yīng)連接的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管開始曝光，并且開始對量子點光敏電阻流出的電流進行積分；然后，若對所有的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管都開始曝光，并且都開始對所對應(yīng)的量子點光敏電阻流出的電流進行積分執(zhí)行步驟04；若沒有，則執(zhí)行步驟03；

步驟03：將所有的像素單元輸入端(TG)置為低電平，步驟02中所開啟的傳輸管(M2)關(guān)斷；重復(fù)步驟02，直至對所有的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管都開始曝光，并且都開始對所對應(yīng)的量子點光敏電阻流出的電流進行積分；

步驟04：將像素輸入端(RX)、所有的像素單元輸入端(TG)置為低電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)和所有的傳輸管(M2)關(guān)斷；再將像素輸入端(RX)置為低電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)關(guān)斷；此時，節(jié)點(FD)處于第一復(fù)位電平；

步驟05：將所有的像素單元輸入端(TG)置為低電平，所有的傳輸管(M2)關(guān)斷；將像素輸入端(RX)置為低電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)關(guān)斷；將行選輸入端(RS)置為高電平，行選開關(guān)管(M4)開啟；此時，節(jié)點(FD)通過源跟隨器(M3)向外輸出電壓信號，對像素單元進行第一次采樣，從而得到第一個復(fù)位電平采樣結(jié)果；

步驟06：將其中一個像素單元輸入端(TG)置為高電平，該其中一個像素單元輸入端(TG)對應(yīng)的傳輸管(M2)開啟；將像素輸入端(RX)和其它的傳輸管(M2)置為低電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)和其它的傳輸管(M2)關(guān)斷；此時，積分時間結(jié)束，在該積分時間內(nèi)，量子點光敏電阻的光生電流通過積分獲得了光生電壓，并且通過所開啟的傳輸管(M2)傳遞給了節(jié)點(FD)，從而使得節(jié)點(FD)處于第一個信號電平狀態(tài)；

步驟07：將所有的像素單元輸入端(TG)置為低電平，所有的傳輸管(M2)關(guān)斷；將像素輸入端(RX)置為低電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)關(guān)斷；將行選輸入端(RS)置為高電平，行選開關(guān)管(M4)開啟；此時，節(jié)點(FD)通過源跟隨器(M3)向外輸出電壓信號，對像素單元進行第二次采樣，從而得到第一個信號電平采樣結(jié)果；若得到所有的傳輸管(M2)開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣，則執(zhí)行步驟10；若沒有，則執(zhí)行步驟08；

步驟08：將所有的像素單元輸入端(TG)置為低電平，步驟02中所述的其它傳輸管(M2)關(guān)斷；將步驟02中所述的其中一個像素單元輸入端(TG)置為高電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)開啟，所有傳輸管(M2)關(guān)斷；將行選輸入端(RS)置為低電平，行選開關(guān)管(M4)關(guān)斷，此時，節(jié)點(FD)被重新置位；

步驟09：重復(fù)步驟04至步驟07，直至得到所有的傳輸管(M2)開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣；

步驟10：將所有的像素單元輸入端(TG)置為高電平，所有的傳輸管(M2)開啟；將像素輸入端(RX)置為高電平，復(fù)位開關(guān)管(M1)開啟；將行選輸入端(RS)置為低電平，行選開關(guān)管(M4)關(guān)斷；此時，整個像素單元結(jié)構(gòu)的輸出端處于高阻態(tài)，所有的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管均被復(fù)位，節(jié)點(FD)被復(fù)位。

優(yōu)選地，所述像素單元輸入端(TG)的數(shù)量、傳輸管(M2)的數(shù)量、量子點光敏電阻的數(shù)量、信號存儲電容復(fù)位MOS管的數(shù)量相同。

優(yōu)選地，所述量子點光敏電阻包括可見光敏感量子點和紅外光敏感量子點。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，多個量子點光敏電阻和多個信號存儲電容復(fù)位MOS管共享了一組信號讀取電路，從而節(jié)省了像素單元面積，提高了填充因子。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一個較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖

圖2為本發(fā)明的一個較佳實施例的對像素結(jié)構(gòu)進行信號采集時序示意圖

具體實施方式

為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

以下結(jié)合附圖1-2和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達到輔助說明本實施例的目的。

請參閱圖1，本實施例的一種像素單元結(jié)構(gòu)，量子點光敏電阻的數(shù)量、信號存儲電容復(fù)位MOS管的數(shù)量、傳輸管M2的數(shù)量相同，均為兩個。其具體包括：兩個量子點光敏電阻1-1、1-2、兩個信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1、2-2和一個信號讀取電路單元3；量子點光敏電阻1-1、1-2可以包括可見光敏感量子點和紅外光敏感量子點。

兩個量子點光敏電阻1-1、1-2與兩個信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1、2-2之間一一對應(yīng)連接，量子點光敏電阻1-1對應(yīng)連接信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1作為一個并聯(lián)單元，量子點光敏電阻1-2對應(yīng)連接信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2作為一個并聯(lián)單元；每個并聯(lián)單元中，量子點光敏電阻1-1的一端接參考電平Vqd，另一端與復(fù)位開關(guān)管M1的源極相連，且信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1的源極、漏極與參考電平Vqd相連，信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1的柵極與對應(yīng)的傳輸管M2-1的漏極相連，信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1的體電容接地；量子點光敏電阻1-2的一端接參考電平Vqd，另一端與對應(yīng)的信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2的源極相連，且信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2的源極、漏極與參考電平Vqd相連，信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2的體電容接地。

信號讀取電路單元包括：復(fù)位開關(guān)管M1、兩個傳輸管M2-1、M2-2，源跟隨器M3、行選開關(guān)管M4和多個像素單元輸入端TG-1、TG-2；其中，復(fù)位開關(guān)管M1的柵極接像素輸入端RX，復(fù)位開關(guān)管M1的源極連接傳輸管M2-1和M2-2的源極至一節(jié)點FD，復(fù)位開關(guān)管M1的漏極接復(fù)位電壓Vreset；傳輸管M2-1的漏極對應(yīng)連接量子點光敏電阻1-1的一端以及對應(yīng)連接信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1的柵極，傳輸管M2-2的漏極對應(yīng)連接量子點光敏電阻1-2的一端以及對應(yīng)連接信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2的柵極。

傳輸管M2-1的柵極與對應(yīng)的像素單元輸入端TG-1相連，傳輸管M2-2的柵極與對應(yīng)的像素單元輸入端TG-2相連；源跟隨器M3的漏極接電源VDD，源跟隨器M3的源極接行選開關(guān)管M4的漏極，源跟隨器M3的柵極與節(jié)點FD相連；行選開關(guān)管M4的柵極與行選輸入端RS相連，行選開關(guān)管M4的源極作為整個像素單元結(jié)構(gòu)的輸出端；

其中，曝光時，信號讀取電路單元在曝光時間內(nèi)將量子點光敏電阻流出的電流進行積分得到光生電壓，當(dāng)入射到量子點光敏電阻上的光線的強弱發(fā)生改變時導(dǎo)致量子點光敏電阻的阻值發(fā)生改變，從而改變流經(jīng)量子點光敏電阻的電流，并且最終導(dǎo)致光生電壓的數(shù)值發(fā)生改變。

本實施例還提供了一種圖像傳感器，其采用本實施例的上述像素單元結(jié)構(gòu)。

本實施例還提供了一種采用本實施例的上述像素單元結(jié)構(gòu)所進行的信號采集方法，如圖2所示，為本實施例的對像素結(jié)構(gòu)進行信號采集時序示意圖，圖2中，Exp time表示曝光時間，TG time表示兩組像素單元輸入端TG-1和TG-2之間的曝光開始的間隔時間，請結(jié)合圖1和圖2，本實施例的信號采集方法包括以下步驟：

步驟01：將像素輸入端RX和多個像素單元輸入端TG置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1和多個傳輸管M2開啟；將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，信號存儲電容復(fù)位MOS管和量子點光敏電阻復(fù)位；

具體的，這里將像素輸入端RX和像素單元輸入端TG-1、TG-2置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1和傳輸管M2-1和M2-2開啟；將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，信號存儲電容復(fù)位MOS管和量子點光敏電阻復(fù)位。

步驟02：將其中一個像素單元輸入端TG置為高電平，其它像素單元輸入端TG置為低電平，將其它像素單元輸入端TG對應(yīng)的傳輸管M2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1和所述其中一個像素單元輸入端TG對應(yīng)的傳輸管M2開啟，其它像素單元輸入端TG對應(yīng)的其它傳輸管M2關(guān)斷；再將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，對所開啟的傳輸管M2對應(yīng)連接的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管開始曝光，并且開始對量子點光敏電阻流出的電流進行積分；然后，若對所有的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管都開始曝光，并且都開始對所對應(yīng)的量子點光敏電阻流出的電流進行積分執(zhí)行步驟04；若沒有，則執(zhí)行步驟03；

具體的，將像素單元輸入端TG-1置為低電平，將像素單元輸入端TG-1對應(yīng)的傳輸管M2-1關(guān)斷；將像素輸入端RX置為高電平，像素單元輸入端TG-2置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1和像素單元輸入端TG-2對應(yīng)的傳輸管M2-2開啟，像素單元輸入端TG-1對應(yīng)的傳輸管M2-1關(guān)斷；再將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，對所開啟的傳輸管M2-2對應(yīng)連接的量子點光敏電阻1-2和信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2開始曝光，并且開始對量子點光敏電阻1-2流出的電流進行積分；此時，由于傳輸管M2-1對應(yīng)連接的量子點光敏電阻1-1和信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1還未開始曝光，并且開始對量子點光敏電阻1-1流出的電流還未開始積分，則執(zhí)行步驟03；

步驟03：將所有的像素單元輸入端TG置為低電平，步驟02中所開啟的傳輸管M2關(guān)斷；重復(fù)步驟02，直至對所有的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管都開始曝光，并且都開始對所對應(yīng)的量子點光敏電阻流出的電流進行積分；

具體的，將像素單元輸入端TG-1和TG-2置為低電平，步驟02中所開啟的傳輸管M2-2關(guān)斷；接下來，該進行對量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管的曝光，并且對所對應(yīng)的量子點光敏電阻流出的電流的積分，則重復(fù)步驟02，具體包括：

將像素單元輸入端TG-2置為低電平，將像素單元輸入端TG-2對應(yīng)的傳輸管M2-2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為高電平，像素單元輸入端TG-1置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1和像素單元輸入端TG-1對應(yīng)的傳輸管M2-1開啟，像素單元輸入端TG-2對應(yīng)的傳輸管M2-2關(guān)斷；再將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，對所開啟的傳輸管M2-1對應(yīng)連接的量子點光敏電阻1-1和信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1開始曝光，并且開始對量子點光敏電阻1-1流出的電流進行積分；此時，由于傳輸管M2-1對應(yīng)連接的量子點光敏電阻1-1和信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1、以及傳輸管M2-2對應(yīng)連接的量子點光敏電阻1-2和信號存儲電容復(fù)位MOS管2-2都開始曝光和積分，則執(zhí)行步驟04；

步驟04：將像素輸入端RX、所有的像素單元輸入端TG置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1和所有的傳輸管M2關(guān)斷；再將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；此時，節(jié)點FD處于第一復(fù)位電平；

具體的，將像素輸入端RX、所有的像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1和所有的傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；再將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；此時，節(jié)點FD處于第一復(fù)位電平Vreset 1。

步驟05：將所有的像素單元輸入端TG置為低電平，所有的傳輸管M2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；將行選輸入端RS置為高電平，行選開關(guān)管M4開啟；此時，節(jié)點FD通過源跟隨器M3向外輸出電壓信號，對像素單元進行第一次采樣C1，從而得到第一個復(fù)位電平采樣結(jié)果；

具體的，將所有的像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，所有的傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；將行選輸入端RS置為高電平，行選開關(guān)管M4開啟；此時，節(jié)點FD通過源跟隨器M3向外輸出電壓信號，對像素單元進行第一次采樣C1，從而得到第一個復(fù)位電平采樣結(jié)果。

步驟06：將其中一個像素單元輸入端TG置為高電平，該其中一個像素單元輸入端TG對應(yīng)的傳輸管M2開啟；將像素輸入端RX和其它的傳輸管M2置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1和其它的傳輸管M2關(guān)斷；此時，積分時間結(jié)束，在該積分時間內(nèi)，量子點光敏電阻的光生電流通過積分獲得了光生電壓，并且通過所開啟的傳輸管M2傳遞給了節(jié)點FD，從而使得節(jié)點FD處于第一個信號電平狀態(tài)；

具體的，將像素單元輸入端TG-1置為高電平，像素單元輸入端TG-1對應(yīng)的傳輸管M2-1開啟；將像素輸入端RX和傳輸管M2-2置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1和傳輸管M2-2關(guān)斷；此時，積分時間結(jié)束，在該積分時間內(nèi)，量子點光敏電阻1-1的光生電流通過積分獲得了光生電壓，并且通過所開啟的傳輸管M2-1傳遞給了節(jié)點FD，從而使得節(jié)點FD處于第一個信號電平狀態(tài)；

步驟07：將所有的像素單元輸入端TG置為低電平，所有的傳輸管M2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；將行選輸入端RS置為高電平，行選開關(guān)管M4開啟；此時，節(jié)點FD通過源跟隨器M3向外輸出電壓信號，對像素單元進行第二次采樣C2，從而得到第一個信號電平采樣結(jié)果；若得到所有的傳輸管M2開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣，則執(zhí)行步驟10；若沒有，則執(zhí)行步驟08；

具體的，將像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，所有的傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；將行選輸入端RS置為高電平，行選開關(guān)管M4開啟；此時，節(jié)點FD通過源跟隨器M3向外輸出電壓信號，對像素單元進行第二次采樣C2，從而得到第一個信號電平采樣結(jié)果；然后，由于還沒有得到傳輸管M2-2開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣，則執(zhí)行步驟08；

步驟08：將所有的像素單元輸入端TG置為低電平，步驟02中所述的其它傳輸管M2關(guān)斷；將步驟02中所述的其中一個像素單元輸入端TG置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1開啟，所有傳輸管M2關(guān)斷；將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，節(jié)點FD被重新置位；

具體的，將所有的像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，傳輸管M2-1關(guān)斷；將像素單元輸入端TG-1置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1開啟，所有傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷，此時，節(jié)點FD被重新置位；

步驟09：重復(fù)步驟04至步驟07，直至得到所有的傳輸管M2開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣；

具體的，接下來對傳輸管M2-2開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣，重復(fù)步驟04-07，具體包括：

步驟04'，將像素輸入端RX、所有的像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1和所有的傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；再將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；此時，節(jié)點FD處于第二復(fù)位電平(Vreset 2)。

步驟05'，將像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；將行選輸入端RS置為高電平，行選開關(guān)管M4開啟；此時，節(jié)點FD通過源跟隨器M3向外輸出電壓信號，對像素單元進行第三次采樣C3，從而得到第二個復(fù)位電平采樣結(jié)果。

步驟06'，將像素單元輸入端TG-2置為高電平，像素單元輸入端TG-2對應(yīng)的傳輸管M2-2開啟；將像素輸入端RX和傳輸管M2-1置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1和傳輸管M2-1關(guān)斷；此時，積分時間結(jié)束，在該積分時間內(nèi)，量子點光敏電阻1-2的光生電流通過積分獲得了光生電壓，并且通過所開啟的傳輸管M2-2傳遞給了節(jié)點FD，從而使得節(jié)點FD處于第二個信號電平狀態(tài)；

步驟07'，將像素單元輸入端TG-1、TG-2置為低電平，傳輸管M2-1、M2-2關(guān)斷；將像素輸入端RX置為低電平，復(fù)位開關(guān)管M1關(guān)斷；將行選輸入端RS置為高電平，行選開關(guān)管M4開啟；此時，節(jié)點FD通過源跟隨器M3向外輸出電壓信號，對像素單元進行第四次采樣C4，從而得到第二個信號電平采樣結(jié)果；然后，由于已經(jīng)得到傳輸管M2-1、M2-2開啟時所的對應(yīng)的信號電平的采樣，則執(zhí)行步驟10；

步驟10：將所有的像素單元輸入端TG置為高電平，所有的傳輸管M2開啟；將像素輸入端RX置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1開啟；將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷；此時，整個像素單元結(jié)構(gòu)的輸出端處于高阻態(tài)，所有的量子點光敏電阻和信號存儲電容復(fù)位MOS管均被復(fù)位，節(jié)點FD被復(fù)位。

具體的，將像素單元輸入端TG-1、TG-2置為高電平，傳輸管M2-1和M2-1開啟；將像素輸入端RX置為高電平，復(fù)位開關(guān)管M1開啟；將行選輸入端RS置為低電平，行選開關(guān)管M4關(guān)斷；此時，整個像素單元結(jié)構(gòu)的輸出端處于高阻態(tài)，所有的量子點光敏電阻1-1、1-2和信號存儲電容復(fù)位MOS管2-1、2-2均被復(fù)位，節(jié)點FD被復(fù)位。

雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然實施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。