硅基mems麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種硅基MEMS麥克風(fēng)，該麥克風(fēng)包括：硅基底，固定于所述硅基底上方的振膜，固定于所述振膜背離所述振膜一側(cè)的穿孔背板，至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，且所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離，從而當(dāng)所述MEMS硅基麥克風(fēng)在跌落或接收到很強(qiáng)的聲波信號(hào)時(shí)，降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率，提高所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比。
【專利說明】硅基MEMS麥克風(fēng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及麥克風(fēng)制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種硅基MEMS麥克風(fēng)。

【背景技術(shù)】
[0002]MEMS麥克風(fēng)，特別是硅基MEMS麥克風(fēng)，已經(jīng)研發(fā)多年了。硅基MEMS麥克風(fēng)由于其在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐用性、成本和批量生產(chǎn)能力方面的潛在優(yōu)勢，而廣泛地應(yīng)用于諸如手機(jī)、平板電腦、相機(jī)、助聽器、智能玩具以及監(jiān)視裝置等許多應(yīng)用中。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的硅基MEMS麥克風(fēng)包括:硅基底，所述硅基底中形成有背孔；位于所述硅基底上方的振膜和穿孔背板，其中，所述穿孔背板中具有多個(gè)穿孔，所述振膜位于所述穿孔背板與所述硅基底之間，且所述振膜與所述穿孔背面之間具有空腔間隙，從而構(gòu)成可變空氣間隙電容器。當(dāng)聲波信號(hào)通過所述背孔作用于所述振膜和所述穿孔背板上時(shí)，所述振膜在聲波作用下振動(dòng)時(shí)，而所述穿孔背板中具有多個(gè)穿孔，故不會(huì)發(fā)生振動(dòng)，從而使得所述振膜與所述穿孔背板構(gòu)成的可變空氣間隙電容器的電容隨所述振膜的振動(dòng)而發(fā)生變化，將聲波信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)聲波信號(hào)的檢測。
[0004]但是，上述硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔時(shí)，很容易導(dǎo)致振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種硅基MEMS麥克風(fēng)，以降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔時(shí)，振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率。
[0006]為解決上述問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0007]一種娃基MEMS麥克風(fēng)，包括:
[0008]娃基底，所述娃基底中具有貫穿所述娃基底的背孔；
[0009]固定于所述硅基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔；
[0010]固定于所述振膜背離所述振膜一側(cè)的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個(gè)穿孔，且與所述振膜之間具有空氣間隙；
[0011]至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，且所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離。
[0012]優(yōu)選的，所述硅基MEMS麥克風(fēng)包括多個(gè)限位平臺(tái)。
[0013]優(yōu)選的，所述多個(gè)限位平臺(tái)在所述背孔的側(cè)壁上均勻分布。
[0014]優(yōu)選的，所述硅基MEMS麥克風(fēng)包括四個(gè)限位平臺(tái)。
[0015]優(yōu)選的，所述振膜與所述硅基底之間具有絕緣層，所述絕緣層位于所述硅基底表面。
[0016]優(yōu)選的，還包括:位于所述絕緣層與所述振膜之間的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度與所述預(yù)留間隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，除包括:硅基底、振膜、穿孔背板外，還包括至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，從而當(dāng)所述MEMS硅基麥克風(fēng)在跌落或接收到很強(qiáng)的聲波信號(hào)時(shí)，可以利用所述限位平臺(tái)對(duì)所述振膜的振動(dòng)幅度進(jìn)行限制，將所述振膜的振動(dòng)幅度限制在所述預(yù)留間隔內(nèi)，降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率。
[0019]而且，所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離，使得所述限位平臺(tái)在平行于所述振膜所在平面內(nèi)的面積較小，即當(dāng)聲波信號(hào)通過所述背孔傳至所述振膜的過程中，所述限位平臺(tái)對(duì)所述聲波信號(hào)的阻礙較小，從而使得本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的靈敏度，即在降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率的基礎(chǔ)上，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例所提供的娃基MEMS麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例所提供的硅基MEMS麥克風(fēng)中，限位平臺(tái)的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔時(shí)，很容易導(dǎo)致振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞。
[0024]有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種硅基MEMS麥克風(fēng)，包括:
[0025]娃基底，所述娃基底中具有貫穿所述娃基底的背孔；
[0026]固定于所述硅基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔；
[0027]固定于所述振膜背離所述振膜一側(cè)的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個(gè)穿孔，且與所述振膜之間具有空氣間隙；
[0028]至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，且所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的MEMS麥克風(fēng)中，所述MEMS麥克風(fēng)除包括:硅基底、振膜、穿孔背板外，還包括至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，從而當(dāng)所述MEMS硅基麥克風(fēng)在跌落或接收到很強(qiáng)的聲波信號(hào)時(shí)，可以利用所述限位平臺(tái)對(duì)所述振膜的振動(dòng)幅度進(jìn)行限制，將所述振膜的振動(dòng)幅度限制在所述預(yù)留間隔內(nèi)，降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率。
[0030]而且，所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離，使得所述限位平臺(tái)在平行于所述振膜所在平面內(nèi)的面積較小，即當(dāng)聲波信號(hào)通過所述背孔傳至所述振膜的過程中，所述限位平臺(tái)對(duì)所述聲波信號(hào)的阻礙較小，從而使得所述MEMS麥克風(fēng)中本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的靈敏度，即在降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率的基礎(chǔ)上，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比。
[0031]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0032]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0033]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種硅基MEMS麥克風(fēng)，包括:
[0034]娃基底I，所述娃基底I中具有貫穿所述娃基底I的背孔10 ；
[0035]固定于所述硅基底I上方的振膜2，所述振膜2完全覆蓋所述背孔10 ；
[0036]固定于所述振膜2背離所述振膜2 —側(cè)的穿孔背板3，所述穿孔背板3具有多個(gè)穿孔30，且與所述振膜2之間具有空氣間隙；
[0037]至少一個(gè)固定于所述背孔10側(cè)壁上的限位平臺(tái)4，所述限位平臺(tái)4與所述振膜2之間具有預(yù)留間隔，且所述限位平臺(tái)4沿所述背孔10側(cè)壁至背孔10中心方向上的長度小于所述背孔10側(cè)壁至所述背孔10中心的距離。
[0038]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)所述限位平臺(tái)4沿所述背孔10側(cè)壁至背孔10中心方向上的長度并不做限定，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，可以為了進(jìn)一步降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔10時(shí)，振膜2因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率，延長所述限位平臺(tái)4沿所述背孔10側(cè)壁至背孔10中心方向長的長度，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，也可以為了提高所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比，縮短所述限位平臺(tái)4沿所述背孔10側(cè)壁至背孔10中心方向長的長度，只要保證所述限位平臺(tái)4沿所述背孔10側(cè)壁至背孔10中心方向上的長度小于所述背孔10側(cè)壁至所述背孔10中心的距離即可。
[0039]還需要說明的是，本實(shí)用新型對(duì)所述預(yù)留間隔的高度也不做限定，只要所述預(yù)留間隔小于所述振膜2距所述硅基底I底部的距離，即可在一定程度上降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔10時(shí)，振膜2因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率，具體視所述振膜2所能承受的最大振動(dòng)幅度而定。
[0040]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，為了提高所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比，所述硅基MEMS麥克風(fēng)包括一個(gè)限位平臺(tái)4，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，為了進(jìn)一步降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔10時(shí)，振膜2因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率，所述硅基MEMS麥克風(fēng)包括多個(gè)限位平臺(tái)4，本實(shí)用新型對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0041]需要說明的是，當(dāng)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的MEMS麥克風(fēng)包括多個(gè)限位平臺(tái)4時(shí)，所述多個(gè)限位平臺(tái)4優(yōu)選為均勻分布，但本實(shí)用新型對(duì)此并不做限定，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，所述多個(gè)限位平臺(tái)4也可以不均勻分布。
[0042]在本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例中，如圖2所示，所述MEMS麥克風(fēng)優(yōu)選包括四個(gè)限位平臺(tái)4，所述四個(gè)限位平臺(tái)4在所述背孔10的側(cè)壁上均勻分布，以在降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔10時(shí)，振膜2因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率基礎(chǔ)上，保證所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比。
[0043]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述振膜2與所述穿孔背板3之間具有隔離層5，所述隔離層5具有第一通孔50，所述第一通孔50在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影覆蓋所述背孔10在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影。優(yōu)選的，所述第一通孔50在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影與所述背孔10在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影重合，但本實(shí)用新型對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0044]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述振膜2與所述硅基底I之間具有絕緣層6，所述絕緣層6位于所述硅基底I表面，即所述絕緣層6中具有貫穿所述絕緣層6的第二通孔60，所述第二通孔60在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影與所述背孔10在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影重合，以保證聲波信號(hào)經(jīng)所述背孔10傳至振膜2時(shí)，不會(huì)受到所述絕緣層6的阻擋，提高信號(hào)的靈敏度。
[0045]優(yōu)選的，在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述MEMS硅基麥克風(fēng)還包括:位于所述絕緣層6與所述振膜2之間的介質(zhì)層7，所述介質(zhì)層7沿所述振膜2至所述硅基底I方向上的厚度與所述預(yù)留間隔沿所述振膜2至所述硅基底I方向上的厚度相同，以便于確定所述預(yù)留間隔沿所述振膜2至所述硅基底I方向上的厚度。
[0046]由上所述可知，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的MEMS麥克風(fēng)除包括:硅基底1、振膜2、穿孔背板3外，還包括至少一個(gè)固定于所述背孔10側(cè)壁上的限位平臺(tái)4，所述限位平臺(tái)4與所述振膜2之間具有預(yù)留間隔，從而當(dāng)所述MEMS硅基麥克風(fēng)在跌落或接收到很強(qiáng)的聲波信號(hào)時(shí)，可以利用所述限位平臺(tái)4對(duì)所述振膜2的振動(dòng)幅度進(jìn)行限制，將所述振膜2的振動(dòng)幅度限制在所述預(yù)留間隔內(nèi)，降低所述振膜2因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率。
[0047]而且，所述限位平臺(tái)4沿所述背孔10側(cè)壁至背孔10中心方向上的長度小于所述背孔10側(cè)壁至所述背孔10中心的距離，使得所述限位平臺(tái)4在平行于所述振膜2所在平面內(nèi)的面積較小，即當(dāng)聲波信號(hào)通過所述背孔10傳至所述振膜2的過程中，所述限位平臺(tái)4對(duì)所述聲波信號(hào)的阻礙較小，從而使得所述MEMS麥克風(fēng)中本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的靈敏度，即在降低所述振膜2因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率的基礎(chǔ)上，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比。
[0048]相應(yīng)的，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種硅基MEMS麥克風(fēng)的制作方法，應(yīng)用于上述任一實(shí)施例所提供的MEMS麥克風(fēng)，包括:
[0049]在硅基底上形成振膜，所述振膜完全覆蓋所述硅基底；
[0050]在所述振膜背離所述硅基底一側(cè)形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙；
[0051]對(duì)所述硅基底進(jìn)行刻蝕，在所述硅基底中形成背孔和限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)位于所述背孔的側(cè)壁上，與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，且所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離。
[0052]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度并不做限定，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，可以為了進(jìn)一步降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔時(shí)，振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率，延長所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向長的長度，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，也可以為了提高所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比，縮短所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向長的長度，只要保證所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離即可。
[0053]還需要說明的是，本實(shí)用新型對(duì)所述預(yù)留間隔的高度也不做限定，只要所述預(yù)留間隔小于所述振膜距所述硅基底底部的距離，即可在一定程度上降低硅基MEMS麥克風(fēng)在跌落時(shí)或有很強(qiáng)的聲波信號(hào)通過背孔時(shí)，振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率，具體視所述振膜所能承受的最大振動(dòng)幅度而定。
[0054]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在硅基底上形成振膜之前包括:在所述硅基底上形成絕緣層，以保證所述硅基底與所述振膜相互絕緣。相應(yīng)的，在該實(shí)施例中，對(duì)所述硅基底進(jìn)行刻蝕之后包括:對(duì)所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，在所述絕緣層中形成第二通孔，所述第二通孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影重合，以保證聲波信號(hào)經(jīng)所述背孔傳至振膜時(shí)，不會(huì)受到所述絕緣層的阻擋，提高信號(hào)的靈敏度。
[0055]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，在所述振膜上形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙包括:在所述振膜表面形成隔離層；對(duì)所述隔離層進(jìn)行刻蝕，形成第一通孔，所述第一通孔在所述振膜至所述硅基底方向上的投影覆蓋所述背孔在所述振膜至所述硅基底方向上的投影；在所述隔離層表面形成背板層；對(duì)所述背板層進(jìn)行刻蝕，在所述背板層中形成多個(gè)貫穿所述背板層的穿孔，形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙；其中，所述空隙間隙沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的高度為所述隔離層沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的厚度。優(yōu)選的，所述第一通孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影重合，但本實(shí)用新型對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0056]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本實(shí)用新型的有一個(gè)實(shí)施例中，該方法還包括:在所述絕緣層和所述振膜之間形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度與所述預(yù)留間隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同，以便于確定所述預(yù)留間隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度。
[0057]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的MEMS麥克風(fēng)及其制作方法中，所述MEMS麥克風(fēng)除包括:硅基底、振膜、穿孔背板外，還包括至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，從而當(dāng)所述MEMS硅基麥克風(fēng)在跌落或接收到很強(qiáng)的聲波信號(hào)時(shí)，可以利用所述限位平臺(tái)對(duì)所述振膜的振動(dòng)幅度進(jìn)行限制，將所述振膜的振動(dòng)幅度限制在所述預(yù)留間隔內(nèi)，降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率。
[0058]而且，所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離，使得所述限位平臺(tái)在平行于所述振膜所在平面內(nèi)的面積較小，即當(dāng)聲波信號(hào)通過所述背孔傳至所述振膜的過程中，所述限位平臺(tái)對(duì)所述聲波信號(hào)的阻礙較小，從而使得所述MEMS麥克風(fēng)中本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的靈敏度，即在降低所述振膜因振動(dòng)幅度過大而受到損壞的概率的基礎(chǔ)上，提高了所述MEMS麥克風(fēng)的信噪比。
[0059]本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。
[0060]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種硅基MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，包括: 娃基底，所述娃基底中具有貫穿所述娃基底的背孔； 固定于所述硅基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔； 固定于所述振膜背離所述振膜一側(cè)的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個(gè)穿孔，且與所述振膜之間具有空氣間隙； 至少一個(gè)固定于所述背孔側(cè)壁上的限位平臺(tái)，所述限位平臺(tái)與所述振膜之間具有預(yù)留間隔，且所述限位平臺(tái)沿所述背孔側(cè)壁至背孔中心方向上的長度小于所述背孔側(cè)壁至所述背孔中心的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述硅基MEMS麥克風(fēng)包括多個(gè)限位平臺(tái)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述多個(gè)限位平臺(tái)在所述背孔的側(cè)壁上均勻分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述硅基MEMS麥克風(fēng)包括四個(gè)限位平臺(tái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述振膜與所述硅基底之間具有絕緣層，所述絕緣層位于所述硅基底表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅基MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，還包括:位于所述絕緣層與所述振膜之間的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度與所述預(yù)留間隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同。
【文檔編號(hào)】H04R19/04GK204031449SQ201420430434
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】蔡孟錦 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司