專(zhuān)利名稱(chēng)：固體攝像裝置及其制造方法、攝像裝置、基板、半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝像裝置、攝像裝置以及固體攝像裝置的制造方法。另外，本發(fā)明涉及基板，更詳細(xì)地說(shuō)是在基材上突出多個(gè)電極而形成的基板以及采用該基板的半導(dǎo)體裝置。本申請(qǐng)對(duì)在2012年I月17日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2012-006986號(hào)、在2012年3月30日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2012-079215號(hào)以及在2012年3月30日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2012-081930號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，并在此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，攝像機(jī)或電子靜態(tài)照相機(jī)等已普遍廣泛普及。在這些照相機(jī)中使用CXD(Charge Coupled Device:電荷稱(chēng)合器件)型或放大型的固體攝像裝置。放大型的固體攝像裝置將供光入射的像素的光電轉(zhuǎn)換部所生成并積蓄的信號(hào)電荷引導(dǎo)至在像素中設(shè)置的放大部，并從像素輸出放大部所放大的信號(hào)。在放大型的固體攝像裝置中，二維矩陣狀地配置有多個(gè)這樣的像素。放大型的固體攝像裝置例如有采用CMOS (Complementary MetalOxide Semiconductor:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的CMOS型固體攝像裝置等。目前，一般的CMOS型固體攝像裝置采用針對(duì)每行依次讀出二維矩陣狀排列的各個(gè)像素的光電轉(zhuǎn)換部所生成的信號(hào)電荷的方式。在此方式中，根據(jù)信號(hào)電荷讀出的開(kāi)始與結(jié)束來(lái)決定各個(gè)像素的光電轉(zhuǎn)換部的曝光時(shí)刻，所以曝光的時(shí)刻依據(jù)每行而不同。另外，具有全局快門(mén)功能的CMOS型固體攝像裝置的用途正在變多。在具有全局快門(mén)功能的CMOS型固體攝像裝置中，通常在進(jìn)行讀出之前預(yù)先積蓄光電轉(zhuǎn)換部所生成的信號(hào)電荷。因此，需要具有帶遮光性的積蓄電容部。這樣的現(xiàn)有CMOS型固體攝像裝置在同時(shí)曝光全部像素之后，將各光電轉(zhuǎn)換部所生成的信號(hào)電荷在全部像素中同時(shí)傳送到各個(gè)積蓄電容部進(jìn)行暫時(shí)積蓄，在規(guī)定的讀出時(shí)刻將該信號(hào)電荷依次轉(zhuǎn)換為像素信號(hào)并讀出。在日本特開(kāi)2006-49361號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了如下這樣的固體攝像裝置，該固體攝像裝置利用微型凸點(diǎn)來(lái)連接針對(duì)每個(gè)單位元件在布線層側(cè)形成有微型焊盤(pán)的MOS圖像傳感器芯片和在與MOS圖像傳感器芯片的微型焊盤(pán)對(duì)應(yīng)的位置的布線層側(cè)形成有微型焊盤(pán)的信號(hào)處理芯片。另外，在日本特開(kāi)2010-219339號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了利用將形成有光電轉(zhuǎn)換部的第I基板和形成有多個(gè)MOS晶體管的第2基板粘合而成的固體攝像裝置來(lái)防止芯片面積增大的方法。3維構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置通過(guò)在層疊有多個(gè)半導(dǎo)體激活層的構(gòu)造上3維地集成半導(dǎo)體元件，來(lái)避免2維構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置所面臨的各種障礙，例如精細(xì)化中的光刻技術(shù)的極限、由于布線精細(xì)化或布線長(zhǎng)度增大而引起的布線電阻增大或寄生效應(yīng)增大、與其相伴的動(dòng)作速度的飽和趨勢(shì)以及由于元件尺寸的精細(xì)化而引起的高場(chǎng)效應(yīng)等，并作為維持高集成度的有力構(gòu)造而備受:關(guān)注。在3維構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的制造中，對(duì)通過(guò)使形成有多個(gè)微小電極的晶片彼此間接合而構(gòu)成的層疊型半導(dǎo)體裝置進(jìn)行研究。
關(guān)于這樣的層疊型半導(dǎo)體裝置，日本特開(kāi)2007-281393號(hào)公報(bào)公開(kāi)了如下技術(shù):在晶片上形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的突起電極和具有大于突起電極的高度的虛設(shè)的突起部(以下，有時(shí)稱(chēng)為“虛設(shè)電極”。)，并利用突起部來(lái)規(guī)定晶片之間的間隙。由此在突起部的內(nèi)側(cè)區(qū)域中利用附著于電子部件表面的電絕緣材料來(lái)準(zhǔn)確地保持預(yù)定的間隙。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第I方式，固體攝像裝置是經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成的固體攝像裝置。所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部。所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)。該固體攝像裝置構(gòu)成為，在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的基板區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐所述粘合的所述第I基板和所述第2基板。根據(jù)本發(fā)明的第2方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述虛設(shè)連接部的配置間隔可以是與所述真連接部的配置間隔相同的間隔。根據(jù)本發(fā)明的第3方式，在第2方式的固體攝像裝置中，可省略所述虛設(shè)連接部中的一部分所述虛設(shè)連接部的配置。根據(jù)本發(fā)明的第4方式，在第3方式的固體攝像裝置中，可省略所述虛設(shè)連接部的配置，使得在所述粘合時(shí)要對(duì)所述第I半導(dǎo)體晶片和所述第2半導(dǎo)體晶片施加的壓力減小。根據(jù)本發(fā)明的第5方式，在第2方式的固體攝像裝置中，可以使所述虛設(shè)連接部中的至少一個(gè)所述虛設(shè)連接部的配置位置偏離等間隔的配置位置。根據(jù)本發(fā)明的第6方式，在第5方式的固體攝像裝置中，在使所述第I半導(dǎo)體晶片與所述第2半導(dǎo)體晶片粘合之后進(jìn)行切割時(shí)，為了所述第I半導(dǎo)體晶片與所述第2半導(dǎo)體晶片不分離，可以使所述虛設(shè)連接部的配置位置偏離等間隔的配置位置。根據(jù)本發(fā)明的第7方式，在第2方式的固體攝像裝置中，作為所述光電轉(zhuǎn)換部具有多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件被分到一個(gè)以上的組中的任意一個(gè)組中，分到同一組的多個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成為共用一個(gè)所述真連接部。根據(jù)本發(fā)明的第8方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述虛設(shè)連接部的配置間隔可以是與所述光電轉(zhuǎn)換部的配置間隔相同的間隔。根據(jù)本發(fā)明的第9方式，在第8方式的固體攝像裝置中，可省略所述虛設(shè)連接部中的一部分所述虛設(shè)連接部的配置。根據(jù)本發(fā)明的第10方式，在第8方式的固體攝像裝置中，可以使所述虛設(shè)連接部中的至少一個(gè)所述虛設(shè)連接部的配置位置偏離等間隔的配置位置。根據(jù)本發(fā)明的第11方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述虛設(shè)連接部可以以沒(méi)有所述第I基板與所述第2基板的變形、裂痕、破碎的方式配置。根據(jù)本發(fā)明的第12方式，在第I方式的固體攝像裝置中，可以使所述虛設(shè)連接部中的至少一部分所述虛設(shè)連接部的配置間隔比所述光電轉(zhuǎn)換部的配置間隔寬。根據(jù)本發(fā)明的第13方式，在第I方式的固體攝像裝置中，可以使所述虛設(shè)連接部中的至少一部分所述虛設(shè)連接部的配置間隔比所述真連接部的配置間隔寬。根據(jù)本發(fā)明的第14方式，在第I 第13的任意一個(gè)方式的固體攝像裝置中，可以在與配置有所述光電轉(zhuǎn)換部的區(qū)域不同的周邊電路區(qū)域配置多個(gè)單位電路，在多個(gè)所述單位電路之間，共用在構(gòu)成該單位電路的電路要素上配置的所述虛設(shè)連接部的配置位置。根據(jù)本發(fā)明的第15方式，在第I 第13的任意一個(gè)方式的固體攝像裝置中，可以在與配置有所述光電轉(zhuǎn)換部的區(qū)域不同的周邊電路區(qū)域配置多個(gè)單位電路，為了抑制多個(gè)所述單位電路的電路特性的偏差而配置所述虛設(shè)連接部。根據(jù)本發(fā)明的第16方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述第I基板可構(gòu)成為包含周邊電路，在所述第I基板內(nèi)所包含的周邊電路外的區(qū)域配置所述虛設(shè)連接部。根據(jù)本發(fā)明的第17方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述第2基板可構(gòu)成為包含周邊電路，在所述第2基板內(nèi)所包含的周邊電路外的區(qū)域配置所述虛設(shè)連接部。根據(jù)本發(fā)明的第18方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述第I基板以及所述第2基板可構(gòu)成為包含周邊電路，在所述第I基板內(nèi)所包含的周邊電路外且所述第2基板內(nèi)所包含的周邊電路外的區(qū)域配置所述虛設(shè)連接部。根據(jù)本發(fā)明的第19方式，在第I方式的固體攝像裝置中，所述第2基板可具有積蓄電路，該積蓄電路積蓄經(jīng)由所述真連接部取得的信號(hào)，所述輸出電路輸出所述積蓄電路所積蓄的信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的第20方式，固體攝像裝置是經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成的固體攝像裝置。所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部。所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)。該固體攝像裝置構(gòu)成為，在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部不對(duì)所述第I基板和所述第2基板進(jìn)行電連接。根據(jù)本發(fā)明的第21方式，攝像裝置是經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成的攝像裝置。所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部。所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)。該攝像裝置構(gòu)成為，在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的基板區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐所述粘合的所述第I基板和所述第2基板。根據(jù)本發(fā)明的第22方式，固體攝像裝置的制造方法是經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成的固體攝像裝置的制造方法。該制造方法包含以下的連接部配置工序:將該固體攝像裝置構(gòu)成為，在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的基板區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐所述粘合的所述第I基板和所述第2基板，所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部，所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的第23方式，在第I或第2方式的固體攝像裝置中，該固體攝像裝置可以是經(jīng)過(guò)切割而形成的，以去除所述虛設(shè)連接部的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第24方式，在第I或第2方式的固體攝像裝置中，在所述第I基板上可設(shè)置有接地布線，所述接地布線與所述虛設(shè)連接部連接。根據(jù)本發(fā)明的第25方式，在第I或第2方式的固體攝像裝置中，在所述第2基板上可設(shè)置有接地布線，所述接地布線與所述虛設(shè)連接部連接。根據(jù)本發(fā)明的第26方式，在第I或第2方式的固體攝像裝置中，可在所述第I基板上設(shè)置有第I接地布線，在所述第2基板上設(shè)置有第2接地布線，所述第I接地布線以及所述第2接地布線分別與所述虛設(shè)連接部連接。根據(jù)本發(fā)明的第27方式，在第23方式的固體攝像裝置中，可在所述第I基板上設(shè)置熱傳導(dǎo)圖形，該熱傳導(dǎo)圖形與所述光電轉(zhuǎn)換部絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接，該固體攝像裝置是經(jīng)過(guò)切割而形成的，以去除所述熱傳導(dǎo)圖形的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第28方式，在第23方式的固體攝像裝置中，可在所述第2基板上設(shè)置熱傳導(dǎo)圖形，該熱傳導(dǎo)圖形與所述輸出電路絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接，該固體攝像裝置是經(jīng)過(guò)切割而形成的，以去除所述熱傳導(dǎo)圖形的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第29方式，在第23方式的固體攝像裝置中，可在所述第I基板上設(shè)置第I布線，該第I布線與所述光電轉(zhuǎn)換部絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接，在所述第2基板上設(shè)置第2布線，該第2布線與所述輸出電路絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接，該固體攝像裝置是經(jīng)過(guò)切割而形成的，以去除所述熱傳導(dǎo)圖形的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第30方式，在第22方式的固體攝像裝置的制造方法中，在所述連接部配置工序之后可包含去除工序，該去除工序進(jìn)行切割，以去除所述虛設(shè)連接部的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第31方式，在第22方式的固體攝像裝置的制造方法中，可在所述第I基板上設(shè)置有接地布線，在所述連接部配置工序中，使所述虛設(shè)連接部與所述接地布線連接。根據(jù)本發(fā)明的第32方式，基板具備:基材，其具有預(yù)定的厚度；布線，其設(shè)置在所述基材上；電極部，其設(shè)置在所述基材的厚度方向的一個(gè)面上，具有與所述布線連接的多個(gè)電路電極；以及虛設(shè)區(qū)域，其設(shè)置在與所述電極部相同的面上，具有不與所述布線連接的多個(gè)虛設(shè)電極。在所述虛設(shè)區(qū)域的至少一部分中，所述虛設(shè)電極被配置為虛設(shè)電極集合體，該虛設(shè)電極集合體中以預(yù)定的虛設(shè)間距配置多個(gè)虛設(shè)電極，虛設(shè)電極間距離的最大值在預(yù)定值以?xún)?nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第33方式，在第32方式的基板中，可將配置所述虛設(shè)電極集合體的間距即集合體間距設(shè)定為大于所述虛設(shè)間距。根據(jù)本發(fā)明的第34方式，在第32或第33方式的基板中，可將所述電路電極的直徑以及形成間距的至少一方設(shè)定為20微米以下。根據(jù)本發(fā)明的第35方式，在第32 第34的任意一個(gè)方式的基板中，所述虛設(shè)電極的高度可設(shè)為所述電路電極的高度以下。根據(jù)本發(fā)明的第36方式，在第32 第35的任意一個(gè)方式的基板中，所述集合體間距可以是所述虛設(shè)間距的10倍以上。根據(jù)本發(fā)明的第37方式，在第32 第35的任意一個(gè)方式的基板中，所述集合體間距可以是所述虛設(shè)電極間距離的最大值的3倍以上。根據(jù)本發(fā)明的第38方式，半導(dǎo)體裝置是通過(guò)至少接合2片形成有電極部的基板而形成的，在該半導(dǎo)體裝置中，至少一個(gè)所述基板是第32 第37方式中的任意一個(gè)方式的基板。


圖1是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的攝像部的結(jié)構(gòu)的框圖。圖3A是本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的攝像部的剖視圖以及俯視圖。圖3B是本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的攝像部的剖視圖以及俯視圖。圖4是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖5是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖6A是示出將本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素分為多個(gè)組后的狀態(tài)的參考圖。圖6B是示出將本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素分為多個(gè)組后的狀態(tài)的參考圖。圖7是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖8是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖9是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的像素的動(dòng)作的時(shí)序圖。圖10是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的攝像裝置具備的連接部的配置例的概括圖。圖1lA是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造以及截面構(gòu)造的概括圖。圖1lB是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造以及截面構(gòu)造的概括圖。圖12是示出本發(fā)明第I實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造的概括圖。圖13是示出本發(fā)明第2實(shí)施方式的列ADC電路的配置的概括圖。圖14是示出在本發(fā)明第2實(shí)施方式的周邊電路區(qū)域上配置的虛設(shè)連接部的配置圖形的概括圖。圖15是示出在本發(fā)明第2實(shí)施方式的周邊電路區(qū)域上配置的虛設(shè)連接部的配置圖形的概括圖。圖16是示出本發(fā)明第3實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造的概括圖。圖17是示出本發(fā)明第3實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造的概括圖。圖18是示出本發(fā)明第3實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造的概括圖。圖19是本發(fā)明第4實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的主要部分的剖視圖。圖20是本發(fā)明第5實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的主要部分的剖視圖。圖21是示出本發(fā)明第5實(shí)施方式的使第I基板和第2基板接合后的基板的平面構(gòu)造的概括圖。
圖22的上側(cè)是示出本發(fā)明一實(shí)施方式的基板的俯視圖，下側(cè)是示出接合該基板的動(dòng)作的圖。圖23是示出該基板的單位區(qū)域的放大圖。圖24是放大示出該單位區(qū)域中的電極部與虛設(shè)區(qū)域的邊界部的圖。圖25A是示出基于虛設(shè)電極配置的應(yīng)力作用差異的圖。圖25B是示出基于虛設(shè)電極配置的應(yīng)力作用差異的圖。圖25C是示出基于虛設(shè)電極配置的應(yīng)力作用差異的圖。圖26是示出在接合該基板之后的邊界線周邊區(qū)域的一例的剖視圖。圖27A是示出單片化的一個(gè)過(guò)程的圖。圖27B是示出作為半導(dǎo)體裝置截取的一個(gè)單位區(qū)域的立體圖。圖28是示出本發(fā)明的變形例的虛設(shè)電極集合體的俯視圖。圖29是示出在接合本發(fā)明的基板之后的邊界線周邊區(qū)域的其它例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式(第I實(shí)施方式)以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施方式。以下的詳細(xì)說(shuō)明作為一例包含特定的詳細(xì)內(nèi)容。顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解即使在以下的詳細(xì)內(nèi)容中增加各種變化或變更，增加該變化或變更后的內(nèi)容也不超出本發(fā)明的范圍。因此，以下說(shuō)明的各種實(shí)施方式?jīng)]有失去請(qǐng)求權(quán)利的發(fā)明的一般性，另外也沒(méi)有對(duì)請(qǐng)求權(quán)利的發(fā)明施加任何限定。圖1示出本實(shí)施方式的攝像裝置的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一方式中的攝像裝置是具有攝像功能的電子設(shè)備即可，除了數(shù)字照相機(jī)之外，還可以是數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、內(nèi)窺鏡等。圖1所示的攝像裝置具備鏡頭201、攝像部202、圖像處理部203、顯示部204、驅(qū)動(dòng)控制部205、鏡頭控制部206、照相機(jī)控制部207和照相機(jī)操作部208。圖1還示出存儲(chǔ)卡209，但由于將該存儲(chǔ)卡209構(gòu)成為可相對(duì)于攝像裝置拆裝，因而存儲(chǔ)卡209可以不是在攝像裝置中固有的結(jié)構(gòu)。圖1所示的各個(gè)塊在硬件上可由計(jì)算機(jī)的CPU、存儲(chǔ)器等電路部件、鏡頭等光學(xué)部件以及按鈕、開(kāi)關(guān)等操作部件之類(lèi)的各種部件來(lái)實(shí)現(xiàn)，在軟件上可由計(jì)算機(jī)程序等來(lái)實(shí)現(xiàn)，但這里描述為經(jīng)由它們的協(xié)作而實(shí)現(xiàn)的功能塊。因此，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員就當(dāng)然能夠理解可通過(guò)硬件、軟件的組合以各種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)這些功能塊。鏡頭201是用于使被攝體的光學(xué)像在構(gòu)成固體攝像裝置(固體攝像元件)的攝像部202的攝像面上形成的攝影鏡頭。攝像部202具備多個(gè)像素，通過(guò)光電轉(zhuǎn)換將鏡頭201所形成的被攝體的光學(xué)像轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像信號(hào)后輸出。圖像處理部203對(duì)從攝像部202輸出的圖像信號(hào)實(shí)施各種數(shù)字的圖像處理。顯示部204根據(jù)圖像處理部203為了顯示而進(jìn)行圖像處理后的圖像信號(hào)來(lái)顯示圖像。該顯示部204構(gòu)成為可再現(xiàn)顯示靜態(tài)圖像并且能夠進(jìn)行實(shí)時(shí)顯示被攝像范圍的圖像的動(dòng)態(tài)圖像(實(shí)時(shí)取景)顯示。驅(qū)動(dòng)控制部205根據(jù)來(lái)自照相機(jī)控制部207的指示來(lái)控制攝像部202的動(dòng)作。鏡頭控制部206根據(jù)來(lái)自照相機(jī)控制部207的指示來(lái)控制鏡頭201的光圈或焦點(diǎn)位置。照相機(jī)控制部207控制整個(gè)攝像裝置。由在攝像裝置內(nèi)置的ROM中存儲(chǔ)的程序來(lái)規(guī)定照相機(jī)控制部207的動(dòng)作。照相機(jī)控制部207讀出該程序，根據(jù)程序所規(guī)定的內(nèi)容來(lái)進(jìn)行各種控制。照相機(jī)操作部208具有用于用戶(hù)對(duì)攝像裝置進(jìn)行各種操作輸入的操作用的各種部件，并將基于操作輸入結(jié)果的信號(hào)輸出至照相機(jī)控制部207。作為照相機(jī)操作部208的具體例，可舉出用于接通/斷開(kāi)攝像裝置電源的電源開(kāi)關(guān)、用于指示靜態(tài)圖像攝影的釋放按鈕、用于在單拍模式與連拍模式之間切換靜態(tài)圖像攝影模式的靜態(tài)圖像攝影模式開(kāi)關(guān)等。存儲(chǔ)卡209是用于保存圖像處理部203為了記錄而進(jìn)行處理后的圖像信號(hào)的記錄介質(zhì)。圖2示出撮像部202的結(jié)構(gòu)。攝像部202具備:具有多個(gè)像素I的像素部2、垂直掃描電路3、列處理電路4、水平讀出電路5、輸出放大器6 (輸出電路)和控制電路7。圖2所示的各電路要素的配置位置并非必需與實(shí)際的配置位置一致。在像素部2中，以2維的矩陣狀排列多個(gè)像素I。在圖2中排列有10行X 12列共120個(gè)像素1，但圖2所示的像素的排列僅為一例，行數(shù)以及列數(shù)只要是2個(gè)以上即可。另夕卜，圖2是示意性示出矩陣狀地排列各個(gè)像素I的狀況的圖，如圖2所示，并非分離地配置各個(gè)像素I。如后所述，實(shí)際上在多個(gè)像素之間共用一部分的電路要素。另外，在本實(shí)施方式中，將由攝像部202具備的全部像素201構(gòu)成的區(qū)域作為像素信號(hào)的讀出對(duì)象區(qū)域，但也可以將由攝像部202具備的全部像素201構(gòu)成的區(qū)域的一部分作為讀出對(duì)象區(qū)域。讀出對(duì)象區(qū)域優(yōu)選至少包含有效像素區(qū)域的全部像素。另外，讀出對(duì)象區(qū)域可包含在有效像素區(qū)域的外側(cè)配置的光學(xué)黑色像素(始終被遮光的像素)。例如在暗電流成分的校正中使用從光學(xué)黑色像素讀出的像素信號(hào)。垂直掃描電路3例如由移位寄存器構(gòu)成，以行為單位進(jìn)行像素I的驅(qū)動(dòng)控制。在該驅(qū)動(dòng)控制中包含像素I的復(fù)位動(dòng)作、積蓄動(dòng)作、信號(hào)讀出動(dòng)作等。為了進(jìn)行該驅(qū)動(dòng)控制，垂直掃描電路3經(jīng)由在每行設(shè)置的控制信號(hào)線8向各個(gè)像素I輸出控制信號(hào)(控制脈沖)，并針對(duì)每行獨(dú)立地控制像素I。通過(guò)垂直掃描電路3進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制，將像素信號(hào)從像素I向針對(duì)每列設(shè)置的垂直信號(hào)線9輸出。列處理電路4與每列的垂直信號(hào)線9連接，對(duì)從像素I輸出的像素信號(hào)進(jìn)行噪聲去除或放大等的信號(hào)處理。水平讀出電路5例如由移位寄存器構(gòu)成。水平讀出電路5選擇讀出像素信號(hào)的像素列后，依次選擇已選擇的像素列的列處理電路4。另外，水平讀出電路5通過(guò)從列處理電路4依次向水平信號(hào)線10輸出像素信號(hào)來(lái)讀出像素信號(hào)。輸出放大器6對(duì)向水平信號(hào)線10輸出的像素信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理。輸出放大器6經(jīng)由輸出端子11向外部輸出像素信號(hào)。控制電路7生成時(shí)鐘信號(hào)或控制信號(hào)等，并向垂直掃描電路3、列處理電路
4、水平讀出電路5等輸出，所述時(shí)鐘信號(hào)或控制信號(hào)成為垂直掃描電路3、列處理電路4、水平讀出電路5等的動(dòng)作的基準(zhǔn)。圖3A以及圖3B示出攝像部202的截面構(gòu)造(圖3A)以及平面構(gòu)造(圖3B)。在圖3A以及圖3B所示的例子中對(duì)虛設(shè)連接部沒(méi)有記載。后面對(duì)虛設(shè)連接部進(jìn)行敘述。攝像部202具有如下構(gòu)造:配置有構(gòu)成像素I的電路要素(光電轉(zhuǎn)換元件(光電轉(zhuǎn)換部)、晶體管或電容等)的兩片基板(第I基板20、第2基板21)重疊。在第I基板20 (第I基板)與第2基板21 (第2基板)上分配配置構(gòu)成像素I的電路要素。為了在像素I的驅(qū)動(dòng)時(shí)能夠在兩片基板之間收發(fā)電信號(hào)，而將第I基板20和第2基板21電連接。例如，在第I基板20配置有光電轉(zhuǎn)換兀件，在第2基板21上配置有輸出放大器6,該輸出放大器6向外部輸出光電轉(zhuǎn)換元件所輸出的信號(hào)。在第I基板20的兩個(gè)主面(表面積比側(cè)面相對(duì)大的表面)中，在照射光L側(cè)的主面?zhèn)刃纬捎泄怆娹D(zhuǎn)換元件，照射到第I基板20的光入射至光電轉(zhuǎn)換元件。在第I基板20的兩個(gè)主面中的與照射光L側(cè)的主面相反側(cè)的主面上形成與第2基板21連接用的電極即多個(gè)微型焊盤(pán)22。按照I個(gè)像素或者多個(gè)像素來(lái)配置一個(gè)微型焊盤(pán)22。另外，在第2基板21的兩個(gè)主面中的與第I基板20相對(duì)側(cè)的主面上，在與微型焊盤(pán)22對(duì)應(yīng)的位置處形成有與第I基板20連接用的電極即多個(gè)微型焊盤(pán)23。在微型焊盤(pán)22與微型焊盤(pán)23之間形成有微型凸點(diǎn)24。重疊地配置第I基板20和第2基板21，使微型焊盤(pán)22與微型焊盤(pán)23相互對(duì)置。以微型焊盤(pán)22與微型焊盤(pán)23之間經(jīng)由微型凸點(diǎn)24電連接的方式一體化。微型焊盤(pán)22、微型凸點(diǎn)24、微型焊盤(pán)23構(gòu)成連接第I基板20與第2基板21的連接部。這些微型焊盤(pán)22、23以及微型凸點(diǎn)24由具有導(dǎo)電性并且熱傳導(dǎo)率大的金或銀等金屬形成?；谠诘贗基板20上配置的光電轉(zhuǎn)換元件所產(chǎn)生的信號(hào)電荷的信號(hào)經(jīng)由微型焊盤(pán)22、微型凸點(diǎn)24、微型焊盤(pán)23向第2基板21輸出。在第I基板20的兩個(gè)主面中的與照射光L側(cè)的主面相反側(cè)的主面的周邊部，形成具有與微型焊盤(pán)22同樣的構(gòu)造的微型焊盤(pán)25。在第2基板21的兩個(gè)主面中的與第I基板20相對(duì)側(cè)的主面上，在與微型焊盤(pán)25對(duì)應(yīng)的位置處形成具有與微型焊盤(pán)23同樣的構(gòu)造的微型焊盤(pán)26。在微型焊盤(pán)25與微型焊盤(pán)26之間形成微型凸點(diǎn)27。用于驅(qū)動(dòng)在第I基板20上配置的電路要素或在第2基板21上配置的電路要素的電源電壓等經(jīng)由微型焊盤(pán)25、微型凸點(diǎn)27、微型焊盤(pán)26從第I基板20向第2基板21或者從第2基板21向第I基板20提供。在第2基板21的兩個(gè)主面中的一個(gè)主面的周邊部形成有焊盤(pán)28，該焊盤(pán)28作為與第I基板20、第2基板21以外的系統(tǒng)的接口來(lái)使用。可取代焊盤(pán)28，設(shè)置貫通第2基板21的貫通電極，并將貫通電極作為外部連接用的電極來(lái)使用。在圖3所示的例子中第I基板20與第2基板21的主面面積不同，但第I基板20與第2基板21的主面面積也可以相同。另外，可不設(shè)置微型凸點(diǎn)，而是通過(guò)直接粘合在第I基板20的表面上設(shè)置的微型焊盤(pán)和在第2基板21的表面上設(shè)置的微型焊盤(pán)來(lái)連接第I基板20和第2基板21。在第I基板20與第2基板21上分散地配置構(gòu)成像素I的電路要素。關(guān)于像素I以外的垂直掃描電路3、列處理電路4、水平讀出電路5、輸出放大器6、控制電路7，可分別配置在第I基板20與第2基板21的任意一方。另外，可在第I基板20與第2基板21上分散地配置構(gòu)成垂直掃描電路3、列處理電路4、水平讀出電路5、輸出放大器6、控制電路7各電路的電路要素。關(guān)于像素I以外的結(jié)構(gòu)，也具有在第I基板20與第2基板21之間需要收發(fā)信號(hào)的情況。但是，可與像素I同樣地使用微型焊盤(pán)和微型凸點(diǎn)來(lái)連接第I基板20和第2基板21，或者通過(guò)直接連接微型焊盤(pán)彼此之間來(lái)連接第I基板20和第2基板21。圖4示出2個(gè)像素的像素I的電路結(jié)構(gòu)。像素I (2個(gè)像素)具備:光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb (光電轉(zhuǎn)換部)、傳送晶體管102a、102b、FD (浮置擴(kuò)散區(qū))103、FD復(fù)位晶體管104、第I放大晶體管105、電流源106、箝位電容107、采樣晶體管108a、108b、模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a、109b、模擬存儲(chǔ)器110a、110b、第2放大晶體管IllaUllb和選擇晶體管112a、112b。圖4所示的各電路要素的配置位置并非必需與實(shí)際的配置位置一致。在圖4中包含第I像素的電路要素和第2像素的電路要素。第I像素具備:光電轉(zhuǎn)換元件101a、傳送晶體管102a、FD103、FD復(fù)位晶體管104、第I放大晶體管105、電流源106、箝位電容107、采樣晶體管108a、模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a、模擬存儲(chǔ)器110a、第2放大晶體管Illa和選擇晶體管112a。第2像素具有:光電轉(zhuǎn)換元件101b、傳送晶體管102b.FD103.FD復(fù)位晶體管104、第I放大晶體管105、電流源106、箝位電容107、采樣晶體管108b、模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109b、模擬存儲(chǔ)器110b、第2放大晶體管Illb和選擇晶體管112b。在圖4所示的公共區(qū)域Sh上配置的FD103、FD復(fù)位晶體管104、第I放大晶體管105、電流源106和箝位電容107在第I像素與第2像素中共用。光電轉(zhuǎn)換元件IOla的一端接地。傳送晶體管102a的漏極端子與光電轉(zhuǎn)換元件IOla的另一端連接。傳送晶體管102a的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供傳送脈沖ΦΤΧ1。光電轉(zhuǎn)換元件IOlb的一端接地。傳送晶體管102b的漏極端子與光電轉(zhuǎn)換元件IOlb的另一端連接。傳送晶體管102b的柵極端子與垂直掃描電路3連接、提供傳送脈沖ΦΤΧ2。FD103的一端與傳送晶體管102a、102b的源極端子連接，F(xiàn)D103的另一端接地。FD復(fù)位晶體管104的漏極端子與電源電壓VDD連接。FD復(fù)位晶體管104的源極端子與傳送晶體管102a、102b的源極端子連接。FD復(fù)位晶體管104的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供FD復(fù)位脈沖ORST。第I放大晶體管105的漏極端子與電源電壓VDD連接。第I放大晶體管105的輸入部即柵極端子與傳送晶體管102a、102b的源極端子連接。電流源106的一端與第I放大晶體管105的源極端子連接，電流源106的另一端接地。作為一例，可利用漏極端子與第I放大晶體管105的源極端子連接、源極端子接地、柵極端子與垂直掃描電路3連接的晶體管來(lái)構(gòu)成電流源106。箝位電容107 的一端與第I放大晶體管105的源極端子以及電流源106的一端連接。采樣晶體管108a的漏極端子與箝位電容107的另一端連接。采樣晶體管108a的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供采樣脈沖OSHl。采樣晶體管108b的漏極端子與箝位電容107的另一端連接。采樣晶體管108b的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供采樣脈沖OSH2。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a的漏極端子與電源電壓VDD連接。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a的源極端子與采樣晶體管108a的源極端子連接。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供箝位和存儲(chǔ)器復(fù)位脈沖Φα 。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管10%的漏極端子與電源電壓VDD連接。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管10%的源極端子與采樣晶體管108b的源極端子連接。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管10%的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供箝位和存儲(chǔ)器復(fù)位脈沖Φα2。模擬存儲(chǔ)器IlOa的一端與采樣晶體管108a的源極端子連接，模擬存儲(chǔ)器IlOa的另一端接地。第2放大晶體管Illa的漏極端子與電源電壓VDD連接。構(gòu)成第2放大晶體管Illa的輸入部的柵極端子與采樣晶體管108a的源極端子連接。選擇晶體管112a的漏極端子與第2放大晶體管Illa的源極端子連接。選擇晶體管112a的源極端子與垂直信號(hào)線9連接。選擇晶體管112a的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供選擇脈沖OSELl。模擬存儲(chǔ)器IlOb的一端與采樣晶體管108b的源極端子連接，模擬存儲(chǔ)器IlOb的另一端接地。第2放大晶體管Illb的漏極端子與電源電壓VDD連接。構(gòu)成第2放大晶體管Illb的輸入部的柵極端子與采樣晶體管108b的源極端子連接。選擇晶體管112b的漏極端子與第2放大晶體管Illb的源極端子連接。選擇晶體管112b的源極端子與垂直信號(hào)線9連接。選擇晶體管112b的柵極端子與垂直掃描電路3連接，提供選擇脈沖OSEL2。關(guān)于上述各個(gè)晶體管可以使極性相反，使源極端子與漏極端子與上述相反。光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb例如是光電二極管，生成(產(chǎn)生)基于所入射的光的信號(hào)電荷，保持并積蓄所生成(產(chǎn)生)的信號(hào)電荷。傳送晶體管102a、102b是將在光電轉(zhuǎn)換元件IOlaUOlb中積蓄的信號(hào)電荷傳送到FD103的晶體管。利用來(lái)自垂直掃描電路3的傳送脈沖ΦΤΧ1來(lái)控制傳送晶體管102a的導(dǎo)通/截止。利用來(lái)自垂直掃描電路3的傳送脈沖ΦΤΧ2來(lái)控制傳送晶體管102b的導(dǎo)通/截止。FD103是暫時(shí)保持并積蓄從光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb傳送來(lái)的信號(hào)電荷的電容。FD復(fù)位晶體管104是使FD103復(fù)位的晶體管。利用來(lái)自垂直掃描電路3的FD復(fù)位脈沖ORST來(lái)控制FD復(fù)位晶體管104的導(dǎo)通/截止。還可以通過(guò)同時(shí)導(dǎo)通FD復(fù)位晶體管104與傳送晶體管102a、102b，來(lái)使光電轉(zhuǎn)換元件IOlaUOlb復(fù)位。Π)103/光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb的復(fù)位控制在FD103/光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb中積蓄的電荷量，將FD103/光電轉(zhuǎn)換元件IOlaUOlb的狀態(tài)(電位)設(shè)定為基準(zhǔn)狀態(tài)(基準(zhǔn)電位、復(fù)位電平)。第I放大晶體管105是從源極端子輸出放大信號(hào)的晶體管，該放大信號(hào)是使對(duì)柵極端子輸入的基于在FD103中積蓄的信號(hào)電荷的信號(hào)放大后所得的信號(hào)。電流源106作為第I放大晶體管105的負(fù)載發(fā)揮功能，對(duì)第I放大晶體管105提供驅(qū)動(dòng)第I放大晶體管105的電流。第I放大晶體管105和電流源106構(gòu)成源極跟隨電路。箝位電容107是對(duì)從第I放大晶體管105輸出的放大信號(hào)的電壓電平進(jìn)行箝位(固定)的電容。采樣晶體管108a、108b是采樣保持箝位電容107的另一端的電壓電平并將其積蓄在模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb內(nèi)的晶體管。利用來(lái)自垂直掃描電路3的采樣脈沖OSHl來(lái)控制采樣晶體管108a的導(dǎo)通/截止。利用來(lái)自垂直掃描電路3的采樣脈沖OSH2來(lái)控制采樣晶體管108b的導(dǎo)通/截止。模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a、109b是使模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb復(fù)位的晶體管。利用來(lái)自垂直掃描電路3的箝位和存儲(chǔ)器復(fù)位脈沖ΦCLl、ΦCL2來(lái)控制模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a、109b的導(dǎo)通/截止。模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb的復(fù)位對(duì)在模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb中積蓄的電荷量進(jìn)行控制，將模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb的狀態(tài)(電位)設(shè)定為基準(zhǔn)狀態(tài)(基準(zhǔn)電位、復(fù)位電平)。模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb保持并積蓄已由采樣晶體管108a、108b進(jìn)行采樣保持的模擬信號(hào)。將模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb的電容設(shè)定為比FD103的電容大的電容。在模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb中，優(yōu)選使用每個(gè)單位面積的漏電流(暗電流)少的電容，即MIM (MetalInsulator Metal:金屬絕緣體金屬)電容或 MOS (Metal Oxide Semiconductor:金屬氧化物半導(dǎo)體)電容。由此，對(duì)噪聲的耐性提高，可獲得高品質(zhì)的信號(hào)。第2放大晶體管IllaUllb是從源極端子輸出放大信號(hào)的晶體管，該放大信號(hào)是使對(duì)柵極端子輸入的基于在模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb中積蓄的信號(hào)電荷的信號(hào)放大后所得的信號(hào)。第2放大晶體管IllaUllb和與垂直信號(hào)線9連接的作為負(fù)載的電流源113構(gòu)成源極跟隨電路。選擇晶體管112a、112b是選擇像素I并將第2放大晶體管IllaUllb的輸出傳遞至垂直信號(hào)線9的晶體管。利用來(lái)自垂直掃描電路3的選擇脈沖OSELl來(lái)控制選擇晶體管112a的導(dǎo)通/截止。利用來(lái)自垂直掃描電路3的選擇脈沖OSEL2來(lái)控制選擇晶體管112b的導(dǎo)通/截止。將圖4所示的電路要素中的光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb配置在第I基板20上，將模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb配置在第2基板21上，將其它電路要素配置在第I基板20和第2基板21的任意一個(gè)上。圖4的虛線Dl示出第I基板20與第2基板21的邊界線。在第I基板20上配置有光電轉(zhuǎn)換元件101a、101b、傳送晶體管102a、102b、FD103、FD復(fù)位晶體管104和第I放大晶體管105。在第2基板21上配置有電流源106、箝位電容107、采樣晶體管108a、108b、模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a、109b、模擬存儲(chǔ)器110a、110b、第2放大晶體管IllaUllb和選擇晶體管112a、112b。從第I基板20的第I放大晶體管105輸出的放大信號(hào)經(jīng)由微型焊盤(pán)22、微型凸點(diǎn)24以及微型焊盤(pán)23向第2基板21輸出。另外，經(jīng)由微型焊盤(pán)25、微型凸點(diǎn)27以及微型焊盤(pán)26在第I基板20與第2基板21之間收發(fā)電源電壓VDD。在圖4中，在第I放大晶體管105的源極端子與電流源106的一端以及箝位電容107的一端之間的路徑上配置包含微型焊盤(pán)22、微型凸點(diǎn)24、微型焊盤(pán)23的連接部，但不僅限于此。也可以在從光電轉(zhuǎn)換元件101a、IOlb到模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb的電連接的路徑上的某處配置連接部。圖5示出第I基板20與第2基板21的邊界線的例子。虛線Dl D5表示可作為第I基板20與第2基板21的邊界線的例子。第I基板20與第2基板21的邊界線可以是虛線Dl D5的任意一個(gè)，也可以是這些以外的線。關(guān)于虛線Dl如上面所述。在虛線D2所示的例子中，在光電轉(zhuǎn)換元件IOlaUOlb的另一端與傳送晶體管102a、102b的漏極端子之間的路徑上配置連接部。在虛線D3所示的例子中，在傳送晶體管102a、102b的源極端子與FD103的一端、FD復(fù)位晶體管104的源極端子以及第I放大晶體管105的柵極端子之間的路徑上配置連接部。在虛線D4所示的例子中，在箝位電容107的另一端與采樣晶體管108a、108b的漏極端子之間的路徑上配置連接部。在虛線D5所示的例子中，在采樣晶體管108a、108b的源極端子與模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a、109b的源極端子、模擬存儲(chǔ)器IlOaUlOb的一端以及第2放大晶體管IllaUllb的柵極端子之間的路徑上配置連接部。將具有上述結(jié)構(gòu)的全部像素I分為多個(gè)組，各個(gè)像素I屬于多個(gè)組中的任意一個(gè)。圖6作為一例示出將8行X8列的64個(gè)像素I分為多個(gè)組的狀態(tài)。在圖6中為了方便對(duì)各個(gè)像素I賦予編號(hào)Pnm (η:1 8, m:1 8)。編號(hào)Pnm的數(shù)字η表不行編號(hào)，數(shù)字m表示列編號(hào)。根據(jù)像素位置，將像素I分為多個(gè)組。圖6A示出由2個(gè)像素構(gòu)成I組的例子。在垂直方向上鄰接的2個(gè)像素構(gòu)成I組。圖6B示出由4個(gè)像素構(gòu)成I組的例子。在垂直方向上連續(xù)配置的4個(gè)像素構(gòu)成I組。因?yàn)橐粋€(gè)光電轉(zhuǎn)換元件與一個(gè)像素I對(duì)應(yīng)，所以像素I所屬的組與光電轉(zhuǎn)換元件所屬的組是等效的。同一組內(nèi)的像素I的多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件(在圖6A的例子中為2個(gè)，在圖6B的例子中為4個(gè))共用FD103、FD復(fù)位晶體管104、第I放大晶體管105、電流源106和箝位電容107。接著，參照?qǐng)D7以及圖8來(lái)說(shuō)明像素I的動(dòng)作。以下說(shuō)明兩個(gè)動(dòng)作例?！吹贗動(dòng)作例〉圖7示出按照每行從垂直掃描電路3對(duì)像素I提供的控制信號(hào)。以下，以圖4所示的2個(gè)像素為單位，說(shuō)明圖7所示的期間Tl T6中的像素I的動(dòng)作。將屬于同一組的兩個(gè)像素I中的一個(gè)像素I設(shè)為第I像素，將另一個(gè)像素I設(shè)為第2像素。在上述多個(gè)組的各個(gè)組中，動(dòng)作的開(kāi)始時(shí)刻(圖7的期間Tl的開(kāi)始時(shí)刻)相同。[期間Tl的動(dòng)作]首先，傳送脈沖ΦΤΧ1、ΦΤΧ2從“L” (Low)電平變化到“H” (High)電平，從而傳送晶體管102a、102b導(dǎo)通。同時(shí)，F(xiàn)D復(fù)位脈沖ORST從“L”電平變化到“H”電平，從而FD復(fù)位晶體管104導(dǎo)通。期間Tl是全部像素I (以下，記載為全部像素)所共用的期間，所以使全部像素的光電轉(zhuǎn)換元件IOlaUOlb復(fù)位。接著，傳送脈沖ΦΤΧ1、ΦΤΧ2以及FD復(fù)位脈沖ORST從“H”電平變化到“L”電平，從而傳送晶體管102a、102b以及FD復(fù)位晶體管104截止。由此，全部像素的光電轉(zhuǎn)換元件IOlaUOlb的復(fù)位結(jié)束，并統(tǒng)一( 同時(shí))開(kāi)始全部像素的曝光(信號(hào)電荷的積蓄)。[期間T2的動(dòng)作]期間T2是曝光期間內(nèi)的期間。首先，箝位和存儲(chǔ)器復(fù)位脈沖Φα 從“L”電平變化到“H”電平，從而模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a導(dǎo)通。由此，使模擬存儲(chǔ)器IlOa復(fù)位。同時(shí)，采樣脈沖OSHl從“L”電平變化到“H”電平，從而采樣晶體管108a導(dǎo)通。由此，使箝位電容107的另一端的電位復(fù)位到電源電壓VDD，并且采樣晶體管108a開(kāi)始箝位電容107的另一端的電位的采樣保持。接著，F(xiàn)D復(fù)位脈沖ORST從“L”電平變化到“H”電平，從而FD復(fù)位晶體管104導(dǎo)通。由此，使FD103復(fù)位。接著，F(xiàn)D復(fù)位脈沖ORST從“H”電平變化到“L”電平，從而FD復(fù)位晶體管104截止。由此，F(xiàn)D103的復(fù)位結(jié)束。雖然進(jìn)行FD103的復(fù)位的時(shí)刻只要在曝光期間中既可，但可通過(guò)在曝光期間剛要結(jié)束之前的時(shí)刻進(jìn)行FD103的復(fù)位，來(lái)進(jìn)一步降低FD103的漏電流導(dǎo)
致的噪聲。接著，箝位和存儲(chǔ)器復(fù)位脈沖Φα 從“H”電平變化到“L”電平，從而模擬存儲(chǔ)器復(fù)位晶體管109a截止。由此，模擬存儲(chǔ)器IlOa的復(fù)位結(jié)束。在此時(shí)刻，箝位電容107對(duì)從第I放大晶體管105輸出的放大信號(hào)(FD103的復(fù)位后的放大信號(hào))進(jìn)行箝位。[期間T3的動(dòng)作]首先，傳送脈沖ΦΤΧ1從“L”電平變化到“H”電平，從而傳送晶體管102a導(dǎo)通。由此，在光電轉(zhuǎn)換元件IOla中積蓄的信號(hào)電荷經(jīng)由傳送晶體管102a傳送至FD103，并在FD103中積蓄。由此，第I像素的曝光(信號(hào)電荷的積蓄)結(jié)束。圖7的曝光期間I表示第I像素的曝光期間(信號(hào)積蓄期間)。接著，傳送脈沖ΦΤΧ1從“H”電平變化到“L”電平，從而傳送晶體管102a截止。接著，采樣脈沖OSHl從“H”電平變化到“L”電平，從而采樣晶體管108a截止。由此，采樣晶體管108a結(jié)束箝位電容107的另一端的電位的采樣保持。
[期間T4、T5的動(dòng)作]上述期間Τ2、Τ3的動(dòng)作是第I像素的動(dòng)作。期間Τ4、Τ5的動(dòng)作與期間Τ2、Τ3的動(dòng)作相對(duì)應(yīng)，是第2像素的動(dòng)作。期間Τ4的動(dòng)作與期間Τ2的動(dòng)作相同。期間Τ5的動(dòng)作與期間Τ3的動(dòng)作相同，對(duì)期間Τ4、Τ5的動(dòng)作省略說(shuō)明。圖7的曝光期間2表示第2像素的曝光期間(信號(hào)積蓄期間)。以下，對(duì)第I像素的模擬存儲(chǔ)器IlOa的一端的電位變化進(jìn)行說(shuō)明。第2像素的模擬存儲(chǔ)器IlOb的一端的電位變化也是同樣的。當(dāng)將在FD103的復(fù)位結(jié)束之后從光電轉(zhuǎn)換元件IOla向FD103傳送信號(hào)電荷而引起的FD103的一端的電位變化設(shè)為AVfd、將第I放大晶體管105的增益設(shè)為α I時(shí)，從光電轉(zhuǎn)換元件IOla向FD103傳送信號(hào)電荷所引起的第I放大晶體管105的源極端子的電位變化 AVampl 為 a IX AVfd0當(dāng)將模擬存儲(chǔ)器IlOa和采樣晶體管108a的合計(jì)增益設(shè)為α 2時(shí)，從光電轉(zhuǎn)換元件IOla向FD103傳送信號(hào)電荷之后的采樣晶體管108a的采樣保持所引起的模擬存儲(chǔ)器IlOa的一端的電位變化AVmem為a2XAVampl即alXa2XAVfd。因?yàn)槟M存儲(chǔ)器IlOa的復(fù)位結(jié)束的時(shí)刻的模擬存儲(chǔ)器IlOa的一端的電位是電源電壓VDD，所以在從光電轉(zhuǎn)換元件IOla向FD103傳送信號(hào)電荷之后，利用采樣晶體管108a進(jìn)行采樣保持的模擬存儲(chǔ)器IlOa的一端的電位Vmem為以下的式(I)。 Vmem=VDD+ Δ Vmem=VDD+α IX α 2Χ AVfd- (I)在式(I)中，AVmem〈0、AVfcKO0另外，α 2為以下的式(2)。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像裝置，其經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成，該固體攝像裝置構(gòu)成為， 所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部， 所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)， 在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的基板區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐所述粘合的所述第I基板和所述第2基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部的配置間隔是與所述真連接部的配置間隔相同的間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部中的一部分所述虛設(shè)連接部的配置被省略。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部的配置被省略，使得在所述粘合時(shí)要對(duì)所述第I半導(dǎo)體晶片和所述第2半導(dǎo)體晶片施加的壓力減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部中的至少一個(gè)所述虛設(shè)連接部的配置位置偏離等間隔的配置位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部的配置位置偏離等間隔的配置位置，使得在使所述第I半導(dǎo)體晶片與所述第2半導(dǎo)體晶片粘合之后進(jìn)行切割時(shí)，所述第I半導(dǎo)體晶片與所述第2半導(dǎo)體晶片不分離。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置，其中， 所述第I基板具有多個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件， 所述光電轉(zhuǎn)換元件被分到一個(gè)以上的組中的任意一個(gè)組中， 分到同一組的多個(gè)所述光電轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成為共用一個(gè)所述真連接部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部的配置間隔是與所述光電轉(zhuǎn)換部的配置間隔相同的間隔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部中的一部分所述虛設(shè)連接部的配置被省略。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部中的至少一個(gè)所述虛設(shè)連接部的配置位置偏離等間隔的配置位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部被以沒(méi)有所述第I基板與所述第2基板的變形、裂痕、破碎的方式配置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部中的至少一部分所述虛設(shè)連接部的配置間隔比所述光電轉(zhuǎn)換部的配置間隔寬。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述虛設(shè)連接部中的至少一部分所述虛設(shè)連接部的配置間隔比所述真連接部的配置間隔寬。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 在與配置有所述光電轉(zhuǎn)換部的區(qū)域不同的周邊電路區(qū)域配置有多個(gè)單位電路， 在多個(gè)所述單位電路之間，共用在構(gòu)成該單位電路的電路要素上配置的所述虛設(shè)連接部的配置位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 在與配置有所述光電轉(zhuǎn)換部的區(qū)域不同的周邊電路區(qū)域配置有多個(gè)單位電路， 以抑制多個(gè)所述單位電路的電路特性的偏差的方式配置所述虛設(shè)連接部。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述第I基板構(gòu)成為包含周邊電路， 在所述第I基板內(nèi)所包含的周邊電路外的區(qū)域配置所述虛設(shè)連接部。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述第2基板構(gòu)成為包含周邊電路， 在所述第2基板內(nèi)所包含的周邊電路外的區(qū)域配置所述虛設(shè)連接部。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述第I基板以及所述第2基板構(gòu)成為包含周邊電路， 在所述第I基板內(nèi)所包含的周邊電路外且所述第2基板內(nèi)所包含的周邊電路外的區(qū)域配置所述虛設(shè)連接部。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述第2基板具有積蓄電路，該積蓄電路積蓄經(jīng)由所述真連接部取得的信號(hào)， 所述輸出電路輸出所述積蓄電路所積蓄的信號(hào)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 所述固體攝像裝置是切割為去除所述虛設(shè)連接部的至少一部分而形成的。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 在所述第I基板上設(shè)置有接地布線， 所述接地布線與所述虛設(shè)連接部連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 在所述第2基板上設(shè)置有接地布線， 所述接地布線與所述虛設(shè)連接部連接。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中， 在所述第I基板上設(shè)置有第I接地布線， 在所述第2基板上設(shè)置有第2接地布線， 所述第I接地布線以及所述第2接地布線分別與所述虛設(shè)連接部連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的固體攝像裝置，其中， 在所述第I基板上設(shè)置有熱傳導(dǎo)圖形，該熱傳導(dǎo)圖形與所述光電轉(zhuǎn)換部絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接， 所述固體攝像裝置是切割為去除所述熱傳導(dǎo)圖形的至少一部分而形成的。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的固體攝像裝置，其中， 在所述第2基板上設(shè)置有熱傳導(dǎo)圖形，該熱傳導(dǎo)圖形與所述輸出電路絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接， 所述固體攝像裝置是切割為去除所述熱傳導(dǎo)圖形的至少一部分而形成的。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的固體攝像裝置，其中， 在所述第I基板上設(shè)置有第I布線，該第I布線與所述光電轉(zhuǎn)換部絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接， 在所述第2基板上設(shè)置有第2布線，該第2布線與所述輸出電路絕緣，并且與所述虛設(shè)連接部連接， 所述固體攝像裝置是切割為去除所述熱傳導(dǎo)圖形的至少一部分而形成的。
27.—種固體攝像裝置，其經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成，該固體攝像裝置構(gòu)成為， 所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部， 所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)， 在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部不對(duì)所述第I基板與所述第2基板進(jìn)行電連接。
28.一種攝像裝置，其經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成，該攝像裝置構(gòu)成為， 所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部， 所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)， 在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的基板區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐所述粘合的所述第I基板和所述第2基板。
29.一種固體攝像裝置的制造方法，該固體攝像裝置經(jīng)由進(jìn)行電連接的真連接部將在第I半導(dǎo)體晶片上形成的第I基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板粘合而成，所述制造方法包含以下的連接部配置工序: 將固體攝像裝置構(gòu)成為，在所述第I基板與所述第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置所述真連接部的基板區(qū)域內(nèi)，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐所述粘合的所述第I基板和所述第2基板，所述第I基板具有光電轉(zhuǎn)換部，所述第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由所述真連接部取得由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)。
30.權(quán)利要求29所述的固體攝像裝置的制造方法，其中， 所述制造方法在所述連接部配置工序之后包含切割為去除所述虛設(shè)連接部的至少一部分的去除工序。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的固體攝像裝置的制造方法，其中， 在所述第I基板上設(shè)置接地布線， 在所述連接部配置工序中，使所述虛設(shè)連接部與所述接地布線連接。
32.一種基板，其具備: 基材，其具有預(yù)定的厚度； 布線，其設(shè)置在所述基材上；電極部，其設(shè)置在所述基材的厚度方向的一個(gè)面上，具有與所述布線連接的多個(gè)電路電極；以及 虛設(shè)區(qū)域，其設(shè)置在與所述電極部相同的面上，具有不與所述布線連接的多個(gè)虛設(shè)電極， 在所述虛設(shè)區(qū)域的至少一部分中，所述虛設(shè)電極配置為虛設(shè)電極集合體，該虛設(shè)電極集合體中以預(yù)定的虛設(shè)間距配置多個(gè)虛設(shè)電極，虛設(shè)電極間距離的最大值在預(yù)定值以?xún)?nèi)。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的基板，其中， 配置所述虛設(shè)電極集合體的間距即集合體間距被設(shè)定為大于所述虛設(shè)間距。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的基板，其中， 所述電路電極的直徑以及形成間距的至少一方被設(shè)定為20微米以下。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的基板，其中， 所述虛設(shè)電極的高度為所述電路電極的高度以下。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的基板，其中， 所述集合體間距是所述虛設(shè)間距的10倍以上。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的基板，其中， 所述集合體間距是所述虛設(shè)電極間距離的最大值的3倍以上。
38.一種半導(dǎo)體裝置，其通過(guò)至少接合2片形成有電極部的基板而形成，在該半導(dǎo)體裝置中， 至少一個(gè)所述基板是權(quán)利要求32所述的基板。
全文摘要
一種固體攝像裝置及其制造方法、攝像裝置、基板、半導(dǎo)體裝置。該固體攝像裝置經(jīng)由電連接在第1半導(dǎo)體晶片上形成的第1基板和在第2半導(dǎo)體晶片上形成的第2基板的連接部進(jìn)行粘合，該固體攝像裝置構(gòu)成為，第1基板具有光電轉(zhuǎn)換部，第2基板具有輸出電路，該輸出電路經(jīng)由連接部取得利用光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的信號(hào)，并輸出該信號(hào)，在第1基板與第2基板的至少一方的基板區(qū)域中沒(méi)有配置連接部的基板區(qū)域，還配置有虛設(shè)連接部，該虛設(shè)連接部支撐粘合的第1基板與第2基板。
文檔編號(hào)H04N5/335GK103208501SQ20131001273
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月17日
發(fā)明者月村光宏, 高澤直裕, 竹本良章, 菊地廣, 齊藤晴久, 只木芳隆, 五味祐一 申請(qǐng)人:奧林巴斯株式會(huì)社