專(zhuān)利名稱(chēng)：一種提高gpon－onu設(shè)備光探測(cè)器靈敏度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種PON-ONU(無(wú)源光網(wǎng)絡(luò))設(shè)備中的光探測(cè)器部件，特別涉及用于提高GPON-ONU(G比特級(jí)的無(wú)源光網(wǎng)絡(luò))設(shè)備中的光探測(cè)器靈敏度的方法。
背景技術(shù)：
寬帶網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展以及各種高帶寬應(yīng)用的不斷出現(xiàn)使寬帶光纖接入網(wǎng)技術(shù)的引入擺上了議事日程，它由局側(cè)的光線路終端OLT、用戶側(cè)的光網(wǎng)絡(luò)單元ONU以及光分配網(wǎng)絡(luò)ODN組成，一般其下行采用TDM廣播方式、上行采用TDMA多址接入方式，而且可以靈活地組成樹(shù)型、星型、總線型等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其典型結(jié)構(gòu)為樹(shù)形結(jié)構(gòu)。所謂“無(wú)源”，是指ODN中不含有任何有源電子器件及電子電源，全部由光分路器Splitter等無(wú)源器件組成，因此其管理維護(hù)的成本較低，近來(lái)被認(rèn)為是接入網(wǎng)絡(luò)最具有應(yīng)用前景的技術(shù)之一，被廣泛采用。
GPON全名為Gigabit-capable PON，是G比特級(jí)的無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)，其傳輸速率最大可達(dá)2.5Gbps，并且支持多種服務(wù)，包括ATM，Ethernet，TDM，CATV，注重多業(yè)務(wù)，可說(shuō)是目前功能最強(qiáng)的PON網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，也是一種非常經(jīng)濟(jì)、面向?qū)拵У木W(wǎng)絡(luò)接入方式。但由于GPON標(biāo)準(zhǔn)復(fù)雜且開(kāi)發(fā)較晚，技術(shù)尚不成熟，因此目前GPON產(chǎn)品還未到商品化階段。
如圖1所示是GPON-ONU網(wǎng)絡(luò)布線原理圖，由圖可知其中光探測(cè)器接收靈敏度越高，OLT設(shè)備就可以支持更多的ONU設(shè)備，從而能有效地降低分?jǐn)傇诿繎舻脑O(shè)備成本。由于GPON的光探測(cè)器是發(fā)射和接收裝置，通過(guò)微光學(xué)組裝在一個(gè)很小的空間內(nèi)，且接收和發(fā)射的速率都很高，當(dāng)電口速率達(dá)到了2.5Gbps時(shí)電口輻射及傳導(dǎo)則必須重視，1.25Gbps的方波發(fā)射電信號(hào)很容易傳導(dǎo)致2.5Gbps接收部分，形成串?dāng)_，降低靈敏度甚至不能正常工作，而目前GPON-ONU網(wǎng)絡(luò)技術(shù)中的光探測(cè)器靈敏度普遍較差。
發(fā)明目的本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種有效提高GPON-ONU設(shè)備光探測(cè)器靈敏度的方法。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是依次包括組裝、LD耦合調(diào)試、焊接、測(cè)試、PD耦合調(diào)試、點(diǎn)黑膠、高低溫存儲(chǔ)等工序制作出單纖雙向傳輸光器件BOSA和光電轉(zhuǎn)換器件PIN/TIA，將這兩種光器件耦合成光探測(cè)器，在所述LD耦合調(diào)試和PD耦合調(diào)試中加入導(dǎo)電膠。
本發(fā)明利用射頻信號(hào)的趨膚效應(yīng)，用導(dǎo)電膠把2.5Gbps接收部分屏蔽，使來(lái)自發(fā)射部分的大部分干擾信號(hào)被擋在接收部分的屏蔽地，大大減少了對(duì)接收弱信號(hào)的串?dāng)_，靈敏度得以有較大的提高，使得GPON網(wǎng)絡(luò)中的OLT設(shè)備能夠支持更多的ONU設(shè)備。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)GPON-ONU網(wǎng)絡(luò)布線原理圖；圖2是單纖雙向傳輸光器件BOSA和光電轉(zhuǎn)換器件PIN/TIA的制作工藝流程圖；圖3是圖1中光探測(cè)器的制作工藝流程圖；圖4是圖2中BOSA和PIN/TIA耦合圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)GPON-ONU網(wǎng)絡(luò)布線原理圖，GPON的光網(wǎng)絡(luò)布線是采用PON結(jié)構(gòu)，其中ONU通過(guò)光探測(cè)器從OLT接受光信號(hào)。
如圖2所示，光探測(cè)器主要由單纖雙向傳輸光器件BOSA和光電轉(zhuǎn)換器件PIN/TIA耦合成，BOSA和PIN/TIA的制作步驟依次如下①清洗保證原料制作前是清潔的；②組裝組裝成設(shè)計(jì)好的結(jié)構(gòu)，為耦合作準(zhǔn)備；③LD耦合調(diào)試調(diào)試到要求的光功率；④焊接得到穩(wěn)定可靠可用的光功率；⑤測(cè)試判斷光功率是否滿足要求；⑥PD耦合調(diào)試調(diào)試得到要求的響應(yīng)度；
⑦點(diǎn)黑膠得到穩(wěn)定可靠可用的響應(yīng)度；⑧高低溫存儲(chǔ)固化黑膠，機(jī)械應(yīng)力釋放；⑨高低溫后的測(cè)試檢驗(yàn)光功率和響應(yīng)度是否滿足要求；⑩包裝按要求包裝，適于運(yùn)輸，識(shí)別，美觀。
將上述步驟中制成的BOSA和PIN/TIA進(jìn)行耦合時(shí)，在耦合工藝中第③步驟的LD調(diào)試中和第⑥步驟的PD調(diào)試中都要加入導(dǎo)電膠，兩次加入的導(dǎo)電膠的總量在0.3～0.6克間，電阻率小于0.0004ohm-cm，如圖4所示。
以上述方法制作成的光器件作原材料，依次以下述的工藝步驟制作成接入GPON-ONU網(wǎng)絡(luò)中的光探測(cè)器，如圖3所示①領(lǐng)料、檢料按BOM領(lǐng)原材料；②排針焊接為光模塊提供電接口引腳；③光器件焊接用烙鐵把BOSA焊接在PCB上，為光模提供光接口；④洗板去除焊接引入的污漬；⑤眼圖調(diào)試調(diào)整光發(fā)射部分的眼圖，滿足ITU-G.984對(duì)眼圖的要求；⑥組裝上外殼；⑦初測(cè)測(cè)試光電參數(shù)如光功率、靈敏度、突發(fā)時(shí)間等；⑧老化加電高溫老化對(duì)光模塊進(jìn)行篩選；⑨終測(cè)再次測(cè)試光電參數(shù)如光功率、靈敏度、突發(fā)時(shí)間等；⑩維修對(duì)于制程中的不合格品進(jìn)行處理維修或報(bào)廢。
即制作出靈敏度較高的光探測(cè)器。
權(quán)利要求
1.一種提高GPON-ONU設(shè)備光探測(cè)器靈敏度的方法，依次包括組裝、LD耦合調(diào)試、焊接、測(cè)試、PD耦合調(diào)試、點(diǎn)黑膠、高低溫存儲(chǔ)等工序制作出單纖雙向傳輸光器件BOSA和光電轉(zhuǎn)換器件PIN/TIA，將這兩種光器件耦合成光探測(cè)器，其特征是在所述LD耦合調(diào)試和PD耦合調(diào)試中加入導(dǎo)電膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高GPON-ONU設(shè)備光探測(cè)器靈敏度的方法，其特征是導(dǎo)電膠的電阻率小于0.0004ohm-cm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于提高G比特級(jí)的無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)GPON－ONU設(shè)備中的光探測(cè)器靈敏度的方法，依次包括組裝、LD耦合調(diào)試、焊接、測(cè)試、PD耦合調(diào)試、點(diǎn)黑膠、高低溫存儲(chǔ)等工序制作出單纖雙向傳輸光器件BOSA和光電轉(zhuǎn)換器件PIN/TIA，將這兩種光器件耦合成光探測(cè)器，在所述LD耦合調(diào)試和PD耦合調(diào)試中加入導(dǎo)電膠，本發(fā)明利用射頻信號(hào)的趨膚效應(yīng)，用導(dǎo)電膠把2.5Gbps接收部分屏蔽，使來(lái)自發(fā)射部分的大部分干擾信號(hào)被擋在接收部分的屏蔽地，大大減少了對(duì)接收弱信號(hào)的串?dāng)_，靈敏度得以有較大的提高，使得GPON網(wǎng)絡(luò)中的OLT設(shè)備能夠支持更多的ONU設(shè)備。
文檔編號(hào)H04B10/152GK1866792SQ20061004079
公開(kāi)日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月1日
發(fā)明者簡(jiǎn)小忠, 陳嶺 申請(qǐng)人:江蘇奧雷光電有限公司