實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及轉(zhuǎn)換電路，尤其涉及到實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在電源系統(tǒng)中，有低電壓轉(zhuǎn)換到高電壓的轉(zhuǎn)換，需要把低電壓信號(hào)傳到高電壓電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型旨在提供一種實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路。
[0004]實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路，包括第一 PMOS管、第一電阻、第一 NMOS管、第二 PMOS管、第二電阻、第二 NMOS管、第一 NPN管、第二 NPN管、第一 DMOS管和第三電阻:
[0005]所述第一 PMOS管的柵極接輸入IN和所述第一 NMOS管的柵極，源極接1V電源，漏極接所述第一電阻的一端；
[0006]所述第一電阻的一端接所述第一 PMOS管的漏極，另一端接所述第一 NMOS管的漏極和所述第二 PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的柵極；
[0007]所述第一 NMOS管的柵極接輸入IN和所述第一 PMOS管的柵極，源極接地，漏極接所述第一電阻的一端和所述第二 PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的柵極；
[0008]所述第二 PMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一 NMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的柵極，源極接1V電源，漏極接所述第二電阻的一端；
[0009]所述第二電阻的一端接所述第二 PMOS管的漏極，另一端接所述第二 NMOS管的漏極和所述第一 NPN管的集電極和所述第一 DMOS管的柵極；
[0010]所述第二 NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一 NMOS管的漏極和所述第二 PMOS管的柵極，源極接地，漏極接所述第二電阻的一端和所述第一 NPN管的集電極和所述第一 DMOS管的柵極；
[0011]所述第一 NPN管的基極接所述第二 NPN管的基極和集電極和所述第一 DMOS管的源極，集電極接所述第二電阻的一端和所述第二 NMOS管的漏極和所述第一 DMOS管的柵極，發(fā)射極接地；
[0012]所述第二 NPN管的基極和集電極接在一起再接所述第一 NPN管的基極和所述第一DMOS管的源極，發(fā)射極接地；
[0013]所述第一 DMOS管的柵極接所述第二電阻的一端和所述第二 NMOS管的漏極和所述第一 NPN管的集電極，源極接所述第一 NPN管的基極和所述第二 NPN管的基極和集電極，漏極接所述第三電阻的一端并作為整個(gè)轉(zhuǎn)換電路的輸出；
[0014]所述第三電阻的一端接600V電源，另一端接所述第一 DMOS管的漏極并作為整個(gè)轉(zhuǎn)換電路的輸出。
[0015]所述第一 PMOS管、所述第一電阻和所述第一 NMOS管構(gòu)成反相器驅(qū)動(dòng)由所述第二PMOS管、所述第二電阻和所述第二 NMOS管構(gòu)成的反相器再去驅(qū)動(dòng)所述第一 DMOS管，在設(shè)計(jì)管子尺寸上可以逐漸增加，提高驅(qū)動(dòng)能力；所述第一電阻和所述第二電阻是為了限流分別保護(hù)所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的源漏之間；輸入IN和輸出OUT相位反向，也即是輸入IN為高電平時(shí)輸出OUT為低電平，輸入IN為低電平時(shí)輸出OUT為高電平，輸入的高電平和輸出的高電平的電壓不同，一個(gè)是1V電壓，一個(gè)是600V電壓；所述第一 NPN管和所述第二 NPN管構(gòu)成鏡像電流，當(dāng)所述第一 DMOS管的柵極電壓為高電平時(shí)，從600V電源到所述第三電阻和所述第一 DMOS管和所述第二 NPN管形成有電流的通路，此時(shí)輸出OUT為低電平，所述第二 NPN管的電流通過(guò)鏡像給所述第一 NPN管，使得所述第二 PMOS管導(dǎo)通時(shí)電流通過(guò)所述第二電阻和所述第一 NPN管流到地；所述第一 DMOS管具有高壓工藝結(jié)構(gòu)能夠承受650V的耐壓。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對(duì)本【實(shí)用新型內(nèi)容】進(jìn)一步說(shuō)明。
[0018]實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路，如圖1所示，包括第一 PMOS管101、第一電阻102、第一NMOS 管 103、第二 PMOS 管 104、第二電阻 105、第二 NMOS 管 106、第一 NPN 管 107、第二 NPN管108、第一 DMOS管109和第三電阻110:
[0019]所述第一 PMOS管101的柵極接輸入IN和所述第一 NMOS管103的柵極，源極接1V電源，漏極接所述第一電阻102的一端；
[0020]所述第一電阻102的一端接所述第一 PMOS管101的漏極，另一端接所述第一 NMOS管103的漏極和所述第二 PMOS管104的柵極和所述第二 NMOS管106的柵極；
[0021]所述第一 NMOS管103的柵極接輸入IN和所述第一 PMOS管101的柵極，源極接地，漏極接所述第一電阻102的一端和所述第二 PMOS管104的柵極和所述第二 NMOS管106的柵極；
[0022]所述第二 PMOS管104的柵極接所述第一電阻102的一端和所述第一 NMOS管103的漏極和所述第二 NMOS管106的柵極，源極接1V電源，漏極接所述第二電阻105的一端；
[0023]所述第二電阻105的一端接所述第二PMOS管104的漏極，另一端接所述第二NMOS管106的漏極和所述第一 NPN管107的集電極和所述第一 DMOS管109的柵極；
[0024]所述第二 NMOS管106的柵極接所述第一電阻102的一端和所述第一 NMOS管103的漏極和所述第二 PMOS管104的柵極，源極接地，漏極接所述第二電阻105的一端和所述第一 NPN管107的集電極和所述第一 DMOS管109的柵極；
[0025]所述第一 NPN管107的基極接所述第二 NPN管108的基極和集電極和所述第一DMOS管109的源極，集電極接所述第二電阻105的一端和所述第二 NMOS管106的漏極和所述第一 DMOS管109的柵極，發(fā)射極接地；
[0026]所述第二 NPN管108的基極和集電極接在一起再接所述第一 NPN管107的基極和所述第一 DMOS管109的源極，發(fā)射極接地；
[0027]所述第一 DMOS管109的柵極接所述第二電阻105的一端和所述第二 NMOS管106的漏極和所述第一 NPN管107的集電極，源極接所述第一 NPN管107的基極和所述第二 NPN管108的基極和集電極，漏極接所述第三電阻110的一端并作為整個(gè)轉(zhuǎn)換電路的輸出；
[0028]所述第三電阻110的一端接600V電源，另一端接所述第一 DMOS管109的漏極并作為整個(gè)轉(zhuǎn)換電路的輸出。
[0029]所述第一 PMOS管101、所述第一電阻102和所述第一 NMOS管103構(gòu)成反相器驅(qū)動(dòng)由所述第二 PMOS管104、所述第二電阻105和所述第二 NMOS管106構(gòu)成的反相器再去驅(qū)動(dòng)所述第一 DMOS管109，在設(shè)計(jì)管子尺寸上可以逐漸增加，提高驅(qū)動(dòng)能力；所述第一電阻102和所述第二電阻105是為了限流分別保護(hù)所述第一 PMOS管101和所述第二 PMOS管104的源漏之間；輸入IN和輸出OUT相位反向，也即是輸入IN為高電平時(shí)輸出OUT為低電平，輸入IN為低電平時(shí)輸出OUT為高電平，輸入的高電平和輸出的高電平的電壓不同，一個(gè)是1V電壓，一個(gè)是600V電壓；所述第一 NPN管107和所述第二 NPN管108構(gòu)成鏡像電流，當(dāng)所述第一 DMOS管109的柵極電壓為高電平時(shí)，從600V電源到所述第三電阻110和所述第一DMOS管109和所述第二 NPN管108形成有電流的通路，此時(shí)輸出OUT為低電平，所述第二NPN管108的電流通過(guò)鏡像給所述第一 NPN管107，使得所述第二 PMOS管104導(dǎo)通時(shí)電流通過(guò)所述第二電阻105和所述第一 NPN管107流到地；所述第一 DMOS管109具有高壓工藝結(jié)構(gòu)能夠承受650V的耐壓。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括第一 PMOS管、第一電阻、第一 NMOS管、第二 PMOS管、第二電阻、第二 NMOS管、第一 NPN管、第二 NPN管、第一 DMOS管和第三電阻: 所述第一 PMOS管的柵極接輸入IN和所述第一 NMOS管的柵極，源極接1V電源，漏極接所述第一電阻的一端； 所述第一電阻的一端接所述第一 PMOS管的漏極，另一端接所述第一 NMOS管的漏極和所述第二 PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的柵極； 所述第一 NMOS管的柵極接輸入IN和所述第一 PMOS管的柵極，源極接地，漏極接所述第一電阻的一端和所述第二 PMOS管的柵極和所述第二 NMOS管的柵極； 所述第二 PMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一 NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的柵極，源極接1V電源，漏極接所述第二電阻的一端； 所述第二電阻的一端接所述第二 PMOS管的漏極，另一端接所述第二 NMOS管的漏極和所述第一 NPN管的集電極和所述第一 DMOS管的柵極； 所述第二 NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一 NMOS管的漏極和所述第二PMOS管的柵極，源極接地，漏極接所述第二電阻的一端和所述第一 NPN管的集電極和所述第一 DMOS管的柵極； 所述第一 NPN管的基極接所述第二 NPN管的基極和集電極和所述第一 DMOS管的源極，集電極接所述第二電阻的一端和所述第二 NMOS管的漏極和所述第一 DMOS管的柵極，發(fā)射極接地； 所述第二 NPN管的基極和集電極接在一起再接所述第一 NPN管的基極和所述第一 DMOS管的源極，發(fā)射極接地； 所述第一 DMOS管的柵極接所述第二電阻的一端和所述第二 NMOS管的漏極和所述第一NPN管的集電極，源極接所述第一 NPN管的基極和所述第二 NPN管的基極和集電極，漏極接所述第三電阻的一端并作為整個(gè)轉(zhuǎn)換電路的輸出； 所述第三電阻的一端接600V電源，另一端接所述第一 DMOS管的漏極并作為整個(gè)轉(zhuǎn)換電路的輸出。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路。實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的轉(zhuǎn)換電路包括第一PMOS管、第一電阻、第一NMOS管、第二PMOS管、第二電阻、第二NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一DMOS管和第三電阻。利用本實(shí)用新型提供的轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)崿F(xiàn)低壓到高壓轉(zhuǎn)換。
【IPC分類(lèi)】H03K19-0185
【公開(kāi)號(hào)】CN204392224
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520140800
【發(fā)明人】王文建
【申請(qǐng)人】杭州寬?？萍加邢薰?br>【公開(kāi)日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2015年3月12日