高壓?jiǎn)?dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高壓?jiǎn)?dòng)電路，可以直接從輸入電壓取電，用于給控制器供電端外接的啟動(dòng)電容充電，以啟動(dòng)控制器。本實(shí)用新型的高壓?jiǎn)?dòng)電路具備多種保護(hù)功能，且當(dāng)電源發(fā)生故障后，在保證電源和控制器可靠性的前提下，本實(shí)用新型的高壓?jiǎn)?dòng)還可以重啟控制器。
【專利說(shuō)明】
高壓?jiǎn)?dòng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源，特別涉及開(kāi)關(guān)電源的高壓?jiǎn)?dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002] -般來(lái)講，電源電路都會(huì)包含啟動(dòng)電路，以便在電源上電時(shí)啟動(dòng)控制器，驅(qū)動(dòng)變壓 器轉(zhuǎn)換電壓，實(shí)現(xiàn)電源的正常工作，此時(shí)控制器的供電可由輔助繞組提供。
[0003] 如圖1所示，傳統(tǒng)的電源啟動(dòng)電路，由一個(gè)大電阻RST(通常為兆歐量級(jí)）接到電源 輸入電壓和啟動(dòng)電容之間來(lái)提供一個(gè)電流對(duì)電容充電以完成控制器的啟動(dòng)。這個(gè)大電阻在 啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束后，會(huì)造成不必要的功耗浪費(fèi)。這一點(diǎn)在2013年7月10日公開(kāi)的公開(kāi)號(hào)為CN 103199692A的中國(guó)專利中有詳細(xì)的說(shuō)明，同時(shí)該專利還提出了一種低功耗高壓?jiǎn)?dòng)電路， 即用一個(gè)高壓晶體管從電源輸入端取電，給啟動(dòng)電容充電，高壓晶體管由另一個(gè)電路控制， 當(dāng)控制器完成啟動(dòng)后，就關(guān)閉高壓晶體管，截?cái)嗳‰娐窂剑?jié)省功耗。與這種高壓?jiǎn)?dòng)方式 類似的還有2014年8月6日公開(kāi)的公布號(hào)CN 103973089 A的中國(guó)專利。
[0004] 上述舉例的專利中雖然都能在控制器完成啟動(dòng)后，關(guān)閉高壓取電路徑，節(jié)省功耗， 但是缺少了一些必要的保護(hù)功能，例如，在啟動(dòng)電容出現(xiàn)連錫或虛焊等電源生產(chǎn)方面的工 藝缺陷時(shí)，上述高壓?jiǎn)?dòng)電路不能提供合理的保護(hù)策略，保護(hù)控制器和高壓?jiǎn)?dòng)電路不損 壞。
[0005] 1、啟動(dòng)電容連錫的危害
[0006] 啟動(dòng)電容連錫，即控制器供電端與參考地連接，控制器無(wú)法完成啟動(dòng)。這種情況 下，若沒(méi)有采取相應(yīng)保護(hù)策略，高壓?jiǎn)?dòng)電路將失去控制，一直從電源輸入端取電。舉例而 言，電源輸入電壓為300V，高壓?jiǎn)?dòng)電流為2mA，高壓?jiǎn)?dòng)電路將以600mW功率發(fā)熱，若這些 熱量長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)堆加，將引發(fā)啟動(dòng)電路熱損壞。
[0007] 2、啟動(dòng)電容虛焊的危害
[0008] 啟動(dòng)電容虛焊，即控制器供電端只存在焊盤電容及布線電容等寄生電容(一般為 IpF~3pF)。上述舉例專利的高壓?jiǎn)?dòng)電路的控制信號(hào)都是在控制器完成啟動(dòng)后，由控制器 或其他電路輸出的，而在啟動(dòng)完成到控制信號(hào)輸出之間不可避免存在傳輸延時(shí)（一般至少 為30ns~50ns)。若在啟動(dòng)電容虛焊的情況下，由于控制信號(hào)存在傳輸延時(shí)，使得高壓?jiǎn)?dòng) 電路來(lái)不及關(guān)斷，進(jìn)而導(dǎo)致控制器供電端電壓超過(guò)其耐受電壓，控制器就會(huì)過(guò)壓損壞。
[0009] 現(xiàn)按照一般情況給出以下參數(shù):高壓?jiǎn)?dòng)電流I cS2mA，上述寄生電容C為2pF，控 制器的啟動(dòng)電壓Vst為18V，控制器供電端耐受電壓V bv為30V，則由電容充放電公式可以算 出，高壓?jiǎn)?dòng)電路將控制器供電端電壓由啟動(dòng)電壓Vst充至耐受電壓V bv的時(shí)間T:
[0011] 可見(jiàn)時(shí)間T小于上述傳輸延時(shí)，即使不考慮惡劣環(huán)境導(dǎo)致傳輸延時(shí)增加的情況，因 啟動(dòng)電容虛焊而損壞控制器的風(fēng)險(xiǎn)也不可忽視。
[0012] 此外，為了保證在電源輸出短路時(shí)，電源停止工作的時(shí)間足夠長(zhǎng)（以充分散熱），啟 動(dòng)電路還需要具備在控制器欠壓鎖定后延遲一段時(shí)間再重新開(kāi)啟的功能。若沒(méi)有這個(gè)功 能，則控制器一欠壓鎖定，啟動(dòng)電路馬上又給啟動(dòng)電容充電，控制器再一次啟動(dòng)，電源立刻 又在輸出端短路的情況下工作，造成發(fā)熱量長(zhǎng)時(shí)間堆加，導(dǎo)致電源熱損壞。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0013](-)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0014] 1、在控制器完成啟動(dòng)后，關(guān)閉啟動(dòng)電路，節(jié)省功耗；
[0015] 2、在控制器供電端發(fā)生短路或斷路的情況下，對(duì)電路進(jìn)行保護(hù)；
[0016] 3、在控制器欠壓鎖定后延遲一段時(shí)間再重新開(kāi)啟啟動(dòng)電路。
[0017] (二)技術(shù)方案
[0018] 針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型公開(kāi)一種高壓?jiǎn)?dòng)電路，用以在啟動(dòng)時(shí)提供電流 給控制器的供電端VDD及啟動(dòng)電容C3，其包括：晶體管NDl、二極管Dl、匪OS管匪1、通斷控制 模塊110、大電流取電模塊120、小電流取電模塊130、使能模塊140和鉗位電路150,使能模塊 140用于控制匪OS管匪1、通斷控制模塊110和大電流取電模塊120的通斷，進(jìn)而改變高壓?jiǎn)?動(dòng)電路100的工作狀態(tài)，
[0019 ]在電源剛上電時(shí)，控制器尚未啟動(dòng)，其供電端VDD的電壓為OV，使能模塊140輸出低 電平信號(hào)，使匪OS管匪1關(guān)斷、通斷控制模塊110導(dǎo)通，進(jìn)而晶體管NDl持續(xù)導(dǎo)通，使輸入電源 經(jīng)晶體管NDl、二極管Dl和小電流取電模塊130后輸出，用于為控制器的供電端VDD提供低值 電流，以給啟動(dòng)電容C3充電；
[0020] 當(dāng)供電端VDD的電壓達(dá)到低預(yù)設(shè)電壓后，供電端VDD的電壓使大電流取電模塊120 開(kāi)始工作，并通過(guò)大電流取電模塊120短接小電流取電模塊130,使輸入電源經(jīng)晶體管ND1、 二極管Dl和大電流取電模塊120后輸出，用以為控制器的供電端VDD提供高值電流，以給啟 動(dòng)電容C3充電直至控制器啟動(dòng)；
[0021] 當(dāng)控制器啟動(dòng)后，使能模塊140將接收到控制器或其他電路發(fā)出的使能信號(hào)，然后 輸出高電平信號(hào)，使匪OS管匪1導(dǎo)通、通斷控制模塊110和大電流取電模塊120關(guān)斷，將晶體 管NDl柵極電壓拉低至參考地電壓，由于VDD電壓足夠高，晶體管NDl的柵源電壓能夠達(dá)到其 關(guān)斷閾值，進(jìn)而使晶體管NDl關(guān)斷，關(guān)閉尚壓?jiǎn)?dòng)電路;此時(shí)尚壓?jiǎn)?dòng)電路將不會(huì)從輸入電 壓取電，造成額外的功耗浪費(fèi)。其中，
[0022]當(dāng)供電端VDD短路時(shí)，短路電流經(jīng)小電流取電模塊連接到地，用以通過(guò)高壓?jiǎn)?dòng)電 路控制短路電流為低值電流；
[0023] 在控制器保護(hù)關(guān)斷時(shí)，使能模塊的靜態(tài)工作所需的能量由啟動(dòng)電容C3提供給供電 端VDD，在供電端VDD的電壓下降至高預(yù)設(shè)電壓時(shí)，使能模塊重新開(kāi)啟高壓?jiǎn)?dòng)電路，大電流 取電模塊工作，使輸入電源經(jīng)晶體管ND 1、二極管D1和大電流取電模塊后輸出，用以為控制 器的供電端VDD提供高值電流，以給啟動(dòng)電容C3充電直至控制器重新啟動(dòng)，使能模塊再一次 使晶體管NDl的柵源電壓達(dá)到其關(guān)斷閾值，進(jìn)而使晶體管NDl關(guān)斷，關(guān)閉高壓?jiǎn)?dòng)電路，如此 重復(fù)，控制器與高壓?jiǎn)?dòng)電路的交替開(kāi)啟與關(guān)閉，直至控制器檢測(cè)到保護(hù)消除。
[0024] 所述晶體管NDl可以選用高壓結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也可以選用耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體 管，用于控制由電源輸入電壓產(chǎn)生的啟動(dòng)電流的通斷，其漏極可以直接與電源輸入電壓連 接，也可以經(jīng)變壓器原邊繞組側(cè)與電源輸入電壓連接。
[0025]所述NMOS管匪1的柵極與使能模塊140的輸出連接;漏極與晶體管NDl的柵極連接； 源極接地。
[0026]作為通斷控制模塊110的一種【具體實(shí)施方式】，所述通斷控制模塊110,包括PMOS管 PMl和電阻Rl，PM0S管PMl的源極與晶體管NDl的源極連接;PMOS管PMl的柵極與使能模塊140 的輸出連接;PMOS管PMl的漏極經(jīng)電阻R1與晶體管ND 1的柵極連接。使能模塊140輸出的低電 平信號(hào)使得PMOS管PMl導(dǎo)通，晶體管NDl的源極經(jīng)PMOS管PMl的源、漏極和電阻Rl與晶體管 ND 1的柵極連接，若晶體管ND 1的柵極電壓沒(méi)有達(dá)到鉗位電路150的鉗位電壓，則晶體管ND 1 的柵源電壓為0V，晶體管NDl有足夠大的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)提供高值電流。
[0027] 作為通斷控制模塊110的另一種【具體實(shí)施方式】，所述通斷控制模塊110,包括電阻 Rl和二極管D2,電阻Rl的一端與晶體管NDl的柵極連接，電阻Rl的另一端分別與晶體管NDl 的源極及二極管D2的陰極連接，二極管D2的陽(yáng)極與使能模塊140的輸出連接。若在所使用的 半導(dǎo)體工藝中，晶體管NDl的閾值電壓與PMOS管PMl的閾值電壓接近，則存在通斷控制模塊 110在啟動(dòng)過(guò)程無(wú)法導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而影響高壓?jiǎn)?dòng)電路的性能，因此在這種情況下不能在 通斷控制模塊110中使用PMOS管PMl，而是直接將電阻Rl串聯(lián)在晶體管NDl的源極和柵極之 間。二極管D2的作用在于當(dāng)控制器完成啟動(dòng)后，通過(guò)使能模塊140輸出的高電平信號(hào)給晶體 管NDl源極施加足夠高的電壓，使得晶體管NDl完全截止。
[0028] 作為大電流取電模塊120的一種具體的實(shí)施方式，所述大電流取電模塊120包括電 阻R2、R3，PMOS管PM2，NMOS管匪2、NM3，和齊納管DZl，電阻R2的一端分別與二極管Dl的陰極 及PMOS管PM2的源極連接，電阻R2的另一端分別與PMOS管PM2的柵極及匪OS管匪2的漏極連 接，匪OS管匪2的源極接地;匪OS管匪2的柵極分別與電阻R3的一端、齊納管DZ1的陰極及 匪OS管匪3的漏極連接，電阻R3的另一端與PMOS管PM2的漏極連接，電阻R3的另一端還引出 作為大電流取電模塊120的輸出，用以為控制器的供電端VDD提供高值電流;齊納管DZl的陽(yáng) 極接地;NMOS管匪3的源極接地;NMOS管匪3的柵極與使能模塊140的輸出連接，其中，PMOS管 PM2的源極還與小電流取電模塊130的輸入連接，PMOS管PM2的漏極還與小電流取電模塊130 的輸出連接，用以在大電流取電模塊120開(kāi)始工作后，通過(guò)PMOS管PM2短接小電流取電模塊 130。當(dāng)控制器供電端VDD的電壓達(dá)到低預(yù)設(shè)電壓，即NMOS管匪2的開(kāi)啟閾值時(shí)，NMOS管匪2導(dǎo) 通，將PMOS管PM2的柵極電壓拉低至參考地電壓，PMOS管PM2導(dǎo)通，高值電流由電源輸入端經(jīng) 晶體管NDl、二極管Dl和PMOS管PM2流出供電端VDD，給啟動(dòng)電容C3充電。
[0029]作為小電流取電模塊130的一種具體的實(shí)施方式，所述小電流取電模塊130包括齊 納管DZ2和電阻R4。在本實(shí)用新型中，將兩個(gè)陰陽(yáng)極依次串聯(lián)的齊納管等效為齊納管DZ2,齊 納管DZ2的陰極為所述的兩個(gè)串聯(lián)齊納管空出來(lái)的陰極，其陽(yáng)極為兩者空出來(lái)的陽(yáng)極，類似 地，下文提到的齊納管DZ3是三個(gè)陰陽(yáng)極依次串聯(lián)的齊納管等效元件，齊納管DZ2、DZ3的陰 陽(yáng)極的定義相同，不再贅述。齊納管DZ2的陰極作為小電流取電模塊130的輸入，與二極管Dl 的陰極連接;齊納管DZ2的陽(yáng)極經(jīng)電阻R4引出作為小電流取電模塊130的輸出。小電流取電 模塊130只在供電端VDD的電壓低于低預(yù)設(shè)電壓時(shí)工作，給啟動(dòng)電容C3提供低值電流，依據(jù) 實(shí)際情況，低值電流可以比高值電流小1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。當(dāng)供電端VDD被短接到參考地時(shí)，流 經(jīng)高壓?jiǎn)?dòng)電路的電流為低值電流，可以大大減少了異常情況下的高壓?jiǎn)?dòng)電路功耗，起 到期望的保護(hù)效果。
[0030]作為使能模塊140的一種具體的實(shí)施方式，所述使能模塊140包括上電復(fù)位電路 141和RS觸發(fā)器142，上電復(fù)位電路141的輸入端作為使能模塊140的第一輸入端連接供電端 VDD，上電復(fù)位電路141的輸出端與RS觸發(fā)器142的復(fù)位端(R)連接;RS觸發(fā)器142的輸出端 (Q)引出作為使能模塊的輸出;RS觸發(fā)器142的置位端(S)引出作為使能模塊140的第二輸入 端，用于接收控制器20發(fā)出的使能信號(hào)。上電復(fù)位電路141能夠檢測(cè)供電端VDD的電壓，當(dāng) VDD電壓小于高預(yù)設(shè)電壓時(shí)，上電復(fù)位電路141輸出復(fù)位信號(hào)經(jīng)RS觸發(fā)器將高壓?jiǎn)?dòng)電路復(fù) 位，重新開(kāi)始給供電端啟動(dòng)電容C3充電，控制器重新啟動(dòng)后，使能模塊140再一次接收到使 能信號(hào)，關(guān)閉高壓?jiǎn)?dòng)電路。此處，高預(yù)設(shè)電壓小于控制器的欠壓鎖定電壓，使能模塊140能 夠直接從供電端VDD取電且靜態(tài)功耗極小，以確保發(fā)生電源輸出短路故障，控制器欠壓鎖定 后，能延遲足夠長(zhǎng)的時(shí)間再重新給啟動(dòng)電容C3充電，達(dá)到充分散熱的效果。所述的延遲時(shí)間 與啟動(dòng)電容C3和使能模塊140的靜態(tài)功耗有關(guān)，將在下文【具體實(shí)施方式】部分進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 [0031]作為鉗位電路150的一種具體的實(shí)施方式，所述鉗位電路150,包括齊納管DZ3和 NMOS管NM4，齊納管DZ3的陰極與晶體管NDl的柵極連接，齊納管DZ3的陽(yáng)極與NMOS管NM4的柵 極和漏極連接，NMOS管NM4的源極接地。
[0032]除非有額外說(shuō)明，否則本實(shí)用新型中出現(xiàn)的晶體管或MOS管的襯底都已經(jīng)與其源 極相連接，上文及下文不再贅述。
[0033] 以上對(duì)本實(shí)用新型的方法和電路各技術(shù)方案及技術(shù)特征的原理、作用等進(jìn)行了分 析，現(xiàn)將本實(shí)用新型的有益效果總結(jié)如下：
[0034] 1、高壓?jiǎn)?dòng)電路只有在控制器的啟動(dòng)過(guò)程中消耗能量，控制器啟動(dòng)后關(guān)閉高壓?jiǎn)?動(dòng)電路，節(jié)省能量；
[0035] 2、當(dāng)供電端VDD被短接到參考地時(shí)，能夠限制高壓?jiǎn)?dòng)電路的功耗，避免高壓?jiǎn)?dòng) 電路過(guò)熱損壞；
[0036] 3、當(dāng)供電端VDD斷路時(shí)，能夠限制供電端VDD的電壓，避免控制器過(guò)壓損壞；
[0037] 4、當(dāng)電源輸出短路，控制器欠壓鎖定后，能延遲足夠長(zhǎng)的時(shí)間再重新給啟動(dòng)電容 C3充電，減少短路功耗，讓電源充分散熱，避免電源過(guò)熱損壞。
【附圖說(shuō)明】
[0038] 圖1為傳統(tǒng)的電源啟動(dòng)電路的電路示意圖；
[0039]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1的尚壓?jiǎn)?dòng)電路的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0040]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1的尚壓?jiǎn)?dòng)電路的詳細(xì)電路不意圖；
[0041] 圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例1的電源輸出Vqut短路的相關(guān)波形示意圖；
[0042] 圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例2的高壓?jiǎn)?dòng)電路的詳細(xì)電路示意圖；
[0043] 圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例3高壓?jiǎn)?dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044] 為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施 例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí) 用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0045] 實(shí)施例1
[0046] 圖2所示為本實(shí)用新型實(shí)施例1的高壓?jiǎn)?dòng)電路100的結(jié)構(gòu)示意圖，其與整流器10、 變壓器T的連接，以控制啟動(dòng)電流的通斷和大小，不僅可以在正常情況下讓控制器20啟動(dòng)， 還可以在異常情況下保護(hù)各電路不被損壞。高壓?jiǎn)?dòng)電路100包括晶體管ND1、通斷控制模 塊110、二極管Dl、大電流取電模塊120、小電流取電模塊130、使能模塊140、鉗位電路150以 及 NMOS 管 NMl。
[0047]電源剛上電時(shí)，供電端VDD的電壓為OV，使能模塊140輸出低電平信號(hào)，使匪OS管 匪1關(guān)斷、通斷控制模塊110導(dǎo)通，進(jìn)而使晶體管NDl導(dǎo)通，使輸入電源經(jīng)晶體管ND1、二極管 D1和小電流取電模塊130后輸出，用于為控制器20的供電端VDD提供低值電流，以給啟動(dòng)電 容C3充電；
[0048]當(dāng)供電端VDD的電壓達(dá)到低預(yù)設(shè)電壓后，供電端VDD的電壓使大電流取電模塊120 開(kāi)始工作，并通過(guò)大電流取電模塊120短接小電流取電模塊130,使輸入電源經(jīng)晶體管ND1、 二極管D1和大電流取電模塊120后輸出，用以為控制器20的供電端VDD提供高值電流，以給 啟動(dòng)電容C3充電直至控制器20啟動(dòng)；
[0049]當(dāng)控制器20完成啟動(dòng)后，使能模塊140輸出高電平信號(hào)，使NMOS管匪1導(dǎo)通、通斷控 制豐旲塊110關(guān)斷，進(jìn)而使晶體管NDl關(guān)斷，關(guān)閉尚壓?jiǎn)?dòng)電路;其中，
[0050] 當(dāng)供電端VDD短路時(shí)，短路電流經(jīng)小電流取電模塊130連接到地，用以通過(guò)高壓?jiǎn)?動(dòng)電路控制短路電流為低值電流。
[0051] 在控制器保護(hù)關(guān)斷時(shí)，使能模塊的靜態(tài)工作所需的能量由啟動(dòng)電容C3提供給供電 端VDD，在供電端VDD的電壓下降至高預(yù)設(shè)電壓時(shí)，使能模塊重新開(kāi)啟高壓?jiǎn)?dòng)電路，大電流 取電模塊工作，使輸入電源經(jīng)晶體管ND 1、二極管D1和大電流取電模塊后輸出，用以為控制 器的供電端VDD提供高值電流，以給啟動(dòng)電容C3充電直至控制器重新啟動(dòng)，使能模塊再一次 使晶體管NDl的柵源電壓達(dá)到其關(guān)斷閾值，進(jìn)而使晶體管NDl關(guān)斷，關(guān)閉高壓?jiǎn)?dòng)電路，如此 重復(fù)，控制器與高壓?jiǎn)?dòng)電路的交替開(kāi)啟與關(guān)閉，直至控制器檢測(cè)到保護(hù)消除。
[0052]圖3所不為本實(shí)用新型實(shí)施例1的尚壓?jiǎn)?dòng)電路100的詳細(xì)電路不意圖，如圖3所 示，晶體管NDl在實(shí)施例1中為高壓耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于控制由電源輸入電壓產(chǎn)生的 啟動(dòng)電流的通斷，其漏極經(jīng)變壓器原邊繞組側(cè)與電源輸入電壓連接。
[0053]所述NMOS管匪1的柵極與使能模塊140的輸出連接;漏極與晶體管NDl的柵極連接； 源極接地。
[0054] 所述通斷控制模塊110,包括PMOS管PMl和電阻Rl，PM0S管PMl的源極與晶體管NDl 的源極連接;PMOS管PMl的柵極與使能模塊140的輸出連接;PMOS管PMl的漏極經(jīng)電阻Rl與晶 體管NDl的柵極連接。
[0055] 所述大電流取電模塊120,包括電阻R2、R3，PM0S管PM2,匪OS管匪2、匪3,和齊納管 DZl，電阻R2的一端分別與二極管Dl的陰極及PMOS管PM2的源極連接，電阻R2的另一端分別 與PMOS管PM2的柵極及NMOS管匪2的漏極連接，匪OS管匪2的源極接地;匪OS管匪2的柵極分 別與電阻R3的一端、齊納管DZl的陰極及匪OS管匪3的漏極連接，電阻R3的另一端與PMOS管 PM2的漏極連接，電阻R3的另一端還引出作為大電流取電模塊120的輸出，用以為控制器20 的供電端VDD提供高值電流;齊納管DZl的陽(yáng)極接地;NMOS管NM3的源極接地;NMOS管NM3的柵 極與使能模塊140的輸出連接，其中，PMOS管PM2的源極還與小電流取電模塊130的輸入連 接，PMOS管PM2的漏極還與小電流取電模塊130的輸出連接，用以在大電流取電模塊120開(kāi)始 工作后，通過(guò)PMOS管PM2短接小電流取電模塊130。
[0056]所述小電流取電模塊130包括齊納管DZ2和電阻R4,齊納管DZ2的陰極作為小電流 取電模塊130的輸入，與二極管Dl的陰極連接;齊納管DZ2的陽(yáng)極經(jīng)電阻R4引出作為小電流 取電模塊130的輸出。
[0057]所述使能模塊140包括上電復(fù)位電路141和RS觸發(fā)器142,上電復(fù)位電路141的輸入 端作為使能模塊140的第一輸入端連接供電端VDD，上電復(fù)位電路141的輸出端與RS觸發(fā)器 142的復(fù)位端(R)連接;RS觸發(fā)器142的輸出端(Q)引出作為使能模塊的輸出;RS觸發(fā)器142的 置位端(S)引出作為使能模塊140的第二輸入端，用于接收控制器20發(fā)出的使能信號(hào)。
[0058] 所述鉗位電路150,包括齊納管DZ3和匪OS管NM4,齊納管DZ3的陰極與晶體管NDl的 柵極連接，齊納管DZ3的陽(yáng)極與NMOS管NM4的柵極和漏極連接，NMOS管NM4的源極接地。
[0059]下面結(jié)合附圖分別介紹高壓?jiǎn)?dòng)電路100在不同工作條件下的工作過(guò)程及原理。 [0060] 1、正常啟動(dòng)的情況
[00611 a、低值電流充電過(guò)程。在電源剛上電時(shí)，控制器20尚未啟動(dòng)，其供電端VDD電壓為 0V，大電流取電模塊120不工作，RS觸發(fā)器142沒(méi)有供電電壓，因此RS觸發(fā)器142輸出端(Q)電 壓也為OV(又可稱為使能模塊140輸出低電平信號(hào)），即PMOS管PMl的柵極電壓為0V。根據(jù)公 知的半導(dǎo)體器件知識(shí)，此時(shí)晶體管NDl自然導(dǎo)通，晶體管NDl的源極電壓開(kāi)始上升;在實(shí)施例 1中，晶體管ND 1的閾值電壓的絕對(duì)值I Vth_NDi I大于PMOS管PMl的閾值電壓的絕對(duì)值I Vth_PMi I， 因此當(dāng)晶體管NDl的源極電壓上升到I Vth_PM11時(shí)，PMOS管PMl導(dǎo)通，晶體管NDl的柵極和源極 建立連接，為下文的鉗位電路150和大電流取電模塊120的正常工作做好準(zhǔn)備；電源輸入端 經(jīng)晶體管NDl、二極管Dl和小電流取電模塊130提供低值電流Ia給啟動(dòng)電容C3充電。
[0062]根據(jù)公知的場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極電流公式有：
[0063] Ια = β · (VGSL NDl-Vth NDl)2 (2)
[0064] 其中β是與工藝、晶體管尺寸相關(guān)的乘法因子，VgSL_ND 1是漏極電流為I CL時(shí)晶體管 NDl的柵源電壓，晶體管NDl的閾值電壓。由式（2)可見(jiàn)，當(dāng)?shù)椭惦娏鱅a極小時(shí)， VgSL_ND1 * Vth_NDl。如圖3所不，此處Vgsl_ndi還可以用下式描述：
[0065] Vgsl_ndi = Vg_ndi~Vs_ndi
[0066] =Vg_ndi-(Vdi+2 · Vdz+I cl · R4+Vdd) (3)
[0067] ? Vth-NDl
[0068] 其中Vg_ndi、Vs_ndi分別是晶體管NDl的柵極、源極電壓，Vdi是二極管Dl的正向?qū)?壓，Vdz是一個(gè)齊納管的反向擊穿電壓，R4是電阻R4的電阻值，Vdd是供電端VDD的電壓。在本 實(shí)用新型實(shí)施例1中，使用鉗位電路150將VG_ND1-位在一個(gè)合適的電壓，確?？刂破?0能正 常啟動(dòng)的同時(shí)，兼顧供電端VDD斷路保護(hù)，而在低值電流充電過(guò)程中，如式(3)所示￥ 5_^較 大，VG_NDj#達(dá)到鉗位電路150的鉗位電壓，即如圖3所示，此時(shí)有V G_ND1 = 3 · VDZ+VGS_NM4，代入 式(3)可得：
[0070] 其中VGS_NM4為匪OS管匪4的柵源電壓，同理當(dāng)匪OS管匪4的漏極電流極小時(shí)，V GS_NM4 近似等于其閾值電壓。因此通過(guò)調(diào)節(jié)電阻R4可以就能得到期望的低值電流Ia(例如Ια? 200uA) 〇
[0071] b、高值電流充電過(guò)程。當(dāng)供電端VDD電壓充電至低預(yù)設(shè)電壓Vset^，大電流取電模 塊120開(kāi)始工作，提供高值電流Ich給啟動(dòng)電容C3充電直至控制器20啟動(dòng)。
[0072]在本實(shí)用新型實(shí)施例1中，低預(yù)設(shè)電壓Vsetl即為匪OS管匪2的閾值電壓，當(dāng)供電端 VDD電壓達(dá)到匪OS管匪2的閾值電壓，匪OS管匪2導(dǎo)通，將PMOS管PM2的柵極電壓拉低，使得 PMOS管PM2導(dǎo)通，電源輸入端經(jīng)晶體管NDl、二極管Dl和PMOS管PM2的源漏溝道提供高值電流 Ich給啟動(dòng)電容C3充電，供電端VDD的電壓快速上升使得NMOS管匪2完全導(dǎo)通，將PMOS管PM2的 柵極電壓拉低至參考地電壓，PMOS管PM2也完全導(dǎo)通，將小電流取電模塊130短路，高值電流 Ich變成期望值(例如Ich ? 2mA)。如圖3所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例1中，此時(shí)晶體管NDl的源 極電壓小至鉗位電路150的鉗位電壓以下，鉗位電路150不工作，而RS觸發(fā)器142輸出 端(Q)電壓仍為0V，使得PMOS管PMl處于導(dǎo)通狀態(tài)，NMOS管匪1、匪3處于截止?fàn)顟B(tài)，晶體管NDl 的柵源電壓變?yōu)?V，故高值電流Ioi的期望值為晶體管NDl柵源電壓為OV時(shí)的漏極飽和電流。 [0073] c、高壓?jiǎn)?dòng)電路關(guān)閉過(guò)程。當(dāng)控制器20完成啟動(dòng)后，使能模塊140中RS觸發(fā)器142 的置位端(S)接收到控制器20發(fā)出的高電平使能信號(hào)，RS觸發(fā)器142的輸出端(Q)電壓變成 高電平，使得PMOS管PMl處于截止?fàn)顟B(tài)，NMOS管匪1、匪3處于導(dǎo)通狀態(tài)，將晶體管NDl和匪OS 管NM2的柵極電壓拉低至參考地電壓，關(guān)閉大電流取電模塊120,如式(3)所示，晶體管NDl的 源極電壓Vs_ND1上升，使得其柵源電壓V GS_ND1達(dá)到閾值電壓，晶體管NDl自然關(guān)斷，此時(shí)高壓?jiǎn)?動(dòng)電路將不會(huì)有額外的功耗浪費(fèi)。
[0074] 2、供電端VDD短路的情況
[0075]若啟動(dòng)電容C3連錫或發(fā)生其它故障使得控制器20的供電端VDD短路，則綜上所述 只有小電流取電模塊130工作，此時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)電路100只能給供電端VDD提供低值電流Ια，其 工作原理與低值電流充電過(guò)程相同，不再贅述。這樣，在供電端VDD短路情況下，能夠限制高 壓?jiǎn)?dòng)電路1 〇〇的功耗，避免高壓?jiǎn)?dòng)電路1 〇〇過(guò)熱損壞。
[0076] 3、供電端VDD斷路的情況
[0077]當(dāng)供電端VDD斷路時(shí)，鉗位電路150能將晶體管ND 1的柵極電壓VG_NDjmii，鉗位電壓 為3 · VdZ+VgS_NM4,因此當(dāng)晶體管NDl的源極電壓Vs_NDl上升到3 · VDZ+VGS_NM4+Vth_NDl時(shí)，晶體管 NDl自然關(guān)斷，如圖3所示，此時(shí)供電端VDD的電壓約為3 · VDZ+VGS_NM4+Vth_NDi-VD1 ? 21V，在控 制器20的安全電壓范圍內(nèi)，避免控制器20過(guò)壓損壞。上述參數(shù)的含義已經(jīng)在低值電流充電 過(guò)程中有詳細(xì)說(shuō)明，這里不再贅述。
[0078] 4、保護(hù)關(guān)斷的情況，以電源輸出短路為例
[0079] 圖4所示為本實(shí)用新型實(shí)施例1的電源輸出Vqut短路的相關(guān)波形示意圖。如圖4所 示，當(dāng)電源輸出短路時(shí)，控制器20檢測(cè)到故障并計(jì)時(shí)一段時(shí)間后（如計(jì)時(shí)40ms)，檢測(cè)到故障 持續(xù)存在，控制器20進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，關(guān)閉主功率開(kāi)關(guān)管SW的驅(qū)動(dòng)信號(hào)GATE，輔助繞組NA不能 給控制器20供電，由于控制器20存在靜態(tài)功耗，供電端VDD的電壓開(kāi)始以一個(gè)較大的斜率下 降；當(dāng)供電端VDD的電壓下降到控制器20的欠壓鎖定電壓V uvlq以下時(shí)，控制器20關(guān)閉，所述 的使能信號(hào)變成低電平，此時(shí)供電端VDD只給高壓?jiǎn)?dòng)電路的使能模塊140供電，供電端VDD 的電壓以另一個(gè)較小的斜率下降；由于此時(shí)供電端VDD的電壓仍大于上電復(fù)位電路141的高 預(yù)設(shè)電壓Vset2〈Vm〇,上電復(fù)位電路141仍然輸出低電平，RS觸發(fā)器142的輸出端(Q)電壓仍保 持為高電平，高壓?jiǎn)?dòng)電路100繼續(xù)斷開(kāi)充電電流，不給啟動(dòng)電容C3充電；由于使能模塊140 的功耗很小，因此從控制器20的欠壓鎖定電壓V uvlq開(kāi)始經(jīng)過(guò)足夠長(zhǎng)的延遲時(shí)間TD后，供電 端VDD的電壓才小于上電復(fù)位電路141的高預(yù)設(shè)電壓Vset2，上電復(fù)位電路141輸出高電平，使 得RS觸發(fā)器142輸出端(Q)電壓翻轉(zhuǎn)成低電平，高壓?jiǎn)?dòng)電路IOO重新給供電端VDD提供充電 電流，使控制器20重新啟動(dòng)，再完成一輪啟動(dòng)過(guò)程。在本實(shí)用新型實(shí)施例1中，高預(yù)設(shè)電壓 Vset2大于低預(yù)設(shè)電壓Vsetl，因此在上述正常啟動(dòng)情況中，高壓?jiǎn)?dòng)電路100直接從高值電流 啟動(dòng)過(guò)程開(kāi)始工作。同時(shí)，因高預(yù)設(shè)電壓V se3t2大于低預(yù)設(shè)電壓Vse3tl，也可稱高預(yù)設(shè)電壓Vse3t2 為高預(yù)設(shè)電壓、低預(yù)設(shè)電壓Vse3tl為低預(yù)設(shè)電壓。在本.實(shí)用新型實(shí)施例1中，供電端VDD需要 提供I OOuA來(lái)維持使能模塊140的正常工作，則所述延遲時(shí)間TD為：
[0081]由式(5)可見(jiàn)，在外圍電路中可以通過(guò)調(diào)節(jié)啟動(dòng)電容C3來(lái)獲得合適的延遲時(shí)間TD， 以便在電源輸出短路的情況下，給電源足夠長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行散熱，避免電源過(guò)熱損壞。
[0082] 若控制器重啟后仍然檢測(cè)到輸出短路故障，則重復(fù)進(jìn)行上述過(guò)程;否則，控制器正 常工作，電源正常輸出。如圖4所示，由于輸出短路故障持續(xù)了多個(gè)周期，每當(dāng)供電端VDD的 電壓達(dá)到控制器20的啟動(dòng)電壓，控制器20重啟后都會(huì)檢測(cè)到輸出短路故障，并重復(fù)上述的 計(jì)時(shí)、關(guān)閉驅(qū)動(dòng)信號(hào)GATE和控制器20欠壓關(guān)閉以及之后供電端VDD的電壓小于高預(yù)設(shè)電壓 Vse3t2時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)電路重新開(kāi)啟等過(guò)程，如此重復(fù)，控制器與高壓?jiǎn)?dòng)電路的交替開(kāi)啟與關(guān) 閉，直至控制器檢測(cè)到保護(hù)消除。
[0083] 在控制器20啟動(dòng)至計(jì)時(shí)結(jié)束的過(guò)程中，控制器都持續(xù)檢測(cè)輸出短路故障是否存 在，因此只要輸出短路故障排除，控制器20都會(huì)在當(dāng)次或下一次的啟動(dòng)至計(jì)時(shí)結(jié)束的過(guò)程 中檢測(cè)到并消除保護(hù)，使電源恢復(fù)正常輸出，實(shí)現(xiàn)電源的自恢復(fù)。
[0084] 實(shí)施例2
[0085]圖5所不為本實(shí)用新型實(shí)施例2的尚壓?jiǎn)?dòng)電路的詳細(xì)電路不意圖。如圖5所不，與 實(shí)施例1不同的是，在實(shí)施例2采用的工藝中，晶體管NDl的閾值電壓與PMOS管PMl的閾值電 壓相近，存在通斷控制模塊210在啟動(dòng)過(guò)程無(wú)法導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而影響高壓?jiǎn)?dòng)電路200的 性能，因此為了保證高壓?jiǎn)?dòng)電路200的正常使用，在實(shí)施例2中，通斷控制模塊210包括二 極管D2和電阻Rl，不使用PMOS管PMl。電阻Rl的一端與晶體管NDl的柵極連接，電阻Rl的另一 端分別與晶體管NDl的源極及二極管D2的陰極連接，二極管D2的陽(yáng)極與使能模塊140的輸出 連接。所述的通斷控制模塊210以及下文所述的使能模塊240和鉗位電路250在圖5中并未單 獨(dú)示出，它們?cè)陔娐返木唧w位置與圖2所示的同名結(jié)構(gòu)的位置相同。
[0086]這樣電阻Rl直接串聯(lián)在晶體管NDl的源極和柵極之間，高壓?jiǎn)?dòng)電路200上電后， 在晶體管NDl的柵極電壓（相對(duì)于參考地)未達(dá)到鉗位電路250的鉗位電壓前，晶體管NDl的 柵源電壓為0V，高壓?jiǎn)?dòng)電路200能夠正常完成與實(shí)施例1相同的工作過(guò)程。當(dāng)控制器20完 成啟動(dòng)后，使能模塊240輸出的高電平信號(hào)經(jīng)二極管D2給晶體管NDl源極施加足夠高的電 壓，使得晶體管NDl完全截止，節(jié)省能量。
[0087]與實(shí)施例1不同之處還在于，晶體管NDl的漏極可以直接或經(jīng)過(guò)電阻RIN與整流器 10的輸出端連接，不經(jīng)過(guò)變壓器T，變壓器T的原邊繞組NP可以與功率開(kāi)關(guān)管SW連接，以完成 電壓轉(zhuǎn)換，在圖5中未示出。實(shí)施例2表明高壓?jiǎn)?dòng)電路200可以通過(guò)外接電阻RIN或其他器 件來(lái)擴(kuò)展其應(yīng)用范圍，例如應(yīng)用于更高的輸入電壓場(chǎng)合。高壓?jiǎn)?dòng)電路200的工作過(guò)程及原 理與實(shí)施例1相同，這里不再贅述。
[0088] 實(shí)施例3
[0089] 圖6所示為本實(shí)用新型實(shí)施例3的高壓?jiǎn)?dòng)電路300的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，與 實(shí)施例1不同之處在于，高壓?jiǎn)?dòng)電路300的使能模塊340可以根據(jù)接收到的除控制器20外 的其他電路發(fā)出的使能信號(hào)，控制高壓?jiǎn)?dòng)電路300斷開(kāi)充電電流。高壓?jiǎn)?dòng)電路300的其 他工作過(guò)程和工作原理與實(shí)施例1相同，這里不再贅述。
[0090] 以上僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)指出的是，上述優(yōu)選實(shí)施例不應(yīng)視為對(duì) 本實(shí)用新型的限制。本實(shí)用新型的高壓?jiǎn)?dòng)電路可應(yīng)用在直流輸入電壓為40Vdc~700Vdc 的電壓范圍內(nèi)（對(duì)應(yīng)到交流輸入可為29Vac~494Vac)，但還應(yīng)認(rèn)識(shí)到，通過(guò)增加外部電路或 采用新工藝等其他方式，本實(shí)用新型可應(yīng)用于其它更為廣泛的范圍中。按照本實(shí)用新型的 上述內(nèi)容，利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本實(shí)用新型上述基本技術(shù)思 想前提下，本實(shí)用新型還可以做出其它多種形式的修改、替換或變更，例如根據(jù)實(shí)際工藝修 改相關(guān)的電壓或電流表達(dá)式，來(lái)獲得與本實(shí)用新型類似的有益效果，這些均落在本實(shí)用新 型權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高壓?jiǎn)?dòng)電路，用以在啟動(dòng)時(shí)提供電流給控制器的供電端VDD及啟動(dòng)電容C3,其 特征在于:包括晶體管NDl、二極管Dl、匪OS管匪1、通斷控制模塊、大電流取電模塊、小電流 取電模塊和使能模塊，使能模塊用于控制NMOS管匪1、通斷控制模塊和大電流取電模塊的通 斷，進(jìn)而改變高壓?jiǎn)?dòng)電路的工作狀態(tài)， 電源剛上電時(shí)，供電端VDD的電壓為0V，使能模塊控制WOS管匪1關(guān)斷、通斷控制模塊導(dǎo) 通，進(jìn)而使晶體管ND 1導(dǎo)通，使輸入電源經(jīng)晶體管ND 1、二極管D1和小電流取電模塊后輸出， 用于為控制器的供電端VDD提供低值電流，以給啟動(dòng)電容C3充電； 當(dāng)供電端VDD的電壓大于低預(yù)設(shè)電壓后，供電端VDD的電壓使大電流取電模塊開(kāi)始工 作，并通過(guò)大電流取電模塊短接小電流取電模塊，使輸入電源經(jīng)晶體管ND 1、二極管D1和大 電流取電模塊后輸出，用以為控制器的供電端VDD提供高值電流，以給啟動(dòng)電容C3充電直至 控制器啟動(dòng)； 當(dāng)控制器完成啟動(dòng)后，使能模塊控制NMOS管匪1導(dǎo)通、通斷控制模塊關(guān)斷，使晶體管NDl 的柵源電壓達(dá)到其關(guān)斷閾值，進(jìn)而使晶體管NDl關(guān)斷，關(guān)閉高壓?jiǎn)?dòng)電路。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述高壓?jiǎn)?dòng)電路， 在供電端VDD短路時(shí)，短路電流經(jīng)小電流取電模塊連接到地，用以通過(guò)高壓?jiǎn)?dòng)電路控 制短路電流為低值電流； 在控制器保護(hù)關(guān)斷時(shí)，使能模塊的靜態(tài)工作所需的能量由啟動(dòng)電容C3提供給供電端 VDD，在供電端VDD的電壓下降至高預(yù)設(shè)電壓時(shí)，使能模塊重新開(kāi)啟高壓?jiǎn)?dòng)電路，大電流取 電模塊工作，使輸入電源經(jīng)晶體管ND1、二極管Dl和大電流取電模塊后輸出，用以為控制器 的供電端VDD提供高值電流，以給啟動(dòng)電容C3充電直至控制器重新啟動(dòng)，使能模塊再一次使 晶體管NDl的柵源電壓達(dá)到其關(guān)斷閾值，進(jìn)而使晶體管NDl關(guān)斷，關(guān)閉高壓?jiǎn)?dòng)電路，如此重 復(fù)，控制器與高壓?jiǎn)?dòng)電路的交替開(kāi)啟與關(guān)閉，直至控制器檢測(cè)到保護(hù)消除。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述匪OS管匪1的柵極與使能 模塊的輸出連接;漏極與晶體管NDl的柵極連接;源極接地。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述通斷控制模塊，包括PMOS 管PMl和電阻Rl，PMOS管PMl的源極與晶體管NDl的源極連接;PMOS管PMl的柵極與使能模塊 的輸出連接;PMOS管PMl的漏極經(jīng)電阻Rl與晶體管NDl的柵極連接。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述通斷控制模塊，包括電阻 Rl和二極管D2,電阻Rl的一端與晶體管NDl的柵極連接，電阻Rl的另一端分別與晶體管NDl 的源極及二極管D2的陰極連接，二極管D2的陽(yáng)極與使能模塊的輸出連接。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述大電流取電模塊，包括電 阻R2、R3，PMOS管PM2，NMOS管匪2、NM3，和齊納管DZl，電阻R2的一端分別與二極管Dl的陰極 及PMOS管PM2的源極連接，電阻R2的另一端分別與PMOS管PM2的柵極及匪OS管匪2的漏極連 接，匪OS管匪2的源極接地;匪OS管匪2的柵極分別與電阻R3的一端、齊納管DZ1的陰極及 匪OS管匪3的漏極連接，電阻R3的另一端與PMOS管PM2的漏極連接，電阻R3的另一端還引出 作為大電流取電模塊的輸出，用以為控制器的供電端VDD提供高值電流;齊納管DZ1的陽(yáng)極 接地;NMOS管匪3的源極接地;NMOS管匪3的柵極與使能模塊的輸出連接，其中，PMOS管PM2的 源極還與小電流取電模塊的輸入連接，PMOS管PM2的漏極還與小電流取電模塊的輸出連接， 用以在大電流取電模塊開(kāi)始工作后，通過(guò)PMOS管PM2短接小電流取電模塊。7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述小電流取電模塊包括齊 納管DZ2和電阻R4，齊納管DZ2的陰極作為小電流取電模塊的輸入，與二極管Dl的陰極連接； 齊納管DZ2的陽(yáng)極經(jīng)電阻R4引出作為小電流取電模塊的輸出。8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述使能模塊包括上電復(fù)位 電路和RS觸發(fā)器，上電復(fù)位電路的輸入端作為使能模塊的第一輸入端，用于連接控制器的 供電端VDD;上電復(fù)位電路的輸出端與RS觸發(fā)器的復(fù)位端連接;RS觸發(fā)器的輸出端引出作為 使能模塊的輸出；RS觸發(fā)器的置位端引出作為使能模塊的第二輸入端，用于接收控制器發(fā) 出的使能信號(hào)。9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:還包括與晶體管NDl的柵極連 接的鉗位電路，在供電端VDD斷路時(shí)，鉗位電路對(duì)晶體管ND 1的柵極電壓進(jìn)行鉗位。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓?jiǎn)?dòng)電路，其特征在于:所述鉗位電路，包括齊納管DZ3 和NMOS管匪4，齊納管DZ3的陰極與晶體管NDl的柵極連接，齊納管DZ3的陽(yáng)極與NMOS管NM4的 柵極和漏極連接，NMOS管NM4的源極接地。
【文檔編號(hào)】H02M1/36GK205490127SQ201620094737
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月30日
【發(fā)明人】唐盛斌, 符威
【申請(qǐng)人】深圳南云微電子有限公司