一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，主要由處理芯片U1，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負(fù)極則與二極管整流器U的負(fù)極輸出端相連接的電容C1，與電容C1的正極相連接的浪涌保護(hù)電路，與電容C1的負(fù)極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2等組成。本發(fā)明可以對(duì)電壓進(jìn)行限壓，當(dāng)出現(xiàn)瞬時(shí)高電壓時(shí)其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內(nèi)，從而保護(hù)本發(fā)明使本發(fā)明不被瞬時(shí)高電壓損壞。
【專利說明】
一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種鎮(zhèn)流器，具體是指一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會(huì)的發(fā)展，鎮(zhèn)流器已被廣泛的應(yīng)用于日光燈上，鎮(zhèn)流器可以使輸入電流穩(wěn)定在燈管的額定電流范圍內(nèi)，而燈管兩端的電壓也被穩(wěn)定在額定的工作電壓范圍內(nèi)，起到降壓限流的作用，不僅保護(hù)了日光燈，而且使日光燈的照明效果更好。然而，傳統(tǒng)的鎮(zhèn)流器容易受到電磁干擾信號(hào)的影響，導(dǎo)致其穩(wěn)定性低，這嚴(yán)重的影響了日光燈的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服傳統(tǒng)的鎮(zhèn)流器容易受到電磁干擾信號(hào)影響的缺陷，提供一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，主要由處理芯片Ul，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負(fù)極則與二極管整流器U的負(fù)極輸出端相連接的電容Cl，與電容Cl的正極相連接的浪涌保護(hù)電路，與電容Cl的負(fù)極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2，串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4，分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路，以及N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經(jīng)電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3組成;所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護(hù)電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。
[0005]進(jìn)一步的，所述浪涌保護(hù)電路由三極管VT4，三極管VT5，場(chǎng)效應(yīng)管MOSl，場(chǎng)效應(yīng)管M0S2，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、另一端作為該浪涌保護(hù)電路的輸入端的電阻R9，串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極和柵極之間的電阻R10，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極相連接的電容C8，N極與場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的漏極相連接、P極經(jīng)電阻R13后接地的二極管D5，串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間的電阻Rll，以及P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極則與三極管VT5的基極相連接的二極管D4組成;所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接;所述三極管VT5的集電極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接;所述場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的源極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護(hù)電路的輸出端;所述浪涌保護(hù)電路的輸入端與電容Cl的正極相連接、其輸出端則與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。
[0006]所述電磁濾波電路由場(chǎng)效應(yīng)管M0S，三極管VTl，串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極和柵極之間的電阻Rl，P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極則與三極管VTl的發(fā)射極相連接的二極管Dl，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、負(fù)極則與三極管VTl的基極相連接的電容C2，負(fù)極與三極管VTl的集電極相連接、正極則與變壓輸出電路相連接的電容C3，P極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接的二極管D2，以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時(shí)接地的電容C4組成;所述電容Cl的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接;所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極還經(jīng)電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。
[0007]所述變壓輸出電路由變壓器T，三極管VT2，三極管VT3，串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間的電阻R5，正極與三極管VT2的集電極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R6后與三極管VT3的基極相連接的電容C5，正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R8后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電容C6，正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、負(fù)極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時(shí)接地的電容C7，以及串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間的電阻R7組成;所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發(fā)射極接地;所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。
[0008]所述處理芯片Ul為GR6953集成芯片。
[0009]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0010](I)本發(fā)明可以把工作中產(chǎn)生的電磁干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，降低電磁干擾信號(hào)對(duì)本發(fā)明的影響，極大的提高了本發(fā)明的穩(wěn)定性，使日光燈可以穩(wěn)定的工作，從而延長了日光燈的工作壽命。
[0011](2)本發(fā)明可以對(duì)電壓進(jìn)行限壓，當(dāng)出現(xiàn)瞬時(shí)高電壓時(shí)其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內(nèi)，從而保護(hù)本發(fā)明使本發(fā)明不被瞬時(shí)高電壓損壞。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本發(fā)明的浪涌保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0015]實(shí)施例
[0016]如圖1所示，本發(fā)明主要由處理芯片Ul，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負(fù)極則與二極管整流器U的負(fù)極輸出端相連接的電容Cl，與電容Cl的正極相連接的浪涌保護(hù)電路，與電容Cl的負(fù)極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2，串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4，分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路，以及N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經(jīng)電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3組成。
[0017]所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護(hù)電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。為了更好的實(shí)施本發(fā)明，所述處理芯片Ul優(yōu)選GR6953集成芯片來實(shí)現(xiàn)。
[0018]進(jìn)一步的，該電磁濾波電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，三極管VTl，電阻Rl，電容C2，電容C3，電容C4，二極管Dl以及二極管D2組成。
[0019]連接時(shí)，電阻Rl串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極和柵極之間。二極管Dl的P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其N極則與三極管VTl的發(fā)射極相連接。電容C2的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、其負(fù)極則與三極管VTI的基極相連接。電容C3的負(fù)極與三極管VTI的集電極相連接、其正極則與變壓輸出電路相連接。二極管D2的P極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接。電容C4的正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其負(fù)極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時(shí)接地。
[0020]同時(shí)，所述電容Cl的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接。所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極還經(jīng)電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。
[0021]另外，所述變壓輸出電路由變壓器T，三極管VT2，三極管VT3，電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，電容C5，電容C6以及電容C7組成。
[0022]連接時(shí)，電阻R5串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間。電容C5的正極與三極管VT2的集電極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R6后與三極管VT3的基極相連接。電容C6的正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R8后與三極管VT3的發(fā)射極相連接。電容C7的正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、其負(fù)極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時(shí)接地。電阻R7串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間。所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發(fā)射極接地。所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。日光燈則串接在變壓器T的副邊電感線圈的同名端和電容Cl的負(fù)極之間。
[0023]如圖2所示，該浪涌保護(hù)電路由三極管VT4，三極管VT5，場(chǎng)效應(yīng)管MOSl，場(chǎng)效應(yīng)管M0S2，電阻R9，電阻RlO，電阻RlI，電阻R12，電阻R13，電容C8，二極管D4以及二極管D5組成。
[0024]連接時(shí)，電阻R9的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其另一端作為該浪涌保護(hù)電路的輸入端并與電容Cl的正極相連接。電阻RlO串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極和柵極之間。電容C8的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極相連接。二極管D5的N極與場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的漏極相連接、其P極經(jīng)電阻Rl 3后接地。電阻Rl I串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間。二極管D4的P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其N極則與三極管VT5的基極相連接。
[0025]同時(shí)，所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接。所述三極管VT5的集電極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接。所述場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的源極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護(hù)電路的輸出端并與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。
[0026]工作時(shí)，本發(fā)明對(duì)工頻電源全波整流和功率因素校正后，使工頻電源變?yōu)橹绷麟娫?，直流電源?jīng)過變換后，輸出20K-1OOKHZ的高頻交流電源，從而保證日光燈獲得正常工作所需的電壓和電流。本發(fā)明可以把工作中產(chǎn)生的電磁干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，降低電磁干擾信號(hào)對(duì)本發(fā)明的影響，極大的提高了本發(fā)明的穩(wěn)定性，使日光燈可以穩(wěn)定的工作，從而延長了曰光燈的工作壽命。同時(shí)，本發(fā)明可以對(duì)電壓進(jìn)行限壓，當(dāng)出現(xiàn)瞬時(shí)高電壓時(shí)其可以把高電壓壓制在安全的電壓范圍值內(nèi)，從而保護(hù)本發(fā)明使本發(fā)明不被瞬時(shí)高電壓損壞。
[0027]如上所述，便可以很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，主要由處理芯片Ul，二極管整流器U，正極與二極管整流器U的正極輸出端相連接、負(fù)極則與二極管整流器U的負(fù)極輸出端相連接的電容Cl，與電容Cl的正極相連接的浪涌保護(hù)電路，與電容Cl的負(fù)極相連接的電磁濾波電路，一端與處理芯片U的RT管腳相連接、另一端則與電磁濾波電路相連接的電阻R2，串接在處理芯片Ul的PGND管腳和SGND管腳之間的電阻R4，分別與處理芯片Ul和電磁濾波電路相連接的變壓輸出電路，以及N極與處理芯片Ul的VB管腳相連接、P極經(jīng)電阻R3后與處理芯片Ul的VCC管腳相連接的二極管D3組成;所述處理芯片U的VCC管腳和HV管腳均與浪涌保護(hù)電路相連接、其VB管腳和VS管腳均與變壓輸出電路相連接、其CT管腳和SGND管腳均與電磁濾波電路相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述浪涌保護(hù)電路由三極管VT4，三極管VT5，場(chǎng)效應(yīng)管MOSl，場(chǎng)效應(yīng)管M0S2，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、另一端作為該浪涌保護(hù)電路的輸入端的電阻R9，串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極和柵極之間的電阻R10，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R12后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極相連接的電容C8，N極與場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的漏極相連接、P極經(jīng)電阻R13后接地的二極管D5，串接在三極管VT4的基極和三極管VT5的基極之間的電阻Rll，以及P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極則與三極管VT5的基極相連接的二極管D4組成;所述三極管VT4的基極接地、其集電極則與場(chǎng)效應(yīng)管MOSI的柵極相連接;所述三極管VT5的集電極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極則與二極管D5的P極相連接;所述場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的源極與場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其柵極則與三極管VT5的集電極相連接、其漏極作為該浪涌保護(hù)電路的輸出端;所述浪涌保護(hù)電路的輸入端與電容Cl的正極相連接、其輸出端則與處理芯片Ul的VCC管腳相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述電磁濾波電路由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，三極管VTI，串接在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極和柵極之間的電阻Rl，P極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極則與三極管VTl的發(fā)射極相連接的二極管Dl，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、負(fù)極則與三極管VTl的基極相連接的電容C2，負(fù)極與三極管VTI的集電極相連接、正極則與變壓輸出電路相連接的電容C3，P極與三極管VTI的發(fā)射極相連接、N極則與處理芯片Ul的CT管腳相連接的二極管D2，以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極則與處理芯片Ul的SGND管腳相連接的同時(shí)接地的電容C4組成;所述電容Cl的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接;所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極還經(jīng)電阻R2后與處理芯片Ul的RT管腳相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述變壓輸出電路由變壓器T，三極管VT2，三極管VT3，串接在三極管VT2的集電極和處理芯片Ul的VB管腳之間的電阻R5，正極與三極管VT2的集電極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R6后與三極管VT3的基極相連接的電容C5，正極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R8后與三極管VT3的發(fā)射極相連接的電容C6，正極與變壓器T的原邊電感線圈的同名端、負(fù)極則與變壓器T的原邊電感線圈的非同名端相連接的同時(shí)接地的電容C7，以及串接在電容C3的正極和變壓器T的原邊電感線圈的同名端之間的電阻R7組成;所述三極管VT2的基極與處理芯片Ul的VS管腳相連接、其發(fā)射極接地;所述三極管VT3的集電極與變壓器T的副邊電感線圈的非同名端相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于浪涌保護(hù)電路的低噪音電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述處理芯片Ul為GR6953集成芯片。
【文檔編號(hào)】H05B41/285GK105934061SQ201610413004
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年6月12日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】成都卡諾源科技有限公司