一種耐浪涌保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及飛機(jī)直流供電系統(tǒng)，更尤其設(shè)及耐浪涌保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002] GJB181《飛機(jī)供電特性及對(duì)用電設(shè)備的要求》規(guī)定了飛機(jī)電力系統(tǒng)中的用電設(shè)備 電功率輸入端的供電特性，并限制用電設(shè)備對(duì)供電系統(tǒng)的不利影響，使供電系統(tǒng)與用電設(shè) 備之間能夠協(xié)調(diào)。
[0003] 對(duì)于飛機(jī)直流供電系統(tǒng)，其正常工作狀態(tài)穩(wěn)態(tài)電壓范圍是22V~30V;其非正常工 作狀態(tài)的瞬態(tài)浪涌電壓范圍是8V~80V、瞬態(tài)尖峰電壓為±600V。一般的用電設(shè)備在穩(wěn)態(tài)電 壓范圍內(nèi)都能正常工作，但是不能耐受瞬態(tài)浪涌電壓和瞬態(tài)尖峰電壓。因此，在飛機(jī)直流供 電系統(tǒng)中迫切需要一種可W使用電設(shè)備免受瞬態(tài)浪涌電壓和瞬態(tài)尖峰電壓影響的耐浪涌 保護(hù)電路。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 為了使用電設(shè)備免受瞬態(tài)浪涌電壓和瞬態(tài)尖峰電壓影響W保證用電設(shè)備在正常 供電情況下或非正常供電情況下都能夠可靠工作，本實(shí)用新型提供了一種耐浪涌保護(hù)電 路，其特征在于，包括:瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路，所述瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路的輸入與直流 供電輸入連接;過壓浪涌保護(hù)電路，所述過壓浪涌保護(hù)電路的輸入與所述瞬態(tài)尖峰電壓抑 制電路的輸出連接;欠壓浪涌保護(hù)電路，所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸入與所述過壓浪涌保 護(hù)電路的輸出連接;其中，所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸出與用電設(shè)備連接W為該用電設(shè)備 供電。所述瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路被配置為將600V尖峰脈沖限制在80VW下。
[0005] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路包括瞬態(tài)電壓抑制二極管、第一電 容器、第二電容器W及第=電容器，其中瞬態(tài)電壓抑制二極管連接在正電壓輸入端和負(fù)電 壓輸入端之間，第一電容器、第二電容器W及第=電容器與瞬態(tài)電壓抑制二極管并聯(lián)連接。
[0006] 優(yōu)選地，所述瞬態(tài)電壓抑制二極管為雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，用于吸收正負(fù)脈 沖。更優(yōu)選地，所述雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管的額定電壓為78V。
[0007] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述過壓浪涌保護(hù)電路包括第四電容器、第五電容器、第六電容 器、第一電阻器、第二電阻器、第=電阻器、第一電壓錯(cuò)位功率晶體管和第一集成電路，第一 集成電路W如下方式配置:化引腳通過第二電阻器連接到所述過壓浪涌保護(hù)電路的輸出端 且扎引腳通過第S電阻器連接地電位；out引腳連接至所述過壓浪涌保護(hù)電路的輸出端； gate引腳通過第一電阻器連接至第一電壓錯(cuò)位功率晶體管的柵極且gate引腳通過第四電 容器連接至地電位;sns引腳連接至所述過壓浪涌保護(hù)電路的輸入端且sns引腳通過第五電 容器連接至地電位;VCC引腳連接至sns引腳;孟贏引腳、忠引腳W及en引腳閑置;gnd引腳 連接至地電位;tmr引腳通過第六電容器連接至地電位。第一電壓錯(cuò)位功率晶體管的源極連 接至所述過壓浪涌保護(hù)電路的輸出端，第一電壓錯(cuò)位功率晶體管的漏極連接至所述過壓浪 涌保護(hù)電路的輸入端。所述過壓浪涌保護(hù)電路的最高輸入電壓被設(shè)置為100V，所述過壓浪 涌保護(hù)電路被配置為將80V電壓限制在32VW下。
[0008] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述欠壓浪涌保護(hù)電路包括電感器、第屯電容器、第八電容器、 第九電容器、第十電容器、第十一電容器、第十二電容器、第四電阻器、第五電阻器、第六電 阻器、第屯電阻器、第八電阻器、二極管、第二電壓錯(cuò)位功率晶體管和第二集成電路，該第二 集成電路W如下方式配置:化n引腳通過第四電阻器連接至所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸入 端且化n引腳通過第九電容器連接至地電位；Ith引腳通過第八電容器連接至地電位且通過 串聯(lián)連接的第六電阻器和第十電容器連接至地電位;Freq引腳通過第屯電阻器連接至地電 位;Fb引腳通過第五電阻器連接至所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸出端且Fb引腳通過第八電阻 器連接至地電位;Vin引腳連接至所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸出端;Gate引腳連接至第二電 壓錯(cuò)位功率晶體管的柵極;Sense引腳連接至第二電壓錯(cuò)位功率晶體管的漏極;INTVcc引腳 和Mode/Sync引腳二者連接且都通過第十一電容器連接至地電位;Gnd引腳連接至地電位。 第二電壓錯(cuò)位功率晶體管的源極連接至地電位，第二電壓錯(cuò)位功率晶體管的漏極通過二極 管連接至所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸出端且通過電感器連接至所述欠壓浪涌保護(hù)電路的 輸入端;第屯電容器連接在所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸入端和地電位之間，第十二電容器 連接在所述欠壓浪涌保護(hù)電路的輸出端和地電位之間。所述欠壓浪涌保護(hù)電路被配置為將 8V電壓升高到20V。
[0009] 根據(jù)本實(shí)用新型所述的耐浪涌保護(hù)電路被配置為將電壓轉(zhuǎn)換到18V~32V之間。
[0010] 在飛機(jī)直流供電系統(tǒng)中使用根據(jù)本實(shí)用新型的耐浪涌保護(hù)電路能夠使用電設(shè)備 免受瞬態(tài)浪涌電壓和瞬態(tài)尖峰電壓影響，從而保證用電設(shè)備在正常供電情況下或非正常 供電情況下都能夠可靠工作。
【附圖說明】
[0011] 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征通過如下的參照附圖描述的實(shí)施方案會(huì)變得顯而易見， 在附圖中：
[0012] 圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的耐浪涌保護(hù)電路的示意性原理圖。
[0013] 圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路的一個(gè)實(shí)施例的電路原理 圖；
[0014] 圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的過壓浪涌保護(hù)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路原理圖；W 及
[0015] 圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型的欠壓浪涌保護(hù)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅是為了便于更好地理解本實(shí)用新型，而并 非限制本實(shí)用新型。
[0017] 圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的耐浪涌保護(hù)電路100的示意性原理圖。參照圖1，耐浪 涌保護(hù)電路100被示出在圖1中虛線框中，該耐浪涌保護(hù)電路100的電氣連接方式是前級(jí)電 路的輸出作為后級(jí)電路的輸入，各功能電路按照電壓從高到低的順序級(jí)聯(lián)。根據(jù)本實(shí)用新 型的耐浪涌保護(hù)電路100,包括:瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路101，該瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路101 的輸入與直流供電輸入S連接;過壓浪涌保護(hù)電路102,所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸入與 所述瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路101的輸出連接;欠壓浪涌保護(hù)電路103,所述欠壓浪涌保護(hù)電 路103的輸入與所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸出連接;其中，所述欠壓浪涌保護(hù)電路103的 輸出與用電設(shè)備E連接W為該用電設(shè)備E供電。根據(jù)本實(shí)用新型的耐浪涌保護(hù)電路能夠?qū)㈦?壓轉(zhuǎn)換到18V~32V之間，該范圍內(nèi)的電壓可供一般用電設(shè)備直接使用。
[0018] 圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路的一個(gè)實(shí)施例的電路原理 圖。參照圖2,所述瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路101包括瞬態(tài)電壓抑制二極管D11、第一電容器 Cll、第二電容器C12W及第=電容器C13,其中瞬態(tài)電壓抑制二極管Dll連接在正電壓輸入 端和負(fù)電壓輸入端之間，第一電容器C11、第二電容器C12W及第=電容器C13與瞬態(tài)電壓抑 制二極管Dll并聯(lián)連接。在該瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路中，瞬態(tài)電壓抑制二極管Dll起主要作 用，當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極管Dll兩端經(jīng)受浪涌電壓沖擊時(shí)，它能夠使其阻抗驟然降低，同時(shí) 吸收大電流，將其兩端的電壓巧位在預(yù)定值上，從而確保后面的電路元件不至受浪涌電壓 沖擊的影響而損壞。優(yōu)選地，瞬態(tài)電壓抑制二極管Dll為雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，可W吸 收正負(fù)脈沖。在本文所描述的瞬態(tài)尖峰電壓抑制電路的中，選用額定電壓為78V的雙向瞬態(tài) 電壓抑制二極管?？蒞根據(jù)需要選用其他電壓值。第一電容器C11、第二電容器C12W及第= 電容器C13為陶瓷電容器，其耐壓值和電容值可W根據(jù)設(shè)計(jì)需要選定。該瞬態(tài)尖峰電壓抑制 電路能夠?qū)?00V尖峰脈沖限制在80VW下。
[0019] 圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的過壓浪涌保護(hù)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路原理圖。參 照圖3,所述過壓浪涌保護(hù)電路102包括第四電容器C21、第五電容器C22、第六電容器C23、第 一電阻器R21、第二電阻器R22、第=電阻器R23、第一電壓錯(cuò)位功率晶體管Q21和第一集成電 路UU第一集成電路Ul是Linear Technology公司制造的LT4356集成電路，但是第一集成電 路Ul并不限制于LT4356集成電路），第一集成電路Ul W如下方式配置:化引腳通過第二電阻 器R22連接到所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸出端且扎引腳通過第=電阻器R23連接地電位 GND;out引腳連接至所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸出端;gate引腳通過第一電阻器R21連 接至第一電壓錯(cuò)位功率晶體管Q21的柵極且gate引腳通過第四電容器C21連接至地電位 GND;sns引腳連接至所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸入端且sns引腳通過第五電容器C22連 接至地電位GND; VCC引腳連接至sns引腳;油加引腳、雨引腳W及en引腳閑置;即d引腳連接 至地電位GND;tmr引腳通過第六電容器C23連接至地電位GND;其中，第一電壓錯(cuò)位功率晶體 管Q21的源極連接至所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸出端，第一電壓錯(cuò)位功率晶體管Q21的 漏極連接至所述過壓浪涌保護(hù)電路102的輸入端。
[0020] 該過壓浪涌保護(hù)電路102的工作原理如下，第一集成電路Ul通過第二電阻器R22、 第S電阻器R23槍測輸出由壓値，設(shè)定輸出電壓值為：
[0021]
[0022]設(shè)定輸出電壓值可W在OV~IOOV之間任意設(shè)定，例如，對(duì)于直流供電系統(tǒng)一般設(shè) 定為32V。當(dāng)檢測到輸出電壓值低于該設(shè)定輸出電壓值時(shí)，第一集成電路Ul控制第一電壓錯(cuò) 位功率晶體管Q21工作在全導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)輸出電壓￥0171 = ￥抑-(1。*1?<13。。他1))，其中1。為流 經(jīng)第一電壓錯(cuò)位功率晶體管Q21的電流，RdSDn(Qi)為第一電壓錯(cuò)位功率晶體管Q21的導(dǎo)通電 阻；當(dāng)檢測到輸出電壓值高于該設(shè)定輸出電壓值時(shí)，第一集成電路Ul控制第一電壓錯(cuò)位功 率晶體管Q