，并減小在使用該RF電源的工藝腔室中的反射功率。在一些實(shí)施例中，能以非單調(diào)方式將頻率從第一頻率增加或減少為第二頻率(也就是說，伴隨如在圖4中所示的第一時(shí)期期間的可能的中間頻率)，并且能以在第一頻率與第二頻率之間的某個(gè)頻率來(lái)點(diǎn)燃等離子體。在第一時(shí)期期間，可繼續(xù)將該頻率調(diào)整為第二頻率，直到將反射功率最小化到某個(gè)等級(jí)為止。在該第一時(shí)期期間，將匹配網(wǎng)絡(luò)維持在保持模式中。
[0038]在508處，在第二時(shí)期(例如，Tfreq_ranp)期間，將頻率從第二頻率(例如，f\)調(diào)整到第三頻率(例如，fx)。該第三頻率與第二頻率不同，并且在一些實(shí)施例中，該第三頻率可以是預(yù)定的已知量(例如，目標(biāo)值)。在一些實(shí)施例中，在510處，在第二時(shí)期期間的某時(shí)刻(例如，在!；—時(shí)期之后，其中，T hold>Tvar freq)，將匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式從保持模式改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以進(jìn)一步減小反射功率，同時(shí)將由RF功率源提供的頻率調(diào)整為第三已知的頻率。在其他實(shí)施例中，在510處，在第一時(shí)期期間的某時(shí)刻(例如，在!；-時(shí)期之后，其中Thc]ld〈T.—fraq)，將匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式從保持模式改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以進(jìn)一步減小反射功率，同時(shí)將由RF功率源提供的頻率調(diào)整為第三已知的頻率。
[0039]方法500結(jié)束于514處。
[0040]雖然前述內(nèi)容是針對(duì)本公開的實(shí)施例，但是可設(shè)計(jì)本公開的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不背離本公開的基本范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于在工藝腔室中進(jìn)行等離子體處理的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 第一 RF電源，所述第一 RF電源具有頻率調(diào)諧； 第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)耦合至所述第一 RF電源；以及控制器，所述控制器用于控制所述第一 RF電源與所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)，其中，所述控制器經(jīng)配置以:通過以下方式中的至少一種來(lái)發(fā)起等離子體轉(zhuǎn)換:指示所述RF電源將RF功率提供給所述工藝腔室；指示所述RF電源改變傳送至所述工藝腔室的RF功率的等級(jí)；或改變所述工藝腔室中的壓力，其中，所述RF電源以第一頻率操作，并且所述匹配網(wǎng)絡(luò)處于保持模式；在第一時(shí)期期間，指示所述RF電源將所述第一頻率調(diào)整為第二頻率以點(diǎn)燃所述等離子體； 在第二時(shí)期期間，指示所述RF電源將所述第二頻率調(diào)整為已知的第三頻率，同時(shí)維持所述等離子體；以及 將所述匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以減小由所述RF電源提供的RF功率的反射功率。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)嵌入在所述第一RF電源內(nèi)，并且其中，所述控制器基于在所述第一 RF電源的輸出處測(cè)得的、由共同的傳感器提供的共同的反射功率讀數(shù)來(lái)控制以下兩者:對(duì)所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)的調(diào)諧；以及RF循環(huán)的頻率。3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，將所述反射功率減小為在由所述RF電源提供的正向功率的約0%與20%之間。4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，在所述第一時(shí)期期間，在點(diǎn)燃所述等離子體之后，將所述第一頻率調(diào)整為所述第二頻率以減小來(lái)自所述RF電源的反射功率。5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述反射功率的幅度是預(yù)定的閾值，當(dāng)達(dá)到所述預(yù)定的閾值時(shí)，所述預(yù)定的閾值指示所述第一時(shí)期的結(jié)束。6.如權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一時(shí)期是已知的預(yù)定值。7.一種用于在工藝腔室中進(jìn)行等離子體處理的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 工藝腔室，所述工藝腔室具有天線組件與基板支撐基座； 第一匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)耦合至所述天線組件； 第一 RF源，所述第一 RF源耦合至所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)； 匹配網(wǎng)絡(luò)； 第二匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)耦合至所述基板支撐基座； 第二 RF源，所述第二 RF源耦合至所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)； 控制器，用于控制所述第一 RF源、所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)、所述第二 RF源與所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)，其中，所述控制器經(jīng)配置以: 指示所述第一 RF源將RF功率提供給所述工藝腔室，其中，所述第一源以第一頻率操作，并且所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)處于保持模式； 在第一時(shí)期期間，指示所述第一 RF源將所述第一頻率調(diào)整為第二頻率以點(diǎn)燃所述等離子體； 在第二時(shí)期期間，指示所述第一 RF源將所述第二頻率調(diào)整為已知的第三頻率，同時(shí)維持所述等離子體；以及 將所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以減小由所述第一 RF源提供的RF功率的反射功率。8.一種用于在工藝腔室中進(jìn)行等離子體處理的方法，所述方法使用經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)耦合至所述工藝腔室的RF電源，所述方法包括: 通過以下方式中的至少一種來(lái)發(fā)起等離子體轉(zhuǎn)換:將RF功率提供給所述工藝腔室；改變傳送至所述工藝腔室的RF功率的等級(jí)；或改變所述工藝腔室中的壓力，其中，所述RF電源正以第一頻率操作，并且所述匹配網(wǎng)絡(luò)處于保持模式； 在第一時(shí)期期間，使用所述RF電源將所述第一頻率調(diào)整為第二頻率以點(diǎn)燃所述等離子體； 在第二時(shí)期期間，使用所述RF電源將所述第二頻率調(diào)整為已知的第三頻率，同時(shí)維持所述等離子體；以及 將所述匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以減小由所述RF電源提供的RF功率的反射功率。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一時(shí)期期間，所述匹配網(wǎng)絡(luò)被維持在所述保持模式中。10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第二時(shí)期期間，所述匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式被改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以減小所述反射功率，同時(shí)所述第二頻率被調(diào)整為所述已知的第三頻率。11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一時(shí)期期間，所述匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式被改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式。12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一時(shí)期期間，在點(diǎn)燃了所述等離子體之后，所述第一頻率被調(diào)整為所述第二頻率以減小來(lái)自所述RF電源的反射功率。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射功率的幅度是預(yù)定的閾值，當(dāng)達(dá)到所述預(yù)定的閾值時(shí)，所述預(yù)定的閾值指示所述第一時(shí)期的結(jié)束。14.如權(quán)利要求8-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述反射功率被減小為在由所述RF電源提供的正向功率的約0%與20%之間。15.如權(quán)利要求8-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一時(shí)期是已知的預(yù)定值。
【專利摘要】本公開的諸實(shí)施例包括用于使用經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)耦合至工藝腔室的RF電源在該工藝腔室中進(jìn)行等離子體處理的方法與設(shè)備。在一些實(shí)施例中，該方法包括：當(dāng)匹配網(wǎng)絡(luò)處于保持模式時(shí)，由RF電源以第一頻率將RF功率提供給工藝腔室；在第一時(shí)期期間，使用RF電源將第一頻率調(diào)整為第二頻率以點(diǎn)燃等離子體；在第二時(shí)期期間，使用RF電源將第二頻率調(diào)整為已知的第三頻率，同時(shí)維持等離子體；以及將匹配網(wǎng)絡(luò)的操作模式改變?yōu)樽詣?dòng)調(diào)諧模式以減小由RF電源提供的RF功率的反射功率。
【IPC分類】H01L21/3065, H05H1/46
【公開號(hào)】CN105247967
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480028235
【發(fā)明人】W·比沙拉, S·巴納
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2014年5月29日
【公告號(hào)】US20140367043, WO2014204627A1