溫度轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)來實(shí)施電流的檢測(cè)。具體地，熱敏電阻溫度探頭直接放在第一電阻Rl上面，根據(jù)熱敏電阻的阻值隨著溫度的變化而變化，Vctrf的電壓隨著第一電阻Rl的溫度的變化而變化，而第一電阻Rl的溫度的變化又是隨著輸入電流的有效值的變化而變化，所以Vctr3的電壓變化可以反映輸出輸入電流有效值的變化。圖5a是接入可控硅之后電流采樣點(diǎn)A2點(diǎn)的電流波形圖；圖513是接入可控硅之后電流采樣點(diǎn)A2點(diǎn)的電壓波形圖；圖5c是圖4a和圖4b所示Vctr3處的電壓波形圖。圖中的橫軸t表示時(shí)間，縱軸iA2表示A2點(diǎn)的電流，VA2表示A2點(diǎn)的電壓，Vctr3表示圖中Vctr3處的電壓。
[0060]圖6為本發(fā)明可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例五的原理示意圖，如圖6所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，作為一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，所述保護(hù)電路112包括電壓采樣電路1121和遲滯比較器1122，所述電壓采樣電路1121的第一端與所述電壓峰值處理電路1112的第二端(圖中輸出Vctrl的一端)連接，所述電壓采樣電路1121的第二端與所述遲滯比較器1122的第一輸入端連接；所述遲滯比較器1122的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷篤ref ;所述遲滯比較器1122的輸出端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接；所述電壓采樣電路1121用于根據(jù)所述電壓峰值處理電路1112輸出的電壓進(jìn)行采樣計(jì)算獲取輸出電壓，所述遲滯比較器1122用于將所述輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；若所述遲滯比較器1122比較出所述輸出電壓大于參考電壓，則輸出低電平關(guān)閉所述功率轉(zhuǎn)換電路；若所述遲滯比較器1122比較出所述輸出電壓小于參考電壓，則輸出高電平啟動(dòng)所述功率轉(zhuǎn)換電路。
[0061 ] 在本實(shí)施例中，所述電流采樣點(diǎn)Al設(shè)置在整流橋BD的第二輸出端和功率轉(zhuǎn)換電路之間，圖7a是可控硅接入之后電流采樣點(diǎn)Al的電流波形圖，如圖7a所示，橫軸表示時(shí)間，縱軸iAl表示電流采樣點(diǎn)Al點(diǎn)的電流波形如圖7a所示。所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路具體為串聯(lián)在可控硅TRIACl和功率轉(zhuǎn)換電路之間的電阻R3，通過采樣串聯(lián)在整流橋BD和功率轉(zhuǎn)換電路之間電阻R3的電壓來檢測(cè)輸入的電流，圖7b是接入可控硅之后圖6中BI點(diǎn)的電壓波形圖；如圖7b所不，橫軸表不時(shí)間，縱軸VBl表不圖6中BI點(diǎn)的的電壓。所述電壓峰值處理電路1112與所述電阻R3并聯(lián)連接并對(duì)電阻R3上的電壓進(jìn)行峰值處理。較佳的，所述電壓峰值處理電路1112可以是由電容Cl與電阻R4并聯(lián)后與二極管Dl串聯(lián)的電路組成，峰值處理后的電壓信號(hào)Vctrl發(fā)送到保護(hù)電路。圖7c是圖6所示Vctrl處的電壓波形圖；如圖7c所示，橫軸表示時(shí)間，縱軸Vctrl表示圖6中Vctrl處的電壓。所述保護(hù)電路112優(yōu)選包括電壓采樣電路1121及遲滯比較器1122，所述電壓采樣電路1121用于對(duì)電壓峰值處理電路1112輸出的電壓進(jìn)行多次采樣，并輸出平均電壓值；所述遲滯比較器1122與所述電壓采樣電路1121連接，用于將所述電壓采樣電路1121輸出的平均電壓值與遲滯比較器1122的參考電壓Vref比較，若所述平均電壓值大于所述參考電壓，則輸出低電平，以控制所述功率轉(zhuǎn)換電路停止功率轉(zhuǎn)換，否則輸出高電平，以控制所述功率轉(zhuǎn)換電路啟動(dòng)功率轉(zhuǎn)換。
[0062]在本實(shí)施例提供的可控硅電流保護(hù)電路簡(jiǎn)單可靠，通過檢測(cè)輸入電流的大小，其中通過將電流轉(zhuǎn)化為電壓并進(jìn)行峰值處理，通過對(duì)比處理后的電壓來判斷輸入電流的大小，判斷后由保護(hù)電路控制功率轉(zhuǎn)換電路開啟或關(guān)閉工作，從而使可控硅能夠安全可靠地兼容應(yīng)用到調(diào)光電路等電路中，更好地保護(hù)電路中的模塊、元件，防止調(diào)光電路、LED照明設(shè)備等接入電路受破壞。
[0063]圖8為本發(fā)明可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例六的原理示意圖，如圖8所示，在上述圖1或圖2所示的實(shí)施例的基礎(chǔ)上，作為另一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，電流采樣點(diǎn)為圖中的A3，所述可控硅檢測(cè)電路111包括電流傳感器1113和檢測(cè)電路1114，所述電流傳感器1113的第一端與所述電流采樣點(diǎn)A3連接，所述電流傳感器1113的第二端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接，所述電流傳感器1113第三端與所述檢測(cè)電路1114的第一端連接，所述檢測(cè)電路1114的第二端與所述保護(hù)電路112連接，所述電流傳感器1113用于在可控硅接入時(shí)，檢測(cè)所述電流采樣點(diǎn)A3通過的電流，所述檢測(cè)電路1114用于將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓并輸出到所述保護(hù)電路112。
[0064]圖9為本發(fā)明可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例七的原理示意圖，如圖9所示，在上述圖8所示的實(shí)施例的基礎(chǔ)上，作為一種具體的實(shí)現(xiàn)方式，所述保護(hù)電路112包括電壓采樣電路1121和遲滯比較器1122，所述電壓采樣電路1121的第一端與所述檢測(cè)電路1114的第二端連接(即圖9中的Vctrf處)，所述電壓采樣電路1121的第二端與所述遲滯比較器1122的第一輸入端連接；所述遲滯比較器1122的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷?；所述遲滯比較器1122的輸出端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接；所述電壓采樣電路1121用于根據(jù)所述檢測(cè)電路1114輸出的電壓進(jìn)行采樣計(jì)算獲取輸出電壓，所述遲滯比較器1122用于將所述輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；若所述遲滯比較器1122比較出所述輸出電壓大于參考電壓，則輸出低電平關(guān)閉所述功率轉(zhuǎn)換電路；若所述遲滯比較器1122比較出所述輸出電壓小于參考電壓，則輸出高電平啟動(dòng)所述功率轉(zhuǎn)換電路。
[0065]在本實(shí)施例中，與上述實(shí)施例不同的是所述可控硅電流保護(hù)電路11中的可控硅檢測(cè)電路111包括電流傳感器1113，所述電流傳感器1113串聯(lián)在可控硅TRIAC3與所述功率轉(zhuǎn)換電路之間，所述電流傳感器1113用于采集可控硅TRIAC3流向所述功率轉(zhuǎn)換電路的電流；為了檢測(cè)接入可控硅TRIAC3后A3點(diǎn)的電流，將一電流傳感器1113串聯(lián)在A3點(diǎn)與功率轉(zhuǎn)換電路之間，電流傳感器采集A3點(diǎn)的電流，輸出與A3點(diǎn)的電流成正比電流，輸出的電流可以形成新的電流采樣點(diǎn)B3，將B3點(diǎn)的電流同樣進(jìn)行電流電壓轉(zhuǎn)換、電壓峰值處理，即把電流傳感器輸出的電流，通過檢測(cè)電路1114，輸出電壓信號(hào)Vctr3。在本實(shí)現(xiàn)中，檢測(cè)電路1114通過二極管D2、電阻R5、電容C3和電阻R6如圖所示連接實(shí)現(xiàn)，將B3點(diǎn)的電流轉(zhuǎn)換成電壓，輸出到保護(hù)電路112。圖1Oa是可控硅接入之后電流采樣點(diǎn)A3的電流波形圖，如圖1Oa所示，橫軸t表示時(shí)間，縱軸iA3表示A3點(diǎn)的電流；圖1Ob是可控娃接入之后電流傳感器輸出端B3的電流波形圖，如圖1Ob所示，橫軸t表示時(shí)間，縱軸iB3表示圖中點(diǎn)B3的電流；圖1Oc是圖9所示Vctr3處的電壓波形圖，如圖1Oc所示，橫軸t表示時(shí)間，縱軸Vctr3表示峰值處理后發(fā)送給保護(hù)電路的電壓信號(hào)Vctrf的電壓。
[0066]本實(shí)施例提供的可控硅電流保護(hù)電路，通過電流傳感器檢測(cè)輸入電流的大小，其中通過檢測(cè)電路將電流轉(zhuǎn)化為電壓并進(jìn)行峰值處理，通過對(duì)比處理后的電壓來判斷輸入電流的大小，判斷后由保護(hù)電路控制功率轉(zhuǎn)換電路開啟或關(guān)閉工作，從而使可控硅能夠安全可靠地兼容應(yīng)用到調(diào)光電路等電路中，更好地保護(hù)電路中的模塊、元件，防止調(diào)光電路、LED照明設(shè)備等接入電路受破壞。
[0067]圖11為本發(fā)明調(diào)光電路實(shí)施例一的原理示意圖；如圖11所示，該調(diào)光電路包括:供電電路10、可控硅調(diào)光器12、功率轉(zhuǎn)換電路13和圖1至圖9所示的任一實(shí)施例中的可控硅電流保護(hù)電路11 ;所述供電電路10與所述可控硅調(diào)節(jié)器12的一端連接，所述可控硅調(diào)光器12的另一端與所述可控硅電流保護(hù)電路11的第一端連接；所述可控硅電流保護(hù)電路11的第二端與所述功率轉(zhuǎn)換電路13的第一輸入端連接；所述可控硅電流保護(hù)電路11的第三端與所述功率轉(zhuǎn)換電路13的第二輸入端連接，所述可控硅調(diào)光器12包括可控硅。
[0068]本實(shí)施例提供一種包括可控硅電流保護(hù)電路的調(diào)光電路，功率轉(zhuǎn)換電路13用于進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換，可以是DC轉(zhuǎn)DC的電源電路或者是AC轉(zhuǎn)DC的電源電路，例如各種適配器或其他電路裝置等。所述可控硅調(diào)光器11包括可控硅，本發(fā)明中的可控硅采用三端雙向可控娃開關(guān)元件(TRIAC，TR1de AC semiconductor switch，也叫雙向晶閘管)，可以理解的，也可以是其他類型的可控硅元件。
[0069]本實(shí)施例提供的調(diào)光電路，在可控硅調(diào)節(jié)器和功率轉(zhuǎn)換電路之間設(shè)置了可控硅電流保護(hù)電路，當(dāng)可控硅接入時(shí)，由于斬波的原因必然有電壓突變點(diǎn)，通過檢測(cè)這個(gè)突變電流來控制功率轉(zhuǎn)換電路的工作狀態(tài)，來保護(hù)后的負(fù)載。具體的原理和技術(shù)效果與前述實(shí)施例類似，在此不再贅述。
[0070]圖12為本發(fā)明照明設(shè)備實(shí)施例一的原理