本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)調(diào)光
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種調(diào)光控制電路。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有的調(diào)光控制電路如圖1所示。圖1所示的調(diào)光控制電路中，調(diào)光芯片根據(jù)落在其調(diào)光受控端的電壓值或者輸入其調(diào)光受控端的PWM波的占空比對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)光控制。具體地，電位器分壓值決定落在調(diào)光芯片調(diào)光受控端的電壓最大值，實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制電路的電流設(shè)定功能；改變模擬調(diào)光信號的占空比，就可以改變落在調(diào)光芯片調(diào)光受控端的電壓值，實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制電路的數(shù)字調(diào)光功能；改變模擬調(diào)光信號的占空比，就可以改變輸入至調(diào)光芯片的調(diào)光受控端的PWM波的占空比，實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制電路的模擬調(diào)光功能。然而，圖1所示的調(diào)光控制電路在運(yùn)行過程中，輸入至調(diào)光芯片調(diào)光受控端的電壓值會(huì)受到光耦導(dǎo)通壓降的影響，降低了調(diào)光控制電路的調(diào)光精確度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的是提供一種調(diào)光控制電路，旨在提高調(diào)光控制電路的調(diào)光精確度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的調(diào)光控制電路包括：調(diào)光芯片，用于根據(jù)落在其調(diào)光受控端的電壓值或者輸入其調(diào)光受控端的PWM波的占空比對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)光控制；與所述調(diào)光受控端連接的電流設(shè)定電路、模擬調(diào)光電路及數(shù)字調(diào)光電路；用于為所述電流設(shè)定電路、模擬調(diào)光電路及數(shù)字調(diào)光電路提供輸入電源的基準(zhǔn)電壓源；其中，所述模擬調(diào)光電路包括模擬調(diào)光信號輸入端、第一輔助電源、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一晶體管、第一光耦及電壓轉(zhuǎn)換單元，所述第一晶體管的輸入端、所述第一電阻的第一端及所述第二電阻的第一端互連，所述第一電阻的第二端與所述模擬調(diào)光信號輸入端連接，所述第二電阻的第二端及所述第一晶體管的輸出端均接地；所述第一晶體管的輸入端、所述第三電阻的第一端及所述第一光耦的陽極互連，所述第三電阻的第二端與所述第一輔助電源連接；所述第一光耦的陰極接地，所述第一光耦的集電極、所述第四電阻的第二端及所述電壓轉(zhuǎn)換單元的輸入端互連，所述第一光耦的發(fā)射極接地，所述第四電阻的第一端與所述基準(zhǔn)電壓源連接，所述電壓轉(zhuǎn)換單元的輸出端與所述調(diào)光受控端連接。優(yōu)選地，所述電壓轉(zhuǎn)換單元包括第五電阻、第六電阻、第七電阻、第二晶體管、第三晶體管、第一電容及第二電容，所述第五電阻的第二端為所述電壓轉(zhuǎn)換單元的輸入端，所述第五電阻的第一端、所述第六電阻的第二端及所述第一電容的第一端互連，所述第六電阻的第一端、所述第二電容的第一端及所述第二晶體管的受控端互連，所述第二晶體管的輸入端與所述基準(zhǔn)電壓源連接，所述第二晶體管的輸出端、所述第七電阻的第一端及所述第三晶體管的受控端互連，所述第三晶體管的輸入端為所述電壓轉(zhuǎn)換單元的輸出端，所述第一電容的第二端、所述第二電容的第二端、所述第七電阻的第二端及所述第三晶體管的輸出端均接地。優(yōu)選地，所述數(shù)字調(diào)光電路包括數(shù)字調(diào)光信號輸入端、開關(guān)信號輸入端、第二輔助電源、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管及第二光耦，所述第四晶體管的受控端、所述第八電阻的第一端及所述第九電阻的第一端互連，所述第四晶體管的輸出端及所述第九電阻的第二端均接地，所述第八電阻的第二端與所述數(shù)字調(diào)光信號輸入端連接，所述第四晶體管的輸入端、所述第五晶體管的輸出端及所述第十一電阻的第二端連接，所述第四晶體管的受控端、所述第十一電阻的第一端及所述第十電阻的第一端互連，所述第十電阻的第二端與所述開關(guān)信號輸入端連接，所述第五晶體管的輸入端與所述第二光耦的陰極連接，所述第二光耦的陽極與所述第十二電阻的第一端連接，所述第十二電阻的第二端與所述第二輔助電源連接；所述第二光耦的集電極、所述第十三電阻的第二端及所述第六晶體管的受控端互連，所述第十三電阻的第一端與所述基準(zhǔn)電壓源連接，所述第六晶體管的輸入端與所述調(diào)光受控端連接，所述第二光耦的發(fā)射極及所述第六晶體管的輸出端均接地。優(yōu)選地，所述電流設(shè)定電路包括第十四電阻、第十五電阻、第十六電阻、第七晶體管、第八晶體管及電壓調(diào)節(jié)單元，所述電壓調(diào)節(jié)單元的電源端、所述第七晶體管的輸入端及所述第十五電阻的第一端均與所述基準(zhǔn)電壓源連接，所述電壓調(diào)節(jié)單元的輸出端與所述第七晶體管的受控端連接，所述第七晶體管的輸出端、所述第八晶體管的受控端及所述第十四電阻的第一端互連，所述第八晶體管的輸入端及所述第十五電阻的第二端均與所述調(diào)光受控端連接，所述第八晶體管的輸出端與所述第十六電阻的第一端連接，所述第十四電阻的第二端及所述第十六電阻的第二端均接地。優(yōu)選地，所述電壓調(diào)節(jié)單元包括第十七電阻、第十八電阻及電位器，所述第十七電阻的第一端為所述電壓調(diào)節(jié)單元的電源端，所述第十七電阻的第二端與所述電位器的輸入端連接，所述電位器的輸出端與所述第十八電阻的第一端連接，所述第十八電阻的第二端接地，所述電位器的調(diào)整端為所述電壓調(diào)節(jié)單元的輸出端。優(yōu)選地，所述電壓調(diào)節(jié)單元還包括第十九電阻及第三電容，所述第十九電阻的第一端、所述第三電容的第一端均與所述電位器的調(diào)整端連接，所述第十九電阻的第二端及所述第三電容的第二端均接地。優(yōu)選地，所述電壓調(diào)節(jié)單元包括電流設(shè)定信號輸入端、第三輔助電源、第二十電阻、第二十一電阻、第二十二電阻、第二十三電阻、第二十四電阻、第二十五電阻、第九晶體管、第十晶體管、第三光耦、第一二極管、第四電容及電壓轉(zhuǎn)換子單元，所述第九晶體管的受控端、所述第二十電阻的第一端及所述第二十一電阻的第一端互連，所述第二十電阻的第二端與所述電流設(shè)定信號輸入端連接，所述第九晶體管的輸入端與所述第二十二電阻的第一端連接，所述第二十二電阻的第二端與所述第三輔助電源連接，所述第九晶體管的輸出端與所述第三光耦的陽極連接，所述第三光耦的陰極接地；所述第三光耦的集電極、所述第四電容的第二端及所述第二十三電阻的第二端互連，所述第三光耦的發(fā)射極、所述第一二極管的陽極及所述第十晶體管的輸出端均接地，所述第二十三電阻的第一端、所述第二十四電阻的第一端及所述第二十五電阻的第一端均與所述基準(zhǔn)電壓源連接，所述第二十四電阻的第二端、所述第四電容的第一端、所述第一二極管的陰極及所述第十晶體管的受控端互連，所述第十晶體管的輸入端、所述第二十五電阻的第二端及所述電壓轉(zhuǎn)換子單元的輸入端互連，所述電壓轉(zhuǎn)換子單元的輸出端為所述電壓調(diào)節(jié)單元的輸出端。優(yōu)選地，所述電壓轉(zhuǎn)換子單元包括第二十六電阻、第二十七電阻、第五電容及第六電容，所述第二十六電阻的第二端為所述電壓轉(zhuǎn)換子單元的輸入端，所述第二十六電阻的第一端、所述第五電容的第一端及所述第二十七電阻的第二端互連，所述第二十七電阻的第一端與所述第六電容的第一端連接，其連接節(jié)點(diǎn)為所述電壓轉(zhuǎn)換子單元的輸出端，所述第五電容的第二端及所述第六電容的第二端均接地。本發(fā)明技術(shù)方案通過采用電流設(shè)定電路、模擬調(diào)光電路及數(shù)字調(diào)光電路分別與調(diào)光芯片的調(diào)光受控端連接，實(shí)現(xiàn)電流設(shè)定電路、模擬調(diào)光電路及數(shù)字調(diào)光電路對調(diào)光芯片的獨(dú)立控制。此外，在模擬調(diào)光電路中，第一晶體管的輸入端、第一電阻的第一端及第二電阻的第一端互連，第一電阻的第二端與模擬調(diào)光信號輸入端連接，第二電阻的第二端及第一晶體管的輸出端均接地；第一晶體管的輸入端、第三電阻的第一端及第一光耦的陽極互連，第三電阻的第二端與第一輔助電源連接；第一光耦的陰極接地，第一光耦的集電極、第四電阻的第二端及電壓轉(zhuǎn)換單元的輸入端互連，第四電阻的第一端與基準(zhǔn)電壓源連接，電壓轉(zhuǎn)換單元的輸出端與調(diào)光受控端連接。如此，輸入至調(diào)光芯片的調(diào)光受控端的電壓值不會(huì)受到第一光耦導(dǎo)通壓降的影響，進(jìn)而提高調(diào)光控制電路的調(diào)光精確度。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中調(diào)光控制電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明調(diào)光控制電路第一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明調(diào)光控制電路第二實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明調(diào)光控制電路第三實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)號說明：標(biāo)號名稱標(biāo)號名稱標(biāo)號名稱10電流設(shè)定電路R1第一電阻R21第二十一電阻20模擬調(diào)光電路R2第二電阻R22第二十二電阻30數(shù)字調(diào)光電路R3第三電阻R23第二十三電阻21電壓轉(zhuǎn)換單元R4第四電阻R24第二十四電阻11電壓調(diào)節(jié)單元R5第五電阻R25第二十五電阻111電壓轉(zhuǎn)換子單元R6第六電阻R26第二十六電阻Q1第一晶體管R7第七電阻R27第二十七電阻Q2第二晶體管R8第八電阻C1第一電容Q3第三晶體管R9第九電阻C2第二電容Q4第四晶體管R10第十電阻C3第三電容Q5第五晶體管R11第十一電阻C4第四電容Q6第六晶體管R12第十二電阻C5第五電容Q7第七晶體管R13第十三電阻C6第六電容Q8第八晶體管R14第十四電阻VREF基準(zhǔn)電壓源Q9第九晶體管R15第十五電阻U調(diào)光芯片Q10第十晶體管R16第十六電阻RW電位器D1第一二極管R17第十七電阻A模擬調(diào)光信號輸入端OP1第一光耦R18第十八電阻P數(shù)字調(diào)光信號輸入端OP2第二光耦R19第十九電阻B開關(guān)信號輸入端OP3第三光耦R20第二十電阻S電流設(shè)定信號輸入端本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。需要說明，若本發(fā)明實(shí)施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)，則僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變，則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。另外，在本發(fā)明中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。另外，各個(gè)實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明提出一種調(diào)光控制電路，可設(shè)于驅(qū)動(dòng)電路中，以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流。具體的，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路為LED驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，調(diào)光控制電路可以調(diào)節(jié)被驅(qū)動(dòng)LED的亮度。較佳地，該調(diào)光控制電路包括：調(diào)光芯片U，具有電源端(圖未標(biāo)出)、接地端(圖未標(biāo)出)、調(diào)光受控端DIM及連接LED驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)端(圖未標(biāo)出)。如果調(diào)節(jié)落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓值或者輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的PWM波的占空比，就可以調(diào)節(jié)對應(yīng)LED驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的LED的亮度，且在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓越大，對應(yīng)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流越大。電流設(shè)定電路10，與上述調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM連接，用于設(shè)定落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓。當(dāng)落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓大小確定時(shí)，對應(yīng)LED驅(qū)動(dòng)電路輸出電流的最大值也隨之確定。模擬調(diào)光電路20，與上述調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM連接，用于根據(jù)輸入的模擬調(diào)光信號的占空比調(diào)節(jié)落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓值。其中，模擬調(diào)光信號可以來自于計(jì)算機(jī)，也可以來自于PWM輸出電路。數(shù)字調(diào)光電路30，與上述調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM連接，用于根據(jù)輸入的數(shù)字調(diào)光信號的占空比調(diào)節(jié)輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的PWM波的占空比。其中，數(shù)字調(diào)光信號可以來自于計(jì)算機(jī)，也可以來自于PWM輸出電路。基準(zhǔn)電壓源VREF，用于為上述電流設(shè)定電路10、模擬調(diào)光電路20及數(shù)字調(diào)光電路30提供輸入電源。需要說明的是，在調(diào)光控制電路工作過程中：首先，調(diào)光芯片U根據(jù)電流設(shè)定電路10設(shè)定的基準(zhǔn)電壓確定對應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的最大輸出電流；然后，調(diào)光芯片U根據(jù)模擬調(diào)光電路20輸出的控制信號對對應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流進(jìn)行調(diào)節(jié)；或者，調(diào)光芯片U根據(jù)數(shù)字調(diào)光電路輸出30的控制信號對對應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流進(jìn)行調(diào)節(jié)。在此，調(diào)光芯片U的型號有多種選擇，比如，NCP1370、ICL8105等?；鶞?zhǔn)電壓源VREF，可以包括一個(gè)電源輸出端(圖未標(biāo)出)，電流設(shè)定電路10、模擬調(diào)光電路20及數(shù)字調(diào)光電路30均與該電源輸出端連接；也可以包括三個(gè)電源輸出端，電流設(shè)定電路10、模擬調(diào)光電路20及數(shù)字調(diào)光電路30分別對應(yīng)連接一個(gè)電源輸出端。出于描述方便的目的，以下，以基準(zhǔn)電壓源VREF包括一個(gè)電源輸出端為例進(jìn)行說明。此外，下述內(nèi)容中，基準(zhǔn)電壓源VREF輸出的電壓大小為V；第一輔助電源、第二輔助電源及第三輔助電源可為同一個(gè)輔助電源VAUX?；谝陨蟽?nèi)容，請參閱圖2，在第一實(shí)施例中，上述模擬調(diào)光電路10可包括模擬調(diào)光信號輸入端A、第一輔助電源VAUX、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一晶體管Q1、第一光耦OP1及電壓轉(zhuǎn)換單元21，第一晶體管Q1的輸入端、第一電阻R1的第一端及第二電阻R2的第一端互連，第一電阻R1的第二端與模擬調(diào)光信號輸入端A連接，第二電阻R2的第二端及第一晶體管Q1的輸出端均接地；第一晶體管Q1的輸入端、第三電阻R3的第一端及第一光耦OP1的陽極互連，第三電阻R3的第二端與第一輔助電源VAUX連接；第一光耦OP1的陰極接地，第一光耦OP1的集電極、第四電阻R4的第二端及電壓轉(zhuǎn)換單元21的輸入端互連，第一光耦OP1的發(fā)射極接地，第四電阻R4的第一端與基準(zhǔn)電壓源VREF連接，電壓轉(zhuǎn)換單元21的輸出端與調(diào)光受控端DIM連接。其中，第一晶體管Q1可選為NPN型三極管或者N-MOS管，此處以第一晶體管Q1為NPN型三極管為例進(jìn)行說明。當(dāng)調(diào)光控制電路處于工作狀態(tài)時(shí)：若落在模擬調(diào)光信號輸入端A的電壓為高電平，則第一晶體管Q1導(dǎo)通，落在第一光耦OP1陽極的電壓被拉低，第一光耦OP1截止，落在第一光耦OP1集電極的電壓為V。若落在模擬調(diào)光信號輸入端A的電壓為低電平，則第一晶體管Q1截止，落在第一光耦OP1陽極的電壓被拉高，第一光耦OP1導(dǎo)通，落在第一光耦OP1集電極的電壓為0。也就是說，在調(diào)光控制電路工作過程中，第一光耦OP1集電極輸出與模擬調(diào)光信號對應(yīng)的PWM波，且該P(yáng)WM波高電平所對應(yīng)的電壓值為V。電壓轉(zhuǎn)換單元21將第一光耦OP1集電極輸出的PWM波轉(zhuǎn)換為直流電壓輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM?？梢岳斫獾氖牵谡{(diào)光控制電路工作過程中，當(dāng)?shù)谝还怦頞P1集電極輸出的PWM波的高電平所對應(yīng)的電壓值及低電壓所對應(yīng)的電壓值均確定時(shí)，輸入的模擬調(diào)光信號的占空比越大，第一光耦OP1集電極輸出的PWM波的占空比越大，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓也越大。如此，模擬調(diào)光電路20就可以根據(jù)輸入的模擬調(diào)光信號的占空比調(diào)節(jié)落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓，實(shí)現(xiàn)電路的模擬調(diào)光功能。并且，在調(diào)光控制電路工作過程中，落在調(diào)光芯片U調(diào)光受控端DIM的電壓值不會(huì)受到第一光耦OP1導(dǎo)通壓降的影響，因此，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明技術(shù)方案提高了調(diào)光控制電路的調(diào)光精度。較佳地，上述電壓轉(zhuǎn)換單元21包括第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、第一電容C1及第二電容C2，第五電阻R5的第二端為電壓轉(zhuǎn)換單元21的輸入端，第五電阻R5的第一端、第六電阻R6的第二端及第一電容C1的第一端互連，第六電阻R6的第一端、第二電容C2的第一端及第二晶體管Q2的受控端互連，第二晶體管Q2的輸入端與基準(zhǔn)電壓源VREF連接，第二晶體管Q2的輸出端、第七電阻R7的第一端及第三晶體管Q3的受控端互連，第三晶體管Q3的輸入端為電壓轉(zhuǎn)換單元21的輸出端，第一電容C1的第二端、第二電容C2的第二端、第七電阻R7的第二端及第三晶體管Q3的輸出端均接地。在此，第二晶體管Q2為NPN型三極管，第三晶體管Q3為PNP型三極管，第五電阻R5、第六電阻R6、第一電容C1及第二電容C2組成一積分器，可將PWM波轉(zhuǎn)換為直流電壓，該積分器輸出的直流電壓與落在第三晶體管Q3輸入端的電壓大小相等，且當(dāng)輸入的PWM波的占空比增大時(shí)，積分器輸出的直流電壓增大，當(dāng)輸入的PWM波的占空比減小時(shí)，積分器輸出的直流電壓減小。第七電阻R7、第二晶體管Q2及第三晶體管Q3組成的電路結(jié)構(gòu)可將積分器輸出的直流電由灌電流轉(zhuǎn)換為拉電流。較佳地，上述數(shù)字調(diào)光電路30包括數(shù)字調(diào)光信號輸入端P、開關(guān)信號輸入端B、第二輔助電源VAUX、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12、第十三電阻R13、第四晶體管Q4、第五晶體管Q5、第六晶體管Q6及第二光耦OP2，第四晶體管Q4的受控端、第八電阻R8的第一端及第九電阻R9的第一端互連，第四晶體管Q4的輸出端及第九電阻R9的第二端均接地，第八電阻R8的第二端與數(shù)字調(diào)光信號輸入端P連接，第四晶體管Q4的輸入端、第五晶體管Q5的輸出端及第十一電阻R11的第二端連接，第四晶體管Q4的受控端、第十一電阻R11的第一端及第十電阻R10的第一端互連，第十電阻R10的第二端與開關(guān)信號輸入端B連接，第五晶體管Q5的輸入端與第二光耦OP2的陰極連接，第二光耦OP2的陽極與第十二電阻R12的第一端連接，第十二電阻R12的第二端與第二輔助電源VAUX連接；第二光耦OP2的集電極、第十三電阻R13的第二端及第六晶體管Q6的受控端互連，第十三電阻R13的第一端與基準(zhǔn)電壓源VREF連接，第六晶體管Q6的輸入端與調(diào)光受控端DIM連接，第二光耦OP2的發(fā)射極及第六晶體管Q6的輸出端均接地。其中，第四晶體管Q4、第五晶體管Q5及第六晶體管Q6均可選為NPN型三極管或者N-MOS管，此處以第四晶體管Q4、第五晶體管Q5及第六晶體管Q6均為NPN型三極管為例進(jìn)行說明。當(dāng)調(diào)光控制電路處于工作狀態(tài)時(shí)：若落在開關(guān)信號輸入端B的電壓為高電平，且落在數(shù)字調(diào)光信號輸入端P的電壓為高電平，則第四晶體管Q4導(dǎo)通，第五晶體管Q5導(dǎo)通，第二光耦OP2導(dǎo)通，第六晶體管Q6的受控端電壓被拉低，第六晶體管Q6截止，數(shù)字調(diào)光電路30輸出高電平。若落在開關(guān)信號輸入端B的電壓為高電平，且落在數(shù)字調(diào)光信號輸入端P的電壓為低電平，則第四晶體管Q4截止，第五晶體管Q5截止，第二光耦OP2截止，落在第六晶體管Q6受控端的電壓為高電平，第六晶體管Q6導(dǎo)通，數(shù)字調(diào)光電路30輸出低電平。若落在開關(guān)信號輸入端B的電壓為低電平，則不論落在數(shù)字調(diào)光信號輸入端P的電壓為高電平還是低電平，數(shù)字調(diào)光電路30都輸出低電平。也就是說，當(dāng)落在開關(guān)信號輸入端B的電壓為高電平時(shí)，數(shù)字調(diào)光電路30可以根據(jù)輸入的數(shù)字調(diào)光信號的占空比調(diào)節(jié)輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的PWM波的占空比。并且，輸入的數(shù)字調(diào)光信號的占空比越大，輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的占空比也越大。較佳地，請參閱圖3或者圖4，上述電流設(shè)定電路10包括第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十六電阻R16、第七晶體管Q7、第八晶體管Q8及電壓調(diào)節(jié)單元11，電壓調(diào)節(jié)單元11的電源端、第七晶體管Q7的輸入端及第十五電阻R15的第一端均與基準(zhǔn)電壓源VREF連接，電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出端與第七晶體管Q7的受控端連接，第七晶體管Q7的輸出端、第八晶體管Q8的受控端及第十四電阻R14的第一端互連，第八晶體管Q8的輸入端及第十五電阻R15的第二端均與調(diào)光受控端DIM連接，第八晶體管Q8的輸出端與第十六電阻R16的第一端連接，第十四電阻R14的第二端及第十六電阻R16的第二端均接地。其中，第七晶體管Q7及第八晶體管Q8均為NPN型三極管。當(dāng)調(diào)光控制電路處于工作狀態(tài)時(shí)：電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出電壓與落在第八晶體管Q8輸入端的電壓相等，第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十六電阻R16、第七晶體管Q7及第八晶體管Q8組成的電路結(jié)構(gòu)可將電壓調(diào)節(jié)單元11輸出的直流電由灌電流轉(zhuǎn)換為拉電流。具體地，請參閱圖3，在第二實(shí)施例中，上述電壓調(diào)節(jié)單元11包括第十七電阻R17、第十八電阻R18及電位器RW，第七電阻R7的第一端為電壓調(diào)節(jié)單元11的電源端，第十七電阻R17的第二端與電位器RW的輸入端連接，電位器RW的輸出端與第十八電阻R18的第一端連接，第十八電阻R18的第二端接地，電位器RW的調(diào)整端為電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出端。在此，假設(shè)第十七電阻R17的阻值為R17，第十八電阻R18的阻值為R18，電位器RW的阻值為RW。若將電位器RW的調(diào)整端移至輸入端，則電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出電壓為若將電位器RW的調(diào)整端移至輸出端，則電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出電壓為因此，調(diào)節(jié)電位器RW的調(diào)整端的位置，就可以調(diào)節(jié)電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出電壓，且在電位器RW的調(diào)整端由輸入端向輸出端移動(dòng)的過程中，電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出電壓逐漸減小。進(jìn)一步地，本實(shí)施例中，電壓調(diào)節(jié)單元11還包括第十九電阻R19及第三電容C3，第十九電阻R19的第一端、第三電容C3的第一端均與電位器RW的調(diào)整端連接，第十九電阻R19的第二端及第三電容C3的第二端均接地。在此，第十九電阻R19及第三電容C3可以起到抗干擾的作用，防止雜波混入第七晶體管Q7并干擾電流設(shè)定電路10的輸出。具體地，請參閱圖4，在第三實(shí)施例中，上述電壓調(diào)節(jié)單元11包括電流設(shè)定信號輸入端S、第三輔助電源VAUX、第二十電阻R20、第二十一電阻R21、第二十二電阻R22、第二十三電阻R23、第二十四電阻R24、第二十五電阻R25、第九晶體管Q9、第十晶體管Q10、第三光耦OP3、第一二極管D1、第四電容C4及電壓轉(zhuǎn)換子單元11，第九晶體管Q9的受控端、第二十電阻R20的第一端及第二十一電阻R21的第一端互連，第二十電阻R20的第二端與電流設(shè)定信號輸入端S連接，第九晶體管Q9的輸入端與第二十二電阻R22的第一端連接，第二十二電阻R22的第二端與第三輔助電源VAUX連接，第九晶體管Q9的輸出端與第三光耦OP3的陽極連接，第三光耦OP3的陰極接地；第三光耦OP3的集電極、第四電容C4的第二端及第二十三電阻R23的第二端互連，第三光耦OP3的發(fā)射極、第一二極管D1的陽極及第十晶體管Q10的輸出端均接地，第二十三電阻R23的第一端、第二十四電阻R24的第一端及第二十五電阻R25的第一端均與基準(zhǔn)電壓源VREF連接，第二十四電阻R24的第二端、第四電容C4的第一端、第一二極管D1的陰極及第十晶體管Q10的受控端互連，第十晶體管Q10的輸入端、第二十五電阻R25的第二端及電壓轉(zhuǎn)換子單元111的輸入端互連，電壓轉(zhuǎn)換子單元111的輸出端為電壓調(diào)節(jié)單元11的輸出端。在此，第九晶體管Q9及第十晶體管Q10均可選為NPN型三極管或者N-MOS管，此處以第九晶體管Q9及第十晶體管Q10均為NPN型晶體管為例進(jìn)行說明。本實(shí)施例中，當(dāng)落在電流設(shè)定信號輸入端S的電壓為高電平時(shí)，第九晶體管Q9導(dǎo)通，第三光耦OP3導(dǎo)通，落在第三光耦Q3的集電極電壓為低電平，落在第十晶體管Q10的受控端的電壓為低電平，第十晶體管Q10截止，落在第十晶體管Q10的集電極電壓為高電平，且該高電平所對應(yīng)的電壓值為V。當(dāng)落在電流設(shè)定信號輸入端S的電壓為低電平時(shí)，第九晶體管Q9截止，第三光耦OP3截止，落在第三光耦OP3的集電極電壓為高電平，落在第十晶體管Q10的受控端的電壓為高電平，第十晶體管Q10導(dǎo)通，落在第十晶體管Q10的集電極電壓為低電平。電壓轉(zhuǎn)換子單元111將第十晶體管Q10輸入端輸出的PWM波轉(zhuǎn)換為直流電壓輸入至第七晶體管Q7的受控端，第七晶體管Q7、第八晶體管Q8、第十四電阻R14、第十五電阻R15及第十六電阻R16組成的電路結(jié)構(gòu)將第十晶體管R10輸出的灌電流轉(zhuǎn)換為拉電流，并將第十晶體管Q10輸出的電壓施加在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM?？梢岳斫獾氖?，在調(diào)光控制電路工作過程中，輸入的電流設(shè)定信號的占空比越大，第十晶體管Q10輸入端輸出的PWM波的占空比越大，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓也越大。如此，電流設(shè)定電路10就可以根據(jù)輸入的電流設(shè)定信號的占空比調(diào)節(jié)落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓，實(shí)現(xiàn)電路的電流設(shè)定功能。值得一提的是，由于第四電容C4具有隔直流、通交流的功能，因此，當(dāng)輸入的電流設(shè)定信號的占空比為0或者100％時(shí)，落在第十晶體管Q10的受控端的電壓將保持高電平，落在第十晶體管Q10的輸入端的電壓將保持低電平，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓將保持在最小值。具體地，上述電壓轉(zhuǎn)換子單元111包括第二十六電阻R26、第二十七電阻R27、第五電容C5及第六電容C6，第二十六電阻R26的第二端為電壓轉(zhuǎn)換子111單元的輸入端，第二十六電阻R26的第一端、第五電容C5的第一端及第二十七電阻R27的第二端互連，第二十七電阻R27的第一端與第六電容C6的第一端連接，其連接節(jié)點(diǎn)為電壓轉(zhuǎn)換子單元111的輸出端，第五電容C5的第二端及第六電容C6的第二端均接地。在此，第二十六電阻R26、第二十七電阻R27、第五電容C5及第六電容C6組成一積分器，可將PWM波轉(zhuǎn)換為直流電壓，該積分器輸出的直流電壓與落在第七晶體管Q7輸入端的電壓大小相等，且與落在第十晶體管Q10的輸入端的PWM波的占空比對應(yīng)。以下，結(jié)合圖2至圖4，說明本實(shí)施例中調(diào)光控制電路的工作原理：(1)實(shí)現(xiàn)電流設(shè)定功能：當(dāng)電位器RW的調(diào)整端固定在某個(gè)位置時(shí)，落在電位器RW的調(diào)整端的電壓固定，落在第八晶體管Q8輸入端的電壓固定，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓固定，與調(diào)光控制電路對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路的最大輸出電流也固定。使電位器RW的調(diào)整端向輸入端方向移動(dòng)，就可以增大落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓值；使電位器RW的調(diào)整端向輸出端方向移動(dòng)，就可以減小落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓值?；蛘?，當(dāng)輸入的電流設(shè)定信號的占空比為某個(gè)固定值時(shí)，第十晶體管Q10輸入端輸出的PWM波的占空比固定，落在第八晶體管Q8輸入端的電壓固定，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓固定。增大輸入的電流設(shè)定信號的占空比，就可以增大落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓值；減小輸入的電流設(shè)定信號的占空比，就可以減小落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的基準(zhǔn)電壓值。(2)實(shí)現(xiàn)模擬調(diào)光功能：當(dāng)輸入的模擬調(diào)光信號的占空比固定在某個(gè)值時(shí)，第一光耦OP1的集電極輸出的PWM波的占空比及高電平所對應(yīng)的值都固定，落在第三晶體管Q3輸入端的電壓固定，落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓固定，與調(diào)光控制電路對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流固定。增大輸入的模擬調(diào)光信號的占空比，即可增大落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓值；減小輸入的模擬調(diào)光信號的占空比，即可減小落在調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的電壓值。(3)實(shí)現(xiàn)數(shù)字調(diào)光功能：當(dāng)輸入的數(shù)字調(diào)光信號的占空比固定在某個(gè)值時(shí)，第二光耦OP2的集電極輸出的PWM波的占空比固定，第六晶體管Q6的輸入端的PWM波的占空比固定，輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的PWM波的占空比固定。增大數(shù)字調(diào)光信號的占空比，就可以增大輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的PWM波的占空比；減小數(shù)字調(diào)光信號的占空比，就可以減小輸入至調(diào)光芯片U的調(diào)光受控端DIM的PWM波的占空比。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下，利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接/間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
均包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3