本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體存器件及其制作方法。

背景技術(shù)：

1、隨著各種電子產(chǎn)品朝小型化發(fā)展的趨勢，動態(tài)隨機(jī)存儲器(dynamicrandomaccess?memory，dram)單元的設(shè)計也必須符合高集成度及高密度的要求。對于一具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)的dram單元而言，由于其可以在相同的半導(dǎo)體襯底內(nèi)獲得更長的載流子通道長度，以減少電容結(jié)構(gòu)的漏電情形產(chǎn)生，因此在目前主流發(fā)展趨勢下，其已逐漸取代僅具備平面閘極結(jié)構(gòu)的dram單元。一般來說，具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)的dram單元會包括一晶體管組件與一電荷存儲組件，以接收來自位線及字線的電壓信號。然而，受限于工藝技術(shù)的緣故，現(xiàn)有具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)的dram單元仍存在有許多缺陷，還待進(jìn)一步改良并有效提升相關(guān)存儲器組件的效能及可靠度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，以提高半導(dǎo)體器件的效能及可靠度。

2、第一方面，為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，至少可以包括：

3、提供基底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；

4、形成堆疊結(jié)構(gòu)層位于所述第一區(qū)和所述第二區(qū)上，所述堆疊結(jié)構(gòu)層至下而上包括層疊設(shè)置的支撐堆疊層和第一掩膜層；

5、形成通孔位于所述第一區(qū)內(nèi)，且所述通孔貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)層；

6、形成下電極位于所述通孔的內(nèi)表面上，并橫向延伸覆蓋在所述第二區(qū)的所述第一掩膜層上；

7、形成第二掩膜層位于所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的所述下電極上；

8、移除所述第二區(qū)上的所述第二掩膜層、部分所述下電極及部分所述第一掩膜層，以使得臨近所述第二區(qū)的至少一所述通孔的兩側(cè)壁上的下電極的頂面處于不同水平高度。

9、可選的，移除所述第二區(qū)上的所述下電極的步驟，可包括：

10、形成具有第一開口的第一光阻層位于所述第二掩膜層上，所述第一開口露出所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層的部分頂面和所述第二區(qū)上的所述第二掩膜層的頂面；

11、以所述第一光阻層為掩膜，去除與所述第一開口對應(yīng)的所述第二掩膜層、所述部分下電極及所述部分第一掩膜層，以露出所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層及與其相鄰的所述通孔側(cè)壁上的下電極。

12、可選的，在移除所述第二區(qū)上的所述下電極后，還可包括：

13、去除所述第一區(qū)上的所述第一光阻層和其下方的第二掩膜層，以露出所述第一區(qū)上的所述下電極。

14、可選的，與所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層相鄰的所述通孔具有相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極與所述第一區(qū)上的所述堆疊結(jié)構(gòu)層直接接觸，位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極與所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層直接接觸。

15、可選的，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極的頂面高于位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極的頂面。

16、可選的，所述支撐堆疊層可包括自下而上依次層疊的第一犧牲層、第一支撐層、第二犧牲層和第二支撐層。

17、可選的，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還可包括：

18、去除相鄰所述通孔之間的所述支撐堆疊層上的下電極及其下方的所述第一掩膜層。

19、可選的，在去除相鄰所述通孔之間的所述支撐堆疊層上的所述下電極及其下方的所述第一掩膜層的步驟中，還同步去除了與所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層相鄰的所述通孔的所述第二側(cè)壁上的下電極的部分高度。

20、可選的，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還可包括：

21、形成第三掩膜層位于所述第一區(qū)和所述第二區(qū)上；

22、形成具有第二開口的第二光阻層位于所述第一區(qū)上的所述第三掩膜層，所述第二開口露出所述第一區(qū)中的所述第三掩膜層的部分頂面。

23、可選的，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還可包括：

24、以所述第二光阻層為掩膜，去除與所述第二開口對應(yīng)的所述第三掩模層和所述支撐堆疊層中的所述第一支撐層和所述第二支撐層。

25、可選的，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還可包括：

26、去除所述第一區(qū)和所述第二區(qū)中所述支撐堆疊層中的第二犧牲層和第一犧牲層。

27、可選的，在移除所述第二區(qū)上的所述第二掩膜層、所述下電極及所述第一掩膜層后，還可包括：

28、形成金屬氧化物層位于所述下電極上，形成上電極位于所述金屬氧化物上。

29、第二方面，基于相同的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提高了一種半導(dǎo)體器件，至少可包括：

30、基底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；

31、支撐結(jié)構(gòu)，包括位于所述第一區(qū)的第一支撐結(jié)構(gòu)和位于所述第二區(qū)的第二支撐結(jié)構(gòu)，所述第二支撐結(jié)構(gòu)的長度大于所述第一支撐結(jié)構(gòu)；

32、多個下電極，位于所述基底的所述第一區(qū)上，且與所述第二區(qū)上的所述第二支撐結(jié)構(gòu)相接觸的所述下電極的至少部分頂面低于其余所述下電極的頂面。

33、可選的，所述半導(dǎo)體器件，還可包括：

34、金屬氧化物層，位于所述多個下電極上；

35、上電極，位于所述金屬氧化物層上。

36、可選的，與所述第二區(qū)上的所述第二支撐結(jié)構(gòu)相接觸的所述下電極具有相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接觸所述第二支撐結(jié)構(gòu)，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極的頂面高于位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極的頂面。

37、可選的，與所述第二區(qū)上的所述第二支撐結(jié)構(gòu)相接觸的所述下電極可位于其余所有所述下電極的同一側(cè)。

38、可選的，所述下電極包括圓筒狀或柱狀。

39、第三方面，基于相同的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，至少可包括：

40、基底；

41、多個下電極位于所述基底上，其中一所述下電極的至少部分頂面低于其余所有所述下電極且位于所有所述下電極的同一側(cè)。

42、可選的，所述半導(dǎo)體器件，還可包括：

43、金屬氧化物層，位于所述多個下電極上；

44、上電極，位于所述金屬氧化物層上。

45、可選的，所述一下電極具有相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁位于遠(yuǎn)離其余所述下電極的一側(cè)，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極的頂面高于位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極的頂面。

46、在本發(fā)明中，通過在去除第二區(qū)中堆疊的第二掩膜層和第一掩膜層時，同步去除了臨近所述第二區(qū)的至少一通孔的一側(cè)壁上的下電極的部分高度，使得形成的半導(dǎo)體器件中所包含的多個下電極的其中至少一個下電極的頂面低于其余下電極的頂面，即形成的半導(dǎo)體器件中的下電極之間具有沿垂直方向上的高度差，提高了半導(dǎo)體器件的效能及可靠度。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，移除所述第二區(qū)上的所述下電極的步驟，包括：

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在移除所述第二區(qū)上的所述下電極后，還包括：

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，與所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層相鄰的所述通孔具有相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極與所述第一區(qū)上的所述堆疊結(jié)構(gòu)層直接接觸，位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極與所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層直接接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極的頂面高于位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極的頂面。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述支撐堆疊層包括自下而上依次層疊的第一犧牲層、第一支撐層、第二犧牲層和第二支撐層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還包括：

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在去除相鄰所述通孔之間的所述支撐堆疊層上的所述下電極及其下方的所述第一掩膜層的步驟中，還同步去除了與所述第二區(qū)上的所述支撐堆疊層相鄰的所述通孔的所述第二側(cè)壁上的下電極的部分高度。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還包括：

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還包括：

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一區(qū)上的所述第二掩膜層后，還包括：

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在移除所述第二區(qū)上的所述第二掩膜層、所述下電極及所述第一掩膜層后，還包括：

13.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，與所述第二區(qū)上的所述第二支撐結(jié)構(gòu)相接觸的所述下電極具有相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁接觸所述第二支撐結(jié)構(gòu)，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極的頂面高于位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極的頂面。

16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，與所述第二區(qū)上的所述第二支撐結(jié)構(gòu)相接觸的所述下電極位于其余所有所述下電極的同一側(cè)。

17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述下電極包括圓筒狀或柱狀。

18.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述一下電極具有相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁位于遠(yuǎn)離其余所述下電極的一側(cè)，位于所述第一側(cè)壁上的所述下電極的頂面高于位于所述第二側(cè)壁上的所述下電極的頂面。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明中，通過移除基底上的多個下電極中的至少一個下電極的部分高度的方式，形成多個下電極之間具有沿垂直方向上的高度差的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)研發(fā)人員：許培育
受保護(hù)的技術(shù)使用者：福建省晉華集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6