本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱(chēng)led)為半導(dǎo)體發(fā)光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半導(dǎo)體制成，其核心是具有發(fā)光特性的pn結(jié)。led具有發(fā)光強(qiáng)度大、效率高、體積小、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是當(dāng)前最具有潛力的光源之一。led已經(jīng)廣泛應(yīng)用于照明、監(jiān)控指揮、高清演播、高端影院、辦公顯示、會(huì)議交互、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域。

2、目前，led芯片在制作過(guò)程中一般需要經(jīng)過(guò)多道光刻工藝和去膠工藝，在led芯片的切割道位置的光刻膠很難去除干凈，參考圖7所示，尤其是在臺(tái)面外延側(cè)壁與切割道連接處，由于此處呈接近直角，很難去除，容易殘留有機(jī)物，當(dāng)通電led點(diǎn)亮?xí)r，這個(gè)位置經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)漏電甚至燒傷的問(wèn)題。因此，如何解決這一問(wèn)題是本領(lǐng)域技術(shù)人員長(zhǎng)久以來(lái)需要解決的技術(shù)難題。

3、需要說(shuō)明的是，公開(kāi)于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本發(fā)明的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公

4、知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，其包括外延疊層，外延疊層具有相對(duì)的上表面和下表面，外延疊層沿上表面到下表面的方向依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層。外延疊層具有同側(cè)的第一外延側(cè)壁和第二外延側(cè)壁。第一外延側(cè)壁為第一半導(dǎo)體層上的部分側(cè)壁。第二外延側(cè)壁為自第二半導(dǎo)體層的部分側(cè)壁向外延疊層的上表面方向延伸，經(jīng)發(fā)光層的側(cè)壁直至延伸至第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁。第一外延側(cè)壁連接第二外延側(cè)壁。第一外延側(cè)壁與第二外延側(cè)壁的連接處形成一拐點(diǎn)，并在拐點(diǎn)處形成一夾角，夾角＞90°。

2、本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管，其包括外延疊層和保護(hù)層。外延疊層具有相對(duì)的上表面和下表面，外延疊層沿上表面到下表面的方向依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層。保護(hù)層設(shè)置于外延疊層的外部，并包覆部分外延疊層的側(cè)壁。其中，定義保護(hù)層的最外面的部分為保護(hù)層側(cè)壁，保護(hù)層側(cè)壁在第一半導(dǎo)體的高度位置存在一拐點(diǎn)，拐點(diǎn)向外延疊層的上表面方向延伸一部分形成第一保護(hù)側(cè)壁，拐點(diǎn)向外延疊層的下表面方向延伸一部分形成第二保護(hù)側(cè)壁，第一保護(hù)側(cè)壁與第二保護(hù)側(cè)壁在拐點(diǎn)處形成一夾角，夾角＞90°。

3、本發(fā)明還提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管，發(fā)光二極管采用上述任一所述的發(fā)光二極管。

4、本發(fā)明提供的一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置，通過(guò)設(shè)置拐點(diǎn)，形成傾斜式的2段側(cè)壁，并且該拐點(diǎn)是位于第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁上，由于拐點(diǎn)處有傾斜角度，從而使得在對(duì)芯片進(jìn)行切割工藝后，更容易在去膠過(guò)程中將有機(jī)物清洗干凈，同時(shí)也有利于后續(xù)其它保護(hù)層覆蓋在該些側(cè)壁的連續(xù)性；并且，由于拐點(diǎn)設(shè)置在第一半導(dǎo)體層處，未暴露出發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，這樣即使殘留部分有機(jī)物，也可避免發(fā)生漏電燒傷的問(wèn)題，還可保證發(fā)光層具有平整的表面，不容易殘留有機(jī)物，從而減少漏電風(fēng)險(xiǎn)。

5、本發(fā)明的其它特征和有益效果將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分的技術(shù)特征和有益效果可以從說(shuō)明書(shū)中顯而易見(jiàn)地得出，或者是通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一外延側(cè)壁為自所述外延疊層的上表面向所述外延疊層的所述下表面延伸至所述拐點(diǎn)處的部分，所述拐點(diǎn)位于所述第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述夾角的范圍為91~120°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：定義所述拐點(diǎn)到所述發(fā)光層的上表面的間距為d1，所述第一半導(dǎo)體層的厚度為h1，0.05h1≤d1≤0.4h1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：以所述外延疊層的上表面為基準(zhǔn)面，所述第一外延側(cè)壁的延長(zhǎng)線與所述外延疊層的上表面的夾角為80°~100°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：位于所述外延疊層一側(cè)的所述第二外延側(cè)壁在所述外延疊層的下表面的垂直投影長(zhǎng)度范圍為10~30μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二半導(dǎo)體層的下方還設(shè)置電流擴(kuò)散層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述外延疊層的所述第一外延側(cè)壁和所述第二外延側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管還包括第一電極、介質(zhì)層、金屬反射層、鍵合層、基板和第二電極，所述第一電極設(shè)置在所述外延疊層的上表面，所述介質(zhì)層設(shè)置在所述外延疊層的下表面，所述介質(zhì)層具有多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔露出所述外延疊層，所述金屬反射層設(shè)置在所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述外延疊層的一側(cè)，所述金屬反射層通過(guò)所述通孔連接所述外延疊層，所述鍵合層設(shè)置在所述金屬反射層遠(yuǎn)離所述外延疊層的一側(cè)，所述基板設(shè)置在所述鍵合層遠(yuǎn)離所述外延疊層的一側(cè)，所述第二電極設(shè)置在所述基板遠(yuǎn)離所述外延疊層的一側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二外延側(cè)壁至少延伸過(guò)整個(gè)所述第二半導(dǎo)體層。

11.一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述夾角的范圍為91~120°。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述保護(hù)層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一保護(hù)側(cè)壁距離所述拐點(diǎn)最遠(yuǎn)處的點(diǎn)為所述第一保護(hù)側(cè)壁的最高點(diǎn)，所述第一保護(hù)側(cè)壁的最高點(diǎn)處的水平高度不低于所述外延疊層的上表面高度。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二保護(hù)側(cè)壁距離所述拐點(diǎn)最遠(yuǎn)處的點(diǎn)為所述第二保護(hù)側(cè)壁的最低點(diǎn)，所述第二保護(hù)側(cè)壁的最低點(diǎn)處的水平高度不高于所述外延疊層的下表面高度。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述拐點(diǎn)到所述發(fā)光層的上表面的間距為d1，所述第一半導(dǎo)體層的厚度為h1，0.05h1≤d1≤0.4h1。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于：以所述外延疊層的上表面為基準(zhǔn)面，所述第一保護(hù)側(cè)壁的延長(zhǎng)線與所述外延疊層的上表面的夾角為80°~100°。

18.一種發(fā)光裝置，其特征在于：所述發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管采用如權(quán)利要求1~17中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管，其包括外延疊層，外延疊層具有相對(duì)的上表面和下表面，外延疊層沿上表面到下表面的方向依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；外延疊層具有同側(cè)的第一外延側(cè)壁和第二外延側(cè)壁，第一外延側(cè)壁為第一半導(dǎo)體層上的部分側(cè)壁，第二外延側(cè)壁為自第二半導(dǎo)體層的部分側(cè)壁向外延疊層的上表面方向延伸，經(jīng)發(fā)光層的側(cè)壁直至延伸至第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁，第一外延側(cè)壁連接第二外延側(cè)壁，第一外延側(cè)壁與第二外延側(cè)壁的連接處形成一拐點(diǎn)，并在拐點(diǎn)處形成一夾角，夾角＞90°。借此設(shè)置，可以有效避免在切割道處殘留有機(jī)物，有效提升發(fā)光二極管的發(fā)光特性。

技術(shù)研發(fā)人員：吳志偉,王燕云,劉壯士,郭桓邵,彭鈺仁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津三安光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9