本公開的一些實(shí)施例的方面涉及一種顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、隨著信息技術(shù)的發(fā)展，提供用戶與信息之間的連接媒介的顯示裝置的重要性已經(jīng)增加。這種顯示裝置可以包括發(fā)光元件，并且可以包括包含發(fā)光元件的彼此相鄰的子像素。

2、可以期望區(qū)分供應(yīng)到彼此相鄰的子像素中的每個(gè)的電信號。例如，由于在子像素之間產(chǎn)生的漏電流（橫向泄漏），可能發(fā)生電信號混淆的風(fēng)險(xiǎn)。

3、本背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對背景技術(shù)的理解，因此本背景技術(shù)部分中討論的信息不必構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一些實(shí)施例的方面包括能夠降低諸如漏電流的風(fēng)險(xiǎn)的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

2、一些實(shí)施例的方面包括能夠防止或降低對顯示裝置中的構(gòu)造的損壞的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

3、一些實(shí)施例的方面包括能夠?qū)崿F(xiàn)相對高分辨率的顯示性能的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

4、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，顯示裝置可以包括：發(fā)光元件，在基體層上并且包括第一電極、第二電極和電連接在第一電極與第二電極之間的發(fā)光部；像素限定層，在基體層上；阻擋層，在像素限定層上；以及電極，在阻擋層上。根據(jù)一些實(shí)施例，第一電極可以包括第1_1電極和第1_2電極。根據(jù)一些實(shí)施例，像素限定層可以在第1_1電極與第1_2電極之間。根據(jù)一些實(shí)施例，發(fā)光部可以包括電連接到第1_1電極的第一發(fā)光部和電連接到第1_2電極的第二發(fā)光部。根據(jù)一些實(shí)施例，在平面圖中，電極和阻擋層可以在第一發(fā)光部與第二發(fā)光部之間。

5、根據(jù)一些實(shí)施例，電極、阻擋層和像素限定層可以在平面圖中彼此疊置。

6、根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層的下表面可以接觸像素限定層。根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層的上表面可以接觸電極。

7、根據(jù)一些實(shí)施例，電極可以具有第一熱導(dǎo)率。根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層可以具有比第一熱導(dǎo)率小的第二熱導(dǎo)率。

8、根據(jù)一些實(shí)施例，第一熱導(dǎo)率與第二熱導(dǎo)率可以具有在3.4至3600的范圍內(nèi)的比率。

9、根據(jù)一些實(shí)施例，電極可以包括鉬（mo）、銅（cu）、鋁（al）、鎢（w）、金（au）和銀（ag）的組中的至少一種。根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層可以包括鈦（ti）、鉛（pb）、氧化鋁（alox）、聚酰亞胺、氧化硅（siox）和氮化硅（sinx）的組中的至少一種。

10、根據(jù)一些實(shí)施例，在平面圖中，電極和阻擋層可以在第1_1電極與第1_2電極之間。

11、根據(jù)一些實(shí)施例，電極和阻擋層可以在第一發(fā)光部和第二發(fā)光部彼此間隔開所沿的方向上與第一發(fā)光部和第二發(fā)光部間隔開。

12、根據(jù)一些實(shí)施例，可以在阻擋層與發(fā)光部之間形成有間隙。根據(jù)一些實(shí)施例，在間隙中，第二電極和像素限定層可以彼此接觸。

13、根據(jù)一些實(shí)施例，電極和阻擋層中的每個(gè)的側(cè)表面可以在彼此相鄰的位置處形成彼此不連續(xù)的側(cè)表面。

14、根據(jù)一些實(shí)施例，顯示裝置可以包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的至少一部分的非顯示區(qū)域，顯示裝置還可以包括電連接到電極的脈沖輸入線。根據(jù)一些實(shí)施例，脈沖輸入線可以在非顯示區(qū)域中。

15、根據(jù)一些實(shí)施例，電極和阻擋層中的每個(gè)的側(cè)表面可以與像素限定層的上表面形成居間角。根據(jù)一些實(shí)施例，居間角可以在15度至60度的范圍內(nèi)。

16、根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層可以包括在平面圖中不與電極疊置的阻擋突起。

17、根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層可以包括其中定位有電極的至少一部分的凹槽。根據(jù)一些實(shí)施例，阻擋層可以覆蓋電極的側(cè)表面的至少一部分。

18、根據(jù)一些實(shí)施例，電極可以包括在平面圖中不與阻擋層疊置的電極突起。

19、根據(jù)一些實(shí)施例，第二電極可以在電極的側(cè)表面、第一發(fā)光部和第二發(fā)光部上。

20、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，顯示裝置可以包括形成第一子像素區(qū)域的第一子像素和形成第二子像素區(qū)域的第二子像素以及在第一子像素區(qū)域與第二子像素區(qū)域之間的電極阻擋結(jié)構(gòu)。根據(jù)一些實(shí)施例，電極阻擋結(jié)構(gòu)可以包括具有第一熱導(dǎo)率的阻擋層以及接觸阻擋層的上表面且具有比第一熱導(dǎo)率大的第二熱導(dǎo)率的電極。

21、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，制造顯示裝置的方法可以包括：使第一電極圖案化，第一電極在基體層上包括第1_1電極和第1_2電極；使像素限定層圖案化，像素限定層在第1_1電極與第1_2電極之間；在像素限定層上形成包括阻擋層和電極的電極阻擋結(jié)構(gòu)；形成基體發(fā)光部以覆蓋電極阻擋結(jié)構(gòu)和第一電極；以及通過將脈沖輸入提供到電極阻擋結(jié)構(gòu)來去除基體發(fā)光部的至少一部分。根據(jù)一些實(shí)施例，電極可以具有比阻擋層的熱導(dǎo)率大的熱導(dǎo)率。

22、根據(jù)一些實(shí)施例，去除的步驟可以包括使來自電極的焦耳熱消散，以及提供彼此間隔開的第一發(fā)光部和第二發(fā)光部。

23、根據(jù)一些實(shí)施例，去除的步驟可以包括暴露像素限定層的一部分。根據(jù)一些實(shí)施例，該方法還可以包括形成第二電極。根據(jù)一些實(shí)施例，形成第二電極的步驟可以包括將像素限定層和第二電極接觸。

24、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，可以提供能夠降低諸如漏電流的風(fēng)險(xiǎn)的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

25、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，可以提供能夠防止或減少對顯示裝置中的構(gòu)造的損壞的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

26、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，可以提供能夠?qū)崿F(xiàn)相對高分辨率的顯示性能的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電極、所述阻擋層和所述像素限定層在平面圖中彼此疊置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述阻擋層的下表面接觸所述像素限定層，并且

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電極具有第一熱導(dǎo)率，并且

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第一熱導(dǎo)率與所述第二熱導(dǎo)率具有在3.4至3600的范圍內(nèi)的比率。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述電極包括鉬、銅、鋁、鎢、金和銀中的至少一種，并且

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在平面圖中，所述電極和所述阻擋層在所述第1_1電極與所述第1_2電極之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電極和所述阻擋層在所述第一發(fā)光部和所述第二發(fā)光部彼此間隔開所沿的方向上與所述第一發(fā)光部和所述第二發(fā)光部間隔開。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，在所述阻擋層與所述發(fā)光部之間形成有間隙，并且

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電極和所述阻擋層中的每個(gè)的側(cè)表面在彼此相鄰的位置處形成彼此不連續(xù)的側(cè)表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的至少一部分的非顯示區(qū)域；

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電極和所述阻擋層中的每個(gè)的側(cè)表面與所述像素限定層的上表面形成居間角，并且

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻擋層包括在平面圖中不與所述電極疊置的阻擋突起。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻擋層包括凹槽，所述電極的至少一部分定位在所述凹槽中，并且

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電極包括在平面圖中不與所述阻擋層疊置的電極突起。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二電極在所述電極的側(cè)表面、所述第一發(fā)光部和所述第二發(fā)光部上。

17.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

18.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，去除所述基體發(fā)光部的所述至少一部分的步驟包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，去除所述基體發(fā)光部的所述至少一部分的步驟包括暴露所述像素限定層的一部分，并且

技術(shù)總結(jié)
提供了一種顯示裝置和制造該顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括：發(fā)光元件，在基體層上并且包括第一電極、第二電極和電連接在第一電極與第二電極之間的發(fā)光部；像素限定層，在基體層上；阻擋層，在像素限定層上；以及電極，在阻擋層上，其中，第一電極包括第1_1電極和第1_2電極，像素限定層在第1_1電極與第1_2電極之間，發(fā)光部包括電連接到第1_1電極的第一發(fā)光部和電連接到第1_2電極的第二發(fā)光部，并且在平面圖中，電極和阻擋層在第一發(fā)光部與第二發(fā)光部之間。

技術(shù)研發(fā)人員：文英慜,金阿榮,樸熙敏,任星淳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9