本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù):
1、近年來,內(nèi)置有igbt(insulated?gate?bipolar?transistor:絕緣柵雙極型晶體管)等作為功率半導(dǎo)體的開關(guān)元件和對開關(guān)元件進(jìn)行驅(qū)動的驅(qū)動電路等的被稱為ipm(intelligent?power?module:智能功率模塊)的半導(dǎo)體裝置的開發(fā)不斷進(jìn)展。在ipm中,設(shè)置有用于保護(hù)開關(guān)元件的保護(hù)功能。
2、作為相關(guān)技術(shù),例如提出了利用來自過電流保護(hù)電路的過電流檢測信號來改變過熱保護(hù)電路的響應(yīng)時間的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1)。另外,提出了利用與半導(dǎo)體裝置的溫度相應(yīng)的電壓和與流過半導(dǎo)體裝置的電流相應(yīng)的電壓的相加值來判別半導(dǎo)體裝置的過熱狀態(tài)的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2)。此外,提出了根據(jù)電力轉(zhuǎn)換裝置的輸出電流的增加而使開關(guān)元件的溫度保護(hù)電平降低的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3)。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-280886號公報
6、專利文獻(xiàn)2:日本特開2022-19128號公報
7、專利文獻(xiàn)3:日本特開2007-174832號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、本發(fā)明的目的在于檢測連續(xù)產(chǎn)生微短路脈沖而實現(xiàn)開關(guān)元件的保護(hù)功能的提高。
3、技術(shù)方案
4、為了解決上述問題,提供一種半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置具有:開關(guān)元件,其基于輸入信號進(jìn)行開關(guān)而使負(fù)載工作;以及保護(hù)控制電路,其在檢測出連續(xù)產(chǎn)生微短路脈沖的情況下,進(jìn)行開關(guān)元件的保護(hù),所述微短路脈沖具有比在開關(guān)元件成為短路狀態(tài)的情況下輸出的短路脈沖所具有的第一脈沖寬度短的第二脈沖寬度。
5、發(fā)明效果
6、根據(jù)一個方面,能夠通過檢測連續(xù)產(chǎn)生微短路脈沖而使開關(guān)元件的保護(hù)功能提高。
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具有:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,