本申請(qǐng)案主張美國(guó)第18/218,215號(hào)專(zhuān)利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)(即優(yōu)先權(quán)日為“2023年7月5日”)，其內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開(kāi)關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別是關(guān)于一種包括凹槽晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于各種電子應(yīng)用，而半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸不斷縮小以滿足當(dāng)前的應(yīng)用要求。然而，在縮小尺寸的過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)各種問(wèn)題，并影響最終的電氣特性、品質(zhì)、成本和產(chǎn)量。典型的存儲(chǔ)器元件(如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)元件)包括信號(hào)線，如字元線和與字元線交叉的位元線。隨著dram元件的縮小，信號(hào)線的尺寸和/或間距越來(lái)越小，漏電流將成為一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。

2、上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明僅是提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明揭示本公開(kāi)的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開(kāi)的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說(shuō)明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一個(gè)方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一元件及至少一個(gè)凹槽晶體管。該元件包括一基底及多個(gè)字元線。該基底包括一陣列部分及圍繞該陣列部分的一周邊部分。該多個(gè)字元線設(shè)置于該陣列部分中。該周邊部分沒(méi)有字元線。該基底的該周邊部分界定至少一個(gè)凹槽。該至少一個(gè)凹槽晶體管設(shè)置于該基底的該周邊部分的該至少一個(gè)凹槽中。

2、本公開(kāi)的另一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。該制備方法包括：提供一元件，其中該元件包括一基底及多個(gè)字元線，該基底包括一陣列部分及圍繞該陣列部分的一周邊部分，該多個(gè)字元線設(shè)置于該陣列部分中，并且該周邊部分沒(méi)有字元線；在該基底的該周邊部分形成至少一個(gè)凹槽；以及在該基底的該周邊部分的該至少一個(gè)凹槽中形成至少一個(gè)凹槽晶體管。

3、本公開(kāi)的另一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。該制備方法包括：提供一元件，其中該元件包括一基底與多個(gè)字元線及一字元線氮化層，其中該字元線氮化層覆蓋該基底的一頂面并延伸至該多個(gè)字元線；形成至少一個(gè)外溝槽，延伸穿過(guò)該字元線氮化層并延伸至該基底；以及在該至少一個(gè)外溝槽中形成至少一個(gè)凹槽晶體管。

4、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開(kāi)的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，使下文的本公開(kāi)詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開(kāi)的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或過(guò)程而實(shí)現(xiàn)與本公開(kāi)相同的目的。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類(lèi)等效建構(gòu)無(wú)法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開(kāi)的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該至少一個(gè)凹槽晶體管包括多個(gè)具有不同寬度的凹槽晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該至少一個(gè)凹槽晶體管包括多個(gè)凹槽晶體管，并且該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括設(shè)置于該凹槽晶體管之間的至少一個(gè)淺溝槽隔離(sti)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該元件更包括覆蓋該基底的該陣列部分及該周邊部分并延伸至該多個(gè)字元線的一字元線氮化層，其中該字元線氮化層界定對(duì)應(yīng)于該周邊部分的該至少一個(gè)凹槽的至少一個(gè)開(kāi)口，并且該至少一個(gè)凹槽晶體管更設(shè)置于該字元線氮化層的該至少一個(gè)開(kāi)口中。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該至少一個(gè)凹槽晶體管包括：

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極導(dǎo)體的一底面高于該基底的一頂面。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該元件更包括覆蓋該基底的該陣列部分及該周邊部分并延伸至該多個(gè)字元線的一字元線氮化層，其中該字元線氮化層界定對(duì)應(yīng)于該周邊部分的該至少一個(gè)凹槽的至少一個(gè)開(kāi)口，該柵極導(dǎo)體設(shè)置于該字元線氮化層的該至少一個(gè)開(kāi)口中，并且該絕緣層更設(shè)置于該柵極導(dǎo)體與該字元線氮化層之間。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極導(dǎo)體的一頂面低于該字元線氮化層的一頂面。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該基底的該周邊部分形成至少一個(gè)凹槽包括：

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該遮罩層上形成該犧牲層包括：

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該遮罩層上形成該犧牲層以覆蓋該圖案化光阻層的該多個(gè)剩余部分的步驟中，該犧牲層覆蓋該圖案化光阻層的該多個(gè)剩余部分的多個(gè)頂面，并且該制備方法更包括：

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該減薄該犧牲層的步驟的后，該犧牲層的一頂面與該圖案化光阻層的該多個(gè)剩余部分的該多個(gè)頂面實(shí)質(zhì)共面。

14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該基底的該周邊部分的該至少一個(gè)凹槽中形成該至少一個(gè)凹槽晶體管包括：

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該絕緣層上形成該多晶硅層的步驟中，該多晶硅層更覆蓋該基底的頂面，該制備方法更包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一元件及至少一個(gè)凹槽晶體管。該元件包括一基底及多個(gè)字元線。該基底包括一陣列部分及圍繞該陣列部分的一周邊部分。該多個(gè)字元線設(shè)置于該陣列部分中。該周邊部分沒(méi)有字元線。該基底的該周邊部分界定至少一個(gè)凹槽。該至少一個(gè)凹槽晶體管設(shè)置于該基底周邊部分的該至少一個(gè)凹槽中。

技術(shù)研發(fā)人員：莊英政
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9