本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地，涉及集成電路存儲器件。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體器件尺寸不斷縮減，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?accessmemory，dram)器件的尺寸也在減小。在具有其中一個電容器連接到一個晶體管的1t-1c結(jié)構(gòu)的dram器件中，存在這樣的問題，即，通過溝道區(qū)域的漏電流通常隨著器件變小而增加。為了減少漏電流，已經(jīng)提出了使用氧化物半導(dǎo)體材料作為溝道層的垂直溝道晶體管。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思提供了一種具有優(yōu)異電性能的半導(dǎo)體器件，諸如dram器件。

2、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：位線，所述位線在襯底上在第一水平方向上延伸；以及模制結(jié)構(gòu)，所述模制結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述位線上并且包括在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的模制開口。所述模制結(jié)構(gòu)可以包括：模制絕緣層；覆蓋絕緣層，所述覆蓋絕緣層設(shè)置在所述模制絕緣層上；以及界面絕緣層，所述界面絕緣層設(shè)置在所述覆蓋絕緣層的上表面上和所述覆蓋絕緣層的側(cè)壁的至少一部分上。還提供了有源半導(dǎo)體層，并且所述有源半導(dǎo)體層包括：第一部分，所述第一部分設(shè)置在所述模制結(jié)構(gòu)的所述模制開口的內(nèi)壁上并在與所述襯底的上表面垂直的垂直方向上延伸；以及第二部分，所述第二部分連接到所述第一部分的底部并在所述第一水平方向上延伸。在一些實施例中，所述第二部分設(shè)置在所述位線的上表面上，并且所述第一部分包括與所述模制開口的側(cè)壁接觸的第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對延伸的第二側(cè)壁。還提供了字線，并且所述字線設(shè)置在所述有源半導(dǎo)體層的所述第二側(cè)壁上并在所述第二水平方向上延伸。柵極絕緣層提供在所述有源半導(dǎo)體層和所述字線之間，并且設(shè)置了在所述有源半導(dǎo)體層的所述第一部分的上表面上延伸的著陸焊盤。

3、根據(jù)進(jìn)一步的實施例，提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：位線，所述位線在襯底上在第一水平方向上延伸；模制結(jié)構(gòu)，所述模制結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述位線上并包括在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的模制開口，其中所述模制結(jié)構(gòu)包括：模制絕緣層；覆蓋絕緣層，所述覆蓋絕緣層設(shè)置在所述模制絕緣層上；以及界面絕緣層，所述界面絕緣層設(shè)置在所述覆蓋絕緣層的上表面上和所述覆蓋絕緣層的側(cè)壁的至少一部分上。提供了有源半導(dǎo)體層，所述有源半導(dǎo)體層包括：第一部分，所述第一部分設(shè)置在所述模制結(jié)構(gòu)的所述模制開口的內(nèi)壁上并在與所述襯底的上表面垂直的垂直方向上延伸；以及第二部分，所述第二部分連接到所述第一部分的底部并在所述第一水平方向上延伸。在一些實施例中，所述第二部分設(shè)置在所述位線的上表面上，并且所述第一部分包括與所述模制開口的側(cè)壁接觸的第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁。提供了字線，所述字線設(shè)置在所述有源半導(dǎo)體層的所述第二側(cè)壁上并在所述第二水平方向上延伸。提供了柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述有源半導(dǎo)體層和所述字線之間。提供了著陸焊盤，所述著陸焊盤連接到所述有源半導(dǎo)體層的所述第一部分的上表面。在一些實施例中，所述著陸焊盤可以包括：上部，所述上部設(shè)置在所述模制結(jié)構(gòu)的上表面上；以及底部，所述底部連接到所述上部并設(shè)置在著陸焊盤凹陷空間中，并且所述著陸焊盤的所述底部的底表面可以設(shè)置在與所述界面絕緣層的底表面相同的水平高度處。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：位線，所述位線在襯底上在第一水平方向上延伸；模制結(jié)構(gòu)，所述模制結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述位線上并包括在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的模制開口，所述模制結(jié)構(gòu)包括：模制絕緣層；覆蓋絕緣層，所述覆蓋絕緣層設(shè)置在所述模制絕緣層上；以及界面絕緣層，所述界面絕緣層設(shè)置在所述覆蓋絕緣層的上表面上和所述覆蓋絕緣層的側(cè)壁的至少一部分上；有源半導(dǎo)體層，所述有源半導(dǎo)體層包括：第一部分，所述第一部分設(shè)置在所述模制結(jié)構(gòu)的所述模制開口的內(nèi)壁上并在與所述襯底的上表面垂直的垂直方向上延伸；以及第二部分，所述第二部分連接到所述第一部分的底部并在所述第一水平方向上延伸，其中所述第二部分設(shè)置在所述位線的上表面上，并且所述第一部分包括與所述模制開口的側(cè)壁接觸的第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，并且所述有源半導(dǎo)體層具有設(shè)置在比所述模制結(jié)構(gòu)的上表面低的水平高度處的上表面；字線，所述字線設(shè)置在所述有源半導(dǎo)體層的所述第二側(cè)壁上并在所述第二水平方向上延伸；柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述有源半導(dǎo)體層和所述字線之間；掩埋絕緣層，所述掩埋絕緣層設(shè)置在所述字線的側(cè)壁上并填充所述模制開口；著陸焊盤，所述著陸焊盤連接到所述有源半導(dǎo)體層的所述第一部分的上表面，所述著陸焊盤包括設(shè)置在所述模制結(jié)構(gòu)的所述上表面上的上部和連接到所述上部并設(shè)置在著陸焊盤凹陷空間中的底部；以及存儲節(jié)點，所述存儲節(jié)點連接到所述著陸焊盤，其中所述界面絕緣層從所述覆蓋絕緣層的所述上表面延伸到設(shè)置在所述著陸焊盤凹陷空間中的所述覆蓋絕緣層的側(cè)壁上。

5、根據(jù)本發(fā)明的再另外的實施例，提供了一種集成電路存儲器件，所述集成電路存儲器件包括：襯底，所述襯底在其上具有位線(bl)；以及電絕緣區(qū)，所述電絕緣區(qū)在其中具有暴露所述位線的第一部分的第一開口。還提供了第一半導(dǎo)體有源層，所述第一半導(dǎo)體有源層沿著所述第一開口的相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁以及所述位線的暴露的第一部分形成一層(line)，使得在所述位線的所述暴露的第一部分和所述第一半導(dǎo)體有源層的在所述第一開口的所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間延伸的部分之間提供直接電連接。第一字線提供在所述第一半導(dǎo)體有源層的與所述第一開口的所述第一側(cè)壁相對延伸的第一部分上，并且第二字線提供在所述第一半導(dǎo)體有源層的與所述第一開口的所述第二側(cè)壁相對延伸的第二部分上。有利地，所述第一字線的與所述第一半導(dǎo)體有源層的所述第一部分相對延伸的部分用作第一存儲單元的存取晶體管的柵電極，并且所述第二字線的與所述第一半導(dǎo)體有源層的所述第二部分相對延伸的部分用作第二存儲單元的存取晶體管的柵電極。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，所述器件還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述有源半導(dǎo)體層具有u形垂直截面；并且其中，所述字線具有l(wèi)形垂直截面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，所述器件還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述著陸焊盤的所述上部具有在所述第一水平方向上的第一寬度；其中，所述著陸焊盤的所述底部具有在所述第一水平方向上的小于所述第一寬度的第二寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述界面絕緣層從所述覆蓋絕緣層的所述上表面延伸到在所述著陸焊盤凹陷空間中延伸的所述覆蓋絕緣層的所述側(cè)壁上；并且，其中，所述界面絕緣層的在所述覆蓋絕緣層的所述側(cè)壁上延伸的部分與所述著陸焊盤接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述有源半導(dǎo)體層的所述第一部分具有設(shè)置在與所述覆蓋絕緣層的底表面相同或比所述覆蓋絕緣層的底表面低的水平高度處的上表面；并且其中，在所述著陸焊盤凹陷空間中延伸的所述覆蓋絕緣層的所述側(cè)壁被所述界面絕緣層完全覆蓋。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，所述器件還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述著陸焊盤的底表面設(shè)置在與所述界面絕緣層的底表面相同的水平高度處。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述界面絕緣層包括氮氧化硅和氧化硅中的至少一者。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述有源半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物、銦鎢氧化物、銦錫鎵氧化物、銦鋁鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵硅氧化物、銦鋅氧化物、銦氧化物、鎂鋁鋅氧化物、鋅錫氧化物、鋯鋅錫氧化物、鎵鋅錫氧化物、鋁鋅錫氧化物和錫氧化物中的至少一者。

13.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中，所述界面絕緣層從所述覆蓋絕緣層的所述上表面延伸到設(shè)置在所述著陸焊盤凹陷空間中的所述覆蓋絕緣層的所述側(cè)壁上；并且其中，所述界面絕緣層的設(shè)置在所述覆蓋絕緣層的所述側(cè)壁上的部分與所述著陸焊盤的所述底部接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中，所述界面絕緣層在所述著陸焊盤的所述底部和所述覆蓋絕緣層之間延伸；并且其中，所述著陸焊盤的所述底部不與所述覆蓋絕緣層接觸。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中，所述有源半導(dǎo)體層的所述第一部分具有設(shè)置在與所述覆蓋絕緣層的所述底表面相同或比所述覆蓋絕緣層的所述底表面低的水平高度處的上表面；并且其中，設(shè)置在所述著陸焊盤凹陷空間中的所述覆蓋絕緣層的所述側(cè)壁被所述界面絕緣層完全覆蓋。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，所述器件還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中，所述界面絕緣層包括氮氧化硅或氧化硅，并且

19.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，

技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體器件。集成電路存儲器件(例如，DRAM)包括：襯底，所述襯底在其上具有位線；以及電絕緣區(qū)，所述電絕緣區(qū)在其中具有暴露所述位線的第一部分的第一開口。提供了第一半導(dǎo)體有源層，所述第一半導(dǎo)體有源層沿著所述第一開口的相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁以及所述位線的暴露的第一部分形成一層，使得在所述位線的所述暴露的第一部分和所述第一半導(dǎo)體有源層的在所述第一開口的所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間延伸的部分之間提供直接電連接。第一字線提供在所述第一半導(dǎo)體有源層的與所述第一開口的所述第一側(cè)壁相對延伸的第一部分上，并且第二字線提供在所述第一半導(dǎo)體有源層的與所述第一開口的所述第二側(cè)壁相對延伸的第二部分上。

技術(shù)研發(fā)人員：宋在俊,樸梗镺,崔德歡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9