本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體的，涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法及半導(dǎo)體器件、存儲器系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造工藝中，平坦化工藝是不可缺少的工藝步驟之一，晶圓表面的平坦度會影響產(chǎn)品的良率。相關(guān)技術(shù)中晶圓表面平坦化的方法至少要經(jīng)過刻蝕、化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)等多個步驟，工藝流程比較繁瑣、成本較高。因此，需要探索一種能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓表面平坦化并且具有簡單結(jié)構(gòu)的制造半導(dǎo)體器件的方法及半導(dǎo)體器件、存儲器系統(tǒng)。

2、

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請公開的各個方面以及各個方面包括的實(shí)施例用于解決或部分解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述或者其它一些不足。

2、第一方面，本申請的實(shí)施方式提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括堆疊結(jié)構(gòu)、貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的接觸連接部和柵線縫隙結(jié)構(gòu)，其中，所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)沿所述堆疊結(jié)構(gòu)的堆疊方向具有凸出所述堆疊結(jié)構(gòu)的凸起部，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括覆蓋所述堆疊結(jié)構(gòu)、所述接觸連接部和所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)的凸起部的半導(dǎo)體層；去除至少部分所述半導(dǎo)體層，以暴露所述接觸連接部及所述凸起部；去除所述凸起部的至少一部分；以及形成覆蓋所述半導(dǎo)體層、所述接觸連接部和所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層。

3、在一個實(shí)施方式中，去除至少部分所述半導(dǎo)體層，以暴露所述接觸連接部及所述凸起部包括：在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述堆疊結(jié)構(gòu)的表面上形成圖案化的掩膜層，所述掩膜層包括第一開口和第二開口，其中，所述第一開口暴露所述半導(dǎo)體層的覆蓋所述接觸連接部的部分，所述第二開口暴露所述半導(dǎo)體層的覆蓋所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)的部分；以及通過所述第一開口和所述第二開口刻蝕所述半導(dǎo)體層，以暴露所述接觸連接部及所述凸起部。

4、在一個實(shí)施方式中，在垂直于所述堆疊方向的平面上，所述第一開口的投影覆蓋所述接觸連接部的投影。

5、在一個實(shí)施方式中，所述凸起部具有遠(yuǎn)離所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一端和靠近所述堆疊結(jié)構(gòu)的第二端；以及在垂直于所述堆疊方向的平面上，所述第二端的投影覆蓋所述第二開口的投影，所述第二開口的投影覆蓋所述第一端的投影。

6、在一個實(shí)施方式中，去除所述凸起部的至少一部分后，所述凸起部沿所述堆疊方向的尺寸小于等于150nm。

7、第二方面，本申請的實(shí)施方式提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括：堆疊結(jié)構(gòu)，具有核心區(qū)和觸點(diǎn)連接區(qū)；接觸連接部，位于所述觸點(diǎn)連接區(qū)并貫穿所述觸點(diǎn)連接區(qū)；柵線縫隙結(jié)構(gòu)，位于所述核心區(qū)并貫穿所述核心區(qū)；半導(dǎo)體層，覆蓋所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面，且在所述接觸連接部和所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)的位置處斷開；以及介質(zhì)層，覆蓋所述半導(dǎo)體層、所述接觸連接部和所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)。

8、在一個實(shí)施方式中，所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)還包括延伸至所述介質(zhì)層中的部分，所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)延伸至所述介質(zhì)層中的部分沿所述堆疊方向的尺寸小于等于150nm。

9、在一個實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括多晶硅層，所述介質(zhì)層的材質(zhì)包括二氧化硅。

10、在一個實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體器件還包括：外圍電路結(jié)構(gòu)，位于所述堆疊結(jié)構(gòu)的與第一側(cè)面相對的第二側(cè)面，并與所述核心區(qū)和所述觸點(diǎn)連接區(qū)電連接。

11、第三方面，本申請的實(shí)施方式提供了一種存儲器系統(tǒng)，其包括：三維存儲器，包括至少一個如上文實(shí)施方式所描述的半導(dǎo)體器件；以及控制器，與三維存儲器耦接，用于控制所述三維存儲器存儲數(shù)據(jù)。

12、根據(jù)本申請實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法，通過在掩膜層上增加可以暴露半導(dǎo)體層的覆蓋柵線縫隙結(jié)構(gòu)的凸起部的第二開口，通過第二開口暴露凸起部并降低凸起部的高度，改善了介質(zhì)層表面的形貌問題，從而節(jié)省了化學(xué)機(jī)械研磨工藝，并且還降低了對介質(zhì)層的厚度要求，簡化了半導(dǎo)體器件的制備方法，節(jié)省了制造成本。

13、此外，根據(jù)本申請實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件及存儲器系統(tǒng)，通過控制柵線縫隙結(jié)構(gòu)延伸至介質(zhì)層中的部分沿堆疊方向的尺寸在預(yù)設(shè)的閾值范圍內(nèi)，改善了覆蓋半導(dǎo)體層、接觸連接部和柵線縫隙結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層表面起伏太大的問題，節(jié)省了化學(xué)機(jī)械研磨工藝，并且降低了對介質(zhì)層的厚度要求，簡化了半導(dǎo)體器件的制備方法，節(jié)省了制造成本。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其中，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除至少部分所述半導(dǎo)體層，以暴露所述接觸連接部及所述凸起部包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在垂直于所述堆疊方向的平面上，所述第一開口的投影覆蓋所述接觸連接部的投影。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其中，去除所述凸起部的至少一部分后，所述凸起部沿所述堆疊方向的尺寸小于等于150nm。

6.一種半導(dǎo)體器件，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵線縫隙結(jié)構(gòu)還包括延伸至所述介質(zhì)層中的部分，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括多晶硅層，所述介質(zhì)層的材質(zhì)包括二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件還包括：

10.一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請的實(shí)施方式提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法以及半導(dǎo)體器件、存儲器系統(tǒng)。該方法包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括堆疊結(jié)構(gòu)、貫穿堆疊結(jié)構(gòu)的接觸連接部和柵線縫隙結(jié)構(gòu)，其中，柵線縫隙結(jié)構(gòu)沿堆疊結(jié)構(gòu)的堆疊方向具有凸出堆疊結(jié)構(gòu)的凸起部，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括覆蓋堆疊結(jié)構(gòu)、接觸連接部和柵線縫隙結(jié)構(gòu)的凸起部的半導(dǎo)體層；去除至少部分半導(dǎo)體層，以暴露接觸連接部及凸起部；去除凸起部的至少一部分；以及形成覆蓋半導(dǎo)體層、接觸連接部和柵線縫隙結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層。

技術(shù)研發(fā)人員：趙英程,張明康,潘震,伍術(shù)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長江存儲科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6