本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種振蕩器電路。

背景技術(shù)：

振蕩器是一種能量轉(zhuǎn)換裝置，它的主要作用是將直流電能轉(zhuǎn)換成具有一定頻率的交流電能。

傳統(tǒng)的振蕩器電路如圖1所示，包括：第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3和電容c1；第一反相器inv1的輸入接振蕩器的輸出uout；第二反相器inv2的輸入接第一反相器inv1的輸出；第三反相器inv3的輸入接第二反相器inv2的輸出，輸出接振蕩器的輸出uout；電容c1的一端接第三反向器inv3的輸出，另一端接地。

振蕩器的輸出時(shí)鐘頻率會(huì)受到工藝、電源電壓以及溫度的影響，在上述各因素發(fā)生變化時(shí)將使得振蕩器的輸出時(shí)鐘頻率誤差非常大，一般振蕩器的輸出時(shí)鐘頻率誤差會(huì)隨工藝、電源電壓以及溫度變化達(dá)到20％-30％，甚至有時(shí)竟然達(dá)到了50％，這給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了很大的困擾，無(wú)法滿足電路的正常工作需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有振蕩器頻率誤差大的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種頻率誤差小的振蕩器電路。

一種振蕩器電路，包括：第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3、rs觸發(fā)器rs1、第一電容c1、第二電容c2以及nmos晶體管n1；第一反相器inv1的輸入接振蕩器的輸出uout，輸出接第一電容c1的一端及nmos晶體管n1的漏極以及第二反相器inv2和第三反相器inv3的輸入；第一電容c1的另一端接地；nmos晶體管n1的柵極接電源，源極接第二電容c2的一端；第二電容c2的另一端接地；第二反相器inv2的輸出接rs觸發(fā)器rs1的復(fù)位端r；第三反相器inv3的輸出接rs觸發(fā)器rs1的置位端s；rs觸發(fā)器rs1的輸出端q接振蕩器的輸出uout。

進(jìn)一步的，所述第二反相器inv2的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比所述第三反相器inv3的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)高。

本發(fā)明利用了第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)別，使得第一電容c1上的電壓在這兩個(gè)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)之間線性變化，從而構(gòu)成了一個(gè)穩(wěn)定的頻率。而且，在此基礎(chǔ)上，這個(gè)振蕩器還引入了nmos晶體管n1和第二電容c2，這兩個(gè)器件的引入，使得在不同的電源電壓下，振蕩器的有效電容值不同，使得電源電壓對(duì)振蕩頻率的影響大大減小，增強(qiáng)了頻率的穩(wěn)定性。相比傳統(tǒng)的振蕩器，這個(gè)振蕩器頻率主要受第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的控制，比較穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

圖1是傳統(tǒng)的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面結(jié)合具體實(shí)施方式并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

為解決現(xiàn)有振蕩器頻率隨著工藝、電源電壓以及溫度的影響造成誤差大的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種頻率誤差小的振蕩器電路。如圖2所示，該振蕩器電路包括：第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3、rs觸發(fā)器rs1、第一電容c1、第二電容c2以及nmos晶體管n1；第一反相器inv1的輸入接振蕩器的輸出uout，輸出接第一電容c1的一端及nmos晶體管n1的漏極以及第二反相器inv2和第三反相器inv3的輸入；第一電容c1的另一端接地；nmos晶體管n1的柵極接電源，源極接第二電容c2的一端；第二電容c2的另一端接地；第二反相器inv2的輸出接rs觸發(fā)器rs1的復(fù)位端r；第三反相器inv3的輸出接rs觸發(fā)器rs1的置位端s；rs觸發(fā)器rs1的輸出端q接振蕩器的輸出uout。

進(jìn)一步的，所述第二反相器inv2的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比所述第三反相器inv3的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)高。即第二反相器inv2的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較高，第三反相器inv3的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較低。

本發(fā)明利用了第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)別，使得第一電容c1上的電壓在這兩個(gè)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)之間線性變化，從而構(gòu)成了一個(gè)穩(wěn)定的頻率。而且，在此基礎(chǔ)上，這個(gè)振蕩器還引入了nmos晶體管n1和第二電容c2，這兩個(gè)器件的引入，使得在不同的電源電壓下，振蕩器的有效電容值不同，使得電源電壓對(duì)振蕩頻率的影響大大減小，增強(qiáng)了頻率的穩(wěn)定性。相比傳統(tǒng)的振蕩器，這個(gè)振蕩器頻率主要受第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的控制，比較穩(wěn)定。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說(shuō)明或解釋本發(fā)明的原理，而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種振蕩器電路，屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該電路包括：第一反相器的輸入接振蕩器的輸出，輸出接第一電容的一端及NMOS管的漏極以及第二反相器和第三反相器的輸入；第一電容的另一端接地；NMOS管的柵極接電源，源極接第二電容的一端；第二電容的另一端接地；第二反相器的輸出接RS觸發(fā)器的復(fù)位端；第三反相器的輸出接RS觸發(fā)器RS1的置位端；RS觸發(fā)器的輸出端接振蕩器的輸出。本發(fā)明利用了第二反相器和第三反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)別，在此基礎(chǔ)上還引入了NMOS管和第二電容，這兩個(gè)器件的引入，使得在不同的電源電壓下，振蕩器的有效電容值不同，使得電源電壓對(duì)振蕩頻率的影響大大減小，增強(qiáng)了頻率的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)沙方星騰電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.30
技術(shù)公布日：2017.09.15