本發(fā)明涉及聲表面波器件、天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)及叉指式換能器。

背景技術(shù)：

便攜式終端等通訊設(shè)備搭載了根據(jù)聲表面波(saw：surfaceacousticwave)構(gòu)成的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)，用于電氣性地分離天線的接收路徑和發(fā)送路徑。

通常，天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)的發(fā)送側(cè)由梯形(laddertype)的聲表面波器件構(gòu)成。梯形聲表面波器件需要在接收頻帶的低頻率頻帶中具有急劇的(陡峭的)衰減特性。并且，如所述的梯形聲表面波器件可能會因制造時的特性不均而導(dǎo)致衰減量超出既定的規(guī)格，因此為了提高制造收率，需要擴(kuò)寬接收頻帶的低頻率頻帶的額外制程范圍。

在先專利文獻(xiàn)

(專利文獻(xiàn)1)日本公開專利特開2014-039199號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

(要解決的技術(shù)問題)

專利文獻(xiàn)1公開了能夠低損耗和高抑制并存的梯形表面波濾波器、天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)及模塊。但是，專利文獻(xiàn)1存在未考慮到共振點(diǎn)等的額外制程范圍的問題。因此，專利文獻(xiàn)1中記載的表面波濾波器在制造時存在收率降低的可能性。

本發(fā)明的目的在于提供一種急劇的(陡峭的)衰減特性和高制造收率并存的聲表面波器件、天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)及叉指式換能器。

(解決問題的手段)

本發(fā)明一樣態(tài)的聲表面波器件作為包括串聯(lián)共振器及并聯(lián)共振器的梯形聲表面波器件，所述并聯(lián)共振器包括第一反射器、第二反射器及設(shè)置于所述第一反射器與所述第二反射器之間的叉指式換能器，所述叉指式換能器至少具有以固定周期形成的第一區(qū)域和以與所述第一區(qū)域的周期不同的固定周期部分形成的第二區(qū)域。

本發(fā)明另一樣態(tài)的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)具備本發(fā)明一樣態(tài)的聲表面波器件。

本發(fā)明另一樣態(tài)的叉指式換能器作為用于梯形聲表面波器件的叉指式換能器，所述叉指式換能器至少具有以固定周期形成的第一區(qū)域和以與所述第一區(qū)域的周期不同的固定周期部分形成的第二區(qū)域。

(發(fā)明的效果)

根據(jù)本發(fā)明，急劇的(陡峭的)衰減特性和高制造收率可并存。

附圖說明

圖1是示出涉及本發(fā)明的聲表面波器件的構(gòu)成的框圖。

圖2是示出涉及本發(fā)明第一實施形態(tài)的saw共振器的模式圖。

圖3(a)是示出第一實施形態(tài)的saw共振器的叉指電極及電極周期的曲線圖，(b)是示出第一實施形態(tài)的saw共振器的頻率特性的曲線圖。

圖4(a)是示出第一實施形態(tài)的聲表面波器件的頻率特性和一般的聲表面波器件的頻率特性的曲線圖，(b)是部分?jǐn)U大(a)的曲線圖，(c)是示出第一實施形態(tài)的聲表面波器件所具備的并聯(lián)共振器的頻率特性的曲線圖。

圖5是示出涉及本發(fā)明的第二實施形態(tài)的saw共振器的模式圖。

圖6(a)是示出第二實施形態(tài)的saw共振器的叉指電極及電極的周期的曲線圖，(b)是示出第二實施形態(tài)的saw共振器的頻率特性的曲線圖。

圖7(a)是示出第二實施形態(tài)的聲表面波器件的頻率特性和一般的聲表面波器件的頻率特性的曲線圖，(b)是部分?jǐn)U大(a)的曲線圖，(c)是示出第二實施形態(tài)的聲表面波器件所具備的并聯(lián)共振器的頻率特性的曲線圖。

圖8是示出涉及本發(fā)明的第三實施形態(tài)的saw共振器的模式圖。

圖9(a)是示出第三實施形態(tài)的saw共振器的叉指電極及電極的周期的曲線圖，(b)是示出第三實施形態(tài)的saw共振器的頻率特性的曲線圖。

圖10(a)是示出第三實施形態(tài)的聲表面波器件的頻率特性和一般的聲表面波器件的頻率特性的曲線圖，(b)是部分?jǐn)U大(a)的曲線圖，(c)是示出第三實施形態(tài)的聲表面波器件所具備的并聯(lián)共振器的頻率特性的曲線圖。

圖11是示出涉及本發(fā)明的第四實施形態(tài)的saw共振器的模式圖。

圖12(a)是示出第四實施形態(tài)的saw共振器的叉指電極及電極的周期的曲線圖，(b)是示出第四實施形態(tài)的saw共振器的頻率特性的曲線圖。

圖13(a)是示出第四實施形態(tài)的聲表面波器件的頻率特性和一般的聲表面波器件的頻率特性的曲線圖，(b)是部分?jǐn)U大(a)的曲線圖，(c)是示出第四實施形態(tài)的聲表面波器件所具備的并聯(lián)共振器的頻率特性的曲線圖。

圖14是示出一般的saw共振器的模式圖。

圖15(a)是示出一般的saw共振器的叉指電極及電極的周期的曲線圖，(b)是示出一般的saw共振器的頻率特性的曲線圖，(c)是示出一般的聲表面波器件所具備的并聯(lián)共振器的頻率特性的曲線圖。

附圖標(biāo)記

100：聲表面波器件

101：第一串聯(lián)共振器

102：第二串聯(lián)共振器

103：第三串聯(lián)共振器

104：第四串聯(lián)共振器

111：第一并聯(lián)共振器

112：第二并聯(lián)共振器

113：第三并聯(lián)共振器

200，200a、200b、200c、200d：saw共振器

201、201a、201b、201c、201d：叉指式換能器

202：第一反射器

203：第二反射器

204a：第一電極

204b：第二電極

210、210a、210b、210c、210d：第一區(qū)域

211、211a、211b、211c、211d：第一周期

220a、220b、220c、220d：第二區(qū)域

221a、221b、221c、221d：第二周期

230d：第三區(qū)域

231d：第三周期

301：第一區(qū)間

302：第二區(qū)間

303：第三區(qū)間

310、310a、310b、310c、310d：第一范圍

320a、320b、320c、320d：第二范圍

330d：第三范圍

410、410a、410b、410c、410d：第一共振點(diǎn)

420a、420b、420c、420d：第二共振點(diǎn)

430a、430b、430c、430d：反共振點(diǎn)

500、500a、500b、500c、500d：第一頻率特性

510、510a、510b、510c、510d：第一并聯(lián)共振器頻率特性

520、520a、520b、520c、520d：第二并聯(lián)共振器頻率特性

530、530a、530b、530c、530d：第三并聯(lián)共振器頻率特性

具體實施方式

以下，參照附圖而詳細(xì)說明本發(fā)明的實施形態(tài)。并且，為了避免反復(fù)說明造成的繁雜，各附圖中相同且相當(dāng)?shù)牟糠指郊酉嗤姆喜⑦m當(dāng)?shù)厥÷詫ζ涞恼f明。

[聲表面波器件]

首先，參照圖1說明一般的聲表面波器件，但電路構(gòu)成與本發(fā)明相同。圖1是示出聲表面波器件100的構(gòu)成的例子的框圖。

如圖1所圖示，聲表面波器件100具備第一串聯(lián)共振器101、第二串聯(lián)共振器102、第三串聯(lián)共振器103、第四串聯(lián)共振器104、第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113。

舉例來說，第一串聯(lián)共振器101、第二串聯(lián)共振器102、第三串聯(lián)共振器103及第四串聯(lián)共振器104由1-port的saw共振器構(gòu)成，分別串聯(lián)連接。

舉例來說，第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113由1-port的saw共振器構(gòu)成。

第一并聯(lián)共振器111連接到第一串聯(lián)共振器101與第二串聯(lián)共振器102之間。具體而言，第一并聯(lián)共振器111并聯(lián)連接到第一串聯(lián)共振器101、第二串聯(lián)共振器102、第三串聯(lián)共振器103及第四串聯(lián)共振器104，并且接地。

第二并聯(lián)共振器112連接到第二串聯(lián)共振器102與第三串聯(lián)共振器103之間。具體而言，第二并聯(lián)共振器112并聯(lián)連接到第一串聯(lián)共振器101、第二串聯(lián)共振器102、第三串聯(lián)共振器103及第四串聯(lián)共振器104，并且接地。

第三并聯(lián)共振器113連接到第三串聯(lián)共振器103與第四串聯(lián)共振器104之間。具體而言，第三并聯(lián)共振器113并聯(lián)連接到第一串聯(lián)共振器101、第二串聯(lián)共振器102、第三串聯(lián)共振器103及第四串聯(lián)共振器104，并且接地。

即，聲表面波器件100是由四個串聯(lián)共振器和三個并聯(lián)共振器構(gòu)成的梯形聲表面波器件。并且，下面以聲表面波器件100具備四個串聯(lián)共振器和三個并聯(lián)共振器作為說明，但這只是例示，并不是限定本發(fā)明。聲表面波器件100可根據(jù)設(shè)計而具備任意數(shù)量的串聯(lián)共振器及并聯(lián)共振器。

[saw共振器]

在說明涉及本發(fā)明的saw共振器之前，先說明一般的saw共振器的構(gòu)成。

圖14是示出一般的saw共振器的構(gòu)成的模式圖。

saw共振器200具備叉指式換能器201、第一反射器202和第二反射器203。

如圖14所圖示，舉例來說，叉指式換能器201具有交替組合以梳形形成的第一電極204a及第二電極204b的結(jié)構(gòu)。

更具體地說，第一電極204a及第二電極204b分別具有既定的長度(圖14中y方向)及既定的幅度(圖14中x方向)，兩電極204a及204b構(gòu)成多個叉指電極。多個叉指電極以與第一電極204a及第二電極204b分別形成既定間隔地形成。叉指式換能器201如圖14所圖示，具有從y方向分別交替組合第一電極204a及第二電極204b的多個叉指電極的結(jié)構(gòu)。

叉指式換能器201具有由兩電極204a及204b構(gòu)成的叉指電極以固定的第一周期211形成的第一區(qū)域210。

例如，第一反射器202及第二反射器203是通過以既定周期(λref)并排豎立多個電極而構(gòu)成的反射器。一般而言，第一反射器202及第二反射器203的電極的周期(λref)與叉指式換能器201的叉指電極的周期(λidt)相同。在這種第一反射器202與第二反射器203之間，將叉指式換能器201布置在壓電基板上，從而構(gòu)成saw共振器200。

[一般的saw共振器的結(jié)構(gòu)及頻率特性]

其次，說明saw共振器200的叉指式換能器201的叉指電極的周期及具備saw共振器200和saw共振器200的聲表面波器件100的頻率特性。

圖15(a)是示出圖14圖示的saw共振器200的叉指式換能器201、第一反射器202和第二反射器203的叉指電極以及電極的周期的曲線圖。圖15(a)圖示橫軸為位置(μm)、縱軸為叉指電極及電極的周期(μm)。

第一區(qū)間301示出圖14中圖示的第一反射器202的電極的周期。第二區(qū)間302示出叉指式換能器201的叉指電極的周期。第三區(qū)間303示出第二反射器203的電極的周期。

即，圖示的saw共振器200中，叉指式換能器201、第一反射器202及第二反射器203的叉指電極及電極的周期可固定為如5.5μm。

圖15(b)是示出將saw共振器200作為并聯(lián)共振器時的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖15(b)的橫軸為約650～800mhz，縱軸為-30～0db。

saw共振器200在約708mhz的頻率頻帶具有第一共振點(diǎn)410。即，saw共振器200可將約708mhz的頻率頻帶的信號抑制約-26db。因此，saw共振器200在約650～800mhz的頻帶具有一個共振點(diǎn)。

圖15(c)是示出作為各并聯(lián)共振器具備的saw共振器200的聲表面波器件100的低頻率頻帶的頻率特性的曲線圖。

具體而言，第一頻率特性500呈現(xiàn)圖1中圖示的聲表面波器件100的頻率特性。第一并聯(lián)共振器頻率特性510呈現(xiàn)圖1圖示的第一并聯(lián)共振器111的頻率特性。第二并聯(lián)共振器頻率特性520呈現(xiàn)圖1圖示的第二并聯(lián)共振器112的頻率特性。第三并聯(lián)共振器頻率特性530呈現(xiàn)圖1圖示的第三并聯(lián)共振器113的頻率特性。

如圖15(c)所圖示，第一并聯(lián)共振器111的第一頻率特性510在約704mhz的頻率頻帶具有-28db的共振點(diǎn)。第二并聯(lián)共振器112的第二頻率特性520在約708mhz的頻率頻帶具有-28db的共振點(diǎn)。第三并聯(lián)共振器113的第三頻率特性530在約708mhz的頻率頻帶具有-26db的共振點(diǎn)。

即，第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113分別具有一個共振點(diǎn)。并且，聲表面波器件100具有根據(jù)第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113的共振點(diǎn)的衰減特性。

如后述，本發(fā)明中通過變更作為并聯(lián)共振器連接的saw共振器的設(shè)計，比圖15(c)圖示的頻率特性具有更急劇的(陡峭的)衰減特性，并且能夠獲得制造收率更高的梯形聲表面波器件。

[第一實施形態(tài)]

圖2是示出涉及本發(fā)明的第一實施形態(tài)的saw共振器200a的模式圖。

saw共振器200a具備叉指式換能器201a、第一反射器202和第二反射器203。

如圖2所圖示，saw共振器200a具有第一區(qū)域210a和第二區(qū)域220a。

第一區(qū)域210a是由上下兩個電極構(gòu)成的叉指電極以固定周期即第一周期211a形成的區(qū)域。

第二區(qū)域220a部分地形成于叉指式換能器201a，并且叉指電極以與第一周期211a不同的固定周期即第二周期221a形成的區(qū)域。圖示的第二區(qū)域220a相對于叉指式換能器201a，形成于靠近第一反射器202的最近的位置。

即，叉指式換能器201a具有叉指電極的周期不同的兩個區(qū)域。

圖3(a)是示出叉指式換能器201a、第一反射器202及第二反射器203的叉指電極以及電極的周期的曲線圖，橫軸為位置(μm)，縱軸為周期(μm)。

第一范圍310a示出圖2圖示的第一周期211a。第二范圍320a示出圖2圖示的第二周期221a。

如圖3(a)所圖示，第一周期211a為5.497μm。第二周期221a為5.406μm。并且，圖3(a)圖示的周期為例示，并不是限定本發(fā)明。

對于第一周期211a的第二周期221a的比率為約98.3％。具體而言，對于第一周期211a的第二周期221a的比率為95％以上，并且優(yōu)先為100％以內(nèi)。

對于叉指式換能器201a整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域220a的叉指電極的對數(shù)的比率為約10％。具體而言，對于叉指式換能器201a整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域220a的叉指電極的對數(shù)的比率優(yōu)選20％以內(nèi)。

圖3(b)是示出以saw共振器200a為并聯(lián)共振器時的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖3(b)示出橫軸為約650～800mhz，縱軸為-30～0db的范圍的saw共振器200a的頻率特性。

如圖3(b)所圖示，saw共振器200a在約706mhz的頻率頻帶具有第一共振點(diǎn)410a。即，第一共振點(diǎn)410a對應(yīng)一般的saw共振器200的第一共振點(diǎn)410。并且，第一共振點(diǎn)410a的插入損耗為約-25db。

并且，saw共振器200a在約712mhz的頻率頻帶具有第二共振點(diǎn)420a。第二共振點(diǎn)420a的插入損耗為約-15db。即，saw共振器200a能夠抑制約712mhz的頻率頻帶的信號。

因此，saw共振器200a相比saw共振器200，在高頻頻帶具有共振點(diǎn)。如所述，因saw共振器200a相比saw共振器200，在高頻頻帶具有共振點(diǎn)，相比saw共振器200，能夠更急劇地(陡峭地)衰減通頻帶的低頻率頻帶的信號。即，形成第二共振點(diǎn)420a的結(jié)果，使得從720mhz到715mhz的衰減特性變得更急劇(陡峭)。

并且，saw共振器200a在第一共振點(diǎn)410a與第二共振點(diǎn)420a之間的頻率頻帶具有反共振點(diǎn)430a。反共振點(diǎn)430a的插入損耗為約-6db。即，saw共振器200a在反共振點(diǎn)430a的頻率頻帶，可能無法急劇地(陡峭地)衰減信號，因此將saw共振器200a搭載到聲表面波器件時，可能有必要抑制反共振點(diǎn)430a的必要性。

圖4是用于比較聲表面波器件100與具備本發(fā)明所涉及的saw共振器200a的聲表面波器件100a的頻率特性的曲線圖。因本發(fā)明涉及的聲表面波器件具有與圖1相同的構(gòu)成，在此以本發(fā)明涉及的聲表面波器件為100a而進(jìn)行說明。并且，以下說明為聲表面波器件100a在圖1圖示的框圖中，僅以第三并聯(lián)共振器113為saw共振器200a。

圖4(a)是示出聲表面波器件100與聲表面波器件100a的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖4(a)示出橫軸為約660～800mhz，縱軸為-100～0db的范圍的聲表面波器件100以及聲表面波器件100a的頻率特性。

圖4(a)中，第一頻率特性500示出聲表面波器件100的頻率特性，第一頻率特性500a示出聲表面波器件100a的接收頻帶的頻率特性。

搭載于天線收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)的發(fā)送側(cè)的聲表面波器件有時被要求至少衰減20db的通頻帶的低頻率側(cè)信號。圖4(a)中，聲表面波器件100及聲表面波器件100a在通頻帶的低頻率側(cè)具有急劇的(陡峭的)衰減特性。

圖4(b)是擴(kuò)大第一頻率特性500及第一頻率特性500a的低頻率頻帶側(cè)的衰減頻帶的曲線圖。具體而言，圖4(b)的橫軸的范圍為700～725mhz，縱軸的范圍為-50～0db。

圖4(b)所圖示，聲表面波器件100a在約-36～-10db的衰減頻帶，比聲表面波器件100更急劇地(陡峭地)衰減信號。其結(jié)果，第一頻率特性500a呈現(xiàn)相比第一頻率特性500更向高頻頻帶側(cè)偏移的特性。因此，聲表面波器件100a在約-36～-10db的衰減頻帶具有相當(dāng)于第一頻率特性500a與第一頻率特性500的差分一樣寬的額外制程范圍。因此，聲表面波器件100a較少出現(xiàn)因制造時的特性不均而特性超出規(guī)格的情況。即，聲表面波器件100a相比聲表面波器件100，額外制程范圍有所改善且制造時的收率也有所提高。

圖4(c)是示出具有與圖1相同的構(gòu)成的聲表面波器件100a、第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113的接收頻帶的低頻率頻帶側(cè)的頻率特性的曲線圖。具體而言，圖4(c)圖示橫軸為685～735mhz，縱軸為-50～0db的范圍。

圖4(c)中，第一頻率特性500a是聲表面波器件100a的頻率特性。第一并聯(lián)共振器頻率特性510a是第一并聯(lián)共振器111的頻率特性。第二并聯(lián)共振器頻率特性520a是第二并聯(lián)共振器112的頻率特性。第三并聯(lián)共振器頻率特性530a是第三并聯(lián)共振器113的頻率特性。

圖4(c)所圖示，第一并聯(lián)共振器111在約704mhz的頻率頻帶具有-27db的共振點(diǎn)。

第二并聯(lián)共振器112在約708mhz的頻率頻帶具有-28db的共振點(diǎn)。

第三并聯(lián)共振器113在約706mhz的頻率頻帶具有-25db的共振點(diǎn)及在約712mhz的頻率頻帶具有-15db的共振點(diǎn)。并且，第三并聯(lián)共振器113在約708mhz的頻率頻帶具有-6db的反共振點(diǎn)。

即，第二并聯(lián)共振器112的共振點(diǎn)與第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)相一致。因此，第二并聯(lián)共振器112能夠抑制第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)。其結(jié)果，如圖4(b)所圖示，聲表面波器件100a相比聲表面波器件100具有更急劇的(陡峭的)衰減特性。

并且，第二并聯(lián)共振器112可根據(jù)第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)的頻率頻帶任意設(shè)計共振點(diǎn)的頻率頻帶。并且，抑制第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)的共振器并不限定于第二并聯(lián)共振器112。因能夠任意設(shè)計共振器的共振點(diǎn)，設(shè)計為第一并聯(lián)共振器111抑制第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)。

[第二實施形態(tài)]

圖5是示出涉及本發(fā)明的第二實施形態(tài)的saw共振器200b的模式圖。

saw共振器200b具備叉指式換能器201b、第一反射器202和第二反射器203。

圖5所圖示，saw共振器200b具有第一區(qū)域210b和第二區(qū)域220b。

第一區(qū)域210b是叉指電極以固定周期即第一周期211b形成的區(qū)域。

第二區(qū)域220b是部分地形成于叉指式換能器201b并且叉指電極以與第一周期211b不同的固定周期即第二周期221b形成的區(qū)域。具體而言，第二區(qū)域220b形成于叉指式換能器201b的中心。

即，叉指式換能器201b具有叉指電極的周期不同的兩個區(qū)域。

圖6(a)是示出saw共振器200b的叉指式換能器201b、第一反射器202及第二反射器203的叉指電極以及電極的周期的曲線圖，橫軸為位置(μm)，縱軸為周期(μm)。

第一范圍310b示出圖5圖示的第一周期211b。第二范圍320b示出圖5圖示的第二周期221b。

如圖6(a)所圖示，第一周期211b為5.490μm。第二周期221b為5.406μm。并且，圖6(a)圖示的周期只是例示，并不是限定本發(fā)明。

對于第一周期211b的第二周期221b的比率為約98.5％。具體而言，對于第一周期211b的第二周期221b的比率為95％以上，并且優(yōu)選100％以內(nèi)。

對于叉指式換能器201b整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域220b的叉指電極的對數(shù)的比率為約8.3％。具體而言，對于叉指式換能器201b整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域220b的叉指電極的對數(shù)的比率優(yōu)選為20％以內(nèi)。

圖6(b)是示出以saw共振器200b為并聯(lián)共振器時的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖6(b)示出橫軸為約650～800mhz，縱軸為-30～0db的范圍的saw共振器200b的頻率特性。

saw共振器200b在約706mhz的頻率頻帶具有第一共振點(diǎn)410b。即，第一共振點(diǎn)410b對應(yīng)于一般的saw共振器200的第一共振點(diǎn)410。并且，第一共振點(diǎn)410b的插入損耗為約-22db。

并且，saw共振器200b在約712mhz的頻率頻帶具有第二共振點(diǎn)420b。第二共振點(diǎn)420b的插入損耗為約-20db。即，saw共振器200b能夠抑制約712mhz的頻率頻帶的信號。

因此，saw共振器200b相比saw共振器200，在高頻頻帶側(cè)具有共振點(diǎn)。如所述，saw共振器200b相比saw共振器200在高頻頻帶側(cè)具有共振點(diǎn)，相比saw共振器200，能夠更急劇地(陡峭地)衰減通頻帶的低頻率頻帶側(cè)的信號。

并且，saw共振器200b在第一共振點(diǎn)410b與第二共振點(diǎn)420b之間的頻率頻帶具有反共振點(diǎn)430b。反共振點(diǎn)430b的插入損耗為約-7db。即，將saw共振器200b搭載到聲表面波器件時，有必要抑制反共振點(diǎn)430b。

圖7是用于比較聲表面波器件100與具備saw共振器200b的聲表面波器件100b的頻率特性的曲線圖。并且，以下說明為聲表面波器件100b在圖1圖示的框圖中僅第三并聯(lián)共振器113為saw共振器200b。

圖7(a)是示出聲表面波器件100與聲表面波器件100b的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖7(a)示出橫軸為約660～800mhz，縱軸為-100～0db的范圍的聲表面波器件100以及聲表面波器件100b的頻率特性。

圖7(a)中，第一頻率特性500b示出聲表面波器件100b的頻率特性。圖7(a)中，聲表面波器件100及聲表面波器件100b在通頻帶的低頻率側(cè)具有急劇的(陡峭的)衰減特性。

圖7(b)是擴(kuò)大第一頻率特性500及第一頻率特性500b的低頻率頻帶側(cè)的衰減頻帶的曲線圖。具體而言，圖7(b)的橫軸的范圍為700～725mhz，縱軸的范圍為-50～0db。

如圖7(b)所圖示，聲表面波器件100b在約-38～-4db的衰減頻帶比聲表面波器件100更急劇地(陡峭地)衰減信號。其結(jié)果，第一頻率特性500b相比第一頻率特性500呈現(xiàn)向高頻頻帶側(cè)偏移的特性。因此，聲表面波器件100b在約-38～-4db的衰減頻帶具有相當(dāng)于第一頻率特性500b與第一頻率特性500的差分一樣寬的額外制程范圍。即，聲表面波器件100b相比聲表面波器件100，額外制程范圍有所改善且制造時的收率也有所提高。

圖7(c)是示出聲表面波器件100b、第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113的接收頻帶的低頻率頻帶側(cè)的頻率特性的曲線圖。具體而言，圖7(c)的橫軸為685～735mhz，縱軸為-50～0db的范圍。

圖7(c)中，第一頻率特性500b為聲表面波器件100b的頻率特性。第一并聯(lián)共振器頻率特性510b為第一并聯(lián)共振器111的頻率特性。第二并聯(lián)共振器頻率特性520b為第二并聯(lián)共振器112的頻率特性。第三并聯(lián)共振器頻率特性530b為第三并聯(lián)共振器113的頻率特性。

圖7(c)所圖示，第一并聯(lián)共振器111在約704mhz的頻率頻帶具有-27db的共振點(diǎn)。

第二并聯(lián)共振器112在約708mhz的頻率頻帶具有-28db的共振點(diǎn)。第三并聯(lián)共振器113在約706mhz的頻率頻帶具有-22db的共振點(diǎn)，及在約712mhz的頻率頻帶具有-20db的共振點(diǎn)。并且，第三并聯(lián)共振器113在約708mhz的頻率頻帶具有-6db的反共振點(diǎn)。

即，第二并聯(lián)共振器112的共振點(diǎn)與第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)相一致。因此第二并聯(lián)共振器112可抑制第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)。其結(jié)果，圖7(b)所圖示，聲表面波器件100b比聲表面波器件100具有更急劇的(陡峭的)衰減特性。

[第三實施形態(tài)]

圖8是示出涉及本發(fā)明第二實施形態(tài)的saw共振器200c的模式圖。

圖8所圖示，saw共振器200c具備叉指式換能器201c、第一反射器202和第二反射器203。

saw共振器200c具有第一區(qū)域210c和第二區(qū)域220c。

第一區(qū)域210c是叉指電極以固定周期即第一周期211c形成的區(qū)域。

第二區(qū)域220c是部分地形成于叉指式換能器201c并且叉指電極以與第一周期211c不同的固定周期即第二周期221c形成的區(qū)域。具體而言，第二區(qū)域220c相對于叉指式換能器201c，形成于鄰接第一反射器202的位置及鄰接第二反射器203的位置。即，第二區(qū)域220c被分為兩個。

即，叉指式換能器201c具有叉指電極的周期不同的兩個區(qū)域。

圖9(a)是示出saw共振器200c的叉指式換能器201c、第一反射器202及第二反射器203的叉指電極以及電極的周期的曲線圖，橫軸為位置(μm)，縱軸為周期(μm)。

第一范圍310c示出圖8圖示的第一周期211c。第二范圍320c示出圖8圖示的第二周期221c。

圖9(a)所圖示，第一周期211c為5.497μm。第二周期221c為5.356μm。并且，圖9(a)圖示的周期是例示并不是限定本發(fā)明。

對于第一周期211c的第二周期221c的比率為約97.4％。具體而言，對于第一周期211c的第二周期221c的比率為95％以上，并且優(yōu)選100％以內(nèi)。

對于叉指式換能器201c整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域220c的叉指電極的對數(shù)的比率為約5.4％。具體而言，對于叉指式換能器201c整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域220c的叉指電極的對數(shù)的比率優(yōu)選為20％以內(nèi)。

圖9(b)是示出以saw共振器200c為并聯(lián)共振器時的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖9(b)示出橫軸為約650～800mhz，縱軸為-30～0db的范圍的saw共振器200c的頻率特性。

saw共振器200c在約706mhz的頻率頻帶具有第一共振點(diǎn)410c。即，第一共振點(diǎn)410c對應(yīng)于一般的saw共振器200的第一共振點(diǎn)410。并且，第一共振點(diǎn)410c的插入損耗為約-25db。

并且，saw共振器200c在約712mhz的頻率頻帶具有第二共振點(diǎn)420c。第二共振點(diǎn)420c的插入損耗為約-17db。即，saw共振器200c能夠抑制約712mhz的頻率頻帶的信號。

因此，saw共振器200c相比saw共振器200，在高頻頻帶側(cè)具有共振點(diǎn)。如所述，因saw共振器200c相比saw共振器200，在高頻頻帶側(cè)具有共振點(diǎn)，相比saw共振器200能夠更急劇地(陡峭地)衰減通頻帶的低頻率頻帶側(cè)的信號。

并且，saw共振器200c在第一共振點(diǎn)410c與第二共振點(diǎn)420c之間的頻率頻帶具有反共振點(diǎn)430c。反共振點(diǎn)430c的插入損耗為約-7db。即，將saw共振器200c搭載到聲表面波器件時，能夠抑制反共振點(diǎn)430c。

圖10是用于比較聲表面波器件100與具備saw共振器200c的聲表面波器件100c的頻率特性的曲線圖。并且，以下說明為聲表面波器件100c在圖1圖示的框圖中僅第三并聯(lián)共振器113為saw共振器200c。

圖10(a)是示出聲表面波器件100與聲表面波器件100c的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖10(a)示出橫軸為約660～800mhz，縱軸為-100～0db的范圍的聲表面波器件100及聲表面波器件100c的頻率特性。

圖10(a)中，第一頻率特性500c示出聲表面波器件100c的頻率特性。圖10(a)中，聲表面波器件100及聲表面波器件100c在通頻帶的低頻率側(cè)具有急劇的(陡峭的)衰減特性。

圖10(b)是擴(kuò)大第一頻率特性500及第一頻率特性500c的低頻率頻帶側(cè)的衰減頻帶的曲線圖。具體而言，圖10(b)的橫軸的范圍為700～725mhz，縱軸的范圍為-50～0db。

圖10(b)所圖示，聲表面波器件100c在約-35～-6db的衰減頻帶能夠比聲表面波器件100更急劇地(陡峭地)衰減信號。其結(jié)果，第一頻率特性500c相比第一頻率特性500，呈現(xiàn)向高頻頻帶側(cè)偏移的特性。因此，聲表面波器件100c在約-35～-6db的衰減頻帶具有與第一頻率特性500c與第一頻率特性500的差分一樣寬的額外制程范圍。即，聲表面波器件100c相比聲表面波器件100，額外制程范圍有所改善且制造時的收率也有所提高。

圖10(c)是示出聲表面波器件100c、第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113的接收頻帶的低頻率頻帶側(cè)的頻率特性的曲線圖。具體而言，圖10(c)示出橫軸為685～735mhz，縱軸為-50～0db的范圍。

圖10(c)中，第一頻率特性500c是聲表面波器件100c的頻率特性。第一并聯(lián)共振器頻率特性510c是第一并聯(lián)共振器111的頻率特性。第二并聯(lián)共振器頻率特性520c是第二并聯(lián)共振器112的頻率特性。第三并聯(lián)共振器頻率特性530c是第三并聯(lián)共振器113的頻率特性。

圖10(c)所圖示，第一并聯(lián)共振器111在約704mhz的頻率頻帶具有-27db的共振點(diǎn)。

第二并聯(lián)共振器112在約708mhz的頻率頻帶具有-28db的共振點(diǎn)。

第三并聯(lián)共振器113在約706mhz的頻率頻帶具有-25db的共振點(diǎn)及在約712mhz的頻率頻帶具有-17db的共振點(diǎn)。并且，第三并聯(lián)共振器113在約708mhz的頻率頻帶具有-7db的反共振點(diǎn)。

即，第二并聯(lián)共振器112的共振點(diǎn)與第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)相一致。因此，第二并聯(lián)共振器112能夠抑制第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)。其結(jié)果，如圖10(b)所圖示，聲表面波器件100c相比聲表面波器件100具有更急劇的(陡峭的)衰減特性。

[第四實施形態(tài)]

圖11是示出涉及本發(fā)明第二實施形態(tài)的saw共振器200d的模式圖。

圖11中所圖示，saw共振器200d具備叉指式換能器201d、第一反射器202和第二反射器203。

saw共振器200d具備第一區(qū)域210d、第二區(qū)域220d和第三區(qū)域230d。

第一區(qū)域210d是叉指電極以固定周期即第一周期211d形成的區(qū)域。

第二區(qū)域220d是部分地形成于叉指式換能器201d且叉指電極以與第一周期211d不同的固定周期即第二周期221d形成的區(qū)域。具體而言，第二區(qū)域220d在叉指式換能器201d形成于鄰接第一反射器202的位置。

第三區(qū)域230d是部分地形成于叉指式換能器201d且以與第一周期211d及第二周期221d不同的固定周期即第三周期231d形成的區(qū)域。具體而言，第三區(qū)域230d在叉指式換能器201d形成于第一區(qū)域210d與第二區(qū)域220d之間。

即，叉指式換能器201d可具有叉指電極的周期不同的三個區(qū)域。

圖12(a)是示出saw共振器200d的叉指式換能器201d、第一反射器202，及第二反射器203的叉指電極以及電極的周期的曲線圖，橫軸為位置(μm)，縱軸為周期(μm)。

第一范圍310d示出圖11中圖示的第一周期211d。

第二范圍320d示出圖11中圖示的第二周期221d。

第三范圍330d示出圖11中圖示的第三周期231d。

圖12(a)所圖示，第一周期211d為5.497μm。第二周期221d為5.427μm。第三周期231d為5.438μm。并且，圖12(a)圖示的周期是例示，并不是限定本發(fā)明。

對于第一周期211d的第二周期221d的比率為約98.7％。具體而言，對于第一周期211d的第二周期221d的比率為95％以上，并且優(yōu)選為100％以內(nèi)。

對于叉指式換能器201d整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域320d的叉指電極的對數(shù)的比率為約6.0％。具體而言，對于叉指式換能器201d整體叉指電極的對數(shù)的第二區(qū)域320d的叉指電極的對數(shù)的比率優(yōu)選為20％以內(nèi)。

對于第一周期211d的第三周期231d的比率為約98.9％。具體而言，對于第一周期211d的第三周期231d的比率為95％以上，并且優(yōu)選100％以內(nèi)。

對于叉指式換能器201d整體叉指電極的對數(shù)的第三區(qū)域330d的叉指電極的對數(shù)的比率為約7.5％。具體而言，對于叉指式換能器201d整體叉指電極的對數(shù)的第三區(qū)域330d的叉指電極的對數(shù)的比率優(yōu)選為20％以內(nèi)。

圖12(b)是示出以saw共振器200d為并聯(lián)共振器時的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖12(b)示出橫軸為約650～800mhz，縱軸為-30～0db的范圍的saw共振器200d的頻率特性。

saw共振器200d在約707mhz的頻率頻帶具有第一共振點(diǎn)410d。即，第一共振點(diǎn)410d對應(yīng)于一般的saw共振器200的第一共振點(diǎn)410。并且，第一共振點(diǎn)410d的插入損耗為約-22db。

并且，saw共振器200d在約712mhz的頻率頻帶具有第二共振點(diǎn)420d。第二共振點(diǎn)420d的插入損耗為約-10db。即，saw共振器200d能夠抑制約712mhz的頻率頻帶的信號。

因此，saw共振器200d相比saw共振器200，具有高頻頻帶側(cè)的共振點(diǎn)。如所述，saw共振器200d相比saw共振器200具有高頻頻帶側(cè)的共振點(diǎn)，相比saw共振器200，能夠更急劇地(陡峭地)衰減通頻帶的低頻率頻帶側(cè)的信號。

并且，saw共振器200d在第一共振點(diǎn)410d及第二共振點(diǎn)420d之間的頻率頻帶具有反共振點(diǎn)430d。反共振點(diǎn)430d的插入損耗為約-8db。即，將saw共振器200d搭載到聲表面波器件時，能夠抑制反共振點(diǎn)430d。

圖13是用于比較聲表面波器件100與具備saw共振器200d的聲表面波器件100d的頻率特性的曲線圖。并且，以下說明為聲表面波器件100d在圖1圖示的框圖中僅以第三并聯(lián)共振器113為saw共振器200d。

圖13(a)是示出聲表面波器件100與聲表面波器件100d的頻率特性的曲線圖，橫軸為頻率(mhz)，縱軸為插入損耗(db)。具體而言，圖13(a)示出橫軸為約660～800mhz，縱軸為-100～0db的范圍的聲表面波器件100及聲表面波器件100d的頻率特性。

圖13(a)中，第一頻率特性500d圖示聲表面波器件100d的頻率特性。圖13(a)中聲表面波器件100及聲表面波器件100d在通頻帶的低頻率側(cè)具有急劇的(陡峭的)衰減特性。

圖13(b)是擴(kuò)大第一頻率特性500及第一頻率特性500d的低頻率頻帶側(cè)的衰減頻帶的曲線圖。具體而言，圖13(b)的橫軸的范圍為700～725mhz，縱軸的范圍為-50～0db。

圖13(b)所圖示，聲表面波器件100d在約-28～-8db的衰減頻帶比聲表面波器件100更急劇地(陡峭地)衰減信號。其結(jié)果，第一頻率特性500d相比第一頻率特性500，呈現(xiàn)向高頻頻帶側(cè)偏移的特性。因此，聲表面波器件100d在約-28～-8db的衰減頻帶具有與第一頻率特性500d與第一頻率特性500的差分一樣寬的額外制程范圍。即，聲表面波器件100d相比聲表面波器件100，額外制程范圍有所改善且制造時的收率也有所提高。

圖13(c)示出聲表面波器件100d、第一并聯(lián)共振器111、第二并聯(lián)共振器112及第三并聯(lián)共振器113的接收頻帶的低頻率頻帶側(cè)的頻率特性。具體而言，圖13(c)的橫軸為685～735mhz，縱軸為-50～0db的范圍。

圖13(c)中，第一頻率特性500d為聲表面波器件100d的頻率特性。第一并聯(lián)共振器頻率特性510d為第一并聯(lián)共振器111的頻率特性。第二并聯(lián)共振器頻率特性520d為，第二并聯(lián)共振器112的頻率特性。第三并聯(lián)共振器頻率特性530d為第三并聯(lián)共振器113的頻率特性。

圖13(c)所圖示，第一并聯(lián)共振器111在約706mhz的頻率頻帶具有-27db的共振點(diǎn)。

第二并聯(lián)共振器112在約708mhz的頻率頻帶具有-28db的共振點(diǎn)。

第三并聯(lián)共振器113在約707mhz的頻率頻帶具有-22db的共振點(diǎn)及在約712mhz的頻率頻帶具有-10db的共振點(diǎn)。并且，第三并聯(lián)共振器113在約709mhz的頻率頻帶具有-7db的反共振點(diǎn)。

即，第二并聯(lián)共振器112的共振點(diǎn)與第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)幾乎一致。因此，第二并聯(lián)共振器112能夠抑制第三并聯(lián)共振器113的反共振點(diǎn)。其結(jié)果，圖13(b)所圖示，聲表面波器件100d相比聲表面波器件100，具有更急劇的(陡峭的)衰減特性。

以上參照多個實施形態(tài)說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于所述實施形態(tài)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解到在權(quán)利要求所記載的本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)可對本發(fā)明的構(gòu)成或具體事項進(jìn)行多種變更。