本申請(qǐng)要求于2015年1月29日提交的美國(guó)申請(qǐng)no.14/608,643的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文以用于所有目的。

背景技術(shù)：

除非另有說(shuō)明，否則上述內(nèi)容不被認(rèn)為是本文所記載的權(quán)利要求的現(xiàn)有技術(shù)，并且不應(yīng)被如此解釋。

射頻(rf)電路通常需要無(wú)源器件的高功率開(kāi)關(guān)以用于功率控制、多頻帶調(diào)諧等。rf應(yīng)用(例如，移動(dòng)通信設(shè)備等)通常具有限制設(shè)計(jì)者可用的硅面積量的空間約束。

以高功率操作開(kāi)關(guān)將開(kāi)關(guān)暴露于跨越其源極、柵極、漏極和體極端子的高電壓擺幅。高電壓擺幅在將開(kāi)關(guān)保持在關(guān)斷狀態(tài)方面面臨挑戰(zhàn)，從而影響高電壓開(kāi)關(guān)的可靠性。

附圖說(shuō)明

關(guān)于要進(jìn)行的討論、特別是附圖，強(qiáng)調(diào)所示出的細(xì)節(jié)代表用于示例性討論的示例，并且是提供本公開(kāi)的原理和概念方面的描述的原因。在這方面，除了對(duì)本公開(kāi)的基本理解所需要的內(nèi)容之外，未嘗試示出實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)。以下討論結(jié)合附圖使得對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以如何實(shí)踐根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例變得明顯。在附圖中：

圖1示出了用于根據(jù)本公開(kāi)的電路的示意圖。

圖1a示出了用于根據(jù)本公開(kāi)的電路的備選實(shí)施例的示意圖。

圖2圖示了本公開(kāi)的電路的一個(gè)具體實(shí)施例的示例。

圖2a圖示了圖2中所示的電路的一個(gè)備選實(shí)施例。

圖3圖示了本公開(kāi)的備選電路的一個(gè)實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，為了解釋的目的，闡述了許多示例和具體細(xì)節(jié)，以提供對(duì)本公開(kāi)的透徹理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在權(quán)利要求中表示的本公開(kāi)可以包括這些示例中的一些特征或全部特征，單獨(dú)地或與下文描述的其他特征組合，并且還可以包括本文所描述的特征和概念的修改和等同物。

圖1示出了根據(jù)本公開(kāi)的用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載10的電路100的高層級(jí)框圖。電路100包括差分輸入端子inp和inm以及輸出端子out1和out2。該圖圖示了可以輸入到電路100的輸入信號(hào)12a、12b的示例。在所示出的示例中，輸入信號(hào)12a、12b相對(duì)于彼此是180°異相的。峰間電壓擺幅可以是2vdd，約為vdd的中心電壓以及2vdd和0伏的峰值電壓。

在一些實(shí)施例中，電路100可以是包括串聯(lián)連接的第一和第二晶體管器件m1、m2的輸出電路。在特定實(shí)施例中，m1和m2是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)，特別是pmos型fet器件。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在其他實(shí)施例中，m1和m2可以是nmos器件。晶體管m1和m2可以是增強(qiáng)型晶體管或耗盡型晶體管。

在圖1所示的實(shí)施例中，m1的源極端子和m2的漏極端子與電壓源vdd具有公共連接。輸入端子inp、inm可以跨越晶體管m1和m2連接。例如，輸入端子inp可以被連接到m1的漏極端子，并且輸入端子inm可以被連接到m2的源極端子。

電路100可以包括第一和第二電感元件l，以將輸入端子inp、inm耦合到輸出端子out1、out2。例如，在圖1所示的實(shí)施例中，每個(gè)電感元件l可以將輸入端子inp、inm連接到相應(yīng)的輸出端子out1、out2。

根據(jù)本公開(kāi)，電路100可以包括采樣電路102。采樣電路102的輸入可以被連接，以感測(cè)輸入信號(hào)(例如，12a、12b)。采樣電路102的輸入可以例如被連接到感測(cè)點(diǎn)104、106。根據(jù)本公開(kāi)，感測(cè)點(diǎn)104、106可以是允許采樣電路102感測(cè)輸入信號(hào)的任何連接。例如，參考圖1a，通常，輸入端子inp、inm可以被圖中由阻抗z表示的一般性網(wǎng)絡(luò)114、116耦合到輸出。采樣電路102可以將其輸入連接到網(wǎng)絡(luò)114、116中沿信號(hào)路徑與輸入端子inp、inm電連通的感測(cè)點(diǎn)。

回到圖1，采樣電路102可以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)電壓vg1、vg2、vb1、vb2。在一些實(shí)施例中，電壓vg1、vg2、vb1、vb2可以是相同的電壓；即vg1＝vg2＝vb1＝vb2。在其他實(shí)施例中，vg1、vg2、vb1、vb2可以是不同的電壓。在其他實(shí)施例中，電壓vg1、vg2、vb1、vb2中的一些可以是相同的，一些可以不同。

根據(jù)本公開(kāi)，采樣102可以生成與輸入端子inp、inm處的電壓擺幅vsig成比例的電壓vg1、vg2、vb1、vb2。在一些實(shí)施例中，可以根據(jù)以下關(guān)系產(chǎn)生電壓vg1、vg2、vb1、vb2的電平：

偏置電壓＝α×vsig+k

其中，α是實(shí)常數(shù)，

k是實(shí)常數(shù)，

vsig是輸入端子處的電壓擺幅(例如，峰間值)，

vdd是電源軌電壓。

在一些實(shí)施例中，電壓vg1和vg2可以分別連接到m1和m2的柵極端子。此外，根據(jù)一些實(shí)施例，電壓vb1和vb2可以分別連接到m1和m2的體極端子。術(shù)語(yǔ)“體極端子”可以被不同地稱為主體端子、基極端子、襯底端子、“第四”端子等。

現(xiàn)在參考圖2來(lái)描述根據(jù)本公開(kāi)的特定電路實(shí)施例。在圖2所示的特定實(shí)施例中，電路200包括采樣電路202，采樣電路202具有連接到晶體管m1和m2的柵極端子g(經(jīng)由電阻器rg)和體極端子b(經(jīng)由電阻器rb)的輸出212。采樣電路202的輸入被連接到感測(cè)點(diǎn)204和206。圖2a示出了電路200'的示例，其中采樣電路202的輸入直接連接到輸入端子inp、inm。

回到圖2，在一些實(shí)施例中，采樣電路202可以是全波整流器電路。輸入信號(hào)12a、12b可以由采樣電路202進(jìn)行全波整流，以產(chǎn)生圖2所示出的輸出波形214。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知，輸出波形214的等效直流電平vdc為：

在圖2所示的實(shí)施例中，vpeak＝(2vdd-vdd)＝vdd。因此所計(jì)算的等效直流電平vdc為0.64vdd。然而，輸出被直流偏移了vdd，并且因此實(shí)際的vdc為(vdd+0.64vdd)。

根據(jù)本公開(kāi)，例如使用電阻器rg和rb，可以將輸出212提供給晶體管m1、m2的柵極端子g和體極端子b，以偏置柵極端子和體極端子。因此，晶體管m1和m2的柵極端子g和體極端子b可以在電壓電平(vdd+0.64vdd)處被偏置。因此，對(duì)于晶體管m1，柵極端子g處的電位和體極端子b的電位將始終比m1的漏極端子d處的電位高0.64vdd。這確保了體二極管的適當(dāng)?shù)姆聪蚱煤蚼1的關(guān)斷。類似地，柵極端子g處的電位和晶體管m2的體極端子b處的電位將始終比m2的源極端子s處的電位高0.64vdd，以確保體二極管的適當(dāng)?shù)姆聪蚱煤蚼2的關(guān)斷。

根據(jù)本公開(kāi)的電路確保了可靠性，因?yàn)樵陉P(guān)斷模式下跨越任何兩個(gè)端子的電壓小于vdd。與常規(guī)解決方案相比，根據(jù)本公開(kāi)的電路需要更少的開(kāi)關(guān)，以實(shí)現(xiàn)相同或更好的關(guān)斷性能。由于柵極和體極一直保持在比源極/漏極更高的電壓電平，所以根據(jù)本公開(kāi)的電路中使用的開(kāi)關(guān)與在常規(guī)解決方案中使用的開(kāi)關(guān)相比，在關(guān)斷狀態(tài)下顯示更好的失真性能。

如圖2所示，在一些實(shí)施例中，采樣電路202包括全波整流器。應(yīng)當(dāng)理解，在其他實(shí)施例中，采樣電路202可以包括備選電路系統(tǒng)。例如，采樣電路202可以包括峰值檢測(cè)電路。在其他實(shí)施例中，采樣電路可以包括自混頻本地振蕩器設(shè)計(jì)等。這些電路的設(shè)計(jì)是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的。在一些實(shí)施例中，取決于輸入被感測(cè)的位置，采樣電路202可以包括放大電路系統(tǒng)，以生成具有合適電平的輸出。通常，如結(jié)合圖1所解釋的，采樣電路102可以操作以提供與輸入端子處的電壓擺幅成比例的一個(gè)或多個(gè)輸出電壓。

圖3圖示了根據(jù)本公開(kāi)的另一電路實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，電路300可以包括單個(gè)晶體管器件m。電路300的電路特性與圖2中結(jié)合電路200所解釋的基本相同。采樣電路302可以包括全波整流器、峰值檢測(cè)器、自混頻本地振蕩器等。在采樣電路312包括全波整流器的實(shí)施例中，如上所述，輸出波形314具有可用于偏置晶體管m的柵極端子g和體極端子b的等效直流電平vdc。

上面的描述說(shuō)明了本公開(kāi)的各種實(shí)施例，以及可以如何實(shí)現(xiàn)特定實(shí)施例的各方面的示例。上述示例不應(yīng)被認(rèn)為是僅有的實(shí)施例，并且上述示例被呈現(xiàn)以說(shuō)明由所附權(quán)利要求限定的特定實(shí)施例的靈活性和優(yōu)點(diǎn)?；谏鲜龉_(kāi)內(nèi)容和所附權(quán)利要求，在不脫離由權(quán)利要求限定的本公開(kāi)的范圍的情況下，可以采用其他布置、實(shí)施例、實(shí)現(xiàn)方式和等同物。

我們要求保護(hù)以下內(nèi)容：