本實(shí)用新型涉及電路板的零部件，特別是涉及一種校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板。

背景技術(shù)：

每根天線的射頻(RF)端需要兩套電路來分別完成信號的發(fā)送和接收，由于硬件方面的工藝誤差，加上放大器的非線性失真，很難實(shí)現(xiàn)射頻端的兩套電路具有完全一致的特性。另外，每個射頻電路的特征響應(yīng)也隨著器件差異、工作頻率、時間以及外部環(huán)境(如溫度、濕度等)的變化而變化。這樣，從對基帶信號的影響上看，發(fā)送通道和接收通道等效地對信道乘以不同的系數(shù)，導(dǎo)致了信道的互易性受損。為了消除各個射頻接收和發(fā)送通道之間的偏差對信道的影響，保證RF通道的互易性，需要采用射頻通路的校準(zhǔn)技術(shù)。射頻通路校準(zhǔn)的主要目的是保證多個射頻拉遠(yuǎn)單元(RRU)的RF發(fā)送通道幅度和相位的一致性。

由于天線自身設(shè)計要求，天線體積大小決定校正網(wǎng)絡(luò)板體積偏小。體積偏小導(dǎo)致對基材自身的損耗要求也偏小，且成為校正網(wǎng)絡(luò)板的硬指標(biāo)要求。高頻微波基板的自身介質(zhì)的選擇直接影響高頻微波基板。傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝為PTFE、玻纖、反轉(zhuǎn)銅箔復(fù)合材料組成高頻微波基板。由于PTFE自身粘附惰性要求生產(chǎn)工藝中需要進(jìn)行長時間的高溫壓合才能夠滿足銅箔與PTFE間的粘附效果。傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝中長時間的高溫壓合，會使PTFE自身變質(zhì)，最終影響PTFE優(yōu)質(zhì)的介質(zhì)損耗，至使傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝高頻微波基板在校正網(wǎng)絡(luò)基板應(yīng)用上，一次合格率偏低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)現(xiàn)狀，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板，其能有效的減少因高溫帶來的PTFE變質(zhì)問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所提供的一種校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板，包括：

玻纖布；

兩層PTFE薄膜，兩層PTFE薄膜分別固定在所述玻纖布的兩側(cè)面上；以及

兩層反轉(zhuǎn)銅箔，兩層反轉(zhuǎn)銅箔分別通過FEP膜固定在兩層所述PTFE薄膜與所述玻纖布背對的側(cè)面上。

在其中一個實(shí)施例中，所述FEP膜的厚度為0.015～0.025mm。

在其中一個實(shí)施例中，所述反轉(zhuǎn)銅箔的粗造度為2～3um。

在其中一個實(shí)施例中，所述反轉(zhuǎn)銅箔、所述FEP膜、所述PTFE薄膜及所述玻纖布采用熱壓工藝組合在一起。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板，反轉(zhuǎn)銅箔與PTFE薄膜通過FEP膜進(jìn)行粘附，F(xiàn)EP具有與PTFE相似的特性，而FEP的結(jié)晶熔化點(diǎn)為304℃，通過實(shí)驗驗證反轉(zhuǎn)銅箔與PTFE之間可在320攝氏度左右通過高壓起到粘附作用，從而將原本的380℃以上的壓合溫度調(diào)整至320℃左右，實(shí)現(xiàn)了原材料的低損耗性能最大保留，最終實(shí)現(xiàn)了滿足客戶對此項產(chǎn)品性能要求。

本實(shí)用新型附加技術(shù)特征所具有的有益效果將在本說明書具體實(shí)施方式部分進(jìn)行說明。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中的校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明：1、反轉(zhuǎn)銅箔；2、FEP膜；3、玻纖布；4、PTFE薄膜。

具體實(shí)施方式

下面參考附圖并結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，以下各實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

參見圖1，本實(shí)用新型其中一個實(shí)施例中的校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板包括兩層反轉(zhuǎn)銅箔1、兩層FEP膜2、兩層PTFE薄膜4及玻纖布3，其中，兩層PTFE薄膜4分別固定在玻纖布3的兩側(cè)面上。玻纖布3和PTFE薄膜4為介質(zhì)材料，PTFE薄膜4的介電性能和耐高低溫性能優(yōu)良。

兩層反轉(zhuǎn)銅箔1分別通過FEP膜2固定在兩層所述PTFE薄膜4與所述玻纖布3背對的側(cè)面上。本實(shí)用新型實(shí)施例的校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板，反轉(zhuǎn)銅箔與PTFE薄膜通過FEP膜進(jìn)行粘附，F(xiàn)EP具有與PTFE相似的特性，而FEP的結(jié)晶熔化點(diǎn)為304℃，通過實(shí)驗驗證反轉(zhuǎn)銅箔與PTFE之間可在320攝氏度左右通過高壓起到粘附作用，從而將原本的380℃以上的壓合溫度調(diào)整至320℃左右，實(shí)現(xiàn)了原材料的低損耗性能最大保留，最終實(shí)現(xiàn)了滿足客戶對此項產(chǎn)品性能要求。

較優(yōu)地，所述FEP膜的厚度為0.015～0.025mm，進(jìn)一步地，所述FEP膜的厚度為0.02mm。此厚度可以減少FEP含量，因為較多的FEP含量將會導(dǎo)致在高壓下出現(xiàn)過量流膠，過量的流膠將影響產(chǎn)品質(zhì)量及一致性。

較優(yōu)地，所述反轉(zhuǎn)銅箔1的粗造度為2～3um，優(yōu)選地，反轉(zhuǎn)銅箔1的粗造度為2.5um。本實(shí)施例中的校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板，將反轉(zhuǎn)銅箔降低至2～3um，降低之后將對PCB基板生產(chǎn)過程中的線路制作精度大大提高，從而保證產(chǎn)品高PIM值精度要求。

優(yōu)選地，所述反轉(zhuǎn)銅箔1、所述FEP膜2、所述PTFE薄膜4及所述玻纖布3采用熱壓工藝組合在一起，可以提高附著力。

綜上，本實(shí)用新型實(shí)施例的校正網(wǎng)絡(luò)用低溫壓合微波基板，通過采用與PTFE相似特性的FEP膜作為粘接膜，且FEP膜熔點(diǎn)低，實(shí)現(xiàn)了原材料的低損耗性能最大保留，最終實(shí)現(xiàn)了滿足客戶對此項產(chǎn)品性能要求。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。