本發(fā)明涉及振蕩電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

單管感應加熱是電磁爐中最常見的拓撲之一。通常，單管感應加熱電路拓撲常采用由2個集電極開路輸出的比較器和若干電容電阻組成的自激振蕩電路進行峰值電流控制，如圖1所示?？刂破髦恍杞o出一定占空比的脈沖，就能使得電路振蕩工作起來。因此，從控制上來看，其控制方式也相對簡單。但是，其無法保證電路能工作在零電壓開通(Zero Voltage Switch，ZVS)，從而導致電容脈沖爬升速率(du/dt)大，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)損耗增大陷。在有些應用中，采用軟件同步來替代該振蕩電路，但是該方法會占用更多的處理器資源，存在處理器跑飛時，可能導致IGBT燒毀等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)，以增加單管感應加熱自激振蕩電路的ZVS實現(xiàn)范圍，同時降低了成本。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法，包括：

對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使所述單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加固定延遲時間；

當所述延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)所述第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，所述第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；

根據(jù)所述第一閾值時間Δt和所述第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使所述單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第一種可能的實施方式，其中，所述第一預設(shè)條件為所述延遲時間大于所述第一閾值時間Δt，所述第二預設(shè)條件為所述延遲時間小于所述第二閾值時間t_m，所述當所述延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)所述第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時間滿足第二預設(shè)條件包括：

當所述延遲時間大于所述第一閾值時間Δt時，根據(jù)所述延遲時間大于所述第一閾值時間Δt和所述IGBT的開通條件，使所述延遲時間小于所述第二閾值時間t_m；

其中，所述第一閾值時間Δt在第一時間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取，所述第二閾值時間t_m在所述第一時間段根據(jù)第二時刻感應電流i_L(t₂)獲取。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第二種可能的實施方式，其中，所述第三預設(shè)條件為所述延遲時間不小于所述最小極值Δt₀且不大于所述最大極值t_m0，所述根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而實現(xiàn)電路在零點電壓開通包括：

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時間不小于所述最小極值Δt₀且不大于所述最大極值t_m0，從而使所述電路在所述零點電壓開通。

結(jié)合第一方面的第二種可能的實施方式，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第三種可能的實施方式，其中，所述第一閾值時間Δt在第一時間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取包括：

對第一時刻電感電流i_L(t₅)進行分析，得到所述第一時刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系；

通過對所述單管感應加熱主電路進行分析，獲得所述第一時間段內(nèi)的特定相位

根據(jù)所述第一正比例關(guān)系和所述特定相位得到所述第一閾值時間Δt，其中，所述第一閾值時間Δt與所述峰值電流I_pk成反比例關(guān)系。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實施方式，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第四種可能的實施方式，其中，所述通過對所述單管感應加熱主電路進行分析，獲得所述第一時間段內(nèi)的特定相位包括：

根據(jù)下式計算所述特定相位：

其中，為所述特定相位，C₁為諧振電容，U為直流電壓，I為電感電流，ω為所述角頻率。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實施方式，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第五種可能的實施方式，其中，所述第一閾值時間Δt包括：

其中，Δt為所述第一閾值時間，為所述特定相位，ω為所述角頻率。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實施方式，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第六種可能的實施方式，其中，所述第二閾值時間t_m在所述第一時間段根據(jù)第二時刻感應電流I₁獲取包括：

獲取第二時刻電感電流I₁；

根據(jù)所述第二時刻電感電流I₁在實現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得所述第二閾值時間t_m；

對所述第二閾值時間t_m進行求導和縮放，獲得所述第二閾值時間t_m與所述峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系。

結(jié)合第一方面的第六種可能的實施方式，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第七種可能的實施方式，其中，所述實現(xiàn)電路ZVS的條件包括：

I²＞C_IU²/L₁

其中，I為所述電感電流，C₁為諧振電容，U為直流電壓，L₁為電感。

結(jié)合第一方面的第七種可能的實施方式，本發(fā)明實施例提供了第一方面的第八種可能的實施方式，其中，所述根據(jù)所述第二時刻電感電流I₁在實現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得所述第二閾值時間t_m包括：

其中，t_m為所述第二閾值時間，C₁為所述諧振電容，U為所述直流電壓，L₁為所述電感，ω為角頻率，I為所述電感電流。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)，包括：

延遲時間增加器，用于對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使所述單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加固定延遲時間；

閾值時間獲取器，用于當所述延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)所述第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，所述第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；

極值獲取器，用于根據(jù)所述第一閾值時間Δt和所述第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

ZVS實現(xiàn)器，用于根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使所述單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。

本發(fā)明提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)，包括：對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加延遲時間，當延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；根據(jù)第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。本發(fā)明能夠增加單管感應加熱自激振蕩電路的ZVS實現(xiàn)范圍，降低成本。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)所提供的單管感應加熱自激振蕩電路的電路圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)所提供的單管感應加熱主電路的電路圖；

圖3為本發(fā)明實施例一提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法流程圖；

圖4為本發(fā)明實施例一提供的獲取第一閾值時間的方法流程圖；

圖5為本發(fā)明實施例一提供的獲取第二閾值時間的方法流程圖；

圖6為本發(fā)明實施例二提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)示意圖。

圖標：100-延遲時間增加器；200-閾值時間獲取器；300-極值獲取器；400-ZVS實現(xiàn)器。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

目前通過對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，參照圖2，單管感應加熱主電路中絕緣柵雙極型晶體管Q1的柵極連接來自驅(qū)動的脈沖信號(PWM_FROM_DRIVER)，可以得到在一個工作周期內(nèi)，單管感應加熱主電路的工作狀態(tài)可分為3個階段：第一階段為[0,t₁]電感充電階段、第二階段[t₁,t₂]諧振階段和第三階段[t₂,t₃]電感放電階段。其中在在第三階段時，單管感應加熱主電路可以實現(xiàn)零電壓開通，即在二極管開通期間，使得IGBT導通。對三個工作狀態(tài)下的單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，在一個周期內(nèi)有兩個時刻滿足電感電壓與直流電壓相等的情況，即u_CE(t)＝U，可以設(shè)這兩個時刻為t₄和t₅，且t₄＜t₅。

一般地有，當此時，比較器U1A輸出高電平，節(jié)點4的電壓為u₄＝4V，節(jié)點3的電壓為u₃＝3.3V。當時，比較器U1A輸出低電平，則u₃＝0V，u₄＝0.7V。由控制器產(chǎn)生的PWM信號在節(jié)點5形成了一個穩(wěn)定的電平u₅，此時有u₅>u₄，則U1B輸出高電平，該信號輸入到驅(qū)動芯片，從而IGBT導通。+15V電壓通過R7給電容C2充電，u₄的電位上升，當u₅<u₄時，比較器U1B輸出低電平，IGBT關(guān)斷，電容電感進入自由諧振階段。當u_CE(t)＝U時，比較器U1A輸出高阻態(tài)，由于二極管D1的鉗位，u₄＝4V，電容C2放電，直至u₃＝3.3V，如此周而復始。

從以上分析發(fā)現(xiàn)，通過該單管感應加熱自激振蕩電路，使得IGBT的源極和漏極之間的電壓u_CE(t)＝U時就開通了，從而IGBT無法零電壓開通。接下來通過實施例一介紹，如果單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加一定的延遲，將會使得單管感應加熱主電路零電壓開通這一特性得以實現(xiàn)。

實施例一：

圖3為本發(fā)明實施例一提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法流程圖。

參照圖3，基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法包括：

步驟S110，對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加延遲時間；

具體的，通過以上分析可知，增加固定的延遲時間可以實現(xiàn)全范圍負載ZVS。

步驟S120，當延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；

具體的，第一預設(shè)條件為延遲時間大于第一閾值時間，如公式(1)所示：

t_d≥Δt＝t₂-t₅ (1)

其中，t_d為延遲時間，Δt為第一閾值時間，t₂為諧振階段與電感放電階段的交界時刻，t₅為滿足電感電壓與直流電壓相等的時刻。

第二預設(shè)條件為延遲時間小于第二閾值時間，如公式(2)所示：

t_d≤t_m＝Δt+t_don (2)

其中，t_m為第二閾值時間，t_don為二極管導通時間。

步驟S130，根據(jù)第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

步驟S140，根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。

具體的，第三預設(shè)條件為延遲時間不小于最小極值Δt₀且不大于最大極值t_m0，如公式(3)所示：

Δt₀≤t_d≤t_m0 (3)

根據(jù)本發(fā)明實施例，參照圖4，獲取第一閾值時間Δt的方法包括：

步驟S210，對第一時刻電感電流i_L(t₅)進行分析，得到第一時刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系；

步驟S220，通過對單管感應加熱主電路進行分析，獲得第一時間段內(nèi)的特定相位

步驟S230，根據(jù)第一正比例關(guān)系和特定相位得到第一閾值時間Δt，其中，第一閾值時間Δt與峰值電流I_pk成反比例關(guān)系。

具體的，選取滿足電感電壓與直流電壓相等的時刻，即當t＝t₅時，有第一時刻電感電流，如公式(4)所示：：

其中，i_L(t₅)為第一時刻電感電流，ω₀為初角頻率，如公式(5)所示：

δ為衰減系數(shù)，如公式(6)所示：

ω為角頻率，如公式(7)所示：

β為初相位，如公式(8)所示：

為相位，如公式(9)所示：

A為系數(shù)，如公式(10)所示：

還可以根據(jù)以上內(nèi)容得到峰值電流，如公式(11)所示：

I_pk為峰值電流，如公式(9)所示：

可以判別出I_pk越大I越大，第一時刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系。一般的，等效電阻R1比較小，從而衰減系數(shù)δ也比較小，在考慮時可以忽略電阻R1的影響，在第一時間段[t₅,t₂]對應的特定相位如公式(12)所示：

其中，為特定相位，C₁為諧振電容，U為直流電壓，I為電感電流，ω為角頻率。

則有第一閾值時間Δt，如公式(13)所示：

其中，Δt為第一閾值時間，為特定相位，ω為角頻率。

可以看出，Δt是隨I_pk的增加而減小的。即I_pk越小，為了實現(xiàn)ZVS所需的最小延遲時間就越長。因此，若給定一個大于最小I_pk對應的所需延遲時間的延遲時間，就可以使得IGBT在其反并聯(lián)二極管導通之后才開始導通。但這并不意味著一定能實現(xiàn)零電壓開通，如果延遲時間太長，將有可能導致IGBT在其反并聯(lián)二極管已經(jīng)截止了才開通，這將使單管感應加熱主電路重新開始自由振蕩，從而失去了ZVS。因此，必須確保延遲時間t_d＜t_m＝Δt+t_don,其中t_don是二極管導通時間。

根據(jù)本發(fā)明實施例，參照圖5，獲取第二閾值時間t_m的方法包括：

步驟S310，獲取第二時刻電感電流I₁；

步驟S320，根據(jù)第二時刻電感電流I₁在實現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得第二閾值時間t_m；

步驟S330，對第二閾值時間t_m進行求導和縮放，獲得第二閾值時間t_m與峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系。

具體的，第二時刻電感電流如公示(14)所示：

從時刻t₅到時刻t₂由能量守恒可得：

由公式(8)可知，為了能實現(xiàn)ZVS必須滿足：

I²＞C₁U²/L₁ (15)

則根據(jù)第二時刻電感電流I₁在實現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得第二閾值時間t_m，如公式(16)所示：

其中，t_m為第二閾值時間，C₁為諧振電容，U為直流電壓，L₁為電感，ω為角頻率，I為電感電流。

對公式(16)進行求導得，

對公式(17)進行縮放有，

即有t_m隨I的增加而增加，因此t_m隨I_pk的增加而增加。

設(shè)定最小的峰值電流I_pk，根據(jù)第一閾值時間Δt與峰值電流I_pk成反比例關(guān)系，獲得最大的第一閾值時間，也就是延遲時間t_d的最小極值Δt₀；根據(jù)第二閾值時間t_m與所述峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系，獲得最小的第二閾值時間，也就是延遲時間t_d的最大極值t_m0。設(shè)最小的峰值電流I_pk對應的Δt和t_m分別為Δt₀和t_m0，若給定固定的延遲時間，應滿足公式(3)：

Δt₀≤t_d≤t_m0 (3)

則能確保IGBT在反并聯(lián)二極管開通后再開通，同時又保證在二極管截止前導通，即實現(xiàn)了零電壓開通。當峰值電流最小時，對應最小的I_pk，因此對于固定的延遲時間可由能實現(xiàn)ZVS的最小峰值電流對應的時間Δt₀和t_m0來確定。

本發(fā)明實施例提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的方法，通過對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加延遲時間，當延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；根據(jù)第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。本發(fā)明增加了單管感應加熱自激振蕩電路的ZVS實現(xiàn)范圍，降低了成本。

實施例二：

圖6為本發(fā)明實施例二提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)示意圖。

參照圖6，基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)包括：

延遲時間增加器100，用于對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加固定延遲時間；

閾值時間獲取器200，用于當延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；

極值獲取器300，用于根據(jù)第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

ZVS實現(xiàn)器400，用于根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。

本發(fā)明實施例提供的基于延遲時間以實現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)，包括延遲時間增加器、閾值時間獲取器、極值獲取器和ZVS實現(xiàn)器，通過對單管感應加熱主電路和單管感應加熱自激振蕩電路進行分析，使單管感應加熱自激振蕩電路在開通點增加延遲時間，當延遲時間滿足第一預設(shè)條件時，根據(jù)第一預設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時間滿足第二預設(shè)條件，其中，第一預設(shè)條件包括第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m；根據(jù)第一閾值時間Δt和第二閾值時間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時間在全范圍滿足第三預設(shè)條件，從而使單管感應加熱自激振蕩電路在零點電壓開通。本發(fā)明增加了單管感應加熱自激振蕩電路的ZVS實現(xiàn)范圍，降低了成本。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)和裝置的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。

另外，在本發(fā)明實施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

所述功能如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

最后應說明的是：以上所述實施例，僅為本發(fā)明的具體實施方式，用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制，本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解：任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進行修改或可輕易想到變化，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改、變化或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實施例技術(shù)方案的精神和范圍，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應所述以權(quán)利要求的保護范圍為準。