技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種低噪聲放大器及其控制方法，其特征在于，所述低噪聲放大器包括第一NMOS晶體管單元、第二NMOS晶體管單元、PMOS晶體管單元和輸出級電路；第一NMOS晶體管單元的柵極連接低噪聲放大器的輸入端，源極連接電流源后接地，漏極分別與第二NMOS晶體管單元的柵極和輸出級電路連接；第二NMOS晶體管的源極與輸入端連接，漏極與輸出級電路連接；PMOS晶體管單元的柵極與輸入端連接，源極連接于輸出級電路與第二NMOS晶體管單元的漏極之間，漏極連接于第一NMOS晶體管單元的漏極與第二NMOS晶體管單元的柵極之間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種低噪聲放大器及其控制方法，可以分別對低噪聲放大器的噪聲系數(shù)、帶寬、增益和輸入阻抗匹配進行獨立優(yōu)化調(diào)節(jié)。

技術(shù)研發(fā)人員：金莉;姜學(xué)平;葉天翔;張亞朋
受保護的技術(shù)使用者：全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;國網(wǎng)天津市電力公司;國家電網(wǎng)公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.01
技術(shù)公布日：2017.08.11